JPH04225517A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04225517A JPH04225517A JP2408118A JP40811890A JPH04225517A JP H04225517 A JPH04225517 A JP H04225517A JP 2408118 A JP2408118 A JP 2408118A JP 40811890 A JP40811890 A JP 40811890A JP H04225517 A JPH04225517 A JP H04225517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- front chamber
- heating
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応室内にガスを導入
する機構を有する半導体製造装置に関する。
する機構を有する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置の例を図４，図５
および図６に示す。
および図６に示す。
【０００３】図４において、１は内部でエッチングや薄
膜形成等の反応を起こす反応室で、２は加工しようとす
る半導体基板、３はプラズマを発生するのに必要な上部
電極、４は同様に下部電極である。５は反応室１内の圧
力を調整するのに必要な真空ポンプ、６は反応を生じる
ために必要なガスを導入するためのガス導入部である。 また、図５は図４のガス導入部６の部分を拡大した図で
あり、７は反応室の外壁、８はガス配管である。
膜形成等の反応を起こす反応室で、２は加工しようとす
る半導体基板、３はプラズマを発生するのに必要な上部
電極、４は同様に下部電極である。５は反応室１内の圧
力を調整するのに必要な真空ポンプ、６は反応を生じる
ために必要なガスを導入するためのガス導入部である。 また、図５は図４のガス導入部６の部分を拡大した図で
あり、７は反応室の外壁、８はガス配管である。
【０００４】以上のように構成された従来の半導体製造
装置においては、下部電極４上に基板２を置き、反応室
１内にガス導入口６より必要なガスを導入し真空ポンプ
５で排気することによって所望の圧力に保つ。その後、
上部電極３と下部電極４の間で放電を発生することによ
り反応が生じ、膜形成あるいはエッチング等の加工を行
うことができる。ここで、ガス導入口６は反応室内のガ
スの流れが適切になるような形状および位置に取り付け
てあり、反応室外部のガス配管につながっている。
装置においては、下部電極４上に基板２を置き、反応室
１内にガス導入口６より必要なガスを導入し真空ポンプ
５で排気することによって所望の圧力に保つ。その後、
上部電極３と下部電極４の間で放電を発生することによ
り反応が生じ、膜形成あるいはエッチング等の加工を行
うことができる。ここで、ガス導入口６は反応室内のガ
スの流れが適切になるような形状および位置に取り付け
てあり、反応室外部のガス配管につながっている。
【０００５】図６に、従来の前室を有する平行平板型の
プラズマＣＶＤ装置の例を示す。図６で図４と同一部分
には同一番号を付し、説明を省略する。１１は前室、１
２は外気と前室および前室と反応室を通じるための開閉
扉である。また１３は前室１１内の圧力を高めるために
導入するパージ用のＮ２ガス導入口であり、１４は前室
１１内を真空に引くための真空ポンプである。以上のよ
うに構成された従来の半導体製造装置では、先ず大気圧
に保った前室１１内に開閉扉１２を通じて半導体基板２
を入れ、その後、前室１１内を真空ポンプ１４によって
真空に引く。さらに、開閉扉１２を通じて反応室１内に
基板２を入れた後加工する。その後、開閉扉１２を通じ
て前室１１に基板２を移した後、前室１１内にパージ用
Ｎ２ガス導入口１３から導入し、前室１１内の圧力を大
気圧にする。
プラズマＣＶＤ装置の例を示す。図６で図４と同一部分
には同一番号を付し、説明を省略する。１１は前室、１
２は外気と前室および前室と反応室を通じるための開閉
扉である。また１３は前室１１内の圧力を高めるために
導入するパージ用のＮ２ガス導入口であり、１４は前室
１１内を真空に引くための真空ポンプである。以上のよ
うに構成された従来の半導体製造装置では、先ず大気圧
に保った前室１１内に開閉扉１２を通じて半導体基板２
を入れ、その後、前室１１内を真空ポンプ１４によって
真空に引く。さらに、開閉扉１２を通じて反応室１内に
基板２を入れた後加工する。その後、開閉扉１２を通じ
て前室１１に基板２を移した後、前室１１内にパージ用
Ｎ２ガス導入口１３から導入し、前室１１内の圧力を大
気圧にする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体製造装置では、ガスを反応室１内に導入する際、ガス
が断熱膨張することによりガス導入口６の周囲が冷却さ
れ、反応によって生じた生成物が導入口６の周囲に弱い
付着力で形成されるため、後にはがれて粒子あるいは薄
片となる。それら粒子あるいは薄片（以後ダストと呼ぶ
）は、半導体基板１に付着することによって不良の原因
となる。また、図６に示すような構成でも、同様に、Ｎ
２ガスを導入する際ガス導入口１３の周囲あるいは前室
１１内が冷却されるため、ガス中の水分が結露し水滴が
付着しやすくなる。それらの水滴はダストを不着させ易
くし、これも半導体基板の不良を発生するという課題が
あった。
体製造装置では、ガスを反応室１内に導入する際、ガス
が断熱膨張することによりガス導入口６の周囲が冷却さ
れ、反応によって生じた生成物が導入口６の周囲に弱い
付着力で形成されるため、後にはがれて粒子あるいは薄
片となる。それら粒子あるいは薄片（以後ダストと呼ぶ
）は、半導体基板１に付着することによって不良の原因
となる。また、図６に示すような構成でも、同様に、Ｎ
２ガスを導入する際ガス導入口１３の周囲あるいは前室
１１内が冷却されるため、ガス中の水分が結露し水滴が
付着しやすくなる。それらの水滴はダストを不着させ易
くし、これも半導体基板の不良を発生するという課題が
あった。
【０００７】本発明は上記課題を解決するもので、粉体
あるいは膜片といったダストの発生および吸着を防ぎ、
不良発生のない半導体製造装置を提供することを目的と
する。
あるいは膜片といったダストの発生および吸着を防ぎ、
不良発生のない半導体製造装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、反応室と、その反応室内に原料となるガス
