JPH0421925A - 多層記録膜の記録再生方法 - Google Patents
多層記録膜の記録再生方法Info
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- JPH0421925A JPH0421925A JP2126104A JP12610490A JPH0421925A JP H0421925 A JPH0421925 A JP H0421925A JP 2126104 A JP2126104 A JP 2126104A JP 12610490 A JP12610490 A JP 12610490A JP H0421925 A JPH0421925 A JP H0421925A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層記録膜の記録再生方法、特に多層記録膜を
構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う多層記録膜
の記録再生方法に関する。
構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う多層記録膜
の記録再生方法に関する。
近年、光記録媒体の記録膜として色素膜等の種々の記録
膜が開発されている。色素膜を例にとると、スピンコー
ド等により基板上に成膜された色素膜上に所定波長の半
導体レーザビームを集光させ、それを熱エネルギーに変
換して色素膜の性状を変えることにより記録が行われる
。そして、未記録部分との反射光量あるいは透過光量の
違いにより再生が行われる。しかしながら、従来の光記
録媒体はアクセスする光の回折限界により記録密度は１
０８ビツト／ａｄが限界であり、高度情報化社会におけ
る高密度記録化に対応し得る光記録媒体の開発が要望さ
れている。そして、光記録媒体の高密度化を達成するた
めの一手段として、光記録媒体の垂直方向への記録を可
能にして、単位体積あたりの記録密度を上げる方法があ
る。これは、互いに波長の異なった吸収ピークをもつ複
数の記録膜を積層して多層記録膜を形成し、この多層記
録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波長の光を
照射して記録および再生を行うことにより光記録媒体の
垂直方向への記録を可能とするものである。
膜が開発されている。色素膜を例にとると、スピンコー
ド等により基板上に成膜された色素膜上に所定波長の半
導体レーザビームを集光させ、それを熱エネルギーに変
換して色素膜の性状を変えることにより記録が行われる
。そして、未記録部分との反射光量あるいは透過光量の
違いにより再生が行われる。しかしながら、従来の光記
録媒体はアクセスする光の回折限界により記録密度は１
０８ビツト／ａｄが限界であり、高度情報化社会におけ
る高密度記録化に対応し得る光記録媒体の開発が要望さ
れている。そして、光記録媒体の高密度化を達成するた
めの一手段として、光記録媒体の垂直方向への記録を可
能にして、単位体積あたりの記録密度を上げる方法があ
る。これは、互いに波長の異なった吸収ピークをもつ複
数の記録膜を積層して多層記録膜を形成し、この多層記
録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波長の光を
照射して記録および再生を行うことにより光記録媒体の
垂直方向への記録を可能とするものである。
しかし、互いに波長の異なった吸収ピークをもつ複数の
記録膜を積層して多層記録膜を形成しても、多層記録膜
を構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う場合、各
記録膜毎に独立して記録が行えないという問題があった
。この問題を第６図乃至第８図を基に説明する。第６図
は光吸収帯が一部重なり合う記録膜Ａ、Ｂの分光特性を
示す図であり、実線は多層記録膜状態での吸光曲線を示
し、鎖線は記録膜Ａ、Ｂの単層状態での吸光曲線を示す
。第６図において、記録膜Ａ、Ｂは波長がそれぞれλ
、λ、である吸収ピークをもち、記録膜Ａ、Ｈの光吸収
帯Ｗ、Ｗｂは互いに重なり合っている。そして、記録膜
Ｂの光吸収帯Ｗｂは、記録膜Ａの吸収ピーク波長λ よ
りもさらに短波長域まで伸びている。このような多層記
録膜に、記録膜Ａの吸収ピーク波長λ と同一波長の光
を照射して記録すると、第７図に実線で示されるように
記録膜Ａの吸光度が減少するが、波長λ には記録膜Ｂ
の光吸収帯Ｗｂも存在するので、記録膜Ｂの吸光度も減
少してしまう。一方、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λ５と
同一波長の光を照射して記録すると、第８図に実線で示
されるように記録膜Ｂの吸光度が減少するが、記録膜Ｂ
の光吸収帯Ｗ、が記録膜Ａの吸収ピーク波長λ８にも存
在するので、記録膜Ｂの吸光度の減少にともなって記録
膜Ａの吸光度も減少してしまう。すなわち、記録膜Ａの
記録と同時に記録膜Ｂも記録され、逆に記録膜Ｂの記録
と同時に波長λ における吸光度が変化してしまい、記
録膜Ａまたは記録膜Ｂを単独に記録できないことになる
