JPH04219953A - 基板受渡し方法 - Google Patents
基板受渡し方法Info
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- JPH04219953A JPH04219953A JP41182790A JP41182790A JPH04219953A JP H04219953 A JPH04219953 A JP H04219953A JP 41182790 A JP41182790 A JP 41182790A JP 41182790 A JP41182790 A JP 41182790A JP H04219953 A JPH04219953 A JP H04219953A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置等の圧力
が変動するチャンバ内での基板受渡しを真空吸着を用い
て行なう基板受渡し方法に関する。
が変動するチャンバ内での基板受渡しを真空吸着を用い
て行なう基板受渡し方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は真空吸着を用いて基板の受渡しを
行なう半導体製造装置の従来例の構成を示す説明図であ
る。
行なう半導体製造装置の従来例の構成を示す説明図であ
る。
【0003】半導体製造装置等のチャンバ411内にお
いて、基板403に対する真空吸着はハンド401およ
びチャック402にてそれぞれ行なわれる。ハンド40
1は、図面の左右方向に移動可能な Xステージ40
7、図面に垂直な方向に移動可能なZステージ408と
連結されてこれらの各ステージによって移動するもので
、バルブ409を介してチャンバ411の外部に設けら
れたポンプ405と接続されている。また、チャック4
02はバルブ404を介してポンプ405と接続されて
いる。ハンド401およびチャック402のそれぞれは
、各バルブ409、404をそれぞれ切り換えることに
より、ポンプ405と接続されて真空吸着が行なわれる
状態(以下、第1状態と称す)かもしくはチャンバ41
1の内部の雰囲気に通じさせる状態(以下、第2状態と
称す)のいずれかに置かれる。ハンド401とバルブ4
09の間およびチャック402とバルブ404の間には
ハンド401およびチャック402における吸着状態を
確認するために各配管圧力を摘出するバキュームセンサ
410、406がそれぞれ設けられている。
いて、基板403に対する真空吸着はハンド401およ
びチャック402にてそれぞれ行なわれる。ハンド40
1は、図面の左右方向に移動可能な Xステージ40
7、図面に垂直な方向に移動可能なZステージ408と
連結されてこれらの各ステージによって移動するもので
、バルブ409を介してチャンバ411の外部に設けら
れたポンプ405と接続されている。また、チャック4
02はバルブ404を介してポンプ405と接続されて
いる。ハンド401およびチャック402のそれぞれは
、各バルブ409、404をそれぞれ切り換えることに
より、ポンプ405と接続されて真空吸着が行なわれる
状態(以下、第1状態と称す)かもしくはチャンバ41
1の内部の雰囲気に通じさせる状態(以下、第2状態と
称す)のいずれかに置かれる。ハンド401とバルブ4
09の間およびチャック402とバルブ404の間には
ハンド401およびチャック402における吸着状態を
確認するために各配管圧力を摘出するバキュームセンサ
410、406がそれぞれ設けられている。
【0004】チャンバ411における動作は不図示の制
御装置によって制御される。該制御装置は各バキューム
センサ410、406の検出値を入力し、その値に応じ
てXステージ407、Zステージ408の移動や各バル
ブ404、409の開閉動作およびこれらの他の諸動作
等の制御を行う。
御装置によって制御される。該制御装置は各バキューム
センサ410、406の検出値を入力し、その値に応じ
てXステージ407、Zステージ408の移動や各バル
ブ404、409の開閉動作およびこれらの他の諸動作
等の制御を行う。
【0005】ここで、基板403をハンド401に吸着
させ、これをチャック402に受渡す場合の制御装置の
動作について説明する。
させ、これをチャック402に受渡す場合の制御装置の
動作について説明する。
【0006】まず、制御装置は、Xステージ407、Z
ステージ408を駆動してハンド401を所定の位置に
設置された基板403と当接させ、バルブ409を第1
