JPH04225564A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH04225564A JPH04225564A JP2408150A JP40815090A JPH04225564A JP H04225564 A JPH04225564 A JP H04225564A JP 2408150 A JP2408150 A JP 2408150A JP 40815090 A JP40815090 A JP 40815090A JP H04225564 A JPH04225564 A JP H04225564A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置およびその
製造方法に関し、特にスミアの発生を低減する固体撮像
装置およびその製造方法に関する。
製造方法に関し、特にスミアの発生を低減する固体撮像
装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮象装置およびその製造方法
をそれぞれ図３および図４を用いて説明する。図３にお
いて、Ｎ型半導体基板１の表面にＰウエル層２、受光部
のＮ型不純物層３、電荷転送部のＮウエル層４、素子分
離用のＰ＋不純物層５とが形成されている。電荷転送部
のＮウエル層４の上には、ゲート絶縁膜６を介して多結
晶シリコンゲート電極７が形成され、多結晶シリコンゲ
ート電極７の上方にはシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜
９を介してアルミニウムまたはアルミニウムシリサイド
からなる遮光膜１０が形成され、最後にＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜１１が形成されている。
をそれぞれ図３および図４を用いて説明する。図３にお
いて、Ｎ型半導体基板１の表面にＰウエル層２、受光部
のＮ型不純物層３、電荷転送部のＮウエル層４、素子分
離用のＰ＋不純物層５とが形成されている。電荷転送部
のＮウエル層４の上には、ゲート絶縁膜６を介して多結
晶シリコンゲート電極７が形成され、多結晶シリコンゲ
ート電極７の上方にはシリコン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜
９を介してアルミニウムまたはアルミニウムシリサイド
からなる遮光膜１０が形成され、最後にＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜１１が形成されている。
【０００３】次に従来の固体撮像装置の製造方法につい
て説明する。まず図４（ａ）に示すように、Ｎ型半導体
基板１の表面にＰウエル層２と受光部のＮ型不純物層３
と電荷転送部のＮウエル層４、素子分離用のＰ＋不純物
層５を形成する。次に図４（ｂ）に示すように、電荷転
送部のＮ型半導体基板１の上にゲート絶縁膜６を介して
転送電極として多結晶シリコンゲート電極７を形成し、
さらにこの多結晶シリコンゲート電極７の上に熱酸化に
よるシリコン酸化膜８を形成する。次に図４（ｃ）に示
すように、ＣＶＤ法によって全面にＣＶＤ酸化膜９を形
成した後、多結晶シリコンゲート電極７の上方にシリコ
ン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介して、スパッタ法によ
りアルミニウムまたはアルミニウムシリサイドからなる
遮光膜１０を形成し、最後にＣＶＤ法によりＣＶＤ絶縁
膜からなる表面保護膜１１を形成する。
て説明する。まず図４（ａ）に示すように、Ｎ型半導体
基板１の表面にＰウエル層２と受光部のＮ型不純物層３
と電荷転送部のＮウエル層４、素子分離用のＰ＋不純物
層５を形成する。次に図４（ｂ）に示すように、電荷転
送部のＮ型半導体基板１の上にゲート絶縁膜６を介して
転送電極として多結晶シリコンゲート電極７を形成し、
さらにこの多結晶シリコンゲート電極７の上に熱酸化に
よるシリコン酸化膜８を形成する。次に図４（ｃ）に示
すように、ＣＶＤ法によって全面にＣＶＤ酸化膜９を形
成した後、多結晶シリコンゲート電極７の上方にシリコ
ン酸化膜８とＣＶＤ酸化膜９を介して、スパッタ法によ
りアルミニウムまたはアルミニウムシリサイドからなる
遮光膜１０を形成し、最後にＣＶＤ法によりＣＶＤ絶縁
