JPH04223371A - マイクロレンズアレイ及びこれを用いた固体撮像装置 - Google Patents
マイクロレンズアレイ及びこれを用いた固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04223371A JPH04223371A JP2414312A JP41431290A JPH04223371A JP H04223371 A JPH04223371 A JP H04223371A JP 2414312 A JP2414312 A JP 2414312A JP 41431290 A JP41431290 A JP 41431290A JP H04223371 A JPH04223371 A JP H04223371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- microlens
- lens
- micro
- antireflection film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関し、特
に単位画素毎にマイクロレンズを配した構成の撮像部を
具備する固体撮像装置に関する。
に単位画素毎にマイクロレンズを配した構成の撮像部を
具備する固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置の一例として、例えばイン
ターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の構成を図２
に示す。同図において、垂直及び水平方向に画素単位で
２次元配列されて入射光量に応じた信号電荷を蓄積する
複数個の感光部１と、これら感光部１から垂直列毎に読
み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直シフトレ
ジスタ（垂直転送部）２とによって撮像部３が構成され
ている。感光部１で光電変換された全画素の信号電荷は
垂直列毎に、垂直ブランキング期間の一部で瞬時に垂直
シフトレジスタ２に読み出される。垂直シフトレジスタ
２に移された信号電荷は、水平ブランキング期間の一部
にて１走査線に相当する部分ずつ順に水平シフトレジス
タ（水平転送部）４へ移される。１走査線分の信号電荷
は、水平シフトレジスタ４によって順次水平方向に転送
される。水平シフトレジスタ４の最終端には、ＦＤＡ（
Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ａｍｐｌｉｆ
ｉｅｒ）等からなる出力回路部５が設けられている。こ
の出力回路部５は、感光部１で光電変換して得られた信
号電荷を電圧に変換して出力する。
ターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の構成を図２
に示す。同図において、垂直及び水平方向に画素単位で
２次元配列されて入射光量に応じた信号電荷を蓄積する
複数個の感光部１と、これら感光部１から垂直列毎に読
み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直シフトレ
ジスタ（垂直転送部）２とによって撮像部３が構成され
ている。感光部１で光電変換された全画素の信号電荷は
垂直列毎に、垂直ブランキング期間の一部で瞬時に垂直
シフトレジスタ２に読み出される。垂直シフトレジスタ
２に移された信号電荷は、水平ブランキング期間の一部
にて１走査線に相当する部分ずつ順に水平シフトレジス
タ（水平転送部）４へ移される。１走査線分の信号電荷
は、水平シフトレジスタ４によって順次水平方向に転送
される。水平シフトレジスタ４の最終端には、ＦＤＡ（
Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ａｍｐｌｉｆ
ｉｅｒ）等からなる出力回路部５が設けられている。こ
の出力回路部５は、感光部１で光電変換して得られた信
号電荷を電圧に変換して出力する。
【０００３】この種のＣＣＤ固体撮像装置において、各
画素における感光部（センサ部）の占める割合、すなわ
ち開口率が一般的に２０〜５０〔％〕程度であるため、
撮像部３の素子面に入射した光の利用効率が悪い。この
撮像部３の素子面への入射光の利用効率を向上し、感度
の向上を図るために、各画素毎にマイクロレンズをオン
チップマイクロレンズとして設けた構成の撮像部を具備
する固体撮像装置が既に知られている。
画素における感光部（センサ部）の占める割合、すなわ
ち開口率が一般的に２０〜５０〔％〕程度であるため、
撮像部３の素子面に入射した光の利用効率が悪い。この
撮像部３の素子面への入射光の利用効率を向上し、感度
の向上を図るために、各画素毎にマイクロレンズをオン
チップマイクロレンズとして設けた構成の撮像部を具備
する固体撮像装置が既に知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、撮像
部の各単位画素毎にマイクロレンズを形成したＣＣＤ固
体撮像装置では、マイクロレンズの集光作用によって入
射光の利用効率に関しては向上できるものの、周期的に
配列されているマイクロレンズによる副作用の発生も無
視できない。このマイクロレンズによる副作用としては
、マイクロレンズに入射する光の一部が、空気媒体とマ
イクロレンズとの間での屈折率の変化に起因してレンズ
の表面によって反射を受け、結像に無関係な光となって
受光面に到達することにより、有害な光として撮像画像
中の高輝度被写体の周りにでる「セル・ゴースト」と称
されるフレア（ｆｌａｒｅ） の発生が挙げられる。
部の各単位画素毎にマイクロレンズを形成したＣＣＤ固
体撮像装置では、マイクロレンズの集光作用によって入
射光の利用効率に関しては向上できるものの、周期的に
配列されているマイクロレンズによる副作用の発生も無
視できない。このマイクロレンズによる副作用としては
、マイクロレンズに入射する光の一部が、空気媒体とマ
イクロレンズとの間での屈折率の変化に起因してレンズ
の表面によって反射を受け、結像に無関係な光となって
受光面に到達することにより、有害な光として撮像画像
中の高輝度被写体の周りにでる「セル・ゴースト」と称
されるフレア（ｆｌａｒｅ） の発生が挙げられる。
【０００５】そこで、本発明は、撮像部の各画素毎に配
されているマイクロレンズの表面での反射光に起因する
フレア（セル・ゴースト）の抑制を可能とした固体撮像
装置を提供することを目的とする。
されているマイクロレンズの表面での反射光に起因する
フレア（セル・ゴースト）の抑制を可能とした固体撮像
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にあっては、垂直及び水平方向に画素単位で
