JPH04226532A - ポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及びその製造法 - Google Patents
ポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及びその製造法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なポリアミド樹脂
及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及
びその製造法に関する。
及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及
びその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】芳香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸と
から合成される全芳香族ポリアミドは、耐熱性及び電気
的・機械的特性に優れているため、電気絶縁材料、高温
用材料、ある種の保護衣料用材料など、広範囲な工業材
料として使用されている。
から合成される全芳香族ポリアミドは、耐熱性及び電気
的・機械的特性に優れているため、電気絶縁材料、高温
用材料、ある種の保護衣料用材料など、広範囲な工業材
料として使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記芳香族ポ
リアミドは、通常の有機溶剤に対する溶解性が悪く、繊
維、フィルム、塗膜等を形成する場合には、極めて不都
合である。また、上記芳香族ポリアミドは、高融点及び
高結晶性を有するため、射出成形や押出成形が事実上不
可能である。本発明は、耐熱性、有機溶剤溶解性、成膜
性及び機械的性質に優れ、射出成形、押出成形等の成形
性の良好なポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−ア
シルオキシイソフタル酸及びその製造法を提供するもの
である。
リアミドは、通常の有機溶剤に対する溶解性が悪く、繊
維、フィルム、塗膜等を形成する場合には、極めて不都
合である。また、上記芳香族ポリアミドは、高融点及び
高結晶性を有するため、射出成形や押出成形が事実上不
可能である。本発明は、耐熱性、有機溶剤溶解性、成膜
性及び機械的性質に優れ、射出成形、押出成形等の成形
性の良好なポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−ア
シルオキシイソフタル酸及びその製造法を提供するもの
である。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I)
【化9】
(式中、Arは芳香族ジアミンのアミノ基を除いた二価
の残基を示し、Rは炭素原子数1〜30の直鎖または分
岐鎖アルキル基を示す)で表される繰り返し単位を有す
るポリアミド樹脂に関する。
の残基を示し、Rは炭素原子数1〜30の直鎖または分
岐鎖アルキル基を示す)で表される繰り返し単位を有す
るポリアミド樹脂に関する。
【0005】また、本発明は一般式(II)
【化10】
H2N−Ar−NH2
(II)(式中、Arは一般式(I)におけ
ると同じものを示す)で表される芳香族ジアミンを一般
式(III)
(II)(式中、Arは一般式(I)におけ
ると同じものを示す)で表される芳香族ジアミンを一般
式(III)
【化11】
(式中、Rは一般式(I)におけると同じものを示し、
Xはヒドロキシ基、ハロゲン原子または炭素原子数1〜
4のアルコキシ基を示す)で表される5−アシルオキシ
イソフタル酸またはその誘導体と重縮合させることを特
徴とする前記一般式(I)で表される繰り返し単位を有
するポアミド樹脂の製造法に関する。
Xはヒドロキシ基、ハロゲン原子または炭素原子数1〜
4のアルコキシ基を示す)で表される5−アシルオキシ
イソフタル酸またはその誘導体と重縮合させることを特
徴とする前記一般式(I)で表される繰り返し単位を有
するポアミド樹脂の製造法に関する。
【0006】また、本発明は、一般式(IV)
【化12
】 (式中、Rはn−C5H11,n−C11H23又はn
−C17H35を示す)で表される5−アシルオキシイ
ソフタル酸に関する。
】 (式中、Rはn−C5H11,n−C11H23又はn
−C17H35を示す)で表される5−アシルオキシイ
ソフタル酸に関する。
【0007】また、本発明は、一般式(V)
【化13】
で表される5−ヒドロキシイソフタル酸に一般式(VI
)
)
【化14】
R′−COX
(VI)(式中、R′は一般式(IV)
におけると同じもの、Xはヒドロキシ基、ハロゲン原子
、または炭素数1〜4までのアルコキシ基を示す)ある
いは一般式(VII)
(VI)(式中、R′は一般式(IV)
におけると同じもの、Xはヒドロキシ基、ハロゲン原子
、または炭素数1〜4までのアルコキシ基を示す)ある
いは一般式(VII)
【化15】