。
記録膜を積層して多層記録膜を形成しても、多層記録膜
を構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う場合、各
記録膜毎に独立して記録が行えないという問題があった
。この問題を第６図乃至第８図を基に説明する。第６図
は光吸収帯が一部重なり合う記録膜Ａ、Ｂの分光特性を
示す図であり、実線は多層記録膜状態での吸光曲線を示
し、鎖線は記録膜Ａ、Ｂの単層状態での吸光曲線を示す
。第６図において、記録膜Ａ、Ｂは波長がそれぞれλ
、λ、である吸収ピークをもち、記録膜Ａ、Ｈの光吸収
帯Ｗ、Ｗｂは互いに重なり合っている。そして、記録膜
Ｂの光吸収帯Ｗｂは、記録膜Ａの吸収ピーク波長λ よ
りもさらに短波長域まで伸びている。このような多層記
録膜に、記録膜Ａの吸収ピーク波長λ と同一波長の光
を照射して記録すると、第７図に実線で示されるように
記録膜Ａの吸光度が減少するが、波長λ には記録膜Ｂ
の光吸収帯Ｗｂも存在するので、記録膜Ｂの吸光度も減
少してしまう。一方、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λ５と
同一波長の光を照射して記録すると、第８図に実線で示
されるように記録膜Ｂの吸光度が減少するが、記録膜Ｂ
の光吸収帯Ｗ、が記録膜Ａの吸収ピーク波長λ８にも存
在するので、記録膜Ｂの吸光度の減少にともなって記録
膜Ａの吸光度も減少してしまう。すなわち、記録膜Ａの
記録と同時に記録膜Ｂも記録され、逆に記録膜Ｂの記録
と同時に波長λ における吸光度が変化してしまい、記
録膜Ａまたは記録膜Ｂを単独に記録できないことになる
。
本発明は上述したような事情に鑑み創案されたものであ
り、多層記録膜を構成する記録膜の光吸収帯が一部重な
り合っていても、各記録膜毎に独立して記録・再生が行
える多層記録膜の記録再生方法を提供することを目的と
する。
り、多層記録膜を構成する記録膜の光吸収帯が一部重な
り合っていても、各記録膜毎に独立して記録・再生が行
える多層記録膜の記録再生方法を提供することを目的と
する。
上記の目的を達成するために、本発明は特定波長域に光
吸収帯を有し固有の吸収ピークをもつ記録膜を複数積層
した多層記録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一の
波長の光を照射して記録および再生を行う多層記録膜の
記録再生方法において、相隣接する吸収ピークのうち長
波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長側
の吸収ピークよりもさらに短波長域まで存在するときに
、前記短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸収ピーク
波長における吸光度を長波長側の吸収ピークをもつ記録
膜の短波長側の吸収ピーク波長における吸光度よりも高
くするとともに、前記長波長側の吸収ピークをもつ前記
記録膜の光吸収帯よりも短い波長の光を前記短波長側の
吸収ピークをもつ前記記録膜に照射する構成とした。
吸収帯を有し固有の吸収ピークをもつ記録膜を複数積層
した多層記録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一の
波長の光を照射して記録および再生を行う多層記録膜の
記録再生方法において、相隣接する吸収ピークのうち長
波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長側
の吸収ピークよりもさらに短波長域まで存在するときに
、前記短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸収ピーク
波長における吸光度を長波長側の吸収ピークをもつ記録
膜の短波長側の吸収ピーク波長における吸光度よりも高
くするとともに、前記長波長側の吸収ピークをもつ前記
記録膜の光吸収帯よりも短い波長の光を前記短波長側の
吸収ピークをもつ前記記録膜に照射する構成とした。
相隣接する吸収ピークのうち、長波長側の吸収ピークを
もつ記録膜に該記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波長
の光を照射して記録を行うと記録膜の吸光度が減少し、
この際、長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯
が短波長側の吸収ピークよりもさらに低波長域まで存在
するので、短波長側の吸収ピーク波長における吸光度も
減少するが、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光
度が長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よりも
高く設定されているので、短波長側の吸収ピーク波長に
おける吸光度の減少はきわめて少ないものとなる。また
、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜に上記の長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯よりも短い波長の
光を照射して記録を行うと、長波長側の吸収ピークをも
つ記録膜の吸光度の減少をともなわずに短波長側の吸収
ピークをもつ記録膜の吸光度が減少して記録が行われる
。これにより、相隣接する吸収ピークのうち長波長側の
吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長側の吸収ピ
ークよりもさらに短い波長域まで存在するような記録膜
が積層された多層記録膜であっても各記録膜毎に独立し
て記録・再生が行える。
もつ記録膜に該記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波長
の光を照射して記録を行うと記録膜の吸光度が減少し、
この際、長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯
が短波長側の吸収ピークよりもさらに低波長域まで存在
するので、短波長側の吸収ピーク波長における吸光度も
減少するが、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光
度が長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よりも
高く設定されているので、短波長側の吸収ピーク波長に
おける吸光度の減少はきわめて少ないものとなる。また
、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜に上記の長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯よりも短い波長の
光を照射して記録を行うと、長波長側の吸収ピークをも
つ記録膜の吸光度の減少をともなわずに短波長側の吸収
ピークをもつ記録膜の吸光度が減少して記録が行われる
。これにより、相隣接する吸収ピークのうち長波長側の
吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長側の吸収ピ
ークよりもさらに短い波長域まで存在するような記録膜
が積層された多層記録膜であっても各記録膜毎に独立し
て記録・再生が行える。
１実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図乃至第３図は本発明の多層記録膜の記録再生方法
を説明するための図である。第１図は光吸収帯が一部重
なり合う記録膜Ａ、Ｂの分光特性を示す図であり、実線
は多層記録膜状態での吸光曲線を示し、鎖線はそれぞれ
記録膜Ａおよび記録膜Ｂの単層状態での吸光曲線を示す
。第１図において記録膜Ａ、Ｂはそれぞれ最大吸光度に
おける波長がλ 、λｈである吸収ピークをもっている
。
を説明するための図である。第１図は光吸収帯が一部重
なり合う記録膜Ａ、Ｂの分光特性を示す図であり、実線
は多層記録膜状態での吸光曲線を示し、鎖線はそれぞれ
記録膜Ａおよび記録膜Ｂの単層状態での吸光曲線を示す
。第１図において記録膜Ａ、Ｂはそれぞれ最大吸光度に
おける波長がλ 、λｈである吸収ピークをもっている
。
また、記録膜Ａ、Ｂの光吸収帯Ｗ、Ｗ、は一部重なり合
っており、かつ記録膜Ｂの光吸収帯Ｗｂは、記録膜Ａの
吸収ピーク波長λ よりもさらに短波長域まで伸びてい
る。そして、本発明では隣接する２つの吸収ピークのう
ち短波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λ にお
ける吸光度を、記録膜Ｂの波長λ における吸光度より
も高く設定している。記録膜Ａの吸光度を高くするには
、通常、記録膜Ａの膜厚を厚くすればよく、本発明では
波長λ における記録膜Ａの吸光度は波長λ における
記録膜Ｂの吸光度より大きく設定される。このように、
波長λ における記録膜Ａの吸光度を同波長における記
録膜Ｂの吸光度よりも高く設定することにより、波長λ
５の光により記録膜Ｂを記録する際に、記録膜Ｂの吸光
度の減少にともなう波長λ での吸光度の減少率を微小
なものとすることができる。すなわち、第１図に示され
る吸光曲線を有する多層記録膜を構成する記録膜Ａ、Ｂ
のうち、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂに記録を
行う場合、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λ、と略同一波長
の光を照射して記録膜Ｂの記録が行われ、これにより第
２図に実線で示されるように記録膜Ｂの吸光度が減少す
る。そして、記録膜Ｂの光吸収帯Ｗｂが記録膜Ａの吸収
ピークの波長λ においても存在するので、記録膜Ｂの
吸光度の減少にともなって波長λ での吸光度も減少す
る。しかし、上述のように波長λ における記録膜Ａの
吸光度が同波長における記録膜Ｂの吸光度に比べて高い
ため、記録膜Ｂの記録による波長λ における吸光度の
減少率はきわめて小さいものとなる。このため、記録膜
Ａの再生時にバイアスをかけることにより、記録膜Ｂの
記録によって生じた波長λ での吸光度減少はノイズと
