JPH04219953A - Board delivery method - Google Patents

Board delivery method

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JPH04219953A
JPH04219953A JP41182790A JP41182790A JPH04219953A JP H04219953 A JPH04219953 A JP H04219953A JP 41182790 A JP41182790 A JP 41182790A JP 41182790 A JP41182790 A JP 41182790A JP H04219953 A JPH04219953 A JP H04219953A
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JP
Japan
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pressure
substrate
chamber
state
suction
Prior art date
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Pending
Application number
JP41182790A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Marumo
丸茂 光司
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置等の圧力
が変動するチャンバ内での基板受渡しを真空吸着を用い
て行なう基板受渡し方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for transferring a substrate in a chamber in which the pressure fluctuates, such as in a semiconductor manufacturing apparatus, using vacuum suction.

【0002】0002

【従来の技術】図4は真空吸着を用いて基板の受渡しを
行なう半導体製造装置の従来例の構成を示す説明図であ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is an explanatory diagram showing the structure of a conventional semiconductor manufacturing apparatus that transfers substrates using vacuum suction.

【0003】半導体製造装置等のチャンバ411内にお
いて、基板403に対する真空吸着はハンド401およ
びチャック402にてそれぞれ行なわれる。ハンド40
1は、図面の左右方向に移動可能な  Xステージ40
7、図面に垂直な方向に移動可能なZステージ408と
連結されてこれらの各ステージによって移動するもので
、バルブ409を介してチャンバ411の外部に設けら
れたポンプ405と接続されている。また、チャック4
02はバルブ404を介してポンプ405と接続されて
いる。ハンド401およびチャック402のそれぞれは
、各バルブ409、404をそれぞれ切り換えることに
より、ポンプ405と接続されて真空吸着が行なわれる
状態(以下、第1状態と称す)かもしくはチャンバ41
1の内部の雰囲気に通じさせる状態(以下、第2状態と
称す)のいずれかに置かれる。ハンド401とバルブ4
09の間およびチャック402とバルブ404の間には
ハンド401およびチャック402における吸着状態を
確認するために各配管圧力を摘出するバキュームセンサ
410、406がそれぞれ設けられている。
[0003] In a chamber 411 of a semiconductor manufacturing apparatus or the like, vacuum suction to a substrate 403 is performed by a hand 401 and a chuck 402, respectively. hand 40
1 is an X stage 40 that is movable in the left and right direction of the drawing.
7. It is connected to a Z stage 408 movable in a direction perpendicular to the drawing and is moved by each of these stages, and is connected to a pump 405 provided outside the chamber 411 via a valve 409. Also, chuck 4
02 is connected to a pump 405 via a valve 404. By switching the valves 409 and 404, each of the hand 401 and the chuck 402 can be connected to the pump 405 to perform vacuum suction (hereinafter referred to as the first state) or to the chamber 41
1 (hereinafter referred to as the second state) is placed in one of the states that allows communication with the internal atmosphere of the second state. Hand 401 and valve 4
09 and between the chuck 402 and the valve 404, vacuum sensors 410 and 406 are provided, respectively, to detect the pressure of each pipe in order to confirm the suction state in the hand 401 and the chuck 402.

【0004】チャンバ411における動作は不図示の制
御装置によって制御される。該制御装置は各バキューム
センサ410、406の検出値を入力し、その値に応じ
てXステージ407、Zステージ408の移動や各バル
ブ404、409の開閉動作およびこれらの他の諸動作
等の制御を行う。
[0004] Operations in chamber 411 are controlled by a control device (not shown). The control device receives the detected values of the vacuum sensors 410 and 406, and controls the movement of the X stage 407 and Z stage 408, the opening and closing operations of the valves 404 and 409, and other operations according to the input values. I do.

【0005】ここで、基板403をハンド401に吸着
させ、これをチャック402に受渡す場合の制御装置の
動作について説明する。
[0005] Here, the operation of the control device when the substrate 403 is attracted to the hand 401 and transferred to the chuck 402 will be explained.