(R−C′O)2O
(VII)(式中、R′は前記におけると同
じものを示す)で表されるカルボン酸またはその誘導体
を作用させることを特徴とする一般式(IV)
(VII)(式中、R′は前記におけると同
じものを示す)で表されるカルボン酸またはその誘導体
を作用させることを特徴とする一般式(IV)
【化16】
(式中、R′は前記におけると同じものを示す)で表さ
れる5−アシルオキシイソフタル酸の製造法に関する。
れる5−アシルオキシイソフタル酸の製造法に関する。
【0008】本発明のポリアミド樹脂は、前記一般式(
I)で表される繰り返し単位を有するものである。一般
式(I)における直鎖または分岐鎖アルキル基Rの炭素
原子数は、1〜30であるが、6〜18であることが好
ましく、10〜18であることがより好ましい。30を
越えると耐熱性が低下する。前記アルキル基としては、
例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert
−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基
、ヘプチル基、オクチル基、2−エチル−ヘキシル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ヘプ
タデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、ドコシル
基、トリアコンチル基等があげられる。
I)で表される繰り返し単位を有するものである。一般
式(I)における直鎖または分岐鎖アルキル基Rの炭素
原子数は、1〜30であるが、6〜18であることが好
ましく、10〜18であることがより好ましい。30を
越えると耐熱性が低下する。前記アルキル基としては、
例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert
−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基
、ヘプチル基、オクチル基、2−エチル−ヘキシル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ヘプ
タデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、ドコシル
基、トリアコンチル基等があげられる。
【0009】一般式(I)におけるArは、芳香族ジア
ミンのアミノ基を除いた二価の残基であるが、この芳香
族ジアミンとしては、後述の一般式(II)で表される
芳香族ジアミンとして例示したものをあげることができ
る。
ミンのアミノ基を除いた二価の残基であるが、この芳香
族ジアミンとしては、後述の一般式(II)で表される
芳香族ジアミンとして例示したものをあげることができ
る。
【0010】一般式(I)で表される繰り返し単位を有
するポリアミド樹脂は、該樹脂0.2gをジメチルホル
ムアミドに溶解し、100mlとした溶液の30℃にお
ける還元粘度が0.2〜5.0dl/gであるものが好
ましい。この粘度が低すぎると、樹脂の機械的強度が低
下する傾向があり、高すぎると、樹脂の有機溶剤溶解性
が劣る傾向がある。
するポリアミド樹脂は、該樹脂0.2gをジメチルホル
ムアミドに溶解し、100mlとした溶液の30℃にお
ける還元粘度が0.2〜5.0dl/gであるものが好
ましい。この粘度が低すぎると、樹脂の機械的強度が低
下する傾向があり、高すぎると、樹脂の有機溶剤溶解性
が劣る傾向がある。
【0012】なお、本明細書において、還元粘度(ηS
P/c)とは、次式により求められる。 ηSP/c=(η/η0−1)/c (式中、η及びη0はそれぞれ溶液の粘度及び溶剤の粘
度を示し、ウベローデ型希釈型毛細管粘度計を用いて測
定したときの溶液及び溶媒の流下時間をそれぞれt及び
t0とした場合、η/η0=t/t0であり、cは溶液
の樹脂濃度(g/dl)である)
P/c)とは、次式により求められる。 ηSP/c=(η/η0−1)/c (式中、η及びη0はそれぞれ溶液の粘度及び溶剤の粘
度を示し、ウベローデ型希釈型毛細管粘度計を用いて測
定したときの溶液及び溶媒の流下時間をそれぞれt及び
t0とした場合、η/η0=t/t0であり、cは溶液
の樹脂濃度(g/dl)である)
【0013】本発明のポリアミド樹脂は、N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド等の極性溶剤に良好に溶解する。
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド等の極性溶剤に良好に溶解する。
【0014】本発明のポリアミド樹脂は、例えば前記一
般式(II)の芳香族ジアミンを一般式(III)の5
−アシルオキシイソフタル酸またはその誘導体と重合さ
せることによって製造できる。
般式(II)の芳香族ジアミンを一般式(III)の5
−アシルオキシイソフタル酸またはその誘導体と重合さ
せることによって製造できる。
【0015】一般式(II)の芳香族ジアミンとしては
