JPH01136947A - 非晶質合金薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 魚明ム技血分月 本発明は、優れた耐酸化性を有する非晶質合金薄膜に関
し、さらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有し、優れた耐酸化性を有する非晶質合金薄膜に関する
。

一口の°′・自・“　ｔ　にの口・占 鉄、コバル”トなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）
、カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金から
なる非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの小さな反転磁区を形成することができること
が知られている。

この反転磁区の有無を「１」、「Ｏ」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可詣となる。

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むＴ　ｂ−Ｆ　ｅ系合金非品質薄膜が開示されてい
る。またＴ　ｂ−Ｆ　ｅに第３の金属を添加してなる合
金非晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。

さらに’ｒｂ−ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁
気記録媒体も知られている。

これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。

このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ、２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。

イ）孔食 孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高温雰囲気下で進行
し、たとえばＴｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃ０系などで著しく
進行する。

口）表面酸化 合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力ＨＣが経時的に大きく変化してしまう。

上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するなめ
、従来、種々の方法が試みられている。

たとえば、合金非晶質薄膜を、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ　Ｏ，
Ｓｉ　０２、ＡＩ　Ｎなどの酸化防止保護膜でサンドイ
ッチしたような３層構造にする方法が検討されている。

ところがこの酸化防止保護膜は高価であるとともに形成
するのに手間がかかり、またこの保護膜を形成しても必
ずしも合金非晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止するこ
とができないという問題点があった。

また、’ｒｂ−ｒ；”ｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの合金非
晶質薄膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために
、第３の金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔ　ｂ−Ｆ
　ｅあるいは’ｒｂ−ｃｏに、Ｃｏ　、Ｎｉ　、Ｐｔ、
ＡＩ　、ｃｒ　、Ｔｉなどの第３金属を３．５原子％ま
での量で添加することによって、Ｔｂ−Ｆｅ系あるいは
Ｔｂ−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる
試みがなされている。そしてＴｂ−Ｆｅ、あるいは’ｒ
ｂ−ｃｏにｃｏ　、　Ｎｒ　、ｐｔを少量添加した場合
には、表面酸化の防止および孔食の防止には有効である
が、この合金非晶質薄膜中の希土類金属であるＴｂの選
択酸化の防止には効果がないと報告されている。このこ
とは、Ｔｂ−Ｆｅあるいは’ｒｂ−ｃｏに少量のＣｏ　
、Ｎｉ　、Ｐｔを添加した場合には、得られる合金非晶
質薄膜では、Ｔｂが選択酸化されてしまい、保磁力ＨＣ
が経時的に大きく変化してしまうことを意味している。

したがってＴ　ｂ−Ｆ　ｅあるいはＴｂ−Ｃｏに３．５
原子％までの少量のＣｏ　、Ｎｉ　、Ｐｔを添加しても
、得られる合金非晶質薄膜の耐酸化性は充分には改善さ
れていない。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
゛年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜
の耐酸化性を向上させる目的で、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅあるい
はＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏに、Ｐｔ　、ＡＩ、ｃｒ　、　Ｔ；
を１０原子％までの量で添加してなる合金非晶ｆＩＮ膜
が教示されている。ところがＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−
Ｆｅ−Ｃ０に１０原子％までの批のＰｔ　、ＡＩ　、Ｃ
ｒ　、Ｔｉを添加しても、表面酸化および孔食はかなり
効果に防止できるものの、得られる合金非晶質薄膜中の
Ｔｂの選択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、や
はり時間の経過とともに保磁力Ｈｃが大きく変化し、つ
いには保磁力Ｈｃが大きく低下してしまうという問題点
は依然としてあった。

さらにまた、特開昭５８−７８０６号公報には、Ｐｔ　
Ｃｏなる組成を有し、ｐｔが１０〜３０原子％の景で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。

ところがこのＰｔ　Ｃｏなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。

このような問題点を解決するため、本発明者らは、ｐｔ
および／またはＰｄの含有量を１５原子−％以上の量で
゛含有する、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合
金薄膜を提案した。この非晶質合金薄膜は、優れた耐酸
化性を有するとともに、カー回転角が大きいなどの優れ
た光磁気光学特性を有している。

