JPH04219955A - 電子チップ部品のテーピング包装方法 - Google Patents
電子チップ部品のテーピング包装方法Info
- Publication number
- JPH04219955A JPH04219955A JP2404370A JP40437090A JPH04219955A JP H04219955 A JPH04219955 A JP H04219955A JP 2404370 A JP2404370 A JP 2404370A JP 40437090 A JP40437090 A JP 40437090A JP H04219955 A JPH04219955 A JP H04219955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic chip
- chip components
- wafer
- protective film
- active surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子チップ部品のテー
ピング包装方法に関するものである。
ピング包装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来電子チップ部品のテーピング包装は
、ウェハー状態からダイシングされ個別に分割された後
、図３に示すように、ボトムテープ２３を貼り合わせた
キャリアテープ本体２２のデバイスホール２５に格納さ
れ、前記キャリアテープ本体２２にトップテープ２４を
貼り合わせて前記デバイスホール２５を封じて行われて
いた。ベアチップ形の電子チップ部品２１においては、
ウェハーの段階で電極部２７が設けられたアクティブ面
２６が前記電極部２７の外部との接合部分を除いて二酸
化ケイ素、窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜
２８で被覆されており、このパッシベーション膜２８に
よって電子チップ部品２１に耐湿性を付与している。
、ウェハー状態からダイシングされ個別に分割された後
、図３に示すように、ボトムテープ２３を貼り合わせた
キャリアテープ本体２２のデバイスホール２５に格納さ
れ、前記キャリアテープ本体２２にトップテープ２４を
貼り合わせて前記デバイスホール２５を封じて行われて
いた。ベアチップ形の電子チップ部品２１においては、
ウェハーの段階で電極部２７が設けられたアクティブ面
２６が前記電極部２７の外部との接合部分を除いて二酸
化ケイ素、窒化ケイ素などからなるパッシベーション膜
２８で被覆されており、このパッシベーション膜２８に
よって電子チップ部品２１に耐湿性を付与している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来は、電子チ
ップ部品２１のアクティブ面２６に露出された箇所が残
存した状態であるために、テーピング後前記デバイスホ
ール２５内で電子チップ部品２１が移動し、トップテー
プ２４やデバイスホール２５の内側面に電子チップ部品
２１が接触した場合に、アクティブ面２６に傷がついた
りチッピングが生じるという問題があった。又電極部２
７が外気と接触するため電極部２７が酸化されて腐食す
る原因となるという問題もあった。
ップ部品２１のアクティブ面２６に露出された箇所が残
存した状態であるために、テーピング後前記デバイスホ
ール２５内で電子チップ部品２１が移動し、トップテー
プ２４やデバイスホール２５の内側面に電子チップ部品
２１が接触した場合に、アクティブ面２６に傷がついた
りチッピングが生じるという問題があった。又電極部２
７が外気と接触するため電極部２７が酸化されて腐食す
る原因となるという問題もあった。
【０００４】又パッシベーション膜２８にはピンホール
が生じることがあるため、電子チップ部品２１の耐湿性
が不十分である場合があった。
が生じることがあるため、電子チップ部品２１の耐湿性
が不十分である場合があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、電子チップ部品のテーピング包装方法におい
て、ウェハー上に形成された電極部及びパッシベーショ
ン膜を有機保護膜で被覆した後、前記ウェハーをダイシ
ングして分割形成した電子チップ部品を、キャリアテー
プにテーピング収納することを特徴とする。
するため、電子チップ部品のテーピング包装方法におい
て、ウェハー上に形成された電極部及びパッシベーショ
ン膜を有機保護膜で被覆した後、前記ウェハーをダイシ
ングして分割形成した電子チップ部品を、キャリアテー
プにテーピング収納することを特徴とする。
【０００６】
【作用】電子チップ部品のアクティブ面に被覆した有機
保護膜は、電子チップ部品をキャリアテープにテーピン
グ収納した後、前記電子チップ部品がキャリアテープの
格納空間で移動し、トップテープ等に前記アクティブ面
が衝突した場合でも、前記有機保護膜がそのクッション
保護作用によりアクティブ面を保護する。又前記有機保
護膜は、アクティブ面を空気から遮断するので、アクテ
ィブ面に設置された電極が酸化されることを防止するだ
けでなく、湿気の侵入をも防ぐことができる。そして有
機保護膜はウェハーの段階で被覆されるので、生産能率
が良く、又後のボンディング工程においても、ボンディ
ングされる箇所のみが破壊されて良好な電気的接続を行
うことができる。
保護膜は、電子チップ部品をキャリアテープにテーピン
グ収納した後、前記電子チップ部品がキャリアテープの
格納空間で移動し、トップテープ等に前記アクティブ面
が衝突した場合でも、前記有機保護膜がそのクッション
保護作用によりアクティブ面を保護する。又前記有機保
護膜は、アクティブ面を空気から遮断するので、アクテ
ィブ面に設置された電極が酸化されることを防止するだ
けでなく、湿気の侵入をも防ぐことができる。そして有
機保護膜はウェハーの段階で被覆されるので、生産能率
が良く、又後のボンディング工程においても、ボンディ
ングされる箇所のみが破壊されて良好な電気的接続を行