、例えば、m−トルレンジアミン、m−フェニレンジア
ミン、p−フェニレンジアミン、5−クロロ−m−フェ
ニレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニル
エーテル、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル−4
,4′−ベンジジン、4,4′−ジアミノジフェニルチ
オエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルチオエーテ
ル、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、3,3′−ジ
アミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、2,2′−ビス(3−アミノフェニル)プロ
パン、2,2′−ビス(4−アミノフェニル)プロパン
、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−
ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノビフェニル、
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4′−〔
1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)〕、
4,4′−〔1,4−フェニレンビス(1−メチルエチ
リデン)〕,2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−メチル−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
,2−ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ
)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕エタン、ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕メタン、3,3′−ジメト
キシ−4,4′−ジアミンビフェニル、ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、2,2
−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、4,4′−ビス(4−アミノフェニキシ)ビフェ
ニル、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−
アミノフェニル)フルオレン等が挙げられる。
、例えば、m−トルレンジアミン、m−フェニレンジア
ミン、p−フェニレンジアミン、5−クロロ−m−フェ
ニレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニル
エーテル、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル−4
,4′−ベンジジン、4,4′−ジアミノジフェニルチ
オエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルチオエーテ
ル、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、3,3′−ジ
アミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、2,2′−ビス(3−アミノフェニル)プロ
パン、2,2′−ビス(4−アミノフェニル)プロパン
、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−
ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノビフェニル、
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4′−〔
1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)〕、
4,4′−〔1,4−フェニレンビス(1−メチルエチ
リデン)〕,2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−メチル−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
,2−ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ
)フェニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕エタン、ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕メタン、3,3′−ジメト