膜からなる表面保護膜１１を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の固体撮像装置およびその製造方法においては、遮光膜
１０による各受光部の光学的分離が十分でない。特にＣ
ＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
型の固体撮像装置では、図３に示すように、斜めからの
入射光１２により所定の受光部のＮ型不純物層３以外の
場所に発生した電荷が隣接する電荷転送部のＮウエル層
４に洩れ込み、この洩れ込んだ電荷によってスミアが発
生するという課題を有していた。
の固体撮像装置およびその製造方法においては、遮光膜
１０による各受光部の光学的分離が十分でない。特にＣ
ＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
型の固体撮像装置では、図３に示すように、斜めからの
入射光１２により所定の受光部のＮ型不純物層３以外の
場所に発生した電荷が隣接する電荷転送部のＮウエル層
４に洩れ込み、この洩れ込んだ電荷によってスミアが発
生するという課題を有していた。
【０００５】従来この課題を解決するために、ＣＶＤ酸
化膜９を薄くして遮光膜１０と受光部のＮ型不純物層３
の表面との間隔を小さくすることによって対処していた
が、この構成ではＣＶＤ酸化膜９の膜厚を薄くするとア
ルミニウムまたはアルミニウムシリサイドからなる遮光
膜１０と多結晶シリコンゲート電極７の間の絶縁耐圧が
劣化するという課題を有していた。
化膜９を薄くして遮光膜１０と受光部のＮ型不純物層３
の表面との間隔を小さくすることによって対処していた
が、この構成ではＣＶＤ酸化膜９の膜厚を薄くするとア
ルミニウムまたはアルミニウムシリサイドからなる遮光
膜１０と多結晶シリコンゲート電極７の間の絶縁耐圧が
劣化するという課題を有していた。
【０００６】また、上記従来例では、ＣＶＤ酸化膜９か
らなる層間絶縁膜が多結晶シリコンゲート電極７のコー
ナー部でオーバーハング状に形成されるため、アルミニ
ウムまたはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０
のステップカバレッジ（段差被覆性）が著しく低下し、
斜め方向からの入射光に対する遮光効果が低下し、スミ
アを増大させるという課題を有していた。さらに、遮光
膜１０がオーバーハング形状になるために、表面保護膜
１１にクラックが発生して固体撮像装置の信頼性を著し
く劣化させるという課題を有していた。
らなる層間絶縁膜が多結晶シリコンゲート電極７のコー
ナー部でオーバーハング状に形成されるため、アルミニ
ウムまたはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜１０
のステップカバレッジ（段差被覆性）が著しく低下し、
斜め方向からの入射光に対する遮光効果が低下し、スミ
アを増大させるという課題を有していた。さらに、遮光
膜１０がオーバーハング形状になるために、表面保護膜
１１にクラックが発生して固体撮像装置の信頼性を著し
く劣化させるという課題を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、遮光膜と多結晶シリコンゲート電極の間の絶縁耐圧を
劣化させることなくスミアの発生を低減するとともに信
頼性を向上させた固体撮像装置およびその製造方法を提
供することを目的とするものである。
、遮光膜と多結晶シリコンゲート電極の間の絶縁耐圧を
劣化させることなくスミアの発生を低減するとともに信
頼性を向上させた固体撮像装置およびその製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の固体撮像装置は、一導電型半導体基板の上に
形成した受光部と受光部に生じた信号電荷を読み出す読
み出しゲートと読み出された信号電荷を転送する電荷転
送部と電荷転送部の上方に設けられた転送電極と受光部
の上に窓を有して設けられた遮光膜とを備え、遮光膜と
転送電極の上面の間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化
膜とシリコン窒化膜を積層した２層膜からなり、かつ遮
光膜と転送電極の側面の間の第２の層間絶縁膜がシリコ