うことができる。
【０００７】
【実施例】図１及び図２は本発明の一実施例を示してい
る。
る。
【０００８】ウェハー１のアクティブ面１１にはアルミ
ニウム電極部２が設けられており、電子チップ部品と外
部を接続するアルミニウム電極部２の中央部は露出され
ているが、アルミニウム電極部２の周縁部及びウェハー
１の表面は、ウェハー１ に耐湿性を付与するため二酸
化ケイ素、窒化ケイ素などからなる０．８ 〜１．３
μｍ厚のパッシベーション膜３で覆われている。パッシ
ベーション膜３を形成した後、アルミニウム電極部２の
前記露出部及びパッシベーション膜３をスピンコートに
よってポリイミド溶液で覆い、ウェハー１表面全体にポ
リイミド溶液を均一に延ばし、 １００〜１５０ ℃で
１〜３時間加熱して硬化させ、図１に示すように有機保
護膜４を形成する。前記パッシベーション膜３には、ピ
ンホール５が生じることがあるが、このとき前記ポリイ
ミド溶液は、ピンホール５にも流入するのでピンホール
５は埋められ、ウェハー１のアクティブ面１１は有機保
護膜４によって全て被覆される。
ニウム電極部２が設けられており、電子チップ部品と外
部を接続するアルミニウム電極部２の中央部は露出され
ているが、アルミニウム電極部２の周縁部及びウェハー
１の表面は、ウェハー１ に耐湿性を付与するため二酸
化ケイ素、窒化ケイ素などからなる０．８ 〜１．３
μｍ厚のパッシベーション膜３で覆われている。パッシ
ベーション膜３を形成した後、アルミニウム電極部２の
前記露出部及びパッシベーション膜３をスピンコートに
よってポリイミド溶液で覆い、ウェハー１表面全体にポ
リイミド溶液を均一に延ばし、 １００〜１５０ ℃で
１〜３時間加熱して硬化させ、図１に示すように有機保
護膜４を形成する。前記パッシベーション膜３には、ピ
ンホール５が生じることがあるが、このとき前記ポリイ
ミド溶液は、ピンホール５にも流入するのでピンホール
５は埋められ、ウェハー１のアクティブ面１１は有機保
護膜４によって全て被覆される。
【０００９】尚、有機保護膜４は電子チップ部品に応じ
て上記ポリイミドに限らず、例えばポリウレタン、ポリ
フェニレンサルファイド、エポキシ樹脂等の電気絶縁性
が高い熱硬化性有機物や熱可塑性有機物を素材に用い、
適した製膜方法を選択して形成することができる。
て上記ポリイミドに限らず、例えばポリウレタン、ポリ
フェニレンサルファイド、エポキシ樹脂等の電気絶縁性
が高い熱硬化性有機物や熱可塑性有機物を素材に用い、
適した製膜方法を選択して形成することができる。
【００１０】ウェハー１は有機保護膜４を被覆した後、
ダイシングされ、個々の電子チップ部品６に分割される
。
ダイシングされ、個々の電子チップ部品６に分割される
。
【００１１】図２に示すように、ポリスチレン製のキャ
リアテープ７の本体７ａには、ポリエステル製のボトム
テープ８が貼り合わせてあり、前記電子チップ部品６は
、キャリアテープ７に設けられたデバイスホール９内に
格納される。電子チップ部品６を格納した後、キャリア
テープ本体７ａにポリエステル製のトップテープ１０を
貼り付け、デバイスホール９を封じ、樹脂フィルムを用
いた電子チップ部品６のテーピング包装が完成する。テ
ーピングに用いるテープ材料は上記のポリスチレン及び
ポリエステルだけに限らず、１０４ Ω・ｃｍ〜１０６
Ω・ｃｍの比抵抗値を持つ材料であれば他の材料を用
いてもよい。
リアテープ７の本体７ａには、ポリエステル製のボトム
テープ８が貼り合わせてあり、前記電子チップ部品６は
、キャリアテープ７に設けられたデバイスホール９内に
格納される。電子チップ部品６を格納した後、キャリア
テープ本体７ａにポリエステル製のトップテープ１０を
貼り付け、デバイスホール９を封じ、樹脂フィルムを用
いた電子チップ部品６のテーピング包装が完成する。テ
ーピングに用いるテープ材料は上記のポリスチレン及び
ポリエステルだけに限らず、１０４ Ω・ｃｍ〜１０６
Ω・ｃｍの比抵抗値を持つ材料であれば他の材料を用
いてもよい。
【００１２】上述のようにアクティブ面１１を有機保護
膜４で被覆された電子チップ部品６が、キャリアテープ
７のデバイスホール９内に格納されテーピングされた後
、デバイスホール９内で移動してトップテープ１０やデ
バイスホール９の内面に接触しても、アクティブ面１１
が有機保護膜４によって保護されているので、アクティ
ブ面１１に傷がついたりチッピングすることがない。
膜４で被覆された電子チップ部品６が、キャリアテープ
７のデバイスホール９内に格納されテーピングされた後
、デバイスホール９内で移動してトップテープ１０やデ
バイスホール９の内面に接触しても、アクティブ面１１
が有機保護膜４によって保護されているので、アクティ
ブ面１１に傷がついたりチッピングすることがない。
【００１３】又有機保護膜４によってアクティブ面１１
が外気から完全に遮断されるので、アルミニウム電極部
２の酸化されるのを防ぐことができると同時に湿気が侵
入することを防ぐことができ、耐酸化性、耐湿性に優れ
た製品を製造することができる。
が外気から完全に遮断されるので、アルミニウム電極部
２の酸化されるのを防ぐことができると同時に湿気が侵
入することを防ぐことができ、耐酸化性、耐湿性に優れ
た製品を製造することができる。
【００１４】尚、有機保護膜４は電子チップ部品をボン
ディングする場合に加わる熱及び圧力に耐えられる程機
械的強度が強くないので、ボンディングする場合には電
極部２の当接部分のみを破壊し、容易にボンディングす
ることができる。
ディングする場合に加わる熱及び圧力に耐えられる程機
械的強度が強くないので、ボンディングする場合には電
極部２の当接部分のみを破壊し、容易にボンディングす
ることができる。
【００１５】有機保護膜４はこのようにボンディングす
る箇所以外の部分を破壊せずに、ボンディングに必要な
部分のみを破壊することが容易であるので、後の工程で
ボンディングを行う電子チップ部品には大変好適である
。
る箇所以外の部分を破壊せずに、ボンディングに必要な
部分のみを破壊することが容易であるので、後の工程で