キシ−4,4′−ジアミンビフェニル、ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、2,2
−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、4,4′−ビス(4−アミノフェニキシ)ビフェ
ニル、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−
アミノフェニル)フルオレン等が挙げられる。
【0016】上記のような芳香族ジアミンとともに、ヘ
キサメチレンジアミン、エチレンジアミン等の脂肪族ジ
アミン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノフェニル
)テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンな
どをジアミン成分として併用してもよいが、この場合は
、全ジアミンに対して30モル%以下で使用することが
好ましい。これらが多すぎると、耐熱性が低下する傾向
がある。
キサメチレンジアミン、エチレンジアミン等の脂肪族ジ
アミン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノフェニル
)テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンな
どをジアミン成分として併用してもよいが、この場合は
、全ジアミンに対して30モル%以下で使用することが
好ましい。これらが多すぎると、耐熱性が低下する傾向
がある。
【0017】前記の一般式(III)で表される5−ア
シルオキシイソフタル酸またはその誘導体における5−
アシルオキシイソフタル酸としては、例えば、5−ヒド
ロキシイソフタル酸ヘキサノアート、5−ヒドロキシイ
ソフタル酸ドデカノアート、5−ヒドロキシイソフタル
酸オクタデカノアート等が挙げられる。また、これらの
5−アシルオキシイソフタル酸の誘導体としては、例え
ばジクロリド、ジブロミド等のジハライド、ジメチルエ
ステル、ジエチルエステル等のジエステルなどがあげら
れる。ジエステルにおけるアルコキシ基の炭素原子数は
1〜4である必要がある。炭素原子数が4より多くなる
と反応性が低下する。
シルオキシイソフタル酸またはその誘導体における5−
アシルオキシイソフタル酸としては、例えば、5−ヒド
ロキシイソフタル酸ヘキサノアート、5−ヒドロキシイ
ソフタル酸ドデカノアート、5−ヒドロキシイソフタル
酸オクタデカノアート等が挙げられる。また、これらの
5−アシルオキシイソフタル酸の誘導体としては、例え
ばジクロリド、ジブロミド等のジハライド、ジメチルエ
ステル、ジエチルエステル等のジエステルなどがあげら
れる。ジエステルにおけるアルコキシ基の炭素原子数は
1〜4である必要がある。炭素原子数が4より多くなる
と反応性が低下する。
【0018】上記一般式(III)で表される5−アシ
ルオキシイソフタル酸は、例えば、5−ヒドロキシイソ
フタル酸とアルキル酸クロライドとをピリジン等の存在
下で反応させることにより容易に得ることができる。こ
うして得られた5−アシルオキシイソフタル酸を、公知
の方法に準じて、ハライド又はジエステル等の酸の誘導
体とすることができる。
ルオキシイソフタル酸は、例えば、5−ヒドロキシイソ
フタル酸とアルキル酸クロライドとをピリジン等の存在
下で反応させることにより容易に得ることができる。こ
うして得られた5−アシルオキシイソフタル酸を、公知
の方法に準じて、ハライド又はジエステル等の酸の誘導
体とすることができる。
【0019】一般式(III)で表される5−アシルオ
キシイソフタル酸及びその誘導体のうちの一部のものが
一般式(IV)で表される5−アシルオキシイソフタル
酸である。
キシイソフタル酸及びその誘導体のうちの一部のものが
一般式(IV)で表される5−アシルオキシイソフタル
酸である。
【0020】一般式(IV)で表される5−アシルオキ
シイソフタル酸の製造法は得に限定的ではないが、以下
に示すような調製法が好適である。すなわち式(V)
シイソフタル酸の製造法は得に限定的ではないが、以下
に示すような調製法が好適である。すなわち式(V)
【
化17】 で示される5−ヒドロキシイソフタル酸にピリジン等の
塩基存在下、一般式(VI)
化17】 で示される5−ヒドロキシイソフタル酸にピリジン等の
塩基存在下、一般式(VI)
【化18】
R′−COX
(VI)(式中、R′は一般式(IV)
におけると同じもの、Xはハロゲン原子を示す)で表さ
れるカルボン酸ハロゲン化物、あるいは一般式(VII
)
(VI)(式中、R′は一般式(IV)
におけると同じもの、Xはハロゲン原子を示す)で表さ
れるカルボン酸ハロゲン化物、あるいは一般式(VII
)
【化19】
(R′−CO)2O
(VII)(式中、R′は一般式(IV)に
おけると同じものを示す)で表されるカルボン酸無水物
、等を作用させることにより一般式(IV)で表される
5−アシルオキシイソフタル酸を得ることができる。
