JPH04219926A - 半導体液相エピタキシャル成長用ボート - Google Patents
半導体液相エピタキシャル成長用ボートInfo
- Publication number
- JPH04219926A JPH04219926A JP41169790A JP41169790A JPH04219926A JP H04219926 A JPH04219926 A JP H04219926A JP 41169790 A JP41169790 A JP 41169790A JP 41169790 A JP41169790 A JP 41169790A JP H04219926 A JPH04219926 A JP H04219926A
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- Japan
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- boat
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の液相エピタキ
シャル成長用ボートに関する。
シャル成長用ボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の液相エピタキシャル成長
用ボートの側面断面図であり、図５は図４の平面図であ
る。このボートは、半導体基板３をセットする基板ホル
ダー１の上に液体状原料４を収容する複数の液溜め２を
備えたメルトホルダー７を摺動可能に配置したものであ
る。液体状原料は、例えば、インジウムメタル溶媒にＩ
ｎＰを溶解させたり、ガリウムメタル溶媒にＧａＡｓを
溶解させたものであり、基板上に形成する半導体薄膜の
数だけ用意して、予め液溜めに収容しておく。この液溜
めは、平面的には矩形若しくは円形のものが使用されて
いる。
用ボートの側面断面図であり、図５は図４の平面図であ
る。このボートは、半導体基板３をセットする基板ホル
ダー１の上に液体状原料４を収容する複数の液溜め２を
備えたメルトホルダー７を摺動可能に配置したものであ
る。液体状原料は、例えば、インジウムメタル溶媒にＩ
ｎＰを溶解させたり、ガリウムメタル溶媒にＧａＡｓを
溶解させたものであり、基板上に形成する半導体薄膜の
数だけ用意して、予め液溜めに収容しておく。この液溜
めは、平面的には矩形若しくは円形のものが使用されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液溜めの液体状原料は
、高温の溶融状態にあり、メルトホルダーに対して濡れ
難いため、表面張力で表面が盛り上がり、中央部が厚く
、周辺部が薄くなる。その結果、液体状原料の厚さは均
一でなくなる。また、矩形のメルト溜めを用いるときに
は、角の部分まで液体状原料が行き渡らずに、図５のよ
うに、角の部分に隙間５ができる。このような状態で結
晶成長を行うと、半導体薄膜は厚さが不均一になり易い
。特に、基板の周辺部において、この傾向は顕著になる
。そして、厚さの不均一な半導体薄膜から、例えば、発
光ダイオードを作製するときには、応答速度や発光出力
等のデバイス特性を大きくばらつかせる原因となり、デ
バイスの歩留りを大きく低下させるという、不都合があ
った。
、高温の溶融状態にあり、メルトホルダーに対して濡れ
難いため、表面張力で表面が盛り上がり、中央部が厚く
、周辺部が薄くなる。その結果、液体状原料の厚さは均
一でなくなる。また、矩形のメルト溜めを用いるときに
は、角の部分まで液体状原料が行き渡らずに、図５のよ
うに、角の部分に隙間５ができる。このような状態で結
晶成長を行うと、半導体薄膜は厚さが不均一になり易い
。特に、基板の周辺部において、この傾向は顕著になる
。そして、厚さの不均一な半導体薄膜から、例えば、発
光ダイオードを作製するときには、応答速度や発光出力
等のデバイス特性を大きくばらつかせる原因となり、デ
バイスの歩留りを大きく低下させるという、不都合があ
った。
【０００４】そこで、本発明は、上記の問題点を解消し
、均一な厚さの半導体エピタキシャル相を歩留りよく形
成することのできる半導体液相エピタキシャル成長用ボ
ートを提供しようとするものである。
、均一な厚さの半導体エピタキシャル相を歩留りよく形
成することのできる半導体液相エピタキシャル成長用ボ
ートを提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板を
セットする基板ホルダーと、該基板ホルダーの上を摺動
し、液体状原料用メルト溜めを備えたメルトホルダーと
からなる半導体液相エピタキシャル成長用ボートにおい
て、それぞれのメルト溜め内部に液体状原料表面を２つ
以上に分割する仕切りを設け、該仕切りの底部を半導体
基板表面から２ｍｍ以上離すことを特徴とする半導体液
相エピタキシャル成長用ボートである。
セットする基板ホルダーと、該基板ホルダーの上を摺動
し、液体状原料用メルト溜めを備えたメルトホルダーと
からなる半導体液相エピタキシャル成長用ボートにおい
て、それぞれのメルト溜め内部に液体状原料表面を２つ
以上に分割する仕切りを設け、該仕切りの底部を半導体
基板表面から２ｍｍ以上離すことを特徴とする半導体液
相エピタキシャル成長用ボートである。
【０００６】
【作用】本発明は、メルト溜め内部の液体状原料の厚み
を均一にするために、液体状原料表面をいくつかに分割
し、１つの表面積を小さくすることにより、中央部と周
辺部の液体状原料の厚みの相違を小さく抑えるものであ
る。図１は、本発明の具体例である半導体液相エピタキ
シャル成長用ボートの側面断面図であり、図２は、図１
の平面図である。基板ホルダー１に半導体基板３をセッ
トし、メルトホルダーの液溜め２に液体状原料４を収容
し、該液体状原料４の表面を１つ以上に分割する仕切り
６（図では十文字の仕切りにより液体状原料を４つに分
割している）を液溜め２の内部に設ける。図３は、半導
体基板３と液溜め２内の仕切り６の底部との距離ｘを説
明するための拡大図であり、該距離ｘを２ｍｍ以上離す
ことが好ましい。該距離ｘを２ｍｍ未満とすると、仕切
りのある部分とない部分で、エピタキシャル成長させた
半導体薄膜の厚さに不均一が生じることになるからであ
る。 このように、本発明の成長用ボートを使用することによ
り、比較的均一な厚さに調整された液体状原料を半導体
基板と接触させることができるので、半導体薄膜の厚さ
を実質的に均一にすることが可能になる。
を均一にするために、液体状原料表面をいくつかに分割
し、１つの表面積を小さくすることにより、中央部と周
辺部の液体状原料の厚みの相違を小さく抑えるものであ
る。図１は、本発明の具体例である半導体液相エピタキ
シャル成長用ボートの側面断面図であり、図２は、図１
の平面図である。基板ホルダー１に半導体基板３をセッ
トし、メルトホルダーの液溜め２に液体状原料４を収容
し、該液体状原料４の表面を１つ以上に分割する仕切り
６（図では十文字の仕切りにより液体状原料を４つに分
