JPH04221840A - ウェーハ劈開方法 - Google Patents
ウェーハ劈開方法Info
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- JPH04221840A JPH04221840A JP40497890A JP40497890A JPH04221840A JP H04221840 A JPH04221840 A JP H04221840A JP 40497890 A JP40497890 A JP 40497890A JP 40497890 A JP40497890 A JP 40497890A JP H04221840 A JPH04221840 A JP H04221840A
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- Japan
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- wafer
- cleavage
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- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェーハに形
成した半導体ペレットの製品解析に際して、断面形状等
の確認に適用されるウェーハ劈開方法関する。
成した半導体ペレットの製品解析に際して、断面形状等
の確認に適用されるウェーハ劈開方法関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体シリコンウェーハの劈開方
法は、図２に示すように、ウェーハ１表面（素子形成面
）の周辺にダイヤモンドにてキズ２を付け、裏面から圧
力を加えることにより、キズ２をオリジンとして、ウェ
ーハ１を結晶方位に沿って劈開させ、その劈開面３に露
出した半導体ペレット断面を観察することによって、製
品解析を行っていた。
法は、図２に示すように、ウェーハ１表面（素子形成面
）の周辺にダイヤモンドにてキズ２を付け、裏面から圧
力を加えることにより、キズ２をオリジンとして、ウェ
ーハ１を結晶方位に沿って劈開させ、その劈開面３に露
出した半導体ペレット断面を観察することによって、製
品解析を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の劈開方法は、使用ウェーハの結晶方位の方向に沿って
劈開されるため、表面キズ２の方向に対して４〜６°傾
いて劈開され、所望箇所の劈開面を出すことはできない
という欠点があった。特に、最近のように、高集積度化
された半導体集積回路においては、希望する劈開面で正
確に劈開することは、きわめて困難であり、円滑かつ正
確な製品解析ができなくなった。
の劈開方法は、使用ウェーハの結晶方位の方向に沿って
劈開されるため、表面キズ２の方向に対して４〜６°傾
いて劈開され、所望箇所の劈開面を出すことはできない
という欠点があった。特に、最近のように、高集積度化
された半導体集積回路においては、希望する劈開面で正
確に劈開することは、きわめて困難であり、円滑かつ正
確な製品解析ができなくなった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この提案は上記の課題を
解決するために、劈開を希望する線と平行にウェーハ裏
面にダイヤモンドで線状キズを付けることで、ウェーハ
表面の周辺のキズから線状キズに沿って平行に劈開する
ことを特徴とする。
解決するために、劈開を希望する線と平行にウェーハ裏
面にダイヤモンドで線状キズを付けることで、ウェーハ
表面の周辺のキズから線状キズに沿って平行に劈開する
ことを特徴とする。
【０００５】
【作用】上記の劈開方法によると、ウェーハ裏面に付け
た劈開希望線と平行な線状キズにより、結晶方位に沿っ
て進行してくる劈開面を阻止し、また裏面線状キズを超
えることなく約０．５ｍｍの間隔を保って裏面線状キズ
と平行にウェーハが劈開され、容易かつ正確に希望の劈
開面を出すことができる。
た劈開希望線と平行な線状キズにより、結晶方位に沿っ
て進行してくる劈開面を阻止し、また裏面線状キズを超
えることなく約０．５ｍｍの間隔を保って裏面線状キズ
と平行にウェーハが劈開され、容易かつ正確に希望の劈
開面を出すことができる。
【０００６】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。図１はこの発明の一実施例の劈開方法について説
明するウェーハの平面図である。図において、１は多数
の半導体ペレット（図示省略）を形成したウェーハ、２
はウェーハ表面のダイヤモンドによる劈開開始用のキズ
、３は劈開希望線であり、かつ劈開面４はウェーハ裏面
へ付けた劈開希望線３と平行な線状キズである。
する。図１はこの発明の一実施例の劈開方法について説
明するウェーハの平面図である。図において、１は多数
の半導体ペレット（図示省略）を形成したウェーハ、２
はウェーハ表面のダイヤモンドによる劈開開始用のキズ
、３は劈開希望線であり、かつ劈開面４はウェーハ裏面
へ付けた劈開希望線３と平行な線状キズである。
【０００７】次に、上記のウェーハ１の劈開方法につい
て説明する。まず、結晶方位が明確な場合は、劈開希望
線３ａと平行に約０．５ｍｍの間隔でウェーハ裏面にダ