(VII)(式中、R′は一般式(IV)に
おけると同じものを示す)で表されるカルボン酸無水物
、等を作用させることにより一般式(IV)で表される
5−アシルオキシイソフタル酸を得ることができる。
【0021】また、式(V)
【化20】
で表される5−ヒドロキシイソフタル酸に硫酸等の酸触
媒、あるいはDCC等の脱水剤存在下、一般式(VII
)
媒、あるいはDCC等の脱水剤存在下、一般式(VII
)
【化21】
R′−COX
(VII)(式中、R′は一般式(IV
)におけると同じもの、Xはヒドロキシ基、または炭素
数1〜4のアルコキシ基を示す)で表される、カルボン
酸またはそのエステルを作用させることにより一般式(
IV)で表される5−アシルオキシイソフタル酸を得る
ことができる。
(VII)(式中、R′は一般式(IV
)におけると同じもの、Xはヒドロキシ基、または炭素
数1〜4のアルコキシ基を示す)で表される、カルボン
酸またはそのエステルを作用させることにより一般式(
IV)で表される5−アシルオキシイソフタル酸を得る
ことができる。
【0022】ジカルボン酸成分として、前記一般式(I
II)で表される5−アシルオキシイソフタル酸または
その誘導体とともに、テレフタル酸、イソフタル酸、4
,4′−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4′−
ジフェニルカルボン酸、1,5−ナフタリンジカルボン
酸、2,6−ナフタリンジカルボン酸等の芳香族ジカル
ボン酸を用いてもよい。これらは、全カルボン酸成分に
対して50モル%以下で使用することが好ましい。これ
らが多すぎると有機溶剤溶解性が低下する傾向がある。 また、ジカルボン酸成分としてアジピン酸、セバシン酸
等の脂肪族ジカルボン酸を全カルボン酸成分に対して5
0モル%以下で用いてもよい。脂肪族ジカルボン酸が多
すぎると、耐熱性が低下する傾向がある。
II)で表される5−アシルオキシイソフタル酸または
その誘導体とともに、テレフタル酸、イソフタル酸、4
,4′−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4′−
ジフェニルカルボン酸、1,5−ナフタリンジカルボン
酸、2,6−ナフタリンジカルボン酸等の芳香族ジカル
ボン酸を用いてもよい。これらは、全カルボン酸成分に
対して50モル%以下で使用することが好ましい。これ
らが多すぎると有機溶剤溶解性が低下する傾向がある。 また、ジカルボン酸成分としてアジピン酸、セバシン酸
等の脂肪族ジカルボン酸を全カルボン酸成分に対して5
0モル%以下で用いてもよい。脂肪族ジカルボン酸が多
すぎると、耐熱性が低下する傾向がある。
【0023】上記一般式(II)で表される芳香族ジア
ミンと上記一般式(III)で表される5−アシルオキ
シイソフタル酸またはその誘導体とを重縮合させるが、
この重縮合方法としては、特に制限はなく、例えば低温
重縮合法、直接重縮合法、活性エステル法などを採用す
ることができる。
ミンと上記一般式(III)で表される5−アシルオキ
シイソフタル酸またはその誘導体とを重縮合させるが、
この重縮合方法としては、特に制限はなく、例えば低温
重縮合法、直接重縮合法、活性エステル法などを採用す
ることができる。
【0024】低温重縮合法を採用する場合には、一般式
(II)で表される芳香族ジアミン1当量に対して一般
式(III)で表される5−アシルオキシイソフタル酸
のジハライドを好ましくは0.9〜1.2当量使用し、
トリエチルアミン、または酸化プロピレン、スチレンオ
キシド、シクロヘキセンオキシド等の1,2−エポキシ
ドなどの酸受容剤の存在下、N−メチル−2−ピロリド
ン、ジメチルアセトアミド等の非反応性極性溶剤中でマ
イナス十数℃から使用した有機溶剤の還流温度までの範
囲で反応させることができる。
(II)で表される芳香族ジアミン1当量に対して一般
式(III)で表される5−アシルオキシイソフタル酸
のジハライドを好ましくは0.9〜1.2当量使用し、
トリエチルアミン、または酸化プロピレン、スチレンオ
キシド、シクロヘキセンオキシド等の1,2−エポキシ
ドなどの酸受容剤の存在下、N−メチル−2−ピロリド
ン、ジメチルアセトアミド等の非反応性極性溶剤中でマ
イナス十数℃から使用した有機溶剤の還流温度までの範
囲で反応させることができる。
【0025】また、直接重縮合法を採用する場合には、
一般式(II)で表される芳香族ジアミンと一般式(I
II)で表される5−アシルオキシイソフタル酸を当量
またはほぼ当量で使用し、トリフェニルホスファイト、
三塩化リン、縮合リン酸エステル等のリン系触媒及びピ
リジンまたは上記と同様の非反応性極性溶剤中で室温か
ら使用した有機溶剤の還流温度までの範囲の温度で反応
させることができる。この場合、リン系触媒は、上記ジ
アミン当量またはほぼ当量で使用され、ピリジンまたは
有機溶剤は、上記ジカルボン酸または上記芳香族ジアミ
ンに対して10モル%以上使用するのが好ましい。
一般式(II)で表される芳香族ジアミンと一般式(I
II)で表される5−アシルオキシイソフタル酸を当量