状態として基板403をハンド401に吸着させる。基
板403がハンド401に正常に吸着されているかを確
認するためにバキュームセンサ410の検出圧力の確認
を行う。検出圧力が正常な吸着がなされているときの圧
力であるP1(Torr)であるならば基板403をチ
ャック402に受渡すためにハンド401に吸着されて
いる基板403がチャック402の上部の位置となるよ
うにXステージ407を駆動する。次に、基板403の
チャック402側の面がチャック402と接触するよう
にZステージ408を駆動する。この段階ではバルブ4
04は第2状態とされ、チャック402の配管圧力はチ
ャンバ411の内部と等しい圧力に置かれている。制御
装置はここでバルブ404を第1状態とし、基板403
の吸着をチャック402によっても行なわせる。このと
きの基板403の吸着状態はバキュームセンサ406の
検出圧力によってモニタされるが、該バキュームセンサ
406の検出圧力がバキュームセンサ410の検出圧力
であるP1(Torr)と等しいものとなるとバルブ
409を第2状態としてハンド401による吸着動作
を停止とする。制御装置は、ハンド401の吸着力が消
滅したことをバキュームセンサ410の検出圧力により
確認した後に、Zステージ408とXステージ407と
を順番に駆動してハンド401を所定の位置まで移動さ
せる。
ステージ408を駆動してハンド401を所定の位置に
設置された基板403と当接させ、バルブ409を第1
状態として基板403をハンド401に吸着させる。基
板403がハンド401に正常に吸着されているかを確
認するためにバキュームセンサ410の検出圧力の確認
を行う。検出圧力が正常な吸着がなされているときの圧
力であるP1(Torr)であるならば基板403をチ
ャック402に受渡すためにハンド401に吸着されて
いる基板403がチャック402の上部の位置となるよ
うにXステージ407を駆動する。次に、基板403の
チャック402側の面がチャック402と接触するよう
にZステージ408を駆動する。この段階ではバルブ4
04は第2状態とされ、チャック402の配管圧力はチ
ャンバ411の内部と等しい圧力に置かれている。制御
装置はここでバルブ404を第1状態とし、基板403
の吸着をチャック402によっても行なわせる。このと
きの基板403の吸着状態はバキュームセンサ406の
検出圧力によってモニタされるが、該バキュームセンサ
406の検出圧力がバキュームセンサ410の検出圧力
であるP1(Torr)と等しいものとなるとバルブ
409を第2状態としてハンド401による吸着動作
を停止とする。制御装置は、ハンド401の吸着力が消
滅したことをバキュームセンサ410の検出圧力により
確認した後に、Zステージ408とXステージ407と
を順番に駆動してハンド401を所定の位置まで移動さ
せる。
【0007】以上、ハンド401からチャック402ヘ
基板403を受渡す場合について説明したが、チャック
402からハンド401へ基板403を受渡す場合にも
上記手順と同様な各バキュームセンサの検出圧力による
吸着状態の確認や各バルブの切換えが行われる。
基板403を受渡す場合について説明したが、チャック
402からハンド401へ基板403を受渡す場合にも
上記手順と同様な各バキュームセンサの検出圧力による
吸着状態の確認や各バルブの切換えが行われる。
【0008】このように、基板の吸着状態の確認は、バ
キュームセンサにより検出される配管圧力が所定の圧力
値P1よりも低いものであるかにより行われるが、半導
体製造装置のチャンバ内の圧力が変化するものである場
合には吸着状態を示す配管圧力が変化してしまうため、
十分な吸着状態にあるかを判断することができない。
キュームセンサにより検出される配管圧力が所定の圧力
値P1よりも低いものであるかにより行われるが、半導
体製造装置のチャンバ内の圧力が変化するものである場
合には吸着状態を示す配管圧力が変化してしまうため、
十分な吸着状態にあるかを判断することができない。
【0009】図5はチャンバ内の圧力状態に応じて、吸
着状態時の配管圧力が変化するようすを示す図である。
着状態時の配管圧力が変化するようすを示す図である。
【0010】半導体製造装置等のチャンバ内の圧力が大
気圧P2であるB状態の場合には、基板が吸着されたと
きの配管圧力はP1となり、チャンバ内の圧力が減圧さ
れた圧力P4であるA状態の場合には、基板が吸着され
たときの配管圧力はP3となる。図中、P2、P4間を
結ぶ線L1は、基板が吸着されないときの配管圧力(チ
