JPS5874600A - 単結晶板の劈開方法 - Google Patents
単結晶板の劈開方法Info
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- JPS5874600A JPS5874600A JP56172240A JP17224081A JPS5874600A JP S5874600 A JPS5874600 A JP S5874600A JP 56172240 A JP56172240 A JP 56172240A JP 17224081 A JP17224081 A JP 17224081A JP S5874600 A JPS5874600 A JP S5874600A
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- single crystal
- crystal substrate
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体等の単結晶板の健闘方法に関する。
通常、半導体レーザー等に用いられる単結晶板は面積が
１５Ｘ１０■、厚さが０．１ ｔｍ程度である。
１５Ｘ１０■、厚さが０．１ ｔｍ程度である。
素子として必要な面積は、０．２５ Ｘ Ｏ，２０ｘ程
度で、とｎを得るには一般に弁開による細分化が行われ
る。この場合、従来は顕微鏡をのぞきながら単結晶板に
カミソリの刃を当て、経験的な力を加えて弁開する事が
行われていたが、これは相当の熟練を要する。熟練者に
よる場合でも良好な弁開面を持った素子の歩留りは、４
０〜５０％に止まっている。しかも上記方法で伸開する
為には、基板が薄くなくてはならず、素子製造工程で前
記１５Ｘ１０ｍ、厚さ０．１ ｗｍ程度の単結晶基板を
割らない様にあつかうのは至難の業である。これは基板
が大聖化する程、より大きな問題となる。
度で、とｎを得るには一般に弁開による細分化が行われ
る。この場合、従来は顕微鏡をのぞきながら単結晶板に
カミソリの刃を当て、経験的な力を加えて弁開する事が
行われていたが、これは相当の熟練を要する。熟練者に
よる場合でも良好な弁開面を持った素子の歩留りは、４
０〜５０％に止まっている。しかも上記方法で伸開する
為には、基板が薄くなくてはならず、素子製造工程で前
記１５Ｘ１０ｍ、厚さ０．１ ｗｍ程度の単結晶基板を
割らない様にあつかうのは至難の業である。これは基板
が大聖化する程、より大きな問題となる。
この発−は上記した点に鑑みてなされたもので、素子製
造工程を容易ならしめる適度な厚みを持った単結晶基板
を容易にかつ歩留りよく弁開する方法を提供するもので
ある。
造工程を容易ならしめる適度な厚みを持った単結晶基板
を容易にかつ歩留りよく弁開する方法を提供するもので
ある。
本発明によれば、単結晶基板に、その伸開方向にそって
、断面が矩形の溝を刻んだ後に、鉄構の一端に刃を当て
溝底部中央にキズをつけると同時にクサビ状の刃の腹部
で該婢を押翻く様にして基′板を健闘する事を特徴とす
る単結晶基板の伸開方法。
、断面が矩形の溝を刻んだ後に、鉄構の一端に刃を当て
溝底部中央にキズをつけると同時にクサビ状の刃の腹部
で該婢を押翻く様にして基′板を健闘する事を特徴とす
る単結晶基板の伸開方法。
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の伸開方法の第１工程で、単結晶基板の
伸開方向にそって断面が矩形の溝ｌを刻んだ結晶基板の
断面図である。寸法例として基板はレーザー素子製造工
程の完了したＧ ａ Ａ ｓ単結晶基板とすると、基板
の厚み３．０．２５■、溝深さ４．０．１５■、溝巾５
、０．０５ｍ、溝間隔６゜０．２５ｍ＋等の寸法が一
般的である。この溝１を刻む方法としては１ダイシング
法ｊＶｃよシ刃の底面が平端なダイヤモンドの丸刃を使
用して刻む。
伸開方向にそって断面が矩形の溝ｌを刻んだ結晶基板の
断面図である。寸法例として基板はレーザー素子製造工
程の完了したＧ ａ Ａ ｓ単結晶基板とすると、基板
の厚み３．０．２５■、溝深さ４．０．１５■、溝巾５
、０．０５ｍ、溝間隔６゜０．２５ｍ＋等の寸法が一
般的である。この溝１を刻む方法としては１ダイシング
法ｊＶｃよシ刃の底面が平端なダイヤモンドの丸刃を使
用して刻む。
溝の底部２は、平端でかつヘキ開線方向と溝方向の誤差
角を保障出来るだけの巾が必要である。
角を保障出来るだけの巾が必要である。
もしも溝底部２が１ｖ字”や１Ｕ字”状だと弁開線は、
溝の一番深い所を走ろうとし、襞間線方向と溝方向に角
度誤差がある場合、きれいな弁開面が出ない。
溝の一番深い所を走ろうとし、襞間線方向と溝方向に角
度誤差がある場合、きれいな弁開面が出ない。
第２図伸開方法の＃！２工程でクサビ状の刃７を溝端部
に当て溝底部中央にキズ８をつけると同時に刃の腹１０
で溝の副骨を押開きｇ＃１線９を走らせている図である
。第２図（ａ）は側面図、第２図（ｂ）は断面図、第２
図（Ｃ）は基板上部から見た上面図である。
に当て溝底部中央にキズ８をつけると同時に刃の腹１０
で溝の副骨を押開きｇ＃１線９を走らせている図である
。第２図（ａ）は側面図、第２図（ｂ）は断面図、第２
図（Ｃ）は基板上部から見た上面図である。
第３図は、溝断面上部に傾斜角１１をつけ、刃の断面形
状１１をその角度にあわせる事により、前もって溝端部
にヘキ開の元になるキズをつけて゛おけば、任意の角度
で溝測骨に力を加え伸開縁９を走らせる事が出来る事を
示した図である。本方法は、＃配装開法の改良法として
、特に結晶がもろい場合、距離の長い健闘を行なう場合
に有効である。
状１１をその角度にあわせる事により、前もって溝端部
にヘキ開の元になるキズをつけて゛おけば、任意の角度
で溝測骨に力を加え伸開縁９を走らせる事が出来る事を
示した図である。本方法は、＃配装開法の改良法として
、特に結晶がもろい場合、距離の長い健闘を行なう場合
に有効である。
第４図に従来の方法で竪型したレーザーチップ素子（第
４図（ａ））と本方法で竪型したチップ素子（第４図（
ｂ））の概略図を示す。１２．１３は弁開面、１４はダ
イシングＬＥ溝の測面、１５はレーザ光の出る方向であ
る。
４図（ａ））と本方法で竪型したチップ素子（第４図（
ｂ））の概略図を示す。１２．１３は弁開面、１４はダ
イシングＬＥ溝の測面、１５はレーザ光の出る方向であ
る。
以上の様にして本発明の弁開法によれば、ウェーハ基板
製造工程にて適度な基板厚を保つ事が出来る為に割れ不
良に対する製造歩留が大幅に向上するとともに、従来熟
練者の勘にたよっていた弁開時の基板に加える応力の大
きさ、方向を任意にコントロールし、単結晶基板を容易
にかっ歩留りヨく健闘する仁とが出来る。
製造工程にて適度な基板厚を保つ事が出来る為に割れ不
良に対する製造歩留が大幅に向上するとともに、従来熟
練者の勘にたよっていた弁開時の基板に加える応力の大
きさ、方向を任意にコントロールし、単結晶基板を容易
にかっ歩留りヨく健闘する仁とが出来る。
第１図はヘキ開第１工程、矩形断面の溝を刻んだ基板断
面図。第２図（ａ）〜（Ｃ）はヘキ開第２工杉、クサビ
状の刃を尚て九基板のヘキ開測面図、断面図、および上
面図。第３図はヘキ開方法の改良図。 第４図（ａ）は従来ヘキ開法によるレーザー素子チップ
略図。第４図（ｂ）は本発明ヘキ開法にょるレーザ素子
チップ略図。 ｌ・・・・・・矩形断面の溝、２・・・・・・溝底部、
３・・・１単結晶基板厚、４・・・・・・溝深さ、５・
・・・・・溝巾、６・・・・・・溝間隔、７・・・・・
・クサビ状断面の刃、８°゛°°°゛ヘキ開の元になる
キズ、９・・・・・・ヘキ開線、１０・・・・・・刃の
腹部、１１・・・・・・婢測面の傾斜面、１１′・・・
・・・傾斜面に形状を合せた刃、１２，１３・・・・・
・レーザー共振器となる弁開面、１４・・・・・・ダイ
シング溝側面、１５・・・・・・レーザー光方向。 う、・・−・、 代理人 弁理士 内 原 音、、！／１ 、〜〕
面図。第２図（ａ）〜（Ｃ）はヘキ開第２工杉、クサビ
状の刃を尚て九基板のヘキ開測面図、断面図、および上
面図。第３図はヘキ開方法の改良図。 第４図（ａ）は従来ヘキ開法によるレーザー素子チップ
略図。第４図（ｂ）は本発明ヘキ開法にょるレーザ素子
チップ略図。 ｌ・・・・・・矩形断面の溝、２・・・・・・溝底部、
３・・・１単結晶基板厚、４・・・・・・溝深さ、５・
・・・・・溝巾、６・・・・・・溝間隔、７・・・・・
・クサビ状断面の刃、８°゛°°°゛ヘキ開の元になる
キズ、９・・・・・・ヘキ開線、１０・・・・・・刃の
腹部、１１・・・・・・婢測面の傾斜面、１１′・・・
・・・傾斜面に形状を合せた刃、１２，１３・・・・・
・レーザー共振器となる弁開面、１４・・・・・・ダイ
シング溝側面、１５・・・・・・レーザー光方向。 う、・・−・、 代理人 弁理士 内 原 音、、！／１ 、〜〕
Claims (2)
- （１）単結晶基板に、その襞間方向にそって、断面が矩
形の溝を刻んだ稜に、該溝の一端に刃を当て溝底部中央
にキズをつけると同時にフサと状の刃の腹部で該婢を押
開く様にして基板を弁開する事を特徴とする単結晶基板
の健闘方法。 - （２）上記単結−ム基板に刻む矩形の溝断面上部に刃の
腹部で押開き易い様に、傾斜角をつけ、基板端部に弁開
の元になるキズをつける工程と、刃の腹で押開く様にし
て弁開線を走らせる工程を分離し、弁開に最適な任意の
角度で単結晶基板を押開く様に弁開する事を特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の単結晶基板の健闘方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172240A JPS5874600A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 単結晶板の劈開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172240A JPS5874600A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 単結晶板の劈開方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874600A