を導入するガス導入部と、そのガス導入部を加熱する加
熱手段とを有する構成、または反応室と、気体の導入お
よび排気により圧力調整可能な前室と、その前室の壁面
を加熱する加熱手段とを有する構成よりなる。
するために、反応室と、その反応室内に原料となるガス
を導入するガス導入部と、そのガス導入部を加熱する加
熱手段とを有する構成、または反応室と、気体の導入お
よび排気により圧力調整可能な前室と、その前室の壁面
を加熱する加熱手段とを有する構成よりなる。
【０００９】
【作用】本発明は前記した構成により、反応室あるいは
前室に原料ガスやパージ用のＮ２ガス等のガスを導入す
る際に、ガス導入部あるいは前室全体が冷却され、表面
の温度が低下することを防ぐ。表面の温度が低下しなけ
れば、ガス中の水分の結露による水滴の発生あるいは表
面に付着する膜の剥離が発生しにくくなり、ダストの発
生を防ぐことができる。
前室に原料ガスやパージ用のＮ２ガス等のガスを導入す
る際に、ガス導入部あるいは前室全体が冷却され、表面
の温度が低下することを防ぐ。表面の温度が低下しなけ
れば、ガス中の水分の結露による水滴の発生あるいは表
面に付着する膜の剥離が発生しにくくなり、ダストの発
生を防ぐことができる。
【００１０】
【実施例】図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【００１１】（実施例１）本発明の特徴は、従来例の図
４におけるガス導入部６近傍にあり、図１にその拡大断
面図を示す。従来例と同一部分には同一番号を付してい
る。７は図５と同じように反応室外壁、２１はガス導入
口外壁を示す。２２はガス導入口６に接続されているガ
ス配管であり、２３はガス導入口外壁２１を加熱するた
めのヒータである。
４におけるガス導入部６近傍にあり、図１にその拡大断
面図を示す。従来例と同一部分には同一番号を付してい
る。７は図５と同じように反応室外壁、２１はガス導入
口外壁を示す。２２はガス導入口６に接続されているガ
ス配管であり、２３はガス導入口外壁２１を加熱するた
めのヒータである。
【００１２】ガス導入口外壁２１をヒータ２３で加熱す
ることにより、ガスの導入時にガス導入口外壁２１の温
度が低下することを防ぎ、その部分への不着力の弱い膜
の付着および剥離を防止することができる。
ることにより、ガスの導入時にガス導入口外壁２１の温
度が低下することを防ぎ、その部分への不着力の弱い膜
の付着および剥離を防止することができる。
【００１３】（実施例２）図２に本発明の第２の実施例
を示す。図で、３１は反応管、３２は基板ホルダ、３３
は半導体基板を示す。３４は真空管内を排気する真空ポ
ンプであり、３５はガス導入口、３６は反応管３１を密
閉するための密閉板である。３７は赤外線ランプであり
、３８は赤外線ランプ３７から出る赤外光である。
を示す。図で、３１は反応管、３２は基板ホルダ、３３
は半導体基板を示す。３４は真空管内を排気する真空ポ
ンプであり、３５はガス導入口、３６は反応管３１を密
閉するための密閉板である。３７は赤外線ランプであり
、３８は赤外線ランプ３７から出る赤外光である。
【００１４】本実施例は減圧ＣＶＤを例にとった場合で
あり、反応管３１内を一定の温度に保ち、密閉板３６で
反応管３１内の真空を保ちつつガス導入口３５より反応
ガスを入れ真空ポンプ３４で排気することにより、反応
管３１内部の基板ホルダ３２上の半導体基板３３を加工
することができる。ここで、ガス導入時にガス導入口３
５の周囲が冷却されるが、赤外線ランプ３７により加熱
することにより、温度の低下を防ぐことができる。本実
施例の方法は、複雑なガス導入口の形状を加工する必要
がなく、赤外線を通過させる石英製の反応管を用いる場
合に非常に有効である。
あり、反応管３１内を一定の温度に保ち、密閉板３６で
反応管３１内の真空を保ちつつガス導入口３５より反応
ガスを入れ真空ポンプ３４で排気することにより、反応
管３１内部の基板ホルダ３２上の半導体基板３３を加工
することができる。ここで、ガス導入時にガス導入口３
５の周囲が冷却されるが、赤外線ランプ３７により加熱
することにより、温度の低下を防ぐことができる。本実
施例の方法は、複雑なガス導入口の形状を加工する必要
がなく、赤外線を通過させる石英製の反応管を用いる場
合に非常に有効である。
【００１５】（実施例３）図３に本発明の第３の実施例
を示す。図６の従来例と同一部分には同一番号を付し、
説明を省略する。すなわち第３の実施例の特徴は、前室
１１の壁面を加熱するためのヒータ４１を設けたことで
ある。このような構成にすると前室１１を真空状態から
大気圧に戻す際および前室１１内の空気または材料ガス
の残留ガスを除去する際に、パージ用Ｎ２を導入した際
、ガス導入部１３周囲ならびに前室１１内壁全面が冷却
されるが、ヒータ４１によって加熱することによって、
表面の温度低下を防ぐことができる。温度低下を防ぐこ
とにより、空気中に含まれる水分の結露を防ぐことがで
きる。すなわち、水滴によるダストの吸着および再遊離
を防ぐことができる。
を示す。図６の従来例と同一部分には同一番号を付し、
説明を省略する。すなわち第３の実施例の特徴は、前室
１１の壁面を加熱するためのヒータ４１を設けたことで
ある。このような構成にすると前室１１を真空状態から
大気圧に戻す際および前室１１内の空気または材料ガス
の残留ガスを除去する際に、パージ用Ｎ２を導入した際
、ガス導入部１３周囲ならびに前室１１内壁全面が冷却
されるが、ヒータ４１によって加熱することによって、
表面の温度低下を防ぐことができる。温度低下を防ぐこ
とにより、空気中に含まれる水分の結露を防ぐことがで
きる。すなわち、水滴によるダストの吸着および再遊離
を防ぐことができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、反応室と、その反応室内に原
料となるガスを導入するガス導入部と、そのガス導入部
を加熱する加熱手段とを有する構成、または反応室と、
気体の導入および排気により圧力調整可能な前室と、そ
の前室の壁面を加熱する加熱手段とを少なくとも有する
構成であるので粉体あるいは膜片といったダストの発生
および吸着を防ぎ、不良発生のない半導体製造装置を提
供できる。
料となるガスを導入するガス導入部と、そのガス導入部
を加熱する加熱手段とを有する構成、または反応室と、
気体の導入および排気により圧力調整可能な前室と、そ
の前室の壁面を加熱する加熱手段とを少なくとも有する
構成であるので粉体あるいは膜片といったダストの発生
および吸着を防ぎ、不良発生のない半導体製造装置を提
供できる。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体製造装置の部分
