JPH04219647A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04219647A JPH04219647A JP8548191A JP8548191A JPH04219647A JP H04219647 A JPH04219647 A JP H04219647A JP 8548191 A JP8548191 A JP 8548191A JP 8548191 A JP8548191 A JP 8548191A JP H04219647 A JPH04219647 A JP H04219647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- layer
- content
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、オーバーライト可能な光
磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、磁界変調方式で
重ね書きが可能な光磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、磁界変調方式で
重ね書きが可能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】鉄、コバルトなどの遷移金属と、
テルビウム（Ｔｂ）、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土
類元素との合金からなる光磁気記録層は、膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面
にこの全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成
することができることが知られている。この反転磁区の
有無を「１」、「０」に対応させることによって、上記
のような光磁気記録層にデジタル信号を記録させること
が可能となる。
テルビウム（Ｔｂ）、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土
類元素との合金からなる光磁気記録層は、膜面と垂直な
方向に磁化容易軸を有し、一方向に全面磁化された膜面
にこの全面磁化方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成
することができることが知られている。この反転磁区の
有無を「１」、「０」に対応させることによって、上記
のような光磁気記録層にデジタル信号を記録させること
が可能となる。
【０００３】上記のような光磁気記録層を有する光磁気
記録媒体への情報の書込みは、通常、基板を通して集束
レーザ光を記録層上に照射し、記録層をミクロ的に加熱
し、その際外部磁場を印加することにより磁区（ピット
）を形成することにより行なわれている。そしてこの光
磁気記録媒体に書込まれた情報上にさらにオーバーライ
トするための方式の１つとして、オーバーライトすべき
磁区に集束レーザ光を照射してキュリー温度あるいは補
償温度までミクロ的に加熱し、レーザ光照射を止めて温
度を下げ、その際外部から書込むべき情報に応じた外部
磁界を印加するという磁界変調方式が知られている。
記録媒体への情報の書込みは、通常、基板を通して集束
レーザ光を記録層上に照射し、記録層をミクロ的に加熱
し、その際外部磁場を印加することにより磁区（ピット
）を形成することにより行なわれている。そしてこの光
磁気記録媒体に書込まれた情報上にさらにオーバーライ
トするための方式の１つとして、オーバーライトすべき
磁区に集束レーザ光を照射してキュリー温度あるいは補
償温度までミクロ的に加熱し、レーザ光照射を止めて温
度を下げ、その際外部から書込むべき情報に応じた外部
磁界を印加するという磁界変調方式が知られている。
【０００４】この磁界変調方式で光磁気記録媒体に情報
を書込むためには小型の電磁石を有する磁気ヘッドが用
いられており、磁気ヘッドとしては、固定型磁気ヘッド
あるいは浮上型磁気ヘッドが知られている。固定ヘッド
では情報の書込みに大きな磁界が必要であるのに対し、
浮上型磁気ヘッドでは、該ヘッドと光磁気記録媒体との
距離を小さく保つことができるため情報の書込みに小さ
な磁界で対応でき、情報の書込みの高速化が可能となる
。
を書込むためには小型の電磁石を有する磁気ヘッドが用
いられており、磁気ヘッドとしては、固定型磁気ヘッド
あるいは浮上型磁気ヘッドが知られている。固定ヘッド
では情報の書込みに大きな磁界が必要であるのに対し、
浮上型磁気ヘッドでは、該ヘッドと光磁気記録媒体との
距離を小さく保つことができるため情報の書込みに小さ
な磁界で対応でき、情報の書込みの高速化が可能となる
。
【０００５】ところで浮上型磁気ヘッドは、光磁気記録
媒体を回転させた際に生ずる風圧によって浮上するが、
該記録媒体の停止時には、磁気ヘッドは記録媒体上に接
触した状態となっている。このため、光磁気記録媒体の
回転開始時および回転停止時には、磁気ヘッドが光磁気
記録媒体を擦ることとなり、この際該記録媒体の表面が
破壊されたり、磁気ヘッドが破壊されたりすることがあ
った。
媒体を回転させた際に生ずる風圧によって浮上するが、
該記録媒体の停止時には、磁気ヘッドは記録媒体上に接
触した状態となっている。このため、光磁気記録媒体の
回転開始時および回転停止時には、磁気ヘッドが光磁気
記録媒体を擦ることとなり、この際該記録媒体の表面が
破壊されたり、磁気ヘッドが破壊されたりすることがあ
った。
【０００６】したがって磁界変調方式でオーバーライト
可能な光磁気記録媒体は、基本的には、基板上に光磁気
記録層と保護層とを有する構成であるが、必要に応じて
さらに基板と光磁気記録層との間に誘電体層を有してい
てもよく、また光磁気記録層と保護層との間に、誘電体
層（エンハンス層）あるいはその他の金属層を有してい
てもよく、さらにまた保護層上に潤滑層を有していても
よい。
可能な光磁気記録媒体は、基本的には、基板上に光磁気
記録層と保護層とを有する構成であるが、必要に応じて
さらに基板と光磁気記録層との間に誘電体層を有してい