ところが本発明者らの検討によれば、この非晶質合金薄
膜は、−たん記録された情報を消去する際に、消去エネ
ルギーを必要以上に大きくすると、膜変質を起こして光
磁気特性が低下してしまうことがあるという問題点があ
ることが見出された。

この膜変質は、消去時にこの非晶質合金薄膜に照射され
る消去エネルギーによって該非晶質合金薄膜に構造変化
が生じてしまうためであろうと考えられる。

几肌の旦皿 本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、保磁力が大きくかつカー回転角やファラデー
回転角が大きいなどの優れた光磁気光学特性を有し、し
かも耐酸化性に優れて、経時的に保磁力が変化したりあ
るいはカー回転角が変化することがなく、その上−たん
記録された情報を消去する際に膜に照射する消去エネル
ギーを大きくしても膜変質を起こすことがないような非
晶質合金薄膜を提供することを目的としている。

北吸口鷹ヌ 本発明に係る膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合
金薄膜は、 （ｐｔおよび／またはＰｄ　）、［ＲＥｘＴＭｌ−ｘ　
〕１−ｙ （式中、ＲＥはＮｄ　、Ｓｍ　、ｐｒ　、Ｃｅ　、Ｅｕ
、Ｇｄ　、Ｔｂ　、ＤｙおよびＨｏからなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素であり、ＴＭはＦＣおよび／
またはＣｏであり、０．２５＜ｘ≦０゜７０．０．１０
＜ｙ＜０１１５である）で表わされることを特徴として
いる。

本発明に係る上記のような非晶質合金薄膜は、保磁力が
大きくかつカー回転角やファラデー回転角が大きいなど
の優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、
経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化
したりすることがないという優れた特性を有しており、
その上−たん記録された情報を消去する際に膜に照射す
る消去エネルギーを大きくしても膜劣化を起こすことが
ないという特性も有している。

ｌ咀ム且体煎凪朋 以下本発明に係る非晶質合金薄膜について具体的に説明
する。

本発明に係る膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合
金薄膜は、 （Ｐｔおよび／またはＰｄ　　＞、［ＲＥｘ”ｒ”Ｍｌ
−ｘ］　１−ｙ　　　＋＋＋　［Ｉ　］　（式中、ＲＥ
はＮｄ、Ｓｍ　、Ｐｒ　、Ｃｅ　、Ｅｕ　、Ｇｄ　、Ｔ
ｂ　、ＤｙおよびＨｏからなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素であり、ＴＭはＦｅ　　および／またはＣ
Ｏであり、０．２５＜ｘ≦０．７０．０．ｔｏ＜ｙ＜０
．１５である）で表わされる。

さらに本発明に係る特に好ましい膜面に垂直な磁化容易
軸を有する非晶質合金薄膜は、上記式において０．３＜
ｘ＜０．５であり、ＲＥの少なくとも６０原子％以上好
ましくは８０原子％以上がＴ’ｂであり、残部がＤｙ　
、Ｎｄ　、Ｇｄ　、Ｃｅ、Ｅｌ　、Ｐｒ　、Ｈｏまたは
ｓｍである非晶質合金薄膜である。

次にこのような好ましい非晶質合金薄膜について具体的
に説明する。

（ｉ＞上記式においてＴＭは、ＦＱまたはＣＯあるいは
この両者である。このようなＴＭは、非晶質合金薄膜を
上記式［Ｉ］で表わした場合に、１−ｘ（ただし０．２
５＜ｘ≦０．７０、好ましくは０．３＜ｘ＜０．５であ
る）で示されるような量で存在している。

ＴＭとしては、ＦｅとＣＯとがともに存在していること
が好ましく、とくにこのＴＭとしては、Ｆｅが１００〜
３５原子％の量で、そしてＣＯが０〜６５原子％の量で
存在していることが好ましい。

なおＴＭとして、５原子％以下好ましくは３原子％以下
のＮｉを含んでいてもよい。

（ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰｄは、非晶質合金薄膜中
に１０原子％を超えて１５原子％未満の量で存在してい
る。

このｐｔおよび／またはＰｄの含有量が１０原子％以下
であると、得られる非晶質合金薄膜の耐酸化性が充分に
は改善されず、経時的に保磁力ＨＣが変化したりあるい
はカー回転角θｋが減少したりするため好ましくない。