またはほぼ当量で使用し、トリフェニルホスファイト、
三塩化リン、縮合リン酸エステル等のリン系触媒及びピ
リジンまたは上記と同様の非反応性極性溶剤中で室温か
ら使用した有機溶剤の還流温度までの範囲の温度で反応
させることができる。この場合、リン系触媒は、上記ジ
アミン当量またはほぼ当量で使用され、ピリジンまたは
有機溶剤は、上記ジカルボン酸または上記芳香族ジアミ
ンに対して10モル%以上使用するのが好ましい。
【0026】また、活性エステル法を採用する場合には
、一般式(III)で表される5−アシルオキシイソフ
タル酸のジハライドと1−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ルとの反応によりベンゾトリアジルエステルを製造し、
このエステルと上記一般式(II)で表される芳香族ジ
アミンを当量またはほぼ当量使用し、上記したのと同様
の非反応性極性有機溶剤中で室温またはそれ以上の温度
で反応させることができる。
、一般式(III)で表される5−アシルオキシイソフ
タル酸のジハライドと1−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ルとの反応によりベンゾトリアジルエステルを製造し、
このエステルと上記一般式(II)で表される芳香族ジ
アミンを当量またはほぼ当量使用し、上記したのと同様
の非反応性極性有機溶剤中で室温またはそれ以上の温度
で反応させることができる。
【0027】いずれかの方法で得られた反応液をメタノ
ール等の低級アルコール、水等の上記有機溶剤と相溶性
であって、樹脂に対して貧溶媒である溶剤の大過剰に注
いで、沈殿物を得ることができる。これをろ別し、乾燥
することによって本発明のポリアミド樹脂を回収するこ
とができる。
ール等の低級アルコール、水等の上記有機溶剤と相溶性
であって、樹脂に対して貧溶媒である溶剤の大過剰に注
いで、沈殿物を得ることができる。これをろ別し、乾燥
することによって本発明のポリアミド樹脂を回収するこ
とができる。
【0028】本発明のポリアミド樹脂は、脂肪族側鎖を
有しており、その嵩高さのために従来の芳香族ポリアミ
ドに比較してはるかに優れた有機溶剤溶解性を有し、他
の溶剤可溶性の樹脂と同様にキャスト法によりフィルム
、塗膜などに成膜することができ、そのフィルム、塗膜
などは、優れた耐熱性を示し、機械的性質にも優れ電子
絶縁材料、耐熱性接着剤、液晶配向膜材料、高温用材料
として使用するのに好適である。
有しており、その嵩高さのために従来の芳香族ポリアミ
ドに比較してはるかに優れた有機溶剤溶解性を有し、他
の溶剤可溶性の樹脂と同様にキャスト法によりフィルム
、塗膜などに成膜することができ、そのフィルム、塗膜
などは、優れた耐熱性を示し、機械的性質にも優れ電子
絶縁材料、耐熱性接着剤、液晶配向膜材料、高温用材料
として使用するのに好適である。
【0029】
【実施例】次ぎに実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。
明する。
【0030】実施例1滴下ロート、温度計を付けたフラ
スコに5−ヒドロキシイソフタル酸20g(0.11m
mol)を入れ、ピリジン100mlに溶解した。撹拌
しながら発熱に注意して、塩化ヘキサノイル22.2g
(0.17mol)を滴下した。1時間撹拌した後、メ
タノール20mlを添加し反応を停止した。反応溶液を
冷した2規定塩酸600mlに注ぎ、ジエチルエーテル
を用いて抽出を行った。有機層を2規定塩酸、飽和食塩
水で洗浄し、溶媒を減圧留去して白色固形物を得た。再
結晶(メタノール)により精製し、白色針状結晶の5−
ヒドロキシイソフタル酸ヘキサノアートを得た。
スコに5−ヒドロキシイソフタル酸20g(0.11m
mol)を入れ、ピリジン100mlに溶解した。撹拌
しながら発熱に注意して、塩化ヘキサノイル22.2g
(0.17mol)を滴下した。1時間撹拌した後、メ
タノール20mlを添加し反応を停止した。反応溶液を
冷した2規定塩酸600mlに注ぎ、ジエチルエーテル
を用いて抽出を行った。有機層を2規定塩酸、飽和食塩
水で洗浄し、溶媒を減圧留去して白色固形物を得た。再
結晶(メタノール)により精製し、白色針状結晶の5−
ヒドロキシイソフタル酸ヘキサノアートを得た。
【0031】収量 20.1g 収率 65.6
%mp(℃)225〜229 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.7−
2.0(br,9H),2.66(t,2H,J=6.
6Hz),7.98(s,2H),8.52(s,1H
)1R(KBr,cm−1)3082,2962,29
35,2862,2675,2565,1757,16
95,1466,1410,1319,1277,12
21,920,754
%mp(℃)225〜229 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.7−
2.0(br,9H),2.66(t,2H,J=6.