２次元配列された複数個の感光部の各々に対して、入射
光を集光するマイクロレンズを配した構成の撮像部を具
備する固体撮像装置において、マイクロレンズの外表面
に単層又は多層の反射防止膜を設けた構成を採っている
。
に、本発明にあっては、垂直及び水平方向に画素単位で
２次元配列された複数個の感光部の各々に対して、入射
光を集光するマイクロレンズを配した構成の撮像部を具
備する固体撮像装置において、マイクロレンズの外表面
に単層又は多層の反射防止膜を設けた構成を採っている
。
【０００７】
【作用】本発明による固体撮像装置では、マイクロレン
ズの外表面に配された反射防止膜が、マイクロレンズよ
りも屈折率が小さいものであることから、空気媒体とマ
イクロレンズとの間での屈折率の変化が小さくなって反
射率が低下し、反射防止が図れる。これにより、反射光
に起因するフレア（セル・ゴースト）を抑制しつつ入射
光の利用効率の向上が図れる。また、反射防止膜の多層
化により、反射防止の有効な波長域を広げることができ
る。
ズの外表面に配された反射防止膜が、マイクロレンズよ
りも屈折率が小さいものであることから、空気媒体とマ
イクロレンズとの間での屈折率の変化が小さくなって反
射率が低下し、反射防止が図れる。これにより、反射光
に起因するフレア（セル・ゴースト）を抑制しつつ入射
光の利用効率の向上が図れる。また、反射防止膜の多層
化により、反射防止の有効な波長域を広げることができ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明に係るＣＣＤ固体撮像装置
の撮像部における単位画素の構造を示す断面図である。 図において、シリコン基板１１の表面側にＮ＋ 型領域
による信号電荷蓄積領域１２を形成することにより、Ｎ
Ｐ接合のフォトダイオードによる感光部１が構成されて
いる。この信号電荷蓄積領域１２に隣接してチャネルス
トップ部１３が形成されている。また、シリコン基板１
１の表面側に、チャネルストップ部１３に隣接してＮ＋
型領域による信号電荷転送領域１２を形成すると共に
、この信号電荷転送領域１２上にシリコン酸化膜ＳｉＯ
２よりなる絶縁層１５を介してポリシリコンよりなる転
送電極１６を形成することによって垂直シフトレジスタ
（垂直ＣＣＤ）２が構成されている。感光部１と垂直シ
フトレジスタ２との間は、感光部１で光電変換された信
号電荷を垂直シフトレジスタ２へ読み出すための読出し
ゲート部１７となる。本例では、読出しゲート部１７の
ゲート電極は転送電極１６と共通にポリシリコンにて形
成されている。感光部１を除く、垂直シフトレジスタ２
及び読出しゲート部１７上には、絶縁層１５を介してア
ルミニウムによりなる遮光層１８が設けられている。
に説明する。図１は、本発明に係るＣＣＤ固体撮像装置
の撮像部における単位画素の構造を示す断面図である。 図において、シリコン基板１１の表面側にＮ＋ 型領域
による信号電荷蓄積領域１２を形成することにより、Ｎ
Ｐ接合のフォトダイオードによる感光部１が構成されて
いる。この信号電荷蓄積領域１２に隣接してチャネルス
トップ部１３が形成されている。また、シリコン基板１
１の表面側に、チャネルストップ部１３に隣接してＮ＋
型領域による信号電荷転送領域１２を形成すると共に
、この信号電荷転送領域１２上にシリコン酸化膜ＳｉＯ
２よりなる絶縁層１５を介してポリシリコンよりなる転
送電極１６を形成することによって垂直シフトレジスタ
（垂直ＣＣＤ）２が構成されている。感光部１と垂直シ
フトレジスタ２との間は、感光部１で光電変換された信
号電荷を垂直シフトレジスタ２へ読み出すための読出し
ゲート部１７となる。本例では、読出しゲート部１７の
ゲート電極は転送電極１６と共通にポリシリコンにて形
成されている。感光部１を除く、垂直シフトレジスタ２
及び読出しゲート部１７上には、絶縁層１５を介してア
ルミニウムによりなる遮光層１８が設けられている。
【０００９】また、各感光部１の上方には単位画素毎に
、入射光を感光部１に集光させるマイクロレンズ１９が
配されている。このマイクロレンズ１９は、開口率が一
般的に低い撮像部１において、入射光を感光部１に集光
させることにより、入射光の利用効率を向上し、感度の
向上を図るために設けられたものである。マイクロレン
ズ１９の外表面には、例えば２層構造の反射防止膜２０
が設けられている。この反射防止膜２０においては、そ
の屈折率がマイクロレンズ１９の屈折率よりも小さくな
るように、さらに外側の膜２ａが内側の膜２ｂよりも屈
折率が小さくなるように材料の選定がなされる。
、入射光を感光部１に集光させるマイクロレンズ１９が
配されている。このマイクロレンズ１９は、開口率が一
般的に低い撮像部１において、入射光を感光部１に集光
させることにより、入射光の利用効率を向上し、感度の
向上を図るために設けられたものである。マイクロレン
ズ１９の外表面には、例えば２層構造の反射防止膜２０
が設けられている。この反射防止膜２０においては、そ
の屈折率がマイクロレンズ１９の屈折率よりも小さくな
るように、さらに外側の膜２ａが内側の膜２ｂよりも屈
折率が小さくなるように材料の選定がなされる。
【００１０】このように、マイクロレンズ１９の外表面
に反射防止膜２０を配することにより、空気媒体とマイ
クロレンズ１９との間での屈折率の変化が小さくなって
入射光の反射を防止できるため、反射光に起因するフレ
ア（セル・ゴースト）を抑制しつつ入射光の利用効率の
向上、それに伴う感度の向上を図ることができる。
に反射防止膜２０を配することにより、空気媒体とマイ
クロレンズ１９との間での屈折率の変化が小さくなって
入射光の反射を防止できるため、反射光に起因するフレ
ア（セル・ゴースト）を抑制しつつ入射光の利用効率の
向上、それに伴う感度の向上を図ることができる。
【００１１】なお、上記実施例では、反射防止膜２０を
２層構造とした場合について説明したが、単層又は３層
以上の層構造であっても良く、特に反射防止膜２０の多
層化により、反射防止の有効な波長域を広げることがで
きることになる。また、本発明は、インターライン転送
方式のＣＣＤ固体撮像装置への適用に限定されるもので
はなく、撮像部において入射光の有効利用を図るべく各
画素毎にマイクロレンズを配した構成の固体撮像装置全
般に適用可能である。
２層構造とした場合について説明したが、単層又は３層
以上の層構造であっても良く、特に反射防止膜２０の多
層化により、反射防止の有効な波長域を広げることがで
きることになる。また、本発明は、インターライン転送
方式のＣＣＤ固体撮像装置への適用に限定されるもので
はなく、撮像部において入射光の有効利用を図るべく各
画素毎にマイクロレンズを配した構成の固体撮像装置全
般に適用可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による固体
撮像装置においては、単位画素毎に配されたマイクロレ
ンズの外表面に反射防止膜を設けたことにより、空気媒
体とマイクロレンズとの間での屈折率の変化が小さくな
って入射光の反射を防止できるため、反射光に起因する
フレア（セル・ゴースト）を抑制できる効果がある。
撮像装置においては、単位画素毎に配されたマイクロレ
ンズの外表面に反射防止膜を設けたことにより、空気媒
体とマイクロレンズとの間での屈折率の変化が小さくな
って入射光の反射を防止できるため、反射光に起因する
フレア（セル・ゴースト）を抑制できる効果がある。
【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像装置の撮像部にお
ける単位画素の構造を示す断面図である。
ける単位画素の構造を示す断面図である。
【図２】インターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
１ 感光部
２ 垂直シフトレジスタ
３ 撮像部
１２ 信号電荷蓄積領域
１４ 信号電荷転送領域
１６ 転送電極
１９ マイクロレンズ
２０ 反射防止膜
Claims (1)
- 【請求項１】 垂直及び水平方向に画素単位で２次元
配列された複数個の感光部の各々に対して、入射光を集
光するマイクロレンズを配した構成の撮像部を具備する
固体撮像装置において、前記マイクロレンズの外表面に
単層又は多層の反射防止膜を設けたことを特徴とする固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414312A JPH04223371A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | マイクロレンズアレイ及びこれを用いた固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414312A JPH04223371A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | マイクロレンズアレイ及びこれを用いた固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223371A true JPH04223371A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18522806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414312A Pending JPH04223371A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | マイクロレンズアレイ及びこれを用いた固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04223371A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396090A (en) * | 1993-02-17 | 1995-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device having partition wall for partitioning bottom portions of micro lenses |
| US6583438B1 (en) * | 1999-04-12 | 2003-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
| KR100410613B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 적외선필터를 구비한 이미지센서 |
| JP2005268643A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| KR100623344B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2006-09-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서의 칩 스케일 패키지 |
| WO2007071657A1 (fr) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Thomson Licensing | Reseau de microlentilles, ecran, retroprojecteur et procede de fabrication correspondants |
| JP2007181209A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Magnachip Semiconductor Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2009177079A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の実装方法、固体撮像装置の製造方法、および電子情報機器 |
| JP2010268099A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Honda Motor Co Ltd | 車両用撮像装置および車両周辺監視装置 |
| US8004020B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state image capturing device, camera module and electronic information device |
| US20120050599A1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Pixart Imaging Inc. | Image sensing device |
| CN102403322A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 原相科技股份有限公司 | 影像检测元件 |
| JP2012182433A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
| JP2013140330A (ja) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Visera Technologies Co Ltd | マイクロレンズ構造およびその製造方法 |
| US9087761B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-07-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device including an on-chip lens with two inorganic films thereon |
| WO2015186512A1 (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2022011504A (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2022030763A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2022030762A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPWO2022091576A1 (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | ||
| JP2024120179A (ja) * | 2021-06-10 | 2024-09-04 | 大立光電股▲ふん▼有限公司 | カメラモジュール、電子装置及び車両工具 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2414312A patent/JPH04223371A/ja active Pending
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396090A (en) * | 1993-02-17 | 1995-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device having partition wall for partitioning bottom portions of micro lenses |
| US6583438B1 (en) * | 1999-04-12 | 2003-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
| US6831311B2 (en) | 1999-04-12 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
| KR100623344B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2006-09-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서의 칩 스케일 패키지 |
| KR100410613B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 적외선필터를 구비한 이미지센서 |
| JP2005268643A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sony Corp | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール |
| WO2007071657A1 (fr) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Thomson Licensing | Reseau de microlentilles, ecran, retroprojecteur et procede de fabrication correspondants |
| JP2007181209A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Magnachip Semiconductor Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| US8846433B2 (en) | 2005-12-26 | 2014-09-30 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and method for manufacturing the same |
| US8344469B2 (en) | 2005-12-26 | 2013-01-01 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and method for manufacturing the same |
| US8287948B2 (en) | 2005-12-26 | 2012-10-16 | Intellectual Ventures Ii Llc | Image sensor and method for manufacturing the same |
| US8004020B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state image capturing device, camera module and electronic information device |
| JP2009177079A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の実装方法、固体撮像装置の製造方法、および電子情報機器 |
| US8130314B2 (en) | 2008-01-28 | 2012-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state image capturing apparatus, mounting method of solid-state image capturing apparatus, manufacturing method of solid-state image capturing apparatus, and electronic information device |
| JP2010268099A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Honda Motor Co Ltd | 車両用撮像装置および車両周辺監視装置 |
| US20120050599A1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Pixart Imaging Inc. | Image sensing device |