また、Ｐｔおよび／またはＰｄの含有量が１５原子％以
上であると、得られる非晶質合金薄膜に−たん記録され
た情報を消去する際、消去エネルギーを大きくすると、
膜変質を生じることがある。

ＰｔまたはＰｄは、それぞれ単独で用いられてもよく、
また組合せて用いられてもよい。

（ｉｉｉ　）本発明に係る非晶質合金薄膜は、上記（ｉ
＞および（ｉｉ　＞に加えて、少なくとも１種の希土類
元素（ＲＥ＞を含んで構成されている。

このＲＥは、Ｎｄ　、Ｓｍ　、Ｐｒ　、Ｃｅ　、Ｅｕ、
Ｇｄ　、Ｔｂ　、ＤＶおよびＨｏからなる群から選ばれ
た少なくとも１種の元素である。好ましくはＲＥの６０
原子％以上がＴｂであり、残部がＤＶ、Ｎｄ　、Ｇｄ　
、Ｃｅ　、Ｅｕ　、Ｐｒ　、Ｈｏまたはｓｍである。さ
らに好ましくは、ＲＥの８０原子％以上特に好ましくは
９０原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ　、Ｎｄ　、
Ｇｄ　、Ｃｅ　、Ｅｕ　、Ｐｒ、ＨｏまたはＳｍである
。

上記のような希土類元素ＲＥは、非晶質合金薄膜を上記
式［Ｉ］で表わした場合に、０．２５＜Ｘ≦０．７好ま
しくは０．３＜ｘ＜０．５であるような量で存在してい
る。

本発明では、上記のような膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜の膜厚は、２００〜２０００人好ま
しくは２００〜１０００人程度である。

上記のような組成を有する合金薄膜は、膜面に垂直な磁
化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非晶質
薄膜となることが広角Ｘ線回折などにより確かめられる
。

ここでＸ≦０．２５あるいは０．７＜ｘであると、カー
ヒステリシスが良好な角形ループを示さなくなる傾向が
あるため好ましくない。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに１）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに１が０．８以上であることを意味している。

また上記のような本発明に係る非晶質合金薄膜は、優れ
た耐酸化性を有し、第１図に示すようにＰｔ１３Ｔｂ３
２Ｆｅ４ｏＣＯ１、なる組成を有する非晶質合金薄膜は
、たとえば８５℃、相対湿度８５％の環境下に２４０時
間以上保持しても、その保磁力はほとんど変化しない。

これに対して、ｐｔを含まないＴｂ　　Ｃｏ　　あ　る
　いはＴ　ｂ２５　Ｆ　ｅ　ｓｓＣＯ９なる組成を有す
る非晶質合金薄膜は、８５℃、相対湿度８５％の環境下
に保持すると、その保磁力は経時的に大きく変化してし
まう。さらにこの環境試験を１０００時間続けると、ｐ
ｔを含有する系はやはりその保磁力がほとんど変化しな
いのに対し、ｐｔおよび／またはＰｄを含有しない系は
保磁力がほとんど測定できない程度にまで低下してしま
う。これらのことより、ｐｔおよび／またはＰｄを含む
系は、希土類の選択酸化を抑制することがわかる。

また、後述する実験例から、Ｐｔおよび／またはＰｄを
含む非晶質合金薄膜では、環境試験後におけるθにの変
化も小さいことから表面酸化が防止されていること、な
らびに、顕微鏡による膜表面の観察から孔食の発生も抑
制されていることがわかる。

また・Ｐ　ｉ：　１１Ｔｂ　３４Ｆ　ｅ　４４°０１１
・Ｐｊ　１４’ｒｂ　３ｓＦｅ　３１Ｃ０１９などの組
成を有する非晶質合金薄膜も同様に優れた耐酸化性を有
し、その保磁力はほとんど変化しない。

このように本発明に係る非晶質合金薄膜は、耐酸化性に
著しく優れており、したがってこの非晶質合金薄膜を使
用する際に、必ずしも酸化防止保護膜を非晶質合金薄膜
上に設ける必要はないという優れた特性を有している。