ボンディングを行う電子チップ部品には大変好適である
。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、テーピングされた電子
チップ部品のアクティブ面がキャリアテープの格納空間
の内壁やトップテープに直接接触しても、電子チップ部
品のアクティブ面に傷がついたり、チッピングが生じる
のを防止することができると共に、電子チップ部品の耐
酸化性、耐湿性を向上させることができるので、信頼性
が高く且つボンディング容易なテーピング包装電子チッ
プ部品を合理的な製造工程によって提供することができ
る。
チップ部品のアクティブ面がキャリアテープの格納空間
の内壁やトップテープに直接接触しても、電子チップ部
品のアクティブ面に傷がついたり、チッピングが生じる
のを防止することができると共に、電子チップ部品の耐
酸化性、耐湿性を向上させることができるので、信頼性
が高く且つボンディング容易なテーピング包装電子チッ
プ部品を合理的な製造工程によって提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例におけるウェハーの要部の断
面図である。
面図である。
【図２】電子チップ部品をテーピング収納した状態の断
面図である。
面図である。
【図３】従来のテーピング包装の断面図である。
１ ウェハー
２ 電極部
３ パッシベーション膜
４ 有機保護膜
６ 電子チップ部品
７ キャリアテープ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー上に形成された電極部及びパ
ッシベーション膜を有機保護膜で被覆した後、前記ウェ
ハーをダイシングして分割形成した電子チップ部品を、
キャリアテープにテーピング収納することを特徴とする
電子チップ部品のテーピング包装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404370A JPH0760848B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 電子チップ部品のテーピング包装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404370A JPH0760848B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 電子チップ部品のテーピング包装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219955A true JPH04219955A (ja) | 1992-08-11 |
| JPH0760848B2 JPH0760848B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=18514049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404370A Expired - Lifetime JPH0760848B2 (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 電子チップ部品のテーピング包装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760848B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049877A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｉｃチップ及びその作製方法 |
| CN100460292C (zh) * | 2005-02-24 | 2009-02-11 | 亚洲光学股份有限公司 | 通用型承载装置 |
| US8426293B2 (en) | 2004-07-09 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC chip and its manufacturing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189228A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | Shinkawa Ltd | チツプテ−ピング装置 |
| JPS63164444A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2404370A patent/JPH0760848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189228A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | Shinkawa Ltd | チツプテ−ピング装置 |
| JPS63164444A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049877A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｉｃチップ及びその作製方法 |
| US8426293B2 (en) | 2004-07-09 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC chip and its manufacturing method |
| CN100460292C (zh) * | 2005-02-24 | 2009-02-11 | 亚洲光学股份有限公司 | 通用型承载装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760848B2 (ja) | 1995-06-28 |
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