てもよく、また光磁気記録層と保護層との間に、誘電体
層（エンハンス層）あるいはその他の金属層を有してい
てもよく、さらにまた保護層上に潤滑層を有していても
よい。
【０００７】上記のような保護層としては、従来、たと
えば紫外線硬化樹脂などが用いられている。ところが本
発明者らの検討によれば、たとえば紫外線硬化樹脂など
からなる保護層を用いた場合に、磁気ヘッドが光磁気記
録媒体から浮上しにくくなり、安定して磁気ヘッドを浮
上させることができないという問題点があることが見出
された。
えば紫外線硬化樹脂などが用いられている。ところが本
発明者らの検討によれば、たとえば紫外線硬化樹脂など
からなる保護層を用いた場合に、磁気ヘッドが光磁気記
録媒体から浮上しにくくなり、安定して磁気ヘッドを浮
上させることができないという問題点があることが見出
された。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、光磁気記録媒体への情報の書
込みを浮上型磁気ヘッドを用いて行なうことが可能であ
るような光磁気記録媒体を提供することを目的としてい
る。
てなされたものであって、光磁気記録媒体への情報の書
込みを浮上型磁気ヘッドを用いて行なうことが可能であ
るような光磁気記録媒体を提供することを目的としてい
る。
【０００９】
【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上
に、少なくとも光磁気記録層と保護層とが設けられてな
る光磁気記録媒体において、保護層が、カーボンスパッ
タ膜であることを特徴としている。
に、少なくとも光磁気記録層と保護層とが設けられてな
る光磁気記録媒体において、保護層が、カーボンスパッ
タ膜であることを特徴としている。
【００１０】本発明に係る光磁気記録媒体は、保護層が
カーボンスパッタ膜であるので、浮上型磁気ヘッドを用
いて情報の書込みを行なう場合に、磁気ヘッドの浮上性
が良好であり、保護層が破壊されたり、磁気ヘッドが損
傷したりすることがない。
カーボンスパッタ膜であるので、浮上型磁気ヘッドを用
いて情報の書込みを行なう場合に、磁気ヘッドの浮上性
が良好であり、保護層が破壊されたり、磁気ヘッドが損
傷したりすることがない。
【００１１】
【発明の具体的説明】以下本発明に係る光磁気記録媒体
の一例について具体的に説明する。本発明に係る光磁気
記録媒体１は、基板２上に、少なくとも光磁気記録層４
と、保護層（保護膜）７とが設けられている。
の一例について具体的に説明する。本発明に係る光磁気
記録媒体１は、基板２上に、少なくとも光磁気記録層４
と、保護層（保護膜）７とが設けられている。
【００１２】また必要に応じて、第１図に示すように、
基板２と光磁気記録層４との間に保護エンハンス層３が
設けられていてもよく、さらに光磁気記録層４と保護層
（保護膜）７との間に、第２保護エンハンス層５および
金属層６が設けられていてもよい。
基板２と光磁気記録層４との間に保護エンハンス層３が
設けられていてもよく、さらに光磁気記録層４と保護層
（保護膜）７との間に、第２保護エンハンス層５および
金属層６が設けられていてもよい。
【００１３】本発明では、保護層（保護膜）７がカーボ
ンスパッタ膜である。このようなカーボンスパッタ膜の
膜厚は、０．００１〜０．２μｍ、好ましくは０．０２
〜０．１μｍであることが望ましい。
ンスパッタ膜である。このようなカーボンスパッタ膜の
膜厚は、０．００１〜０．２μｍ、好ましくは０．０２
〜０．１μｍであることが望ましい。
【００１４】保護層７としてのカーボンスパッタ膜は、
グラファイトをターゲットとしてスパッタリング法によ
って形成することができる。カーボンをスパッタリング
する際には、従来公知のカーボンスパッタリング条件を
広く採用することができるが、具体的には下記のような
条件を採用することが好ましい。
グラファイトをターゲットとしてスパッタリング法によ
って形成することができる。カーボンをスパッタリング
する際には、従来公知のカーボンスパッタリング条件を
広く採用することができるが、具体的には下記のような
条件を採用することが好ましい。
【００１５】たとえばカーボンスパッタ膜は、基板温度
を８０〜１２０℃に保持し、アルゴンガス圧力を１×１
０−３〜２０×１０−３Ｔｏｒｒとし、高周波スパッタ
法でグラファイトをターゲットとして成膜速度１〜１０
０オングストローム／分で成膜することにより形成する
ことができる。
を８０〜１２０℃に保持し、アルゴンガス圧力を１×１
０−３〜２０×１０−３Ｔｏｒｒとし、高周波スパッタ
法でグラファイトをターゲットとして成膜速度１〜１０
０オングストローム／分で成膜することにより形成する
ことができる。
【００１６】本発明に係る光磁気記録媒体１では、基板
２、光磁気記録層４そして必要に応じて設けられる第１
保護エンハンス層３、第２保護エンハンス層５、金属層
６としては、従来公知の光磁気記録媒体において用いら
れているものを広く用いることができるが、たとえば下
記のようなものが好ましく用いられる。
２、光磁気記録層４そして必要に応じて設けられる第１
保護エンハンス層３、第２保護エンハンス層５、金属層
６としては、従来公知の光磁気記録媒体において用いら
れているものを広く用いることができるが、たとえば下
記のようなものが好ましく用いられる。
【００１７】基板２は、透明基板であることが好ましく
、ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチ
ルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ
、米国特許４６１４７７８ 号明細書で示されるような
エチレン−環状オレフィン共重合体たとえばエチレンと
１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５
，８，８ａ− オクタヒドロナフタレン（テトラシクロ
ドデセン）との共重合体、エチレンと２−メチル−１，
４，５，８− ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，