ャンバ内圧力)を示し、P1、P3間を結ぶ線L2は、
基板が吸着されたときの配管圧力を示しており、斜線に
て示される部分が吸着がなされる領域である。B状態に
おいては基板が吸着されていることを示す配管圧力P1
が、A状態においては基板がずれるか、または外れてい
る状態を示すものとなり、A状態においては吸着がなさ
れていないことを示す配管圧力P4が、B状態において
は基板が吸着されていることを示す圧力となってしまう
。
気圧P2であるB状態の場合には、基板が吸着されたと
きの配管圧力はP1となり、チャンバ内の圧力が減圧さ
れた圧力P4であるA状態の場合には、基板が吸着され
たときの配管圧力はP3となる。図中、P2、P4間を
結ぶ線L1は、基板が吸着されないときの配管圧力(チ
ャンバ内圧力)を示し、P1、P3間を結ぶ線L2は、
基板が吸着されたときの配管圧力を示しており、斜線に
て示される部分が吸着がなされる領域である。B状態に
おいては基板が吸着されていることを示す配管圧力P1
が、A状態においては基板がずれるか、または外れてい
る状態を示すものとなり、A状態においては吸着がなさ
れていないことを示す配管圧力P4が、B状態において
は基板が吸着されていることを示す圧力となってしまう
。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基板搬
送方法においては、基板403の吸着状態の確認は各バ
キュームセンサの検出圧力値と所定の圧力値(一定値)
とを比較することにより行われているため、チャンバ内
の圧力が変動する半導体製造装置においては基板が吸着
状態であるかの判断を正確に行うことができないという
問題点がある。
送方法においては、基板403の吸着状態の確認は各バ
キュームセンサの検出圧力値と所定の圧力値(一定値)
とを比較することにより行われているため、チャンバ内
の圧力が変動する半導体製造装置においては基板が吸着
状態であるかの判断を正確に行うことができないという
問題点がある。
【0012】本発明は上記従来技術が有する問題点に鑑
みてなされたものであって、圧力値が変動するチャンバ
内での基板の受渡しを確実に行うことのできる基板受渡
し方法を実現することを目的とする。
みてなされたものであって、圧力値が変動するチャンバ
内での基板の受渡しを確実に行うことのできる基板受渡
し方法を実現することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の基板受渡し方法
は、圧力が変動するチャンバ内で、真空吸着によって保
持された基板の搬送を行う際の基板搬送方法であって、
前記チャンバ内の圧力と前記基板の吸着圧力とをそれぞ
れ検出し、基板の吸着圧力がチャンバ内圧力に応じた所
定の圧力を下回るものであるときに基板が吸着状態にあ
るとして基板の受渡しを行う。
は、圧力が変動するチャンバ内で、真空吸着によって保
持された基板の搬送を行う際の基板搬送方法であって、
前記チャンバ内の圧力と前記基板の吸着圧力とをそれぞ
れ検出し、基板の吸着圧力がチャンバ内圧力に応じた所
定の圧力を下回るものであるときに基板が吸着状態にあ
るとして基板の受渡しを行う。
【0014】
【作用】基板が吸着されているかどうかの確認は、現在
の基板の吸着圧力が現在のチャンバ内の圧力に応じた所
定の圧力を下回るかどうかによって行われるので、チャ
ンバ内の圧力が変化しても、その変化に応じて吸着状態
を確認することが可能となる。
の基板の吸着圧力が現在のチャンバ内の圧力に応じた所
定の圧力を下回るかどうかによって行われるので、チャ
ンバ内の圧力が変化しても、その変化に応じて吸着状態
を確認することが可能となる。
【0015】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0016】図1は本発明の第1の実施例の実施に用い
られる装置の構成を示す説明図である。
られる装置の構成を示す説明図である。
【0017】本実施例の半導体製造装置等のチャンバ1
11内において、基板103に対する真空吸着はハンド
101およびチャック102にて行われる。ハンド10
1は図面の左右方向に移動可能なXステージ107、図
面に垂直な方向に移動可能なZステージ108と連結さ
れて移動するもので、バルブ109を介してチャンバ1
11の外部に設けられたポンプ105と接続されている
。また、チャック102はバルブ104を介してポンプ
105に接続されている。本実施例においても、図4に
示した従来例と同様に、各バルブ104、109を切換