して処理することができる。
っており、かつ記録膜Ｂの光吸収帯Ｗｂは、記録膜Ａの
吸収ピーク波長λ よりもさらに短波長域まで伸びてい
る。そして、本発明では隣接する２つの吸収ピークのう
ち短波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λ にお
ける吸光度を、記録膜Ｂの波長λ における吸光度より
も高く設定している。記録膜Ａの吸光度を高くするには
、通常、記録膜Ａの膜厚を厚くすればよく、本発明では
波長λ における記録膜Ａの吸光度は波長λ における
記録膜Ｂの吸光度より大きく設定される。このように、
波長λ における記録膜Ａの吸光度を同波長における記
録膜Ｂの吸光度よりも高く設定することにより、波長λ
５の光により記録膜Ｂを記録する際に、記録膜Ｂの吸光
度の減少にともなう波長λ での吸光度の減少率を微小
なものとすることができる。すなわち、第１図に示され
る吸光曲線を有する多層記録膜を構成する記録膜Ａ、Ｂ
のうち、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂに記録を
行う場合、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λ、と略同一波長
の光を照射して記録膜Ｂの記録が行われ、これにより第
２図に実線で示されるように記録膜Ｂの吸光度が減少す
る。そして、記録膜Ｂの光吸収帯Ｗｂが記録膜Ａの吸収
ピークの波長λ においても存在するので、記録膜Ｂの
吸光度の減少にともなって波長λ での吸光度も減少す
る。しかし、上述のように波長λ における記録膜Ａの
吸光度が同波長における記録膜Ｂの吸光度に比べて高い
ため、記録膜Ｂの記録による波長λ における吸光度の
減少率はきわめて小さいものとなる。このため、記録膜
Ａの再生時にバイアスをかけることにより、記録膜Ｂの
記録によって生じた波長λ での吸光度減少はノイズと
して処理することができる。
また、本発明では、第１図に示される吸光曲線を有する
多層記録膜を構成する記録膜Ａ、Ｂのうち、短波長側に
吸収ピークをもつ記録膜Ａに記録を行う場合、記録膜Ｂ
の光吸収帯Ｗ、よりもさらに短い波長λ′ を有する光
を照射して記録が行われる。これにより、第３図に実線
で示されるように記録膜Ａの吸光度が減少する。しかし
、長波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ｂは、その光吸収
帯Ｗ、内の波長の光が照射されないため吸光度の減少は
生じない。
多層記録膜を構成する記録膜Ａ、Ｂのうち、短波長側に
吸収ピークをもつ記録膜Ａに記録を行う場合、記録膜Ｂ
の光吸収帯Ｗ、よりもさらに短い波長λ′ を有する光
を照射して記録が行われる。これにより、第３図に実線
で示されるように記録膜Ａの吸光度が減少する。しかし
、長波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ｂは、その光吸収
帯Ｗ、内の波長の光が照射されないため吸光度の減少は
生じない。
上述のように、本発明では光吸収帯が一部重なり合う記
録膜Ａ、Ｂを積層した多層記録膜の記録・再生において
、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λ にお
ける吸光度を記録膜Ｂの波長λ における吸光度よりも
高く設定し、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂの記
録は、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λ５と略同一波長の光
を照射して行い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ａ
の記録は、記録膜Ｂの光吸収帯Ｗ、よりもさらに短い波
長λ′ を有する光を照射して行うので、各記録膜毎に
独立して記録・再生が行える。
録膜Ａ、Ｂを積層した多層記録膜の記録・再生において
、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λ にお
ける吸光度を記録膜Ｂの波長λ における吸光度よりも
高く設定し、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂの記
録は、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λ５と略同一波長の光
を照射して行い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ａ
の記録は、記録膜Ｂの光吸収帯Ｗ、よりもさらに短い波
長λ′ を有する光を照射して行うので、各記録膜毎に
独立して記録・再生が行える。
なお、多層記録膜を構成する記録膜のなかに、他の記録
膜と光吸収帯の重なり合いがない記録膜が含まれている
場合、そのような記録膜の記録・再生は、従来の記録再
生方法と同様にその記録膜の吸収ピーク波長と略同一波
長の光を照射して行うことかできる。
膜と光吸収帯の重なり合いがない記録膜が含まれている