true JPS5874600A (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=15938210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172240A Pending JPS5874600A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 単結晶板の劈開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874600A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59206793A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-22 | Toshiba Corp | シンチレ−タアレイの製造方法 |
| JPH0725667U (ja) * | 1993-10-14 | 1995-05-12 | 武盛 豊永 | 画面拡大ビデオ |
| CN106098619A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 三星钻石工业股份有限公司 | 贴合基板的分割方法及分割装置 |
| CN106079115A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 三星钻石工业股份有限公司 | 贴合基板的分割方法及分割装置 |
| JP2020178058A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | ハイソル株式会社 | 層状物質劈開方法 |
| IT202100019604A1 (it) * | 2021-07-23 | 2023-01-23 | Studio Immagine S R L | Metodo ed impianto per la produzione di manufatti ceramici con bordi irregolari |
| WO2024195689A1 (ja) * | 2023-03-23 | 2024-09-26 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 単結晶基板の分断方法 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56172240A patent/JPS5874600A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59206793A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-22 | Toshiba Corp | シンチレ−タアレイの製造方法 |
| JPH0725667U (ja) * | 1993-10-14 | 1995-05-12 | 武盛 豊永 | 画面拡大ビデオ |
| CN106098619A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 三星钻石工业股份有限公司 | 贴合基板的分割方法及分割装置 |
| CN106079115A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 三星钻石工业股份有限公司 | 贴合基板的分割方法及分割装置 |
| JP2016213235A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分割方法及び分割装置 |
| JP2016213234A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分割方法及び分割装置 |
| CN106079115B (zh) * | 2015-04-30 | 2020-08-25 | 三星钻石工业股份有限公司 | 贴合基板的分割方法及分割装置 |
| JP2020178058A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | ハイソル株式会社 | 層状物質劈開方法 |
| IT202100019604A1 (it) * | 2021-07-23 | 2023-01-23 | Studio Immagine S R L | Metodo ed impianto per la produzione di manufatti ceramici con bordi irregolari |
| WO2024195689A1 (ja) * | 2023-03-23 | 2024-09-26 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 単結晶基板の分断方法 |
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