また本発明に係る非晶質合金薄膜は、−たん記録された
情報を消去する際に膜に照射するエネルギーを大きくし
ても膜変質を起こすことが防止されている。

すなわち本発明に係るＰ　ｔ１３Ｔｔ）　３２Ｆ　ｅ　
３゜ＣＯ２５なる組成を有する非晶質合金薄膜に、−た
ん記録された情報を消去する際、膜に照射するエネルギ
ーを大きくしても膜変質は全く起こらず、新たな情報も
、Ｃ／Ｎの値としては、消去前のと同じ値の記録ができ
る。

これに対して、ｐｔを１５原子％以上含むＰ　ｊ　１ｇ
Ｔ　ｂ３０Ｆ　ｅ　３３ＣＯ１９やＰ　（ｚｓＴｌ）　
３３Ｆ　ｅ　２４ＣＯ２□なる組成を有する非晶質合金
薄膜は、必要以上に大きなエネルギーで消去した場合、
膜変質を起こして光磁気特性が低下してしまい、新たに
記録した情報のＣ／Ｎも、消去前のＣ／Ｎよりも小さく
なってしまう。

本発明においては、その他に種々の元素を添加して、キ
ュリー温度や補償温度あるいはＨＣやθにの改善あるい
は低コスト化を計ってもよい。

これらの元素は、希土類元素に対してたとえば５０原子
％未満の割合で置換可能である。

併用できる他の元素の例としては、 （Ｉ）Ｆｅ　、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的には、ｓ
ｃ、’ｒｉ、ｖ、Ｃｒ　、Ｍｒｌ、Ｎｉ　、Ｃｕ　、Ｚ
ｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ　、Ｎｉ　、Ｃｕ　、Ｚｎなどが好
ましく用いられる。

（ｎ）Ｐｔ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ　、Ｎｂ　、Ｍｏ　、Ｔｃ、Ｐｄ
　、ＲＬＩ　、Ｒｈ　、Ａ９　、Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ　、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ＩＩＩ）　Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ　、Ｔａ　、Ｗ、Ｒｅ　、Ｏ３、Ｉ　
ｒ　、　ＡｔＪ　、　Ｈ（］が用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ＩＶ）ＩＩＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、ＡＩ　、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩが用いられ
る。

このうちＢ、ＡＩ　、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ，Ｓｉ　、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。

このうち、ｓ；　、Ｇｅ、ｓｎ、ｐｂが好ましく用いら
れる。

（Ｖｌ）Ｖ［３族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ　、Ｓｂ　、Ｂｉが用いられ
る。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（ＶＩ）ＶＩＢ族元素 具体的には、ｓ、ｓｅ、’ｒｅ、ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

次に、本発明に係る非晶質合金薄膜の製造方法について
説明する。

基板温度を室温程度に保ち、本発明に係る非晶質合金薄
膜を構成する各元素からなるチップを所定割合で配置し
た複合ターゲットまたは所定割合の組成を有する合金タ
ーゲットを用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム
蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用してこの基板（
基板は固定していてもよく、また自転していてもよい）
上に所定組成の非晶質合金薄膜を被着させることにより
、本発明に係る非晶質合金薄膜を形成することができる
。

このように本発明に係る非晶質合金薄膜は、常温での成
膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるた
めに成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がな
い。

なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶贋金金薄膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物笛ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

本発明の非晶質合金薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を
有しているので、垂直磁気記録膜、磁気バブルメモリー
あるいは光磁気記録膜といった磁気記録材料分野、磁気
光学効果を利用した光変調器といった各種の分野に応用
できる。

たとえば垂直磁気記録分野では、垂直フレキシブルディ
スクの記録膜、リジット磁気ディスク用の記録膜への利
用が期待できるし、光磁気記録にはカー回転角またはフ
ァラデー回転角を利用して情報信号あるいは静止画像や
動画像を記録再生する光磁気ディスク、光磁気カード、
光磁気テープへの利用が期待できる。また、外部磁場の
コントロールによりカー回転角やファラデー回転角を制
御し、反射光や透過光の光量変化によって光電池を作動
させる光変調器への利用も期待できる。

本発明の非晶質合金薄膜を光磁気ディスクの記録膜とし
て応用した場合について以下に説明する。

本発明の非晶質合金薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する垂直磁化膜であるとともに、多くの場合カー・ヒ
ステリシス・ループが角形性を有して、外部磁場のない
状態下でのθｋが最大外部磁場での飽和θにとほぼ同一
であり１．保磁力ＨＣも大きいので、光磁気記録膜とし
て好適である。