場合、そのような記録膜の記録・再生は、従来の記録再
生方法と同様にその記録膜の吸収ピーク波長と略同一波
長の光を照射して行うことかできる。
本発明の対象となる記録膜としては、色素膜等が挙げら
れる。そして、光吸収帯が一部重なり合う記録膜の例と
しては、色素膜の中から下記の式（Ｄ−１）および式（
Ｄ−２）に示されるシアニン色素が挙げられる。
れる。そして、光吸収帯が一部重なり合う記録膜の例と
しては、色素膜の中から下記の式（Ｄ−１）および式（
Ｄ−２）に示されるシアニン色素が挙げられる。
シアニン色素Ｄ−１の後述するＬＢ腹膜中会合体におけ
る吸収ピーク波長は約４００ｎｍであり、シアニン色素
Ｄ−２の同じ＜ＬＢ腹膜中会合体における吸収ピーク波
長は約４５０ｎｍである。したがって、シアニン色素Ｄ
−１が上記の記録膜Ａの相当し、シアニン色素Ｄ−２が
記録膜Ｂに相当する。
る吸収ピーク波長は約４００ｎｍであり、シアニン色素
Ｄ−２の同じ＜ＬＢ腹膜中会合体における吸収ピーク波
長は約４５０ｎｍである。したがって、シアニン色素Ｄ
−１が上記の記録膜Ａの相当し、シアニン色素Ｄ−２が
記録膜Ｂに相当する。
また、記録膜の成膜はスピンコード法、浸漬法等の公知
の方法により行うことができる。また、積層膜全体が照
射光の焦点深度内に入ることが照射光制御の点からも好
ましい場合は、記録膜をＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇ
ｅｔｔ膜（ＬＢ膜）として成膜してもよい。このＬＢ膜
は分子オーダーの厚さを有し、分子配列が制御された均
一な薄膜である。このため、基板上に成膜された記録膜
の厚さは、スピンコード等により成膜された記録膜の１
０分の１程度の厚さである。また、スピンコード等によ
り成膜された記録膜の吸収スペクトルがブロードな吸収
を示すのに対し、ＬＢ膜として成膜することにより、い
わゆるＪ−会合体が形成され、吸収ピークが長波長側ヘ
シフトするとともに急峻になり、記録膜としてより好ま
しいものとなる。
の方法により行うことができる。また、積層膜全体が照
射光の焦点深度内に入ることが照射光制御の点からも好
ましい場合は、記録膜をＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇ
ｅｔｔ膜（ＬＢ膜）として成膜してもよい。このＬＢ膜
は分子オーダーの厚さを有し、分子配列が制御された均
一な薄膜である。このため、基板上に成膜された記録膜
の厚さは、スピンコード等により成膜された記録膜の１
０分の１程度の厚さである。また、スピンコード等によ
り成膜された記録膜の吸収スペクトルがブロードな吸収
を示すのに対し、ＬＢ膜として成膜することにより、い
わゆるＪ−会合体が形成され、吸収ピークが長波長側ヘ
シフトするとともに急峻になり、記録膜としてより好ま
しいものとなる。
つぎに、ＬＢ膜の成膜方法を第４図を例に説明する。第
４図はＬＢ膜作成装置の一例を示す斜視図である。第４
図において、ＬＢ膜作成装置１は下層液を保持する水槽
２を備え、下層液上に色素を溶かした溶媒が滴下される
。滴下された溶媒は下層液上に展開するとともに揮発し
て色素分子は速やかに気水界面に拡がり、親水基を下層
液中に疎水基を大気中に出すような形で並び単分子膜を
形成する。つぎに、バリア３を図中右方向に移動させて
単分子膜に所定の膜圧力をかけ、凝集膜に保つ。この状
態で液面上を横切って基板４を垂直に上下させることに
より、基板４上に１分子層あるいは多分子層の色素ＬＢ
膜が形成される。下層液はｐＨ調整された蒸留水が用い
られる。また、溶媒としては、水と相溶性をもたずに揮
発性を有するベンゼンおよびクロロホルムのような溶媒
を用いる。この溶剤には、色素とともに成膜補助剤とし
て長鎖脂肪酸およびその誘導体等を添加してもよい。上
記の単分子膜の膜圧力制御は、バリア３による圧縮に伴
う気水界面上での膜圧力（π）とバリア３の位置から求
めた面積（Ａ）の変化から得られるπ−Ａ曲線に基いて
行うことができる。
４図はＬＢ膜作成装置の一例を示す斜視図である。第４
図において、ＬＢ膜作成装置１は下層液を保持する水槽
２を備え、下層液上に色素を溶かした溶媒が滴下される
。滴下された溶媒は下層液上に展開するとともに揮発し
て色素分子は速やかに気水界面に拡がり、親水基を下層
液中に疎水基を大気中に出すような形で並び単分子膜を
形成する。つぎに、バリア３を図中右方向に移動させて
単分子膜に所定の膜圧力をかけ、凝集膜に保つ。この状
態で液面上を横切って基板４を垂直に上下させることに
より、基板４上に１分子層あるいは多分子層の色素ＬＢ
膜が形成される。下層液はｐＨ調整された蒸留水が用い
られる。また、溶媒としては、水と相溶性をもたずに揮
発性を有するベンゼンおよびクロロホルムのような溶媒
を用いる。この溶剤には、色素とともに成膜補助剤とし
て長鎖脂肪酸およびその誘導体等を添加してもよい。上
記の単分子膜の膜圧力制御は、バリア３による圧縮に伴
う気水界面上での膜圧力（π）とバリア３の位置から求
めた面積（Ａ）の変化から得られるπ−Ａ曲線に基いて
行うことができる。
また、これと同時に色素の分光特性を測定することによ