えることによりハンド101およびチャック102が真
空吸着が行われる第1状態かチャンバ111内の雰囲気
とされる第2状態のいずれかに置かれる。ハンド101
とバルブ109とを結ぶ配管およびチャック102とバ
ルブ104とを結ぶ配管には、第2の圧力検出手段であ
り、該配管圧力を検出するバキュームセンサ110,1
06と、第1の圧力検出手段であり、該配管圧力とチャ
ンバ111内の圧力との差圧を検出するバキュームセン
サ113,112がそれぞれ設けられている。本実施例
で用いられる制御装置は、図5に示したようなチャンバ
内圧力と配管圧力との関係を記憶して吸着状態か否かを
判断して装置の動作を制御するものである。本実施例に
ついて、基板103をハンド101に吸着させ、チャッ
ク102に受渡すものとして説明する。
11内において、基板103に対する真空吸着はハンド
101およびチャック102にて行われる。ハンド10
1は図面の左右方向に移動可能なXステージ107、図
面に垂直な方向に移動可能なZステージ108と連結さ
れて移動するもので、バルブ109を介してチャンバ1
11の外部に設けられたポンプ105と接続されている
。また、チャック102はバルブ104を介してポンプ
105に接続されている。本実施例においても、図4に
示した従来例と同様に、各バルブ104、109を切換
えることによりハンド101およびチャック102が真
空吸着が行われる第1状態かチャンバ111内の雰囲気
とされる第2状態のいずれかに置かれる。ハンド101
とバルブ109とを結ぶ配管およびチャック102とバ
ルブ104とを結ぶ配管には、第2の圧力検出手段であ
り、該配管圧力を検出するバキュームセンサ110,1
06と、第1の圧力検出手段であり、該配管圧力とチャ
ンバ111内の圧力との差圧を検出するバキュームセン
サ113,112がそれぞれ設けられている。本実施例
で用いられる制御装置は、図5に示したようなチャンバ
内圧力と配管圧力との関係を記憶して吸着状態か否かを
判断して装置の動作を制御するものである。本実施例に
ついて、基板103をハンド101に吸着させ、チャッ
ク102に受渡すものとして説明する。
【0018】まず、ポンプ105を作動させ、バルブ1
09を第1状態として基板103をハンド101に吸着
させる。この状態で配管圧力をバキュームセンサ110
で検出する。さらに、バキュームセンサ112で、配管
圧力とチャンバ111内との差圧を検出して、チャンバ
111内の圧力を算出する。次に、検出した配管圧力が
、算出したチャンバ111内圧力に対応する吸着状態を
示す値(所定圧力を下回るもの)であるかを確認するこ
とにより、現在、基板103が吸着状態か否かを判断す
る。吸着状態であれば、Xステージ107を駆動して、
基板103をチャック102の上まで移動させる。 次に、Zステージ108を駆動して、基板103の裏面
と、チャック102の吸着面とが接した状態とする。次
に、バルブ104を第1状態としてチャック102を吸
着可能な状態とする。続いて、配管圧力を検出するバキ
ュームセンサ106と差圧を検出するバキュームセンサ
112の各検出圧力から基板103がチャック 10
2に吸着されたかどうかを判定する。ここで、吸着状態
である旨の確認が得られた場合には、バルブ109を第
2状態としてハンド101を非吸着状態とする。次に、
各バキュームセンサ110、113の検出圧力よりハン
ド101が非吸着状態にあることを確認した後にZステ
ージ108およびXステージ107を駆動してハンド1
01を所定の位置に移動させる。
09を第1状態として基板103をハンド101に吸着
させる。この状態で配管圧力をバキュームセンサ110
で検出する。さらに、バキュームセンサ112で、配管
圧力とチャンバ111内との差圧を検出して、チャンバ
111内の圧力を算出する。次に、検出した配管圧力が
、算出したチャンバ111内圧力に対応する吸着状態を
示す値(所定圧力を下回るもの)であるかを確認するこ
とにより、現在、基板103が吸着状態か否かを判断す
る。吸着状態であれば、Xステージ107を駆動して、
基板103をチャック102の上まで移動させる。 次に、Zステージ108を駆動して、基板103の裏面
と、チャック102の吸着面とが接した状態とする。次
に、バルブ104を第1状態としてチャック102を吸
着可能な状態とする。続いて、配管圧力を検出するバキ
ュームセンサ106と差圧を検出するバキュームセンサ
112の各検出圧力から基板103がチャック 10