イヤモンドにて線状キズ４を入れる。なお、結晶方位が
不明な場合は、線状キズ４と例えば５ｍｍ程度の間隔で
平行に線状キズ５を入れる。次に、ウェーハ表面であっ
て、かつ裏面の線状キズ４と５の中間点に相当する箇所
に、劈開開始となるキズ２を入れる。こののち、キズ２
を支点にウェーハ１の裏面から加圧することにより、キ
ズ２をオリジンとして結晶方位に沿って劈開が進行する
。結晶方位に沿う劈開面３が裏面線状キズ４または５に
近づくと、この線状キズ４または５によって、結晶方位
に沿う劈開が阻止される。以後、裏面線状キズ４または
５に沿って平行に劈開が進行し、希望劈開面に一致した
劈開面３ａを出すことができる。
て説明する。まず、結晶方位が明確な場合は、劈開希望
線３ａと平行に約０．５ｍｍの間隔でウェーハ裏面にダ
イヤモンドにて線状キズ４を入れる。なお、結晶方位が
不明な場合は、線状キズ４と例えば５ｍｍ程度の間隔で
平行に線状キズ５を入れる。次に、ウェーハ表面であっ
て、かつ裏面の線状キズ４と５の中間点に相当する箇所
に、劈開開始となるキズ２を入れる。こののち、キズ２
を支点にウェーハ１の裏面から加圧することにより、キ
ズ２をオリジンとして結晶方位に沿って劈開が進行する
。結晶方位に沿う劈開面３が裏面線状キズ４または５に
近づくと、この線状キズ４または５によって、結晶方位
に沿う劈開が阻止される。以後、裏面線状キズ４または
５に沿って平行に劈開が進行し、希望劈開面に一致した
劈開面３ａを出すことができる。
【０００８】この方法での劈開面は、表面の劈開希望箇
所にキズを付けていないため、ダメージを受けていない
きれいな断面を観察することができる。
所にキズを付けていないため、ダメージを受けていない
きれいな断面を観察することができる。
【０００９】
【発明の効果】この発明は以上のように、ウェーハの結
晶方位がどのような角度であっても、ウェーハ裏面に希
望劈開面に平行な線状キズを付けることで、容易に希望
劈開面に一致した劈開面を出すことができ、希望箇所の
断面観察による正確な製品解析ができるという効果があ
る。
晶方位がどのような角度であっても、ウェーハ裏面に希
望劈開面に平行な線状キズを付けることで、容易に希望
劈開面に一致した劈開面を出すことができ、希望箇所の
断面観察による正確な製品解析ができるという効果があ
る。
【図１】 この発明の一実施例の劈開方法について説
明するためのウェーハ平面図。
明するためのウェーハ平面図。
【図２】 従来方法による劈開方法について説明する
ためのウェーハ平面図。
ためのウェーハ平面図。
１ ウェーハ
２ ウェーハ表面のキズ
３ 結晶方位に沿う劈開面
３ａ 劈開面
Claims (2)
- 【請求項１】ウェーハ表面の周辺にダイヤモンドでキズ
を付け、劈開する方法において、ウェーハ裏面に希望劈
開面に平行に線状キズを入れ、ウェーハ結晶方位に関係
なく裏面の線状キズを平行に劈開することを特徴とする
ウェーハ劈開方法。 - 【請求項２】ウェーハ裏面に、希望劈開面に対応する仮
想線を挟んで平行な線状キズを付けるとともに、ウェー
ハ表面の周辺でかつ前記裏面の線状キズの中間位置に対
応する箇所に劈開開始点となるキズを付けて、この表面
のキズをオリジンとして劈開することを特徴とするウェ
ーハ劈開方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404978A JP2987937B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | ウェーハ劈開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404978A JP2987937B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | ウェーハ劈開方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221840A true JPH04221840A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2987937B2 JP2987937B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=18514616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404978A Expired - Lifetime JP2987937B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | ウェーハ劈開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2987937B2 (ja) |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2404978A patent/JP2987937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2987937B2 (ja) | 1999-12-06 |
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