り、吸収ピークのシフトからＪ−会合体が形成されたこ
とを確認することもできる。
り、吸収ピークのシフトからＪ−会合体が形成されたこ
とを確認することもできる。
なお、基板４としては、表面が平滑であり、かつ界面化
学的に充分清浄な基板を用いることができ、例えば金属
、ガラス、有機高分子材料、シリコン等からなる基板を
用いることができる。
学的に充分清浄な基板を用いることができ、例えば金属
、ガラス、有機高分子材料、シリコン等からなる基板を
用いることができる。
つぎに、実験例を示して本発明を更に詳細に説明する。
（実 験 例）
上記の式（Ｄ−１）および式（Ｄ−２）に示されるシア
ニン色素Ｄ−１およびシアニン色素Ｄ−２を用いて、こ
の順序で下記の条件によりＬＢ膜を基板上に積層して多
層記録膜を作成した。ＬＢ膜の成膜は第４図に示される
ＬＢ膜作成装置を使用した。
ニン色素Ｄ−１およびシアニン色素Ｄ−２を用いて、こ
の順序で下記の条件によりＬＢ膜を基板上に積層して多
層記録膜を作成した。ＬＢ膜の成膜は第４図に示される
ＬＢ膜作成装置を使用した。
・基 板ニガラス基板（表面を疎水処理したもの）Φ溶
媒：クロロホルム ・色素濃度・・・２ｍｍｏＩ／Ａ’（溶媒）・下層液：
蒸留水（ｐＨ＝６．８．水温＝１５℃）・バリア移動速
度＝１０〜２０ｍｍ／分・基板昇降速度：５ｍｍ／分 ・シアニン色素Ｄ−１の成膜条件： ・成膜補助剤・・・ステアリン酸 （Ｄ−１ニステアリン酸＝１：１） ・膜圧力・＝ ３５ ｄ ｙ ｎ ｅ ／ ｃ ｍ・シ
アニン色素Ｄ−２の成膜条件： ・成膜補助剤・・・ステアリン酸 （Ｄ−２ニステアリン酸＝１ ： １）・膜圧力・・・
３５ｄｙｎｅ／Ｃｍ 上述のようにして作成された多層記録膜について分光特
性を測定した。その結果を第５図に示す。
媒：クロロホルム ・色素濃度・・・２ｍｍｏＩ／Ａ’（溶媒）・下層液：
蒸留水（ｐＨ＝６．８．水温＝１５℃）・バリア移動速
度＝１０〜２０ｍｍ／分・基板昇降速度：５ｍｍ／分 ・シアニン色素Ｄ−１の成膜条件： ・成膜補助剤・・・ステアリン酸 （Ｄ−１ニステアリン酸＝１：１） ・膜圧力・＝ ３５ ｄ ｙ ｎ ｅ ／ ｃ ｍ・シ
アニン色素Ｄ−２の成膜条件： ・成膜補助剤・・・ステアリン酸 （Ｄ−２ニステアリン酸＝１ ： １）・膜圧力・・・
３５ｄｙｎｅ／Ｃｍ 上述のようにして作成された多層記録膜について分光特
性を測定した。その結果を第５図に示す。
第５図に示されるように、多層記録膜は約４００ｎｍと
約４５０ｎｍに隣接した２つの吸収ピークを有し、シア
ニン色素Ｄ−２による記録膜の光吸収帯は３６０〜４８
０ｎｍに存在していた。
約４５０ｎｍに隣接した２つの吸収ピークを有し、シア
ニン色素Ｄ−２による記録膜の光吸収帯は３６０〜４８
０ｎｍに存在していた。
このような多層記録膜に４５０ ｎｍの光を照射したと
ころ、４５０ｎｍにおける吸光度が大きく減少し、４０
０ｎｍにおける吸光度は若干の減少が生じたのみであっ
た。また、３５５ｎｍの光を照射したところ、４００ｎ
ｍにおける記録膜の吸光度が大きく減少し、シアニン色
素Ｄ−２による記録膜の吸光度の減少はみられなかった
。
ころ、４５０ｎｍにおける吸光度が大きく減少し、４０
０ｎｍにおける吸光度は若干の減少が生じたのみであっ
た。また、３５５ｎｍの光を照射したところ、４００ｎ
ｍにおける記録膜の吸光度が大きく減少し、シアニン色
素Ｄ−２による記録膜の吸光度の減少はみられなかった
。
比較として、４００ｎｍの光を照射したところ、４００
ｎｍにおける吸光度が大きく減少したのは上述の実験例
と同じであったが、４５０ ｎｍにおける記録膜の吸光
度の減少も生じてしてしまった。
ｎｍにおける吸光度が大きく減少したのは上述の実験例
と同じであったが、４５０ ｎｍにおける記録膜の吸光
度の減少も生じてしてしまった。
以上詳述したように、本発明によれば光吸収帯が一部重
なり合う記録膜を積層した多層記録膜の記録・再生を、
短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度を長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よりも高く設定し、
長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再生はその
記録膜の吸収ピーク波長と略同一波長の光を照射して行
い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再生は
長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯よりもさ
らに短い波長を有する光を照射して行うので、相隣接す
る吸収ピークのうち長波長側の吸収ピークをもつ記録膜
の光吸収帯が短波長側の吸収ピークよりもさらに短い波
長域まで存在するような記録膜が積層された多層記録膜
であっても各記録膜毎に独立して記録・再生が行える。
なり合う記録膜を積層した多層記録膜の記録・再生を、
短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度を長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よりも高く設定し、