6Hz),7.98(s,2H),8.52(s,1H
)1R(KBr,cm−1)3082,2962,29
35,2862,2675,2565,1757,16
95,1466,1410,1319,1277,12
21,920,754
【0032】実施例2塩化ヘキサノイル22.2g(0
.17mol)の代わりに塩化ドデカノイル28.8g
(0.13mol)を使用した以外は、実施例1と同様
の操作を行い、白色針状結晶の5−ヒドロキシイソフタ
ル酸ドデカノアートを得た。
.17mol)の代わりに塩化ドデカノイル28.8g
(0.13mol)を使用した以外は、実施例1と同様
の操作を行い、白色針状結晶の5−ヒドロキシイソフタ
ル酸ドデカノアートを得た。
【0033】収量 31.2g 収率 78.0
%mp(℃)165〜167 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.7−
2.0(br,21H),2.5−2.8(br,2H
),7.92(s,2H),8.40(s,1H)1R
(KBr,cm−1)2920,2850,2658,
2548,1767,1714,1468,1406,
1298,1267,1238,1141,743
%mp(℃)165〜167 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.7−
2.0(br,21H),2.5−2.8(br,2H
),7.92(s,2H),8.40(s,1H)1R
(KBr,cm−1)2920,2850,2658,
2548,1767,1714,1468,1406,
1298,1267,1238,1141,743
【0
034】実施例3 5−ヒドロキシイソフタル酸15.0g(0.082m
ol)、塩化ヘキサノイル22.2g(0.17mol
)の代わりに塩化オクタデカノイル37.4g(0.1
2mol)を使用した以外は、実施例1と同様の操作を
行い、白色針状結晶の5−ヒドロキシイソフタル酸オク
タデカノアートを得た。
034】実施例3 5−ヒドロキシイソフタル酸15.0g(0.082m
ol)、塩化ヘキサノイル22.2g(0.17mol
)の代わりに塩化オクタデカノイル37.4g(0.1
2mol)を使用した以外は、実施例1と同様の操作を
行い、白色針状結晶の5−ヒドロキシイソフタル酸オク
タデカノアートを得た。
【0035】収量 32.5g 収率 88.0
%mp(℃)144〜148 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.6−
1.9(br,33H),2.5−2.8(br,2H
),7.97(s,2H),8.46(s,1H)1R
(KBr,cm−1)2918,2850,2673,
2563,1767,1716,1468,1304,
1146
%mp(℃)144〜148 1H−NMR(60MHz,DMSO−d6)0.6−
1.9(br,33H),2.5−2.8(br,2H
),7.97(s,2H),8.46(s,1H)1R
(KBr,cm−1)2918,2850,2673,
2563,1767,1716,1468,1304,
1146
【0036】実施例4撹拌装置、窒素導入管及び温度計
を備えた四口フラスコに窒素下に4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル2.85g(14.3mmol)、5
−ヒドロキシイソフタル酸ヘキサノアート4.00g(
14.3mmol)、トリフェニルホスファイト8.8
g(28.3mmol)、ピリジン4.5g(57.0
mmol)及び塩化リチウム0.5g(11.8mmo
l)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン40mlを加
えた。10分間室温で撹拌し溶解した後、昇温し、11
0℃で2.5時間反応させた。室温まで冷却し、メタノ
ール400ml中にあけた。生じた沈殿をろ別し、メタ
ノールで洗浄し、100℃で一晩乾燥した。この様にし
て得られたポリアミド樹脂の還元粘度、収率、有機溶剤
溶解性及びフィルム作成後の耐熱性の指標であるガラス
転移温度を表1に示した。
を備えた四口フラスコに窒素下に4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル2.85g(14.3mmol)、5
−ヒドロキシイソフタル酸ヘキサノアート4.00g(
14.3mmol)、トリフェニルホスファイト8.8
g(28.3mmol)、ピリジン4.5g(57.0
mmol)及び塩化リチウム0.5g(11.8mmo
l)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン40mlを加
えた。10分間室温で撹拌し溶解した後、昇温し、11
0℃で2.5時間反応させた。室温まで冷却し、メタノ
ール400ml中にあけた。生じた沈殿をろ別し、メタ
ノールで洗浄し、100℃で一晩乾燥した。この様にし
て得られたポリアミド樹脂の還元粘度、収率、有機溶剤
溶解性及びフィルム作成後の耐熱性の指標であるガラス
転移温度を表1に示した。
【0037】また、上記ポリアミド樹脂の赤外線吸収ス
ペクトル(反射法)を図1に示した。図1から明らかな
とおり、1653cm−1にアミド結合のカルボニルの
吸収及び3309cm−1にN−H伸縮振動に基づく吸
収が認められ、アミド結合が形成されていることが確認
できた。
ペクトル(反射法)を図1に示した。図1から明らかな
とおり、1653cm−1にアミド結合のカルボニルの
吸収及び3309cm−1にN−H伸縮振動に基づく吸
収が認められ、アミド結合が形成されていることが確認
できた。
【0038】実施例5
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.85g(1
4.3mmol)の代わりに1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン4.17g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った。試
験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹脂
の赤外線吸収スペクトルを図2に示した。
4.3mmol)の代わりに1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン4.17g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った。試
験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹脂
の赤外線吸収スペクトルを図2に示した。
【0039】実施例6
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.85g(1
4.3mmol)の代わりに4,4′−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル5.26g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図3に示した。