2に吸着されたかどうかを判定する。ここで、吸着状態
である旨の確認が得られた場合には、バルブ109を第
2状態としてハンド101を非吸着状態とする。次に、
各バキュームセンサ110、113の検出圧力よりハン
ド101が非吸着状態にあることを確認した後にZステ
ージ108およびXステージ107を駆動してハンド1
01を所定の位置に移動させる。
【0019】このように、本実施例においては、配管の
圧力および配管とチャンバとの差圧とを検出し、チャン
バの圧力変化を考慮に入れて基板の吸着状態を確認する
ための基準となる圧力値を変化させるので、チャンバ内
の圧力が変動しても、基板の吸着確認を確実に行うこと
ができる。
圧力および配管とチャンバとの差圧とを検出し、チャン
バの圧力変化を考慮に入れて基板の吸着状態を確認する
ための基準となる圧力値を変化させるので、チャンバ内
の圧力が変動しても、基板の吸着確認を確実に行うこと
ができる。
【0020】図2は本発明の第2の実施例の構成を示す
図である。
図である。
【0021】本実施例の半導体製造装置等のチャンバ2
01内には、絶対圧力の検出を行うためのバキュームセ
ンサ202が設けられている。これにより、チャンバ2
01内の圧力検出を直接行うことができるため、第1の
実施例にて配管圧力とチャンバ圧力との差圧を検出する
ために設けられていた各バキュームセンサ112、11
3が省略されている。この他の構成は図1に示した第1
実施例と同様であるため、同一番号を付して説明は省略
する。
01内には、絶対圧力の検出を行うためのバキュームセ
ンサ202が設けられている。これにより、チャンバ2
01内の圧力検出を直接行うことができるため、第1の
実施例にて配管圧力とチャンバ圧力との差圧を検出する
ために設けられていた各バキュームセンサ112、11
3が省略されている。この他の構成は図1に示した第1
実施例と同様であるため、同一番号を付して説明は省略
する。
【0022】本実施例における基板103の吸着の確認
は、配管の絶対圧とチャンバの絶対圧を検知して行なう
。制御装置の確認シーケンスは、第1の実施例と同様で
ある。
は、配管の絶対圧とチャンバの絶対圧を検知して行なう
。制御装置の確認シーケンスは、第1の実施例と同様で
ある。
【0023】図3は本発明の第3の実施例の構成を示す
図である。
図である。
【0024】本実施例の半導体製造装置等のチャンバ3
01内には、第2の実施例と同様にチャンバ301内の
絶対圧力の検出を行うためのバキュームセンサ202が
設けられ、ハンド101とバルブ109との間の配管お
よびチャック102とバルブ104との間の配管にはチ
ャンバ内圧力と配管圧力との差圧をそれぞれ検出するバ
キュームセンサ302、303、がそれぞれ設けられて
いる。この他の構成は図1に示した第1の実施例と同様
であるため、同一番号を付して説明は省略する。
01内には、第2の実施例と同様にチャンバ301内の
絶対圧力の検出を行うためのバキュームセンサ202が
設けられ、ハンド101とバルブ109との間の配管お
よびチャック102とバルブ104との間の配管にはチ
ャンバ内圧力と配管圧力との差圧をそれぞれ検出するバ
キュームセンサ302、303、がそれぞれ設けられて
いる。この他の構成は図1に示した第1の実施例と同様
であるため、同一番号を付して説明は省略する。
【0025】本実施例における基板103の吸着の確認
は、チャンバ301内の絶対圧と、チャンバ301の圧
力と配管圧力との差圧を検出する各バキュームセンサ3
02、303の検出値から配管圧力の絶対圧を算出して
行う。制御装置の確認シーケンスは第1および第2の実
施例と同様である。
は、チャンバ301内の絶対圧と、チャンバ301の圧
力と配管圧力との差圧を検出する各バキュームセンサ3
02、303の検出値から配管圧力の絶対圧を算出して
行う。制御装置の確認シーケンスは第1および第2の実
施例と同様である。
【0026】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【0027】基板の吸着状態を確認するための基準とな
る圧力値がチャンバ内の圧力変動に応じたものであるた
め、基板の吸着状態の確認を正確に行うことが可能とな
り、基板の搬送を確実に行うことが出来る効果がある。
る圧力値がチャンバ内の圧力変動に応じたものであるた
め、基板の吸着状態の確認を正確に行うことが可能とな
り、基板の搬送を確実に行うことが出来る効果がある。
図1乃至図3はそれぞれ本発明の第1乃至第3の実施例