長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再生はその
記録膜の吸収ピーク波長と略同一波長の光を照射して行
い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再生は
長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯よりもさ
らに短い波長を有する光を照射して行うので、相隣接す
る吸収ピークのうち長波長側の吸収ピークをもつ記録膜
の光吸収帯が短波長側の吸収ピークよりもさらに短い波
長域まで存在するような記録膜が積層された多層記録膜
であっても各記録膜毎に独立して記録・再生が行える。
第１図乃至第３図は本発明の多層記録膜の記録再生方法
を説明するための図であり、第１図は光吸収帯が一部重
なり合う記録膜の分光特性を示す図、第２図は長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特
性を示す図、第３図は短波長側の吸収ピークをもつ記録
膜の記録を行った状態の分光特性を示す図、第４図はＬ
Ｂ膜作成装置の一例を示す斜視図、第５図はＬＢ膜が積
層されて形成された多層記録膜の分光特性を示す図、第
６図乃至第８図は従来の多層記録膜の記録再生方法を説
明するための図であり、第６図は光吸収帯が一部重なり
合う記録膜の分光特性を示す図、第７図は短波長側の吸
収ピークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特性を
示す図、第８図は長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の
記録を行った状態の分光特性を示す図である。 １・・・ＬＢ膜作成装置、 ２・・・水槽、 ３・・・バリア、 ４・・・基板。
を説明するための図であり、第１図は光吸収帯が一部重
なり合う記録膜の分光特性を示す図、第２図は長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特
性を示す図、第３図は短波長側の吸収ピークをもつ記録
膜の記録を行った状態の分光特性を示す図、第４図はＬ
Ｂ膜作成装置の一例を示す斜視図、第５図はＬＢ膜が積
層されて形成された多層記録膜の分光特性を示す図、第
６図乃至第８図は従来の多層記録膜の記録再生方法を説
明するための図であり、第６図は光吸収帯が一部重なり
合う記録膜の分光特性を示す図、第７図は短波長側の吸
収ピークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特性を
示す図、第８図は長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の
記録を行った状態の分光特性を示す図である。 １・・・ＬＢ膜作成装置、 ２・・・水槽、 ３・・・バリア、 ４・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 特定波長域に光吸収帯を有し固有の吸収ピークをもつ記
録膜を複数積層した多層記録膜に各記録膜の吸収ピーク
波長と略同一の波長の光を照射して記録および再生を行
う多層記録膜の記録再生方法において、 相隣接する吸収ピークのうち長波長側の吸収ピークをも
つ記録膜の光吸収帯が短波長側の吸収ピークよりもさら
に短波長域まで存在するときに、前記短波長側の吸収ピ
ークをもつ記録膜の吸収ピーク波長における吸光度を長
波長側の吸収ピークをもつ記録膜の短波長側の吸収ピー
ク波長における吸光度よりも高くするとともに、前記長
波長側の吸収ピークをもつ前記記録膜の光吸収帯よりも
短い波長の光を前記短波長側の吸収ピークをもつ前記記
録膜に照射することを特徴とする多層記録膜の記録再生
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126104A JP2801739B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 多層記録膜の記録再生方法 |
| US07/601,636 US5117416A (en) | 1990-05-15 | 1990-10-23 | Recording method for multi-layer recording film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126104A JP2801739B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 多層記録膜の記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421925A true JPH0421925A (ja) | 1992-01-24 |