4.3mmol)の代わりに4,4′−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル5.26g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図3に示した。
【0040】実施例7
5−ヒドロキシイソフタル酸ヘキサノアート4.00g
(14.3mmol)の代わりに5−ヒドロキシイソフ
タル酸ドデカノアート5.21g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った。試
験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹脂
の赤外線吸収スペクトルを図4に示した。
(14.3mmol)の代わりに5−ヒドロキシイソフ
タル酸ドデカノアート5.21g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った。試
験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹脂
の赤外線吸収スペクトルを図4に示した。
【0040】実施例8
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.85g(1
4.3mmol)の代わりに1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン4.17g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例7と同様の操作を行った。試
験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹脂
の赤外線吸収スペクトルを図5に示した。
4.3mmol)の代わりに1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン4.17g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例7と同様の操作を行った。試
験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹脂
の赤外線吸収スペクトルを図5に示した。
【0042】実施例9
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.85g(1
4.3mmol)の代わりに4,4′−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル5.26g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図6に示した。
4.3mmol)の代わりに4,4′−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル5.26g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図6に示した。
【0043】実施例10
5−ヒドロキシイソフタル酸ヘキサノアート4.00g
(14.3mmol)の代わりに5−ヒドロキシイソフ
タル酸オクタデカノアート6.41g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図7に示した。
(14.3mmol)の代わりに5−ヒドロキシイソフ
タル酸オクタデカノアート6.41g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図7に示した。
【0044】実施例11
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.85g(1
4.3mmol)の代わりに1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン4.17g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例10と同様の操作を行った。 試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹
脂の赤外線吸収スペクトルを図8に示した。
4.3mmol)の代わりに1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン4.17g(14.3mmol)
を使用した以外は、実施例10と同様の操作を行った。 試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド樹
脂の赤外線吸収スペクトルを図8に示した。
【0045】実施例12
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル2.85g(1
4.3mmol)の代わりに4,4′−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル5.26g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図9に示した。
4.3mmol)の代わりに4,4′−ビス(4−アミ
ノフェノキシ)ビフェニル5.26g(14.3mmo
l)を使用した以外は、実施例4と同様の操作を行った
。試験結果を表1に示した。また、得られたポリアミド
樹脂の赤外線吸収スペクトルを図9に示した。
【0046】
【表1】
【0047】
【発明の効果】本発明の5−アシルオキシイソフタル酸
等を用いたポリアミド樹脂は、耐熱性、有機溶剤溶解性
、成膜性及び機械的性質に優れており、射出成形、押出
成形等の成形性も良好で電気絶縁材料、耐熱性接着剤、
液晶配向膜材料、高温用材料などに好適である。
等を用いたポリアミド樹脂は、耐熱性、有機溶剤溶解性
、成膜性及び機械的性質に優れており、射出成形、押出
成形等の成形性も良好で電気絶縁材料、耐熱性接着剤、
液晶配向膜材料、高温用材料などに好適である。
【図1】実施例4で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
収スペクトル。
【図2】実施例5で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
収スペクトル。
【図3】実施例6で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
収スペクトル。
【図4】実施例7で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
収スペクトル。
【図5】実施例8で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
収スペクトル。
【図6】実施例9で得られたポリアミド樹脂の赤外線吸
収スペクトル。
収スペクトル。
【