拡大断面図
拡大断面図
【図２】本発明の第２の実施例の半導体製造装置の断面
図
図
【図３】本発明の第３の実施例の半導体製造装置の断面
図
図
【図４】従来の半導体製造装置の断面図
【図５】図４の
従来の半導体製造装置のガス導入部の部分拡大断面図
従来の半導体製造装置のガス導入部の部分拡大断面図
【図６】他の従来の前室を有する半導体製造装置の断面
図
図
１ 反応室
６，３５ ガス導入部
１１ 前室
１２ 開閉扉
２３，４１ ヒータ（加熱手段）
３７ 赤外線ランプ（加熱手段）
Claims (2)
- 【請求項１】反応室と、その反応室内に原料となるガス
を導入するガス導入部と、そのガス導入部近傍を加熱す
る加熱手段とを少なくとも有することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】反応室と、その反応室に隣接して開閉扉を
介して設けられた気体の導入および排気により圧力調整
可能な前室と、その前室の壁面を加熱する加熱手段とを
少なくとも有することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408118A JPH04225517A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408118A JPH04225517A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225517A true JPH04225517A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2408118A Pending JPH04225517A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014525135A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-09-25 | クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド | エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408118A patent/JPH04225517A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014525135A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-09-25 | クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド | エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ |
| US9982363B2 (en) | 2011-05-27 | 2018-05-29 | Crystal Solar, Incorporated | Silicon wafers by epitaxial deposition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2532401Y2 (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| US5065698A (en) | Film forming apparatus capable of preventing adhesion of film deposits | |
| US6367415B2 (en) | View port of a chemical vapor deposition device for manufacturing semiconductor devices | |
| WO2002004691A2 (en) | Systems and methods for remote plasma clean | |
| JP3507220B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06196421A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH04225517A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3563565B2 (ja) | 排気装置および排気方法 | |
| JP2004073981A (ja) | 熱安定化装置の内部洗浄方法 | |
| JPH0831743A (ja) | Ｃｖｄ装置の汚染防止方法及びその装置 | |
| JP2000150396A (ja) | 熱放射リフレクター | |
| JPH03118815A (ja) | 真空装置 | |
| JP2628264B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH08288262A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JPH087625Y2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0717146Y2 (ja) | ウエハ処理装置 | |
| JPH0361377A (ja) | マイクロ波プラズマ膜堆積装置 | |
| JP4470325B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH04318175A (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3328853B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2717169B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH0746562B2 (ja) | 表示管の製造装置 | |
| JPS58154235A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2739173B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3388837B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |