JPH04224191A - 半導体原料多結晶の融解方法 - Google Patents
半導体原料多結晶の融解方法Info
- Publication number
- JPH04224191A JPH04224191A JP40592390A JP40592390A JPH04224191A JP H04224191 A JPH04224191 A JP H04224191A JP 40592390 A JP40592390 A JP 40592390A JP 40592390 A JP40592390 A JP 40592390A JP H04224191 A JPH04224191 A JP H04224191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- polycrystal
- gas
- raw material
- melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体材料の単結晶製造
方法、とりわけチョクラルスキー法による単結晶製造方
法におけるるつぼ内で原料多結晶を融解する方法に関す
る。
方法、とりわけチョクラルスキー法による単結晶製造方
法におけるるつぼ内で原料多結晶を融解する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法（引上法）について
は多くの文献があり、例えば「電気・電子工学大百科事
典」第５巻電子デバイス（１９８３年１２月）発行所：
電気書院４８頁にはるつぼの中に用意した融液に種結晶
を接触させ、結晶又はるつぼ、あるいはその双方を回転
させながら種結晶を引上げて単結晶を育成していく方法
が示されている。チョクラルスキー法単結晶引上装置の
運転においては、原料多結晶を石英るつぼ中に詰め、る
つぼの周囲に設置されたヒータで加熱して融解を行って
いる。しかし原料多結晶の間にはすき間が多く熱が伝わ
りにくいため、融解に長い時間を要していた。
は多くの文献があり、例えば「電気・電子工学大百科事
典」第５巻電子デバイス（１９８３年１２月）発行所：
電気書院４８頁にはるつぼの中に用意した融液に種結晶
を接触させ、結晶又はるつぼ、あるいはその双方を回転
させながら種結晶を引上げて単結晶を育成していく方法
が示されている。チョクラルスキー法単結晶引上装置の
運転においては、原料多結晶を石英るつぼ中に詰め、る
つぼの周囲に設置されたヒータで加熱して融解を行って
いる。しかし原料多結晶の間にはすき間が多く熱が伝わ
りにくいため、融解に長い時間を要していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点を
解決し、短時間で原料多結晶を融解する技術を提供する
のを目的とする。
解決し、短時間で原料多結晶を融解する技術を提供する
のを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料多結晶の
融液から種結晶を引上げて単結晶を製造する方法におい
て、この原料多結晶を融解する際、加熱した気体を原料
多結晶に吹付け、融液生成後は融液中に気体を吹込むよ
うにしたものである。
融液から種結晶を引上げて単結晶を製造する方法におい
て、この原料多結晶を融解する際、加熱した気体を原料
多結晶に吹付け、融液生成後は融液中に気体を吹込むよ
うにしたものである。
【０００５】
【作用】従来の方法では原料多結晶をるつぼ内で融解す
る場合、るつぼ周囲のヒータにより間接的に加熱するた
め、特にるつぼ中央部原料多結晶が融解しにくくなって
いた。本発明では、この融解しにくいるつぼ中央部の原
料多結晶に加熱した気体を吹付けることにより温度の上
昇を速め、またある程度融解が進んだ後は融液中に気体
を吹込むことにより融液を撹拌し、融液の温度を均一化
すると共に融解界面を増加させ原料多結晶の融解に要す
る時間を短縮した。使用する気体は原料多結晶と反応し
ないものであればよく限定されないが不活性気体である
Ａｒなどが好適である。
る場合、るつぼ周囲のヒータにより間接的に加熱するた
め、特にるつぼ中央部原料多結晶が融解しにくくなって
いた。本発明では、この融解しにくいるつぼ中央部の原
料多結晶に加熱した気体を吹付けることにより温度の上
昇を速め、またある程度融解が進んだ後は融液中に気体
を吹込むことにより融液を撹拌し、融液の温度を均一化
すると共に融解界面を増加させ原料多結晶の融解に要す
る時間を短縮した。使用する気体は原料多結晶と反応し
ないものであればよく限定されないが不活性気体である
Ａｒなどが好適である。
【０００６】
【実施例】本発明方法の実施例を図１によって説明する
。図１は本発明を適用する単結晶引上装置の炉体部の概
要を示すものである。グラファイトサセプタ４内に設置
した石英るつぼ３内に原料多結晶１を積み上げる。次に
るつぼ加熱用ヒータ５で周囲から加熱すると同時に、気
体加熱用ヒータ７で加熱したＡｒを石英管６を通して原
料多結晶１に吹付ける。次いで融液２が生成した後は融
液中にもＡｒを吹込む。
。図１は本発明を適用する単結晶引上装置の炉体部の概
要を示すものである。グラファイトサセプタ４内に設置
した石英るつぼ３内に原料多結晶１を積み上げる。次に
るつぼ加熱用ヒータ５で周囲から加熱すると同時に、気
体加熱用ヒータ７で加熱したＡｒを石英管６を通して原
料多結晶１に吹付ける。次いで融液２が生成した後は融
液中にもＡｒを吹込む。
【０００７】図１の装置を用いて多結晶シリコンの融解
実験を行った。るつぼ内径は１６インチで４５ｋｇの多
結晶シリコンを装入した。比較例として気体を流さない
従来の方法で多結晶シリコンを融解した。融解に要した
時間は実施例の場合で約２時間、比較例の場合で約３時
間であった。
実験を行った。るつぼ内径は１６インチで４５ｋｇの多
結晶シリコンを装入した。比較例として気体を流さない
従来の方法で多結晶シリコンを融解した。融解に要した
時間は実施例の場合で約２時間、比較例の場合で約３時
間であった。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば原料多結晶を融解させる
時間を短縮できるので、労力と時間を削減することがで
き半導体単結晶引上の生産性が向上する。融解時間が短
縮すれば、るつぼからの不純物（酸素等）の溶解も減少
し、品質管理上その制御がし易くなるという効果も得ら
れる。
時間を短縮できるので、労力と時間を削減することがで