ン酸化膜と順テーパを有する絶縁膜とシリコン窒化膜を
積層した３層膜からなる構成を有している。
に本発明の固体撮像装置は、一導電型半導体基板の上に
形成した受光部と受光部に生じた信号電荷を読み出す読
み出しゲートと読み出された信号電荷を転送する電荷転
送部と電荷転送部の上方に設けられた転送電極と受光部
の上に窓を有して設けられた遮光膜とを備え、遮光膜と
転送電極の上面の間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化
膜とシリコン窒化膜を積層した２層膜からなり、かつ遮
光膜と転送電極の側面の間の第２の層間絶縁膜がシリコ
ン酸化膜と順テーパを有する絶縁膜とシリコン窒化膜を
積層した３層膜からなる構成を有している。
【０００９】また本発明の固体撮像装置の製造方法は、
受光部と電荷転送部とを形成した一導電型半導体基板の
上に第１の絶縁膜を形成する工程と、電荷転送部の上方
の第１の絶縁膜の上に転送電極を形成する工程と、熱酸
化により転送電極の表面にシリコン酸化膜を形成する工
程と、全面に第２の絶縁膜を形成した後エッチバックし
て転送電極の側面に順テーパを有する第２の絶縁膜を残
す工程と、受光部の上に窓を有するシリコン窒化膜と遮
光膜を順に積層形成する工程からなる構成を有している
。
受光部と電荷転送部とを形成した一導電型半導体基板の
上に第１の絶縁膜を形成する工程と、電荷転送部の上方
の第１の絶縁膜の上に転送電極を形成する工程と、熱酸
化により転送電極の表面にシリコン酸化膜を形成する工
程と、全面に第２の絶縁膜を形成した後エッチバックし
て転送電極の側面に順テーパを有する第２の絶縁膜を残
す工程と、受光部の上に窓を有するシリコン窒化膜と遮
光膜を順に積層形成する工程からなる構成を有している
。
【００１０】
【作用】この構成によって、遮光膜と転送電極の上面の
間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化膜とシリコン窒化
膜の２層膜からなり、また遮光膜と転送電極の側面の間
の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と順テーパを有する絶縁
膜とシリコン窒化膜の３層膜からなり、シリコン窒化膜
の絶縁耐圧はシリコン酸化膜の２倍以上あるので、スミ
ア発生を抑制するためにシリコン窒化膜の膜厚を薄くし
ても遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧は劣化しない。さら
に、転送電極の側面にシリコン酸化膜を介して順テーパ
の絶縁膜を形成しているため、遮光膜のステップカバレ
ッジは著しく向上し、斜め方向からの入射光に対する遮
光効果も増大し、スミアを大幅に低減するとともに遮光
膜がオーバーハング形状にならないため表面保護膜のス
テップカバレッジが向上し、クラックの発生を抑制でき
、固体撮像装置の信頼性を著しく向上させることができ
る。
間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化膜とシリコン窒化
膜の２層膜からなり、また遮光膜と転送電極の側面の間
の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と順テーパを有する絶縁
膜とシリコン窒化膜の３層膜からなり、シリコン窒化膜
の絶縁耐圧はシリコン酸化膜の２倍以上あるので、スミ
ア発生を抑制するためにシリコン窒化膜の膜厚を薄くし
ても遮光膜と転送電極間の絶縁耐圧は劣化しない。さら
に、転送電極の側面にシリコン酸化膜を介して順テーパ
の絶縁膜を形成しているため、遮光膜のステップカバレ
ッジは著しく向上し、斜め方向からの入射光に対する遮
光効果も増大し、スミアを大幅に低減するとともに遮光
膜がオーバーハング形状にならないため表面保護膜のス
テップカバレッジが向上し、クラックの発生を抑制でき
、固体撮像装置の信頼性を著しく向上させることができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例における固体撮像装
置についてその断面を示す図１に基づいて説明する。
置についてその断面を示す図１に基づいて説明する。
【００１２】図１において、Ｎ型半導体基板１の表面に