また、θｋが良好であることは、θｆも良好であること
を意味し、よってカー効果利用型、ファラデー効果利用
型のいずれの方式に利用することができる。

また、本発明の非晶質合金薄膜は、耐酸化性に優れるた
め、従来のＴｂ−Ｆｅ　、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の重希土
類−３ｄ遷移金属合金薄膜の場合のような酸化防止のた
めの保護膜を用いる必要は必ずしもない。

また、記録膜に接する基板や他の機能性膜（たとえばエ
ンハンス膜、反射ＪＩＳ）あるいは貼合せのための接着
層等にも酸化防止性の材料を用いなくてもよい。

さらに、エンハンス膜、反射膜等を成膜するに際しても
、真空蒸着やスパッタリングなどの乾式成膜法の他に、
従来では行えなかったスピンコード法やスプレー法など
の湿式成膜を行ってもよいことになる。

したがって、本発明の非晶質合金薄膜を記録膜とした光
磁気ディスクの構造としては、（ｉ＞基板／記録膜 （ｉｉ　＞基板／エンハンスＭ／記録膜（ｉｉ　＞基板
／記録膜／反射膜 （（■）基板／エンハンス膜／記録膜／反射膜（Ｖ）基
板／エンハンス膜／記録膜／エンハンス膜／反射膜 あるいはこれらの記録膜側の最外層に耐傷性のみを付与
するための保護コートや保護ラベルを形成したような構
造のものが可能となる。

そして、ここでエンハンス膜としてはその屈折率が基板
の屈折率よりも大きいものであればよく、有機あるいは
無機のいずれの材料であってもよい。

エンハンス膜の具体例としては、Ｔｉ　Ｏ２，５ｉＯ１
’Ｉ”ｉｏ、Ｚｎ○、ＩＴ○、ＺｒＯ２、Ｔａ２０５、
Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓｎ○２、Ｔｅ　Ｏ，等の酸化
物、Ｓｉ　３Ｎ４、Ａｔ　Ｎ、ＢＮ等の窒化物、Ｚｎ　
Ｓ、Ｃｄ　Ｓ等の硫化物、Ｚｎ５ｅ　、Ｓｉ　Ｃ，Ｓｉ
などがある。また、コバルトフェライトに代表されるフ
ェライト類、Ｂｉ置換ガーネットに代表されるガーネッ
ト類等のファラデー効果を有する透明材料をエンハンス
膜として使用してもよい。

基板もガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリ
メチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボ
ネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４
，６１４．７７８号明細書で示されるような非晶笛ポリ
オレフィン、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の有機材料も使用できる。

さらに、光磁気ディスクの構成は、前述の（ｉ）〜（Ｖ
）の構成にのみ限定されるものではなく、必要に応じて
下地層、酸化防止膜あるいは高透磁率軟磁性膜の積層な
どを行ってもよく、単板のほか貼合せて使用することも
可能である。

光肌の効釆 本発明に係る非晶質合金薄膜は、 （ｐｔおよび／またはＰｄ）　　［ＲＥｘＴＭｌ−ｘ　
］１−ｙ （式中、ＲＥはＮｄ　、Ｓｍ　、Ｐｒ　、Ｃｅ　、Ｅｕ
、Ｇｄ　、Ｔｂ　、ＤｙおよびＨｏからなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素であり、ＴＭはＦｅおよび／
またはＣｏであり、０．２５＜ｘ≦０．７０、Ｏｙ　１
＜ｙ＜０．１５である）で表わされるため、保磁力が大
きくかつカー回転角やファラデー回転角が大きいなどの
優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、経
時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化し
たりすることがないという優れた特性を有しており、さ
らに−たん記録された情報を消去する際に膜に照射する
消去エネルギーを大きくしても膜劣化を起こすことがな
いという優れた特性も有している。

まな本発明に係る非晶質合金薄膜を基板上に形成するに
際して、室温での成膜が可能であり、成膜後に熱処理を
する必要もない。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

固止」 ターゲットとして、Ｆｅターゲット上またはＦＱ　、Ｃ
ｏターゲット上に、ｐｔおよび／またはＰｄと、軽希土
類金属と、重希土類金属とのチップを所定割合で配置し
た複合ターゲットを用いて、ガラス基板上に、基板を水
冷により２０〜３０℃の常温付近にコントロールしなが
らＤＣマグネトロンスパッタリングにより、表１に示す
ような組成を有する非晶質合金薄膜を成膜した。成膜条
件は、Ａｒ圧５ｍＴＯｒｒ　、Ａｒ流Ｊ１３５ＣＣＩＩ
Ｉ、真空到達度５　ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ以下であり、
非晶質合金薄膜の膜厚は１０００人とした。

得られた合金薄膜は、広角Ｘ線回折法により結晶状態を
測定するとともに、組成をＩＣＰ発光分光分析によって
求めた。

また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部磁場
ゼロでの残留カー回転角を斜入射法（λ＝６３３ｎｍ）
で測定した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山
川相部監修「磁性材料の測定技術」　（昭和６０年１２
月２５日トリケップス株式会社発行）第２６１頁〜２６
３頁に記載されている。

得られた非晶質合金薄膜のＸ値、カー回転角（θｋ）お
よび保磁力（Ｈｃ　）を表１に示す。

さらに、本発明の非晶質合金薄膜の耐酸化性を確認する
ため、ガラス基板上に成膜された条件そのままを８５℃
、８５％ＲＨの高温高温条件のオーブン中に放置する環
境試験を行い、２４０時間以上経過後のカー回転角（θ
ｋ）、保磁力（ＨＣ）を測定し、それぞれの試験前の初
期値θｋｏ、　ＨＣＯと比較した。これらの結果を合せ
て表１に示す。

また、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体からな
る基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により所定の
組成の非晶質合金薄膜を成膜した。

この光磁気ディスクをドライブ装置（ナカミチ０ＭＳ−
１０００）を使用して、記録周波数ＩＭＨ２（Ｄｕｔｙ
比５０％）、線速１０　ｍ　／　Ｓ、書込み時のバイア
ス磁界２０００ｅ、読出レーザーパワー１．０ｍＷの条
件で記録、再生を行った。

スペクトラムアナライザーで２次高調波のレベルが最小
となる記録パワー（最適記録パワー）で記録した時の信
号対雑音比Ｃ／Ｎは４２ｄＢ（ＲＢＷ＝３０ＫＨ２）で
あった。

そして、この情報を最適記録パワーより２．０ｍＷ大き
なパワーで消去し、新たな情報の記録を行った。この消
去前後でのＣ／Ｈの差を八Ｃ／Ｎとして表わした。

以上の各実験例から、本発明の非晶質合金薄膜は、カー
回転角、反射率が良好なのでＲ・θｋが大きくなり、そ
の結果Ｃ／Ｎが向上する。また保磁力も大きく、かつ、
耐酸化性すなわち孔食や表面酸化（θにの変化）、重希
土類の選択酸化（ＨＣ変化）も抑制されていることがわ
かる。

また、ｐｔおよび／またはＰｄ量が１０〜１５原子％で
あるため、消去前後でのＣ／Ｎ変化がなく改変質も押さ
えられていることもわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る（　Ｐ　ｔ　１３Ｔ　ｂ　３２
　Ｆ　ｅ　４０ＣＯ１５）の保磁力の変化および比較例
に係る’ｒｂ　２５ＣＯ７５およびＴｂ２５Ｆｅ６６Ｃ
Ｏ９の保磁力の変化を示す図である。 代理人　　弁理士　　鈴　木　俊一部 ａｇ　　１　　図 時　　間　　（ｈｒ、）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）（Ｐｔおよび／またはＰｄ）＿ｙ ［ＲＥ＿ｘＴＭ＿１＿−＿ｘ］＿１＿−＿ｙ（式中、Ｒ
   ＥはＮｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
   およびＨｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の元
   素であり、ＴＭはＦｅおよび／またはＣｏであり、０．
   ２５＜ｘ≦０．７０、０．１０＜ｙ＜０．１５である）
   で表わされることを特徴とする、膜面に垂直な磁化容易
   軸を有する非晶質合金薄膜。 ２）０．３＜ｘ＜０．５である特許請求の範囲第１項に
   記載の非晶質合金薄膜。 ３）ＲＥの少なくとも６０原子％以上がＴｂであり、残
   部がＤｙ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、またはＨｏ
   である特許請求の範囲第１項に記載の非晶質合金薄膜。