| JP2801739B2 JP2801739B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=14926716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126104A Expired - Lifetime JP2801739B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 多層記録膜の記録再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5117416A (ja) |
| JP (1) | JP2801739B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2676302B1 (fr) * | 1991-05-07 | 1993-07-16 | Thomson Csf | Procede de lecture des informations contenues dans un disque optique. |
| US5808974A (en) * | 1993-12-22 | 1998-09-15 | Jamail; Randall H. | Method of masking data on a storage medium using a directory |
| US5467327A (en) * | 1993-12-22 | 1995-11-14 | Jamail; Randall | Method of masking data on a storage medium |
| US5471443A (en) * | 1993-12-22 | 1995-11-28 | Randall Jamail | Method of selectively concealing magneto-optical compact disk data for playback upon demand |
| US7247503B2 (en) * | 2003-05-07 | 2007-07-24 | Macronix International Co., Ltd. | Method of laser annealing to form an epitaxial growth layer |
| DE602005013057D1 (de) * | 2005-01-31 | 2009-04-16 | Ricoh Kk | Optisches Aufzeichnungsmedium mit unterschiedlicher optischer Absorption der beiden Aufzeichnungsschichten |
| US20060174256A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-03 | Tohru Yashiro | Optical recording medium, production method thereof, and, method and apparatus for recording and reproducing optical recording medium |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4183094A (en) * | 1978-03-20 | 1980-01-08 | Xerox Corporation | Optical storage medium using the frequency domain |
| DE3689891T2 (de) * | 1985-03-06 | 1994-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optische Aufzeichnungsmedien mit hoher Dichte, Verfahren zu deren Herstellung und Verfahren um optische Informationen in diesem Medium aufzuzeichnen. |
| DE3685470D1 (de) * | 1985-10-11 | 1992-07-02 | Sony Corp | Laserinformationsaufzeichnungsmedium mit aufzeichnungsschicht. |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2126104A patent/JP2801739B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-23 US US07/601,636 patent/US5117416A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2801739B2 (ja) | 1998-09-21 |
| US5117416A (en) | 1992-05-26 |
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