【0006】まず、制御装置は、Xステージ407、Z
ステージ408を駆動してハンド401を所定の位置に
設置された基板403と当接させ、バルブ409を第1
状態として基板403をハンド401に吸着させる。基
板403がハンド401に正常に吸着されているかを確
認するためにバキュームセンサ410の検出圧力の確認
を行う。検出圧力が正常な吸着がなされているときの圧
力であるP1(Torr)であるならば基板403をチ
ャック402に受渡すためにハンド401に吸着されて
いる基板403がチャック402の上部の位置となるよ
うにXステージ407を駆動する。次に、基板403の
チャック402側の面がチャック402と接触するよう
にZステージ408を駆動する。この段階ではバルブ4
04は第2状態とされ、チャック402の配管圧力はチ
ャンバ411の内部と等しい圧力に置かれている。制御
装置はここでバルブ404を第1状態とし、基板403
の吸着をチャック402によっても行なわせる。このと
きの基板403の吸着状態はバキュームセンサ406の
検出圧力によってモニタされるが、該バキュームセンサ
406の検出圧力がバキュームセンサ410の検出圧力
であるP1(Torr)と等しいものとなるとバルブ 
 409を第2状態としてハンド401による吸着動作
を停止とする。制御装置は、ハンド401の吸着力が消
滅したことをバキュームセンサ410の検出圧力により
確認した後に、Zステージ408とXステージ407と
を順番に駆動してハンド401を所定の位置まで移動さ
せる。
First, the control device controls the X stage 407 and the Z stage 407.
The stage 408 is driven to bring the hand 401 into contact with the substrate 403 installed at a predetermined position, and the valve 409 is moved to the first position.
In this state, the substrate 403 is attracted to the hand 401. In order to confirm whether the substrate 403 is properly attracted to the hand 401, the pressure detected by the vacuum sensor 410 is confirmed. If the detected pressure is P1 (Torr), which is the pressure when normal suction is performed, the substrate 403 that is being suctioned by the hand 401 in order to transfer the substrate 403 to the chuck 402 is at the upper position of the chuck 402. The X stage 407 is driven so that the Next, the Z stage 408 is driven so that the surface of the substrate 403 on the chuck 402 side comes into contact with the chuck 402. At this stage, valve 4
04 is the second state, and the piping pressure of the chuck 402 is set to the same pressure as the inside of the chamber 411. The controller now sets the valve 404 to the first state and switches the substrate 403 to the first state.
The chuck 402 also performs suction. At this time, the suction state of the substrate 403 is monitored by the detection pressure of the vacuum sensor 406. When the detection pressure of the vacuum sensor 406 becomes equal to P1 (Torr), which is the detection pressure of the vacuum sensor 410, the valve
409 is set to the second state, and the suction operation by the hand 401 is stopped. After confirming that the suction force of the hand 401 has disappeared based on the pressure detected by the vacuum sensor 410, the control device sequentially drives the Z stage 408 and the X stage 407 to move the hand 401 to a predetermined position.

【0007】以上、ハンド401からチャック402ヘ
基板403を受渡す場合について説明したが、チャック
402からハンド401へ基板403を受渡す場合にも
上記手順と同様な各バキュームセンサの検出圧力による
吸着状態の確認や各バルブの切換えが行われる。
The case where the substrate 403 is transferred from the hand 401 to the chuck 402 has been described above, but when the substrate 403 is transferred from the chuck 402 to the hand 401, the suction state based on the pressure detected by each vacuum sensor is similar to the above procedure. confirmation and switching of each valve is performed.

【0008】このように、基板の吸着状態の確認は、バ
キュームセンサにより検出される配管圧力が所定の圧力
値P1よりも低いものであるかにより行われるが、半導
体製造装置のチャンバ内の圧力が変化するものである場
合には吸着状態を示す配管圧力が変化してしまうため、
十分な吸着状態にあるかを判断することができない。
As described above, the adsorption state of the substrate is confirmed by checking whether the pipe pressure detected by the vacuum sensor is lower than the predetermined pressure value P1, but if the pressure inside the chamber of the semiconductor manufacturing equipment is If it changes, the pipe pressure that indicates the adsorption state will change, so
It is not possible to determine whether the adsorption state is sufficient.

【0009】図5はチャンバ内の圧力状態に応じて、吸
着状態時の配管圧力が変化するようすを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing how the pipe pressure changes in the adsorption state depending on the pressure state within the chamber.

【0010】半導体製造装置等のチャンバ内の圧力が大
気圧P2であるB状態の場合には、基板が吸着されたと
きの配管圧力はP1となり、チャンバ内の圧力が減圧さ
れた圧力P4であるA状態の場合には、基板が吸着され
たときの配管圧力はP3となる。図中、P2、P4間を
結ぶ線L1は、基板が吸着されないときの配管圧力(チ
ャンバ内圧力)を示し、P1、P3間を結ぶ線L2は、
基板が吸着されたときの配管圧力を示しており、斜線に
て示される部分が吸着がなされる領域である。B状態に
おいては基板が吸着されていることを示す配管圧力P1
が、A状態においては基板がずれるか、または外れてい
る状態を示すものとなり、A状態においては吸着がなさ
れていないことを示す配管圧力P4が、B状態において
は基板が吸着されていることを示す圧力となってしまう
In state B, where the pressure inside the chamber of semiconductor manufacturing equipment or the like is atmospheric pressure P2, the piping pressure when the substrate is attracted is P1, and the pressure inside the chamber is reduced to P4. In the case of state A, the piping pressure when the substrate is attracted is P3. In the figure, a line L1 connecting P2 and P4 indicates the piping pressure (chamber internal pressure) when the substrate is not attracted, and a line L2 connecting P1 and P3 indicates
It shows the piping pressure when the substrate is attracted, and the shaded area is the area where the substrate is attracted. In state B, the piping pressure P1 indicates that the substrate is attracted.
However, in state A, it indicates that the substrate has shifted or has come off, and in state A, the piping pressure P4 indicates that the substrate is not adsorbed, but in state B, it indicates that the substrate is adsorbed. This will result in pressure to show.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基板搬
送方法においては、基板403の吸着状態の確認は各バ
キュームセンサの検出圧力値と所定の圧力値(一定値)
とを比較することにより行われているため、チャンバ内
の圧力が変動する半導体製造装置においては基板が吸着
状態であるかの判断を正確に行うことができないという
問題点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional substrate transport method described above, the suction state of the substrate 403 is confirmed by checking the detected pressure value of each vacuum sensor and a predetermined pressure value (constant value).
Therefore, in semiconductor manufacturing equipment where the pressure inside the chamber fluctuates, there is a problem that it is not possible to accurately determine whether the substrate is in an adsorbed state.

【0012】本発明は上記従来技術が有する問題点に鑑
みてなされたものであって、圧力値が変動するチャンバ
内での基板の受渡しを確実に行うことのできる基板受渡
し方法を実現することを目的とする。
The present invention has been made in view of the problems of the prior art described above, and aims to realize a substrate transfer method that can reliably transfer a substrate within a chamber where the pressure value fluctuates. purpose.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の基板受渡し方法
は、圧力が変動するチャンバ内で、真空吸着によって保
持された基板の搬送を行う際の基板搬送方法であって、
前記チャンバ内の圧力と前記基板の吸着圧力とをそれぞ
れ検出し、基板の吸着圧力がチャンバ内圧力に応じた所
定の圧力を下回るものであるときに基板が吸着状態にあ
るとして基板の受渡しを行う。
[Means for Solving the Problems] The substrate transfer method of the present invention is a substrate transfer method for transferring a substrate held by vacuum suction in a chamber where the pressure fluctuates, the method comprising:
The pressure within the chamber and the suction pressure of the substrate are respectively detected, and when the suction pressure of the substrate is lower than a predetermined pressure according to the chamber internal pressure, the substrate is determined to be in the suction state and the substrate is delivered. .

【0014】[0014]

【作用】基板が吸着されているかどうかの確認は、現在
の基板の吸着圧力が現在のチャンバ内の圧力に応じた所
定の圧力を下回るかどうかによって行われるので、チャ
ンバ内の圧力が変化しても、その変化に応じて吸着状態
を確認することが可能となる。
[Operation] Whether or not the substrate is being adsorbed is checked by checking whether the current adsorption pressure of the substrate is lower than a predetermined pressure depending on the current pressure in the chamber. It is also possible to check the adsorption state according to its changes.

【0015】[0015]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0016】図1は本発明の第1の実施例の実施に用い
られる装置の構成を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of an apparatus used to implement a first embodiment of the present invention.

【0017】本実施例の半導体製造装置等のチャンバ1
11内において、基板103に対する真空吸着はハンド
101およびチャック102にて行われる。ハンド10
1は図面の左右方向に移動可能なXステージ107、図
面に垂直な方向に移動可能なZステージ108と連結さ
れて移動するもので、バルブ109を介してチャンバ1
11の外部に設けられたポンプ105と接続されている
。また、チャック102はバルブ104を介してポンプ
105に接続されている。本実施例においても、図4に
示した従来例と同様に、各バルブ104、109を切換
えることによりハンド101およびチャック102が真
空吸着が行われる第1状態かチャンバ111内の雰囲気
とされる第2状態のいずれかに置かれる。ハンド101
とバルブ109とを結ぶ配管およびチャック102とバ
ルブ104とを結ぶ配管には、第2の圧力検出手段であ
り、該配管圧力を検出するバキュームセンサ110,1
06と、第1の圧力検出手段であり、該配管圧力とチャ
ンバ111内の圧力との差圧を検出するバキュームセン
サ113,112がそれぞれ設けられている。本実施例
で用いられる制御装置は、図5に示したようなチャンバ
内圧力と配管圧力との関係を記憶して吸着状態か否かを
判断して装置の動作を制御するものである。本実施例に
ついて、基板103をハンド101に吸着させ、チャッ
ク102に受渡すものとして説明する。
Chamber 1 of semiconductor manufacturing equipment, etc. of this embodiment
11 , vacuum suction to the substrate 103 is performed by a hand 101 and a chuck 102 . hand 10
1 is connected to and moves with an X stage 107 that is movable in the left-right direction in the drawing and a Z stage 108 that is movable in the direction perpendicular to the drawing.
11 is connected to a pump 105 provided outside. Furthermore, the chuck 102 is connected to a pump 105 via a valve 104. In this embodiment as well, as in the conventional example shown in FIG. It is placed in one of two states. hand 101
Vacuum sensors 110 and 1, which serve as second pressure detection means and detect the pressure of the pipes, are installed in the pipes connecting the valve 109 and the chuck 102 and the valve 104.
06, and vacuum sensors 113 and 112, which are first pressure detection means and detect the differential pressure between the pipe pressure and the pressure inside the chamber 111, are provided, respectively. The control device used in this embodiment stores the relationship between the chamber internal pressure and the piping pressure as shown in FIG. 5, determines whether or not the adsorption state is established, and controls the operation of the device. This embodiment will be described assuming that the substrate 103 is attracted to the hand 101 and transferred to the chuck 102.