き半導体単結晶引上の生産性が向上する。融解時間が短
縮すれば、るつぼからの不純物（酸素等）の溶解も減少
し、品質管理上その制御がし易くなるという効果も得ら
れる。
【図１】本発明の実施例の単結晶引上装置の炉体部の概
要を示す図である。
要を示す図である。
１ 原料多結晶
２ 融液
３ 石英るつぼ
４ グラファイトサセプタ
５ るつぼ加熱用ヒータ
６ 石英管
７ 気体加熱用ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 原料多結晶の融液から種結晶を引上げ
て単結晶を製造する際の原料多結晶を融解する方法にお
いて、加熱した気体を原料多結晶に吹付け、融液生成後
は融液中に気体を吹込むことを特徴とする半導体原料多
結晶の融解方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40592390A JPH04224191A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 半導体原料多結晶の融解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40592390A JPH04224191A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 半導体原料多結晶の融解方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04224191A true JPH04224191A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18515548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40592390A Pending JPH04224191A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 半導体原料多結晶の融解方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04224191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284320A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 固体溶融装置および原料供給方法 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP40592390A patent/JPH04224191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284320A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Sharp Corp | 固体溶融装置および原料供給方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0364899B1 (en) | Apparatus and process for growing crystals of semiconductor materials | |
| JPH09165298A (ja) | シリコン単結晶の引き上げ方法 | |
| WO1999046433A1 (fr) | Appareil auxiliaire destine a faire fondre une matiere premiere monocristalline et procede de fusion de cette matiere premiere monocristalline | |
| JP3086850B2 (ja) | 単結晶の成長方法及び装置 | |
| JPH11189488A (ja) | 単結晶引き上げ方法、及び単結晶引き上げ装置 | |
| JP2973917B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| JPS60137892A (ja) | 石英ガラスルツボ | |
| US3036898A (en) | Semiconductor zone refining and crystal growth | |
| US3261722A (en) | Process for preparing semiconductor ingots within a depression | |
| JPS6168389A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| WO2004024998A1 (ja) | 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法 | |
| JPH04224191A (ja) | 半導体原料多結晶の融解方法 | |
| JPH04104988A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JPH01119593A (ja) | 結晶育成装置 | |
| JP3719452B2 (ja) | 単結晶銅の製造方法 | |
| JPS63103889A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH09309791A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH05279166A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2000247780A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JPS58120591A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS60180989A (ja) | 化合物単結晶の製造方法 | |
| JPH10279391A (ja) | シリコン単結晶育成方法 | |
| JPH06305876A (ja) | 石英ボートの内面処理方法 | |
| JPH0377159B2 (ja) | ||
| JPH10279399A (ja) | 単結晶製造方法 |