Ｐウエル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部の
Ｎウエル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５とが形成さ
れている。電荷転送部のＮウエル層４の上には、ゲート
絶縁膜６を介して多結晶シリコンゲート電極７が形成さ
れ、受光部の上に窓を有するアルミニウムまたはアルミ
ニウムシリサイドからなる遮光膜１０と多結晶シリコン
ゲート電極７の上面の間の第１の層間絶縁膜はシリコン
酸化膜８とシリコン窒化膜１４を順に積層した２層膜で
形成され、遮光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７の
側面の間の第２の層間絶縁膜はシリコン酸化膜８と順テ
ーパを有するＣＶＤ絶縁膜１３とシリコン窒化膜１４を
順に積層した３層膜で形成され、最後にＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜１１が形成されている。
Ｐウエル層２と受光部のＮ型不純物層３と電荷転送部の
Ｎウエル層４、素子分離用のＰ＋不純物層５とが形成さ
れている。電荷転送部のＮウエル層４の上には、ゲート
絶縁膜６を介して多結晶シリコンゲート電極７が形成さ
れ、受光部の上に窓を有するアルミニウムまたはアルミ
ニウムシリサイドからなる遮光膜１０と多結晶シリコン
ゲート電極７の上面の間の第１の層間絶縁膜はシリコン
酸化膜８とシリコン窒化膜１４を順に積層した２層膜で
形成され、遮光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７の
側面の間の第２の層間絶縁膜はシリコン酸化膜８と順テ
ーパを有するＣＶＤ絶縁膜１３とシリコン窒化膜１４を
順に積層した３層膜で形成され、最後にＣＶＤ絶縁膜か
らなる表面保護膜１１が形成されている。
【００１３】このように本実施例によれば、遮光膜１０
と転送電極としての多結晶シリコンゲート電極７の上面
の間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化膜８とシリコン
窒化膜１４の２層膜からなり、また遮光膜１０と多結晶
シリコンゲート電極７の側面の間の第２の層間絶縁膜が
シリコン酸化膜８と順テーパを有するＣＶＤ絶縁膜１３
とシリコン窒化膜１４の３層膜からなるため、スミア発
生を抑制するためにシリコン窒化膜１４の膜厚を薄くし
ても遮光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７の間の絶
縁耐圧は劣化しない。さらに、多結晶シリコンゲート電
極７の側面にシリコン酸化膜８を介して順テーパのＣＶ
Ｄ絶縁膜１３を形成しているため、遮光膜１０のステッ
プカバレッジは著しく向上し、斜め方向からの入射光に
対する遮光効果も増大する。
と転送電極としての多結晶シリコンゲート電極７の上面
の間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化膜８とシリコン
窒化膜１４の２層膜からなり、また遮光膜１０と多結晶
シリコンゲート電極７の側面の間の第２の層間絶縁膜が
シリコン酸化膜８と順テーパを有するＣＶＤ絶縁膜１３
とシリコン窒化膜１４の３層膜からなるため、スミア発
生を抑制するためにシリコン窒化膜１４の膜厚を薄くし
ても遮光膜１０と多結晶シリコンゲート電極７の間の絶
縁耐圧は劣化しない。さらに、多結晶シリコンゲート電
極７の側面にシリコン酸化膜８を介して順テーパのＣＶ
Ｄ絶縁膜１３を形成しているため、遮光膜１０のステッ
プカバレッジは著しく向上し、斜め方向からの入射光に
対する遮光効果も増大する。
【００１４】次に本発明の一実施例における固体撮像装
置の製造方法を図２に基づいて説明する。まず図２（ａ
）に示すように、Ｎ型半導体基板１の表面にＰウエル層
２、受光部のＮ型不純物層３、電荷転送部のＮウエル層
、素子分離用のＰ＋不純物層５を形成する。次に図２（
ｂ）に示すように、電荷転送部のＮ型半導体基板１の上
にゲート絶縁膜６を介して転送電極として多結晶シリコ
ンゲート電極７を形成しさらにこの多結晶シリコンゲー
ト電極７の上に熱酸化によるシリコン酸化膜８を形成し
、次いで、全面に減圧ＣＶＤ法により、原料ガスとして
ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）と酸素を用