【0018】まず、ポンプ105を作動させ、バルブ1
09を第1状態として基板103をハンド101に吸着
させる。この状態で配管圧力をバキュームセンサ110
で検出する。さらに、バキュームセンサ112で、配管
圧力とチャンバ111内との差圧を検出して、チャンバ
111内の圧力を算出する。次に、検出した配管圧力が
、算出したチャンバ111内圧力に対応する吸着状態を
示す値(所定圧力を下回るもの)であるかを確認するこ
とにより、現在、基板103が吸着状態か否かを判断す
る。吸着状態であれば、Xステージ107を駆動して、
基板103をチャック102の上まで移動させる。 次に、Zステージ108を駆動して、基板103の裏面
と、チャック102の吸着面とが接した状態とする。次
に、バルブ104を第1状態としてチャック102を吸
着可能な状態とする。続いて、配管圧力を検出するバキ
ュームセンサ106と差圧を検出するバキュームセンサ
112の各検出圧力から基板103がチャック  10
2に吸着されたかどうかを判定する。ここで、吸着状態
である旨の確認が得られた場合には、バルブ109を第
2状態としてハンド101を非吸着状態とする。次に、
各バキュームセンサ110、113の検出圧力よりハン
ド101が非吸着状態にあることを確認した後にZステ
ージ108およびXステージ107を駆動してハンド1
01を所定の位置に移動させる。
First, the pump 105 is operated, and the valve 1
09 is the first state, and the substrate 103 is attracted to the hand 101. In this state, the pipe pressure is measured by the vacuum sensor 110.
Detect with. Further, the vacuum sensor 112 detects the pressure difference between the piping pressure and the inside of the chamber 111, and calculates the pressure inside the chamber 111. Next, by checking whether the detected pipe pressure is a value indicating an adsorption state (below a predetermined pressure) corresponding to the calculated internal pressure of the chamber 111, it is determined whether or not the substrate 103 is currently in an adsorption state. to decide. If it is in the adsorption state, drive the X stage 107,
The substrate 103 is moved to the top of the chuck 102. Next, the Z stage 108 is driven to bring the back surface of the substrate 103 into contact with the suction surface of the chuck 102. Next, the valve 104 is set to the first state so that the chuck 102 can be sucked. Subsequently, the substrate 103 is chucked based on the pressure detected by the vacuum sensor 106 that detects piping pressure and the vacuum sensor 112 that detects differential pressure.
Determine whether or not it has been attracted to 2. Here, if it is confirmed that the suction state is obtained, the valve 109 is set to the second state and the hand 101 is set to the non-adsorption state. next,
After confirming that the hand 101 is in a non-adsorption state based on the detected pressure of each vacuum sensor 110, 113, the Z stage 108 and the X stage 107 are driven to move the hand 1
01 to a predetermined position.

【0019】このように、本実施例においては、配管の
圧力および配管とチャンバとの差圧とを検出し、チャン
バの圧力変化を考慮に入れて基板の吸着状態を確認する
ための基準となる圧力値を変化させるので、チャンバ内
の圧力が変動しても、基板の吸着確認を確実に行うこと
ができる。
As described above, in this embodiment, the pressure in the piping and the differential pressure between the piping and the chamber are detected, and the pressure changes in the chamber are taken into consideration to serve as a reference for checking the adsorption state of the substrate. Since the pressure value is changed, even if the pressure inside the chamber fluctuates, the suction of the substrate can be confirmed reliably.

【0020】図2は本発明の第2の実施例の構成を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a second embodiment of the present invention.

【0021】本実施例の半導体製造装置等のチャンバ2
01内には、絶対圧力の検出を行うためのバキュームセ
ンサ202が設けられている。これにより、チャンバ2
01内の圧力検出を直接行うことができるため、第1の
実施例にて配管圧力とチャンバ圧力との差圧を検出する
ために設けられていた各バキュームセンサ112、11
3が省略されている。この他の構成は図1に示した第1
実施例と同様であるため、同一番号を付して説明は省略
する。
Chamber 2 of the semiconductor manufacturing apparatus, etc. of this embodiment
01 is provided with a vacuum sensor 202 for detecting absolute pressure. This allows chamber 2
Since the pressure inside 01 can be directly detected, each vacuum sensor 112, 11 that was provided to detect the differential pressure between the piping pressure and the chamber pressure in the first embodiment
3 is omitted. Other configurations include the first
Since it is similar to the embodiment, the same number will be given and the explanation will be omitted.

【0022】本実施例における基板103の吸着の確認
は、配管の絶対圧とチャンバの絶対圧を検知して行なう
。制御装置の確認シーケンスは、第1の実施例と同様で
ある。
In this embodiment, confirmation of suction of the substrate 103 is performed by detecting the absolute pressure of the piping and the absolute pressure of the chamber. The confirmation sequence of the control device is the same as in the first embodiment.

【0023】図3は本発明の第3の実施例の構成を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a third embodiment of the present invention.