割している）を液溜め２の内部に設ける。図３は、半導
体基板３と液溜め２内の仕切り６の底部との距離ｘを説
明するための拡大図であり、該距離ｘを２ｍｍ以上離す
ことが好ましい。該距離ｘを２ｍｍ未満とすると、仕切
りのある部分とない部分で、エピタキシャル成長させた
半導体薄膜の厚さに不均一が生じることになるからであ
る。 このように、本発明の成長用ボートを使用することによ
り、比較的均一な厚さに調整された液体状原料を半導体
基板と接触させることができるので、半導体薄膜の厚さ
を実質的に均一にすることが可能になる。
【０００７】
【実施例】矩形のメルト溜めを仕切りで４つに分割した
メルトホルダーを用いて液相エピタキシャル成長を実施
した。基板結晶としてＩｎＰ単結晶を用い、その上にｎ
型ＩｎＰ、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ型ＩｎＰ、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰを順次５μｍ 、１μｍ 、１μｍ 、１μ
ｍ の厚さに形成した。基板表面から仕切り底部の高さ
は５ｍｍとし、インジウムメタル溶媒にＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ等を溶かし込んだ液体状原料は成長温度においてその
厚みが６ｍｍとなるように仕込んだ。得られたｎ型Ｉｎ
Ｐ、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ型ＩｎＰ、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰの各半導体薄膜の厚さの面内均一性は、仕切りを備
えていない従来の成長用ボートを用いる場合よりも良好
であった。
メルトホルダーを用いて液相エピタキシャル成長を実施
した。基板結晶としてＩｎＰ単結晶を用い、その上にｎ
型ＩｎＰ、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ型ＩｎＰ、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰを順次５μｍ 、１μｍ 、１μｍ 、１μ
ｍ の厚さに形成した。基板表面から仕切り底部の高さ
は５ｍｍとし、インジウムメタル溶媒にＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ等を溶かし込んだ液体状原料は成長温度においてその
厚みが６ｍｍとなるように仕込んだ。得られたｎ型Ｉｎ
Ｐ、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ、ｐ型ＩｎＰ、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰの各半導体薄膜の厚さの面内均一性は、仕切りを備
えていない従来の成長用ボートを用いる場合よりも良好
であった。
【０００８】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、液相エピタキシャル成長で得る半導体薄膜の厚さ
のウエハ面内均一性を向上させることができ、例えば、
発光ダキオードの応答速度、発光出力等の特性のウエハ
面内均一性が向上し、歩留まりの向上が図られる。
より、液相エピタキシャル成長で得る半導体薄膜の厚さ
のウエハ面内均一性を向上させることができ、例えば、
発光ダキオードの応答速度、発光出力等の特性のウエハ
面内均一性が向上し、歩留まりの向上が図られる。
【図１】本発明の１具体例である液相エピタキシャル成
長用ボートの側面断面図である。
長用ボートの側面断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】液溜めに設けた仕切り底部と基板との関係を示
した図１の拡大図である。
した図１の拡大図である。
【図４】従来の液相エピタキシャル成長用ボートの正面
断面図である。
断面図である。
【図５】図４の平面図である。
１ 基板ホルダー
２ 液溜め
３ 基板
４ 液体状原料
５ 液体状原料が行き渡らない隙間
６ 仕切り
７ メルトホルダー
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板をセットする基板ホルダー
と、該基板ホルダーの上を摺動し、液体状原料用メルト
溜めを備えたメルトホルダーとからなる半導体液相エピ
タキシャル成長用ボートにおいて、それぞれのメルト溜
め内部に液体状原料表面を２つ以上に分割する仕切りを
設け、該仕切りの底部を半導体基板表面から２ｍｍ以上
離すことを特徴とする半導体液相エピタキシャル成長用
ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41169790A JPH04219926A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 半導体液相エピタキシャル成長用ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41169790A JPH04219926A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 半導体液相エピタキシャル成長用ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219926A true JPH04219926A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18520652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41169790A Pending JPH04219926A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 半導体液相エピタキシャル成長用ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023015969A (ja) * | 2021-07-20 | 2023-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | オゾン発生器 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP41169790A patent/JPH04219926A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023015969A (ja) * | 2021-07-20 | 2023-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | オゾン発生器 |
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