８，８ａ− オクタヒドロナフタレン（メチルテトラシ
クロドデセン）との共重合体、エチレンと２−エチル−
１，４，５，８− ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，
５，８，８ａ− オクタヒドロナフタレンとの共重合体
など、ポリ４−メチル−１− ペンテン、エポキシ樹脂
、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエー
テルイミドおよび特開昭６０−２６０２４号公報に示さ
れるようなテトラシクロドデセン類の単独開環重合体や
テトラシクロドデセン類とノルボルネン類との開環（共
）重合体またはこれらの（共）重合体を水添したもの等
の有機材料等を使用できる。特に上記米国特許第４６１
４７７８ 号明細書に示されるようなエチレン− 環状
オレフィン共重合体が好ましい。
、ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチ
ルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ
、米国特許４６１４７７８ 号明細書で示されるような
エチレン−環状オレフィン共重合体たとえばエチレンと
１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５
，８，８ａ− オクタヒドロナフタレン（テトラシクロ
ドデセン）との共重合体、エチレンと２−メチル−１，
４，５，８− ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，
８，８ａ− オクタヒドロナフタレン（メチルテトラシ
クロドデセン）との共重合体、エチレンと２−エチル−
１，４，５，８− ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，
５，８，８ａ− オクタヒドロナフタレンとの共重合体
など、ポリ４−メチル−１− ペンテン、エポキシ樹脂
、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエー
テルイミドおよび特開昭６０−２６０２４号公報に示さ
れるようなテトラシクロドデセン類の単独開環重合体や
テトラシクロドデセン類とノルボルネン類との開環（共
）重合体またはこれらの（共）重合体を水添したもの等
の有機材料等を使用できる。特に上記米国特許第４６１
４７７８ 号明細書に示されるようなエチレン− 環状
オレフィン共重合体が好ましい。
【００１８】このような基板２の厚みは特に限定されな
いが、好ましくは０．５〜５ｍｍ特に好ましくは１〜２
ｍｍである。エンハンス層としては、例えばＳｉＮｘ，
ＺｎＳｅ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｉ，ＣｄＳ等が使用され
得るが、この中で耐クラック性等の面からＳｉＮｘで示
される組成の層から形成されていることが好ましく、Ｓ
ｉＮｘ層としては、たとえば窒化ケイ素層または窒化ケ
イ素含有層が例示できる。
いが、好ましくは０．５〜５ｍｍ特に好ましくは１〜２
ｍｍである。エンハンス層としては、例えばＳｉＮｘ，
ＺｎＳｅ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｉ，ＣｄＳ等が使用され
得るが、この中で耐クラック性等の面からＳｉＮｘで示
される組成の層から形成されていることが好ましく、Ｓ
ｉＮｘ層としては、たとえば窒化ケイ素層または窒化ケ
イ素含有層が例示できる。
【００１９】ＳｉＮｘで示される保護層（エンハンス層
）では、０＜ｘ≦４／３であることが好ましく、具体的
には、Ｓｉ３ Ｎ４ （四窒化三ケイ素）などの窒化ケ
イ素層あるいは０＜ｘ＜４／３となるようにＳｉ３Ｎ４
とＳｉとを混合した混合層が特に好ましく用いられる
。
）では、０＜ｘ≦４／３であることが好ましく、具体的
には、Ｓｉ３ Ｎ４ （四窒化三ケイ素）などの窒化ケ
イ素層あるいは０＜ｘ＜４／３となるようにＳｉ３Ｎ４
とＳｉとを混合した混合層が特に好ましく用いられる
。
【００２０】エンハンス層３の膜厚は５００〜２０００
オングストローム、特に８００〜１５００オングストロ
ームであることが好ましい。エンハンス層の膜厚を上記
のような範囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広
い記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得るこ
とができる。
オングストローム、特に８００〜１５００オングストロ
ームであることが好ましい。エンハンス層の膜厚を上記
のような範囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広
い記録パワーマージンを有する光磁気記録媒体を得るこ
とができる。
【００２１】光磁気記録層４としては、たとえば（ｉ）
３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉｉ
）希土類から選ばれる少なくとも１種とからなる合金
層（例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金層）あるいは（ｉ）３
ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉ）耐
腐食性金属と、（ｉｉｉ ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなる合金層などが用いられる。 （ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用いられるが、こ
のうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが好
ましい。
３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉｉ
）希土類から選ばれる少なくとも１種とからなる合金
層（例えばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金層）あるいは（ｉ）３
ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉ）耐
腐食性金属と、（ｉｉｉ ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなる合金層などが用いられる。 （ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用いられるが、こ
のうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが好
ましい。
【００２２】この３ｄ遷移金属は、光磁気記録層４中に
好ましくは２０〜９０原子％、より好ましくは３０〜８
５原子％、特に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在
していることが好ましい。 （ｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録層４に含ませるこ
とによって、この光磁気記録層の耐酸化性を高めること
ができる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆなどが用いられるが
、このうちＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、特にＰｔまた
はＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。
好ましくは２０〜９０原子％、より好ましくは３０〜８
５原子％、特に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在
していることが好ましい。 （ｉｉ）耐腐食性金属は、光磁気記録層４に含ませるこ
とによって、この光磁気記録層の耐酸化性を高めること
ができる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆなどが用いられるが
、このうちＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、特にＰｔまた
はＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。
【００２３】この耐腐食性金属は、光磁気記録層４中に
、３０原子％まで好ましくは５〜３０原子％、特には５
〜２５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量
で存在していることが望ましい。（ｉｉｉ ）希土類元
素としては、たとえば、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、
Ｓｍ、Ｅｕが用いられうるが、このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。
、３０原子％まで好ましくは５〜３０原子％、特には５
〜２５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量
で存在していることが望ましい。（ｉｉｉ ）希土類元
素としては、たとえば、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、
Ｓｍ、Ｅｕが用いられうるが、このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが好ましく用いられる。
【００２４】上記のような群から選ばれる少なくとも１
種の希土類元素は、光磁気記録層４中に、好ましくは５
〜５０原子％、さらに好ましくは８〜４５原子％、特に
好ましくは１０〜４０原子％の量で存在している。
種の希土類元素は、光磁気記録層４中に、好ましくは５
〜５０原子％、さらに好ましくは８〜４５原子％、特に
好ましくは１０〜４０原子％の量で存在している。
【００２５】本発明では、光磁気記録層４が、特に、下
記に記載するような組成を有することが好ましい。光磁
気記録層中には、（ｉ）３ｄ遷移元素として、好ましく
はＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が含まれており、Ｆ
ｅおよび／またはＣｏは、４０原子％以上８０原子％以
下、好ましくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに
好ましくは４０原子％以上５９原子％以下の量で存在し
、さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［原子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以
上０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以
下であるような量で、光磁気記録層中に存在しているこ
とが望ましい。
記に記載するような組成を有することが好ましい。光磁
気記録層中には、（ｉ）３ｄ遷移元素として、好ましく
はＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が含まれており、Ｆ
ｅおよび／またはＣｏは、４０原子％以上８０原子％以
下、好ましくは４０原子％以上７５原子％未満、さらに
好ましくは４０原子％以上５９原子％以下の量で存在し
、さらにＦｅおよび／またはＣｏは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［原子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以
上０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以
下であるような量で、光磁気記録層中に存在しているこ
とが望ましい。
【００２６】（ｉｉ）耐腐食性金属として、好ましくは
ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者が含まれており、Ｐｔ