【0024】本実施例の半導体製造装置等のチャンバ3
01内には、第2の実施例と同様にチャンバ301内の
絶対圧力の検出を行うためのバキュームセンサ202が
設けられ、ハンド101とバルブ109との間の配管お
よびチャック102とバルブ104との間の配管にはチ
ャンバ内圧力と配管圧力との差圧をそれぞれ検出するバ
キュームセンサ302、303、がそれぞれ設けられて
いる。この他の構成は図1に示した第1の実施例と同様
であるため、同一番号を付して説明は省略する。
Chamber 3 of the semiconductor manufacturing apparatus, etc. of this embodiment
01 is provided with a vacuum sensor 202 for detecting the absolute pressure inside the chamber 301, as in the second embodiment, and is connected to the piping between the hand 101 and the valve 109 and between the chuck 102 and the valve 104. Vacuum sensors 302 and 303 are provided in the pipes between the chambers, respectively, to detect the differential pressure between the chamber internal pressure and the pipe pressure. Since the other configurations are similar to those of the first embodiment shown in FIG. 1, the same reference numerals are given and explanations are omitted.

【0025】本実施例における基板103の吸着の確認
は、チャンバ301内の絶対圧と、チャンバ301の圧
力と配管圧力との差圧を検出する各バキュームセンサ3
02、303の検出値から配管圧力の絶対圧を算出して
行う。制御装置の確認シーケンスは第1および第2の実
施例と同様である。
In this embodiment, the suction of the substrate 103 is confirmed by using each vacuum sensor 3 that detects the absolute pressure inside the chamber 301 and the differential pressure between the pressure in the chamber 301 and the pressure in the piping.
The absolute pressure of the piping pressure is calculated from the detected values of 02 and 303. The confirmation sequence of the control device is the same as in the first and second embodiments.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
[Effects of the Invention] Since the present invention is constructed as described above, it produces the following effects.

【0027】基板の吸着状態を確認するための基準とな
る圧力値がチャンバ内の圧力変動に応じたものであるた
め、基板の吸着状態の確認を正確に行うことが可能とな
り、基板の搬送を確実に行うことが出来る効果がある。
[0027] Since the reference pressure value for checking the suction state of the substrate is based on the pressure fluctuation within the chamber, it is possible to accurately check the suction state of the substrate, and the transfer of the substrate can be There are certain effects that can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図1乃至図3はそれぞれ本発明の第1乃至第3の実施例
の構成を示す説明図、図4は従来例の要部構成を示す図
、図5はチャンバ内圧力と基板の吸着圧力の関係を示す
図である。101    ハンド 102    チャック 103    基板 104、109    バルブ 105    ポンプ 106、110、112、113、202、302、3
03    バキュームセンサ 107    Xステージ 108    Zステージ
1 to 3 are explanatory diagrams showing the configurations of the first to third embodiments of the present invention, FIG. 4 is a diagram showing the main part configuration of the conventional example, and FIG. It is a figure showing a relationship. 101 Hand 102 Chuck 103 Substrate 104, 109 Valve 105 Pump 106, 110, 112, 113, 202, 302, 3
03 Vacuum sensor 107 X stage 108 Z stage

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  圧力が変動するチャンバ内で、真空吸
着によって保持された基板の受渡しを行う際の基板受渡
し方法であって、前記チャンバ内の圧力と前記基板の吸
着圧力とをそれぞれ検出し、基板の吸着圧力がチャンバ
内の圧力に応じた所定の圧力を下回るものであるときに
基板が吸着状態にあるとして基板の受渡しを行うことを
特徴とする基板受渡し方法。
1. A substrate transfer method for transferring a substrate held by vacuum suction in a chamber where the pressure fluctuates, the method comprising: detecting the pressure in the chamber and the suction pressure of the substrate, respectively; 1. A substrate delivery method, characterized in that when the adsorption pressure of the substrate is lower than a predetermined pressure depending on the pressure within a chamber, the substrate is assumed to be in an adsorption state and the substrate is delivered.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6843926B2 (en) * 2002-03-07 2005-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd In-situ measurement of wafer position on lower electrode
JP2014127488A (en) * 2012-12-25 2014-07-07 Nec Corp Conveyance device and method of controlling the same
JP2022045274A (en) * 2020-09-08 2022-03-18 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus and substrate transfer method

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