いて、反応圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ，成長温度７０
０〜８００゜Ｃにて、ＣＶＤ絶縁膜１３を２０００〜３
０００Å程度堆積する。次に、ＣＶＤ絶縁膜１３を例え
ば弗素系ガスを用いて異方性ドライエッチングして多結
晶シリコンゲート電極７の側面にのみ順テーパを有する
ＣＶＤ絶縁膜１３を残す。次に図２（ｃ）に示すように
、減圧ＣＶＤ法によって全面に約２００Åの膜厚のシリ
コン窒化膜１４を形成した後、スパッタ法により、アル
ミニウムまたはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜
１０を約８０００Å形成する。次にフォトレジストパタ
ーンをマスクとして異方性ドライエッチング法により遮
光膜１０とシリコン窒化膜１４を同時に選択的にエッチ
ングして、多結晶シリコンゲート電極７の上面にはシリ
コン酸化膜８とシリコン窒化膜１４の２層膜を介して、
また多結晶シリコンゲート電極７の側面には、シリコン
酸化膜８と順テーパを有するＣＶＤ絶縁膜１３とシリコ
ン窒化膜１４の３層膜を介してアルミニウムまたはアル
ミニウムシリサイドからなる遮光膜１０を形成し、最後
にＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を約４０００Å
形成する。
置の製造方法を図２に基づいて説明する。まず図２（ａ
）に示すように、Ｎ型半導体基板１の表面にＰウエル層
２、受光部のＮ型不純物層３、電荷転送部のＮウエル層
、素子分離用のＰ＋不純物層５を形成する。次に図２（
ｂ）に示すように、電荷転送部のＮ型半導体基板１の上
にゲート絶縁膜６を介して転送電極として多結晶シリコ
ンゲート電極７を形成しさらにこの多結晶シリコンゲー
ト電極７の上に熱酸化によるシリコン酸化膜８を形成し
、次いで、全面に減圧ＣＶＤ法により、原料ガスとして
ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）と酸素を用
いて、反応圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ，成長温度７０
０〜８００゜Ｃにて、ＣＶＤ絶縁膜１３を２０００〜３
０００Å程度堆積する。次に、ＣＶＤ絶縁膜１３を例え
ば弗素系ガスを用いて異方性ドライエッチングして多結
晶シリコンゲート電極７の側面にのみ順テーパを有する
ＣＶＤ絶縁膜１３を残す。次に図２（ｃ）に示すように
、減圧ＣＶＤ法によって全面に約２００Åの膜厚のシリ
コン窒化膜１４を形成した後、スパッタ法により、アル
ミニウムまたはアルミニウムシリサイドからなる遮光膜
１０を約８０００Å形成する。次にフォトレジストパタ
ーンをマスクとして異方性ドライエッチング法により遮
光膜１０とシリコン窒化膜１４を同時に選択的にエッチ
ングして、多結晶シリコンゲート電極７の上面にはシリ
コン酸化膜８とシリコン窒化膜１４の２層膜を介して、
また多結晶シリコンゲート電極７の側面には、シリコン
酸化膜８と順テーパを有するＣＶＤ絶縁膜１３とシリコ
ン窒化膜１４の３層膜を介してアルミニウムまたはアル
ミニウムシリサイドからなる遮光膜１０を形成し、最後
にＣＶＤ絶縁膜からなる表面保護膜１１を約４０００Å
形成する。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、遮光膜と
転送電極の上面の間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化
膜とシリコン窒化膜の２層膜からなり、遮光膜と転送電
極の側面の間の第２の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と順
テーパを有するＣＶＤ絶縁膜とシリコン窒化膜の３層膜
からなっているため、スミア発生を抑制するためにシリ
コン窒化膜の膜厚を薄くしても遮光膜と転送電極間の絶
縁耐圧の劣化を防止できるとともに、転送電極側面にシ
リコン酸化膜を介して順テーパのＣＶＤ絶縁膜を形成し
ているため、遮光膜のステップカバレッジが著しく向上
し、斜め方向からの入射光に対する遮光効果も増大し、
スミア発生を大幅に低減でき、さらに遮光膜がオーバー
ハング形状にならないため表面保護膜のステップカバレ
ッジが向上し、クラックの発生を抑制できるために信頼
性を著しく向上できる。
転送電極の上面の間の第１の層間絶縁膜がシリコン酸化
膜とシリコン窒化膜の２層膜からなり、遮光膜と転送電
極の側面の間の第２の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と順
テーパを有するＣＶＤ絶縁膜とシリコン窒化膜の３層膜
からなっているため、スミア発生を抑制するためにシリ
コン窒化膜の膜厚を薄くしても遮光膜と転送電極間の絶
縁耐圧の劣化を防止できるとともに、転送電極側面にシ
リコン酸化膜を介して順テーパのＣＶＤ絶縁膜を形成し
ているため、遮光膜のステップカバレッジが著しく向上
し、斜め方向からの入射光に対する遮光効果も増大し、
スミア発生を大幅に低減でき、さらに遮光膜がオーバー
ハング形状にならないため表面保護膜のステップカバレ
ッジが向上し、クラックの発生を抑制できるために信頼
性を著しく向上できる。
【図１】本発明の一実施例における固体撮像装置の断面
図
図
【図２】本発明の一実施例における固体撮像装置の製造
工程図
工程図
【図３】従来の固体撮像装置の断面図
【図４】従来の固体撮像装置の製造工程図
１ Ｎ型半導体基板（半導体基板）
３ 受光部のＮ型不純物層
４ 電荷転送部のＮウエル層（電荷転送部）７ 多
結晶シリコンゲート電極（読み出しゲート、転送電極） ８ シリコン酸化膜 １０ 遮光膜 １３ 絶縁膜 １４ シリコン窒化膜
結晶シリコンゲート電極（読み出しゲート、転送電極） ８ シリコン酸化膜 １０ 遮光膜 １３ 絶縁膜 １４ シリコン窒化膜
Claims (2)
- 【請求項１】一導電型半導体基板の上に形成した受光部
と、前記受光部に生じた信号電荷を読出す読出しゲート
と、読出された前記信号電荷を転送する電荷転送部と、
前記電荷転送部の上方に設けられた転送電極と、前記受
光部の上に窓を有して設けられた遮光膜とを備え、前記
遮光膜と前記転送電極の上面との間の第１の層間絶縁膜
がシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を積層した２層膜か
らな、かつ前記遮光膜と前記転送電極の側面との間の第
２の層間絶縁膜がシリコン酸化膜と順テーパを有する絶
縁膜とシリコン窒化膜を積層した３層膜からなることを
特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】一導電型半導体基板の上に受光部と電荷転
送部とを形成する工程と、前記半導体基板の上に第１の
絶縁膜を形成する工程と、前記電荷転送部の上方の前記
第１の絶縁膜の上に転送電極を形成する工程と、熱酸化
により前記転送電極の表面にシリコン酸化膜を形成する
工程と、全面に第２の絶縁膜を形成した後エッチバック
して前記転送電極の側面に順テーパを有する第２の絶縁
膜を残す工程と、前記受光部の上に窓を有するシリコン
窒化膜と遮光膜を順に積層形成する工程とを有する固体
撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408150A JPH04225564A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408150A JPH04225564A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225564A true JPH04225564A (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=18517643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2408150A Pending JPH04225564A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04225564A (ja) |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408150A patent/JPH04225564A/ja active Pending
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