および／またはＰｄは、光磁気記録層中に５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。
ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者が含まれており、Ｐｔ
および／またはＰｄは、光磁気記録層中に５〜３０原子
％、好ましくは１０原子％を超えて３０原子％以下、さ
らに好ましくは１０原子％を超えて２０原子％未満、最
も好ましくは１１原子％以上１９原子％以下の量で存在
していることが望ましい。
【００２７】（ｉｉｉ ）希土類元素（ＲＥ）としては
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙま
たはＨｏから選ばれた少なくとも１種が用いられる。こ
れらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙが好まし
く用いられ、特にＴｂが好ましい。また希土類元素は２
種以上併用してもよく、この場合にＴｂを希土類元素の
うち５０原子％以上含有していることが好ましい。
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙま
たはＨｏから選ばれた少なくとも１種が用いられる。こ
れらの中では、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙが好まし
く用いられ、特にＴｂが好ましい。また希土類元素は２
種以上併用してもよく、この場合にＴｂを希土類元素の
うち５０原子％以上含有していることが好ましい。
【００２８】この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもった光磁気を得るという点からＲＥ／（Ｒ
Ｅ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場合に、
０．１５≦ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦ｘ≦０
．４であるような量で光磁気記録膜中に存在しているこ
とが望ましい。
化容易軸をもった光磁気を得るという点からＲＥ／（Ｒ
Ｅ＋Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比］をｘで表わした場合に、
０．１５≦ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦ｘ≦０
．４であるような量で光磁気記録膜中に存在しているこ
とが望ましい。
【００２９】光磁気記録層にこの他に種々の元素を少量
添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃ
やカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化を計ること
もできる。
添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃ
やカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化を計ること
もできる。
【００３０】上記のような組成を有する光磁気記録層４
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁
気記録可能な膜、好ましくは非晶質薄膜となる非晶質薄
膜か否かは、広角Ｘ線回析などにより確かめられる。
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す垂直磁気および光磁
気記録可能な膜、好ましくは非晶質薄膜となる非晶質薄
膜か否かは、広角Ｘ線回析などにより確かめられる。
【００３１】この光磁気記録層４の膜厚は５０〜５００
０オングストローム、好ましくは１００〜２０００オン
グストローム、より好ましくは１００〜４００オングス
トローム、最も好ましくは１５０〜３００オングストロ
ーム程度である。
０オングストローム、好ましくは１００〜２０００オン
グストローム、より好ましくは１００〜４００オングス
トローム、最も好ましくは１５０〜３００オングストロ
ーム程度である。
【００３２】金属層６としては、例えばアルミニウム、
クロム、銅、ニッケル、金、銀またはこれらの金属の合
金が用いられる。このうちニッケル、ニッケル− クロ
ム合金等は主として反射膜としての機能を果たし、また
アルミニウム合金は主として熱良導体としての機能を果
たすと考えられる。これらのうち光磁気記録媒体の記録
パワーの線速依存性を小さくするという点からは、以下
のようなアルミニウム合金が好ましい。
クロム、銅、ニッケル、金、銀またはこれらの金属の合
金が用いられる。このうちニッケル、ニッケル− クロ
ム合金等は主として反射膜としての機能を果たし、また
アルミニウム合金は主として熱良導体としての機能を果
たすと考えられる。これらのうち光磁気記録媒体の記録
パワーの線速依存性を小さくするという点からは、以下
のようなアルミニウム合金が好ましい。
【００３３】このようなアルミニウム合金としては、具
体的には以下のようなものが例示できる。 Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−
Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｎ
ｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｂ合
金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ合金（
Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合
金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、Ｎｂ含有量０．５〜
５原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜９．５原子％、Ｔｉ含有量０
．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｔｉ含有量０．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、
Ｎｂ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔ
ｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金
（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有量０．１〜
１０原子％、Ｃｒ含有量１０原子％以下）、 Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％
、Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ
合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．
１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｍｇ
含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原
子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％） Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｈｆ−Ｔｉ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜
１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有
量０．１〜１０原子％、Ｃｒ含有量１０原子％以下）、 Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％、Ｈ
ｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｓｉ合金（Ｓｉ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含
有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有
量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｐｔ合金（Ｐｔ含有量
０．１〜１０原子％）。
体的には以下のようなものが例示できる。 Ａｌ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−
Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｎ
ｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｂ合
金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ合金（
Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合
金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、Ｎｂ含有量０．５〜
５原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原
子％、Ｈｆ含有量０．１〜９．５原子％、Ｔｉ含有量０
．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｔｉ含有量０．１〜９．５原子％）、 Ａｌ−Ｃｒ−Ｚｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子％、
Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、 Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．５〜５原子％、
Ｎｂ含有量０．５〜５原子％）、 Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔ
ｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金
（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有量０．１〜
１０原子％、Ｃｒ含有量１０原子％以下）、 Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％
、Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ
合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．
１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｍｇ
含有量０．１〜１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原
子％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％） Ａｌ−Ｓｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｈｆ−Ｔｉ−Ｃｒ合金（Ｍｇ含有量０．１〜
１０原子％、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％、Ｔｉ含有
量０．１〜１０原子％、Ｃｒ含有量１０原子％以下）、 Ａｌ−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｌ−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ
−Ｔａ−Ｈｆ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％、Ｈ
ｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｓｉ合金（Ｓｉ
含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ａｇ合金（Ａｇ含
有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｐｄ合金（Ｐｄ含有
量０．１〜１０原子％）、Ａｌ−Ｐｔ合金（Ｐｔ含有量
０．１〜１０原子％）。
【００３４】このような金属層６の膜厚は、１００〜５
０００オングストローム、好ましくは５００〜３０００
オングストローム、さらに好ましくは７００〜２０００
オングストローム程度であることが望ましい。
０００オングストローム、好ましくは５００〜３０００
オングストローム、さらに好ましくは７００〜２０００
オングストローム程度であることが望ましい。
【００３５】上記のような保護エンハンス層、光磁気記
録層および金属層は、基板上に、スパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンプレーティング法
などの従来公知の方法によって成膜することができる。
録層および金属層は、基板上に、スパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンプレーティング法
などの従来公知の方法によって成膜することができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明に係る光磁気記録媒体では、保護
層が、カーボンスパッタ膜であるので、浮上型磁気ヘッ
ドを用いて情報の書込みを行なう場合に、磁気ヘッドの
浮上性が良好であり、保護層が破壊されたり、磁気ヘッ
ドが損傷したりすることがない。
層が、カーボンスパッタ膜であるので、浮上型磁気ヘッ
ドを用いて情報の書込みを行なう場合に、磁気ヘッドの
浮上性が良好であり、保護層が破壊されたり、磁気ヘッ
ドが損傷したりすることがない。
【００３７】以下本発明を実施例によって説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３８】
【実施例１】表面に１．６μｍの間隔で深さ０．０５μ
ｍの螺旋状の溝が形成されている、厚さ１．２ｍｍ、直
径１３０ｍｍの、エチレン− テトラシクロドデセン共
重合体の円板を基板とし、溝のある面にＳｉ３ Ｎ４
ターゲットを用いて、スパッタリング法によりエンハン
ス層としてのＳｉ３ Ｎ４ 膜を０．１μｍの厚で被着
させた。
ｍの螺旋状の溝が形成されている、厚さ１．２ｍｍ、直
径１３０ｍｍの、エチレン− テトラシクロドデセン共
重合体の円板を基板とし、溝のある面にＳｉ３ Ｎ４
ターゲットを用いて、スパッタリング法によりエンハン
ス層としてのＳｉ３ Ｎ４ 膜を０．１μｍの厚で被着
させた。
【００３９】このＳｉ３ Ｎ４ 膜上に、ＦｅとＣｏと
からなるターゲットにＴｂチップを載置してなる複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＴ
ｂ２３Ｆｅ７５Ｃｏ２ の組成の光磁気記録膜を０．０
３μｍの膜厚で被着させた。
からなるターゲットにＴｂチップを載置してなる複合タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により原子％でＴ
ｂ２３Ｆｅ７５Ｃｏ２ の組成の光磁気記録膜を０．０
３μｍの膜厚で被着させた。
【００４０】このＴｂ２３Ｆｅ７５Ｃｏ２ 膜上に、Ｓ
ｉ３ Ｎ４ ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より第２保護エンハンス層としてのＳｉ３ Ｎ４ 膜を
０．０２μｍの膜厚で被着させた。
ｉ３ Ｎ４ ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より第２保護エンハンス層としてのＳｉ３ Ｎ４ 膜を
０．０２μｍの膜厚で被着させた。
【００４１】さらにこのＳｉ３ Ｎ４ 膜上に、Ａｌタ
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりＡｌ膜を０
．１μｍの膜厚で被着させ、光磁気記録媒体（Ａ）を得
た。 次に、上記光磁気記録媒体（Ａ）のＡｌ膜上に、基板温
度を１００℃に保持し、アルゴンガス圧力を５×１０−
３Ｔｏｒｒとし、グラファイトターゲットを用いてスパ
ッタリング法によりカーボン膜を０．０２μｍの厚さで
形成し、これを光磁気記録媒体（Ｂ）とした。
ーゲットを用いて、スパッタリング法によりＡｌ膜を０
．１μｍの膜厚で被着させ、光磁気記録媒体（Ａ）を得
た。 次に、上記光磁気記録媒体（Ａ）のＡｌ膜上に、基板温
度を１００℃に保持し、アルゴンガス圧力を５×１０−
３Ｔｏｒｒとし、グラファイトターゲットを用いてスパ
ッタリング法によりカーボン膜を０．０２μｍの厚さで
形成し、これを光磁気記録媒体（Ｂ）とした。
【００４２】次に、この光磁気記録媒体（Ｂ）を使用し
、市販のウインチェスター型の浮上式磁気ヘッドを用い
て、磁界変調方式によるオーバーライトの模擬実験を行
なった。その結果、磁気ヘッドは安定に浮上した。
、市販のウインチェスター型の浮上式磁気ヘッドを用い
て、磁界変調方式によるオーバーライトの模擬実験を行
なった。その結果、磁気ヘッドは安定に浮上した。
【００４３】この浮上式磁気ヘッドは、媒体の回転で生
じる風圧を利用し、エアベアリング層を形成させ浮上す
るものである。すなわち、回転が停止しているときは媒
体に接触しており、ある一定の回転数に達したとき浮上
するので、回転開始時及び停止するときには、媒体と磁
気ヘッドは摩擦状態にある。
じる風圧を利用し、エアベアリング層を形成させ浮上す
るものである。すなわち、回転が停止しているときは媒
体に接触しており、ある一定の回転数に達したとき浮上
するので、回転開始時及び停止するときには、媒体と磁
気ヘッドは摩擦状態にある。
【００４４】
【比較例１】実施例１と同様の方法で作製したカーボン
膜を形成する前の光磁気記録媒体（Ａ）を、実施例１と
同様の方法でオーバーライトの模擬実験を行なった結果
、回転開始時に薄膜が剥がれた。
膜を形成する前の光磁気記録媒体（Ａ）を、実施例１と
同様の方法でオーバーライトの模擬実験を行なった結果
、回転開始時に薄膜が剥がれた。
【図１】 本発明に係る光磁気記録媒体の概略断面図
である。
である。
【符号の説明】
１…光磁気記録媒体
２…基板
３…第１保護エンハンス層
４…光磁気記録層
５…第２保護エンハンス層
６…金属層
７…保護層
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、少なくとも光磁気記録層と保護
層とが設けられてなる光磁気記録媒体において、保護層
が、カーボンスパッタ膜であることを特徴とする光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8548191A JPH04219647A (ja) | 1990-04-17 | 1991-04-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-100701 | 1990-04-17 | ||
| JP10070190 | 1990-04-17 | ||
| JP8548191A JPH04219647A (ja) | 1990-04-17 | 1991-04-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219647A true JPH04219647A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=26426483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8548191A Pending JPH04219647A (ja) | 1990-04-17 | 1991-04-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US6835523B1 (en) * | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8548191A patent/JPH04219647A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) * | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5637411A (en) | Magneto-optical recording medium and process for producing the same | |
| US5639563A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS63206935A (ja) | 磁気光学記憶装置 | |
| JP2504946B2 (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| WO1988008192A1 (fr) | Membrane d'enregistrement photomagnetique | |
| JPH04219647A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5100741A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JPH04219646A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04219649A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04219648A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US6118736A (en) | Magneto-optical recording medium having a reading layer in which transferred recording marks are extended | |
| JPH10312594A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2604475B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0483363A1 (en) | Production method of magnetooptical recording medium and magnetooptical recording medium | |
| JP2834846B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS621151A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2653520B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01179241A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63224054A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0697516B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62214537A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2000003536A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01136947A (ja) | 非晶質合金薄膜 | |
| JPS6280844A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03237635A (ja) | 光磁気記録媒体 |