| CN102403322A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 原相科技股份有限公司 | 影像检测元件 |
| US9087761B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-07-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device including an on-chip lens with two inorganic films thereon |
| JP2012182433A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
| US8878115B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and imaging system having a light guide |
| JP2013140330A (ja) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Visera Technologies Co Ltd | マイクロレンズ構造およびその製造方法 |
| US9128218B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-09-08 | Visera Technologies Company Limited | Microlens structure and fabrication method thereof |
| WO2015186512A1 (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| US10451775B2 (en) | 2014-06-03 | 2019-10-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method, and electronic apparatus |
| JP2022011504A (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-17 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2022030763A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2022030762A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPWO2022091576A1 (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | ||
| WO2022091576A1 (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP2024120179A (ja) * | 2021-06-10 | 2024-09-04 | 大立光電股▲ふん▼有限公司 | カメラモジュール、電子装置及び車両工具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04223371A (ja) | マイクロレンズアレイ及びこれを用いた固体撮像装置 | |
| JP4457326B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2014175553A (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
| JP2010067774A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
| JPH0745808A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3571982B2 (ja) | 固体撮像装置及びそれを備えた固体撮像システム | |
| TW202013014A (zh) | 具有多部分繞射透鏡之影像感測器 | |
| JP4779304B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| JPWO2013046972A1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
| KR100848945B1 (ko) | 주광선 손실을 보상하는 마이크로렌즈 어레이 및 이를포함하는 이미지센서 조립체 | |
| JP4495949B2 (ja) | ２板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
| JP2014022649A (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、及び電子機器 | |
| JP2003209235A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2006278539A (ja) | Ｍｏｓ型固体撮像装置 | |
| JPH06163863A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0653451A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03276677A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR20240167046A (ko) | 광 검출 소자 및 전자 기기 | |
| WO2010090133A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61154283A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3018782B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP5544912B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| WO2008088878A2 (en) | Image sensor with three sets of microlenses | |
| JP2016158151A (ja) | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 | |
| JP2006324810A (ja) | 光学モジュール |