JPH04220609A - スポットサイズ変換部の形成方法 - Google Patents

スポットサイズ変換部の形成方法

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Publication number
JPH04220609A
JPH04220609A JP2412743A JP41274390A JPH04220609A JP H04220609 A JPH04220609 A JP H04220609A JP 2412743 A JP2412743 A JP 2412743A JP 41274390 A JP41274390 A JP 41274390A JP H04220609 A JPH04220609 A JP H04220609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
spot size
optical waveguide
enlarged
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2412743A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kono
健治 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2412743A priority Critical patent/JPH04220609A/ja
Publication of JPH04220609A publication Critical patent/JPH04220609A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスポットサイズ変換部に
ついて製作性・再現性のよい形成方法を提供するもので
ある。
【0002】
【従来の技術とその課題】一般に、半導体光変調器など
の半導体光素子における導体光のスポットサイズと単一
モード光ファイバのスポットサイズとは、数倍程度異な
っている。したがって、半導体光素子とこの光ファイバ
とをそのまま直接結合させた場合には、結合損失が生じ
てしまう。
【0003】この結合損失を少なくするために光ファイ
バ端部付近のコアのスポットサイズを拡大させたものが
ある。すなわち、図4に示すように、コア拡大光ファイ
バ[柳、白石、川上他:熱拡散によるコア拡大ファイバ
の伝搬特性:1990年度電子情報通信学会秋期全国大
会C−172]においては、光導体路部付近のコア径が
広くなっているとともに、端部付近のコアの屈折率は他
の部分のコア1のものに比べて低くなっている。従って
、端部付近のコア拡大部3のスポットサイズは従来形の
単一モード光ファイバのスポットサイズと比較して大き
くなっている。
【0004】このコア拡大形光ファイバの製造法として
は、図5に示すように従来、熱拡散炉4を用いて光ファ
イバ5を加熱する方法が使用されてきた。即ち、熱拡散
炉4の中に光ファイバ5を入れ、ヒータ6にて高温で保
持しておくことによりコア1の屈折率をクラッド2の屈
折率よりも高くしている物質がクラッド内に拡散される
。その結果、コア径が拡大されるとともにコアの屈折率
が低くなり、導波光のスポットサイズを拡大できること
になる。この光ファイバを途中で切断することにより、
端部にコア拡大部3を形成した光ファイバを製造するこ
とができる。
【0005】ところが、この方法では光ファイバ全体を
ある長さにわたって熱拡散炉に入れて加熱するため、コ
アを拡大すべき、光ファイバのごく一部分のみを加熱す
ることは、困難である。しかも、加熱面積が大きく局部
加熱ができないので、石英系光導波路での光出射端部や
光入射端部のみを加熱し、その端部のみのコアを拡大す
ることも実際上不可能であり、この従来の製造法では石
英系光導波路の光入射あるいは光出射端部のみのコアを
拡大することはできなかった。
【0006】本発明は光導波路や光ファイバのごく一部
のみを加熱しコア拡大形光ファイバやコア拡大形光導波
路を形成する方法の提供を目的とするものでる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成する本
発明は、光導波路の端部付近のコア径をこの端部付近以
外の部分のコア径よりも拡大してコア拡大部を形成する
と共に、このコア拡大部のコア屈折率を上記端部付近以
外の部分のコア屈折率よりも低くし、上記コア拡大部で
のスポットサイズを大きくするスポットサイズ変換部の
形成方法において、上記コア拡大部の形成に当っては光
導波路の一部をレーザにより加熱することを特徴とする
【0008】
【作用】炭酸ガス(CO2 )レーザのような高出力レ
ーザを用いることにより光導波路や光ファイバのごく一
部のみを加熱できる。
【0009】図1は石英系光導波路に本発明を適用した
場合の実施例を示す。図1はCO2 レーザ7を用い、
基板8上に形成された石英系光導波路の導波路端部を加
熱している。本実施例では高出力の例えばCO2 レー
ザを用いるため、従来用いられてきた熱拡散炉と異なっ
て、光導波路の光入射端部あるいは光出射端部など、光
導波路の一部のみのコア9やクラッド10の加熱が可能
となった。
【0010】図2には、照射時間を一定とした場合にお
けるCO2 レーザの光出力(P)とコア拡大部のスポ
ットサイズとの関係を表す。図からわかるように、CO
2 レーザの照射パワーが高いほどコア拡大部のコア径
は大きくなり、コアの屈折率は低くなる。従って、図3
に示すようにCO2レーザ7の照射パワーを高くすると
、コア拡大部の導波光のスポットサイズを大きくするこ
とができる。また、こうした加熱用高出力レーザは、光
出力、加熱時間、加熱位置などをコンピュータにより正
確に制御することが容易であるので、コア拡大部のテー
パ形状を含め、精度よく大量出産できるという利点もあ
る。更に、石英系光導波路の先端を溶融し、光導波路の
コア拡大部の先端にレンズを形成ことも可能である。
【0011】以上、光導波路として石英系の光導波路を
例にとって説明してきたが、本発明は光ファイバにも適
用できることは言うまでもない。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では微細加
工に適している高出力レーザにより光導波路や光ファイ
バを加熱することによりコアの拡大と屈折率の低減を行
うので、光導波路や光ファイバの端部のみの加工が可能
となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の説明図である。
【図2】レーザ照射パワーとコア径、コア屈折率との特
性図である。
【図3】レーザ照射パワーとスポットサイズとの特性図
である。
【図4】コア拡大形光ファイバの構造図である。
【図5】熱拡散炉による加熱状態の説明図である。
【符号の説明】
7  CO2 レーザ 8  基板 9  コア 10  クラッド

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  光導波路の端部付近のコア径をこの端
    部付近以外の部分のコア径よりも拡大してコア拡大部を
    形成すると共に、このコア拡大部のコア屈折率を上記端
    部付近以外の部分のコア屈折率よりも低くし、上記コア
    拡大部でのスポットサイズを大きくするスポットサイズ
    変換部の形成方法において、上記コア拡大部の形成に当
    っては光導波路の一部をレーザにより加熱することを特
    徴とするスポットサイズ変換部の形成方法。
JP2412743A 1990-12-21 1990-12-21 スポットサイズ変換部の形成方法 Pending JPH04220609A (ja)

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JPH04220609A true JPH04220609A (ja) 1992-08-11

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6442315B1 (en) 1997-11-18 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical waveguide chip and method of formation thereof
KR100418255B1 (ko) * 2002-03-19 2004-02-14 학교법인 성균관대학 고 결합효율을 위한 코어가 확장된 도파로 및 이의 제작방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6442315B1 (en) 1997-11-18 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical waveguide chip and method of formation thereof
KR100418255B1 (ko) * 2002-03-19 2004-02-14 학교법인 성균관대학 고 결합효율을 위한 코어가 확장된 도파로 및 이의 제작방법

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