の構成を示す説明図、図4は従来例の要部構成を示す図
、図5はチャンバ内圧力と基板の吸着圧力の関係を示す
図である。101 ハンド 102 チャック 103 基板 104、109 バルブ 105 ポンプ 106、110、112、113、202、302、3
03 バキュームセンサ 107 Xステージ 108 Zステージ
の構成を示す説明図、図4は従来例の要部構成を示す図
、図5はチャンバ内圧力と基板の吸着圧力の関係を示す
図である。101 ハンド 102 チャック 103 基板 104、109 バルブ 105 ポンプ 106、110、112、113、202、302、3
03 バキュームセンサ 107 Xステージ 108 Zステージ
Claims (1)
- 【請求項1】 圧力が変動するチャンバ内で、真空吸
着によって保持された基板の受渡しを行う際の基板受渡
し方法であって、前記チャンバ内の圧力と前記基板の吸
着圧力とをそれぞれ検出し、基板の吸着圧力がチャンバ
内の圧力に応じた所定の圧力を下回るものであるときに
基板が吸着状態にあるとして基板の受渡しを行うことを
特徴とする基板受渡し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41182790A JPH04219953A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 基板受渡し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41182790A JPH04219953A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 基板受渡し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219953A true JPH04219953A (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=18520760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41182790A Pending JPH04219953A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 基板受渡し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219953A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6843926B2 (en) * | 2002-03-07 | 2005-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | In-situ measurement of wafer position on lower electrode |
| JP2014127488A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Nec Corp | 搬送装置およびその制御方法 |
| JP2022045274A (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板移載方法 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP41182790A patent/JPH04219953A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6843926B2 (en) * | 2002-03-07 | 2005-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | In-situ measurement of wafer position on lower electrode |
| JP2014127488A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Nec Corp | 搬送装置およびその制御方法 |
| JP2022045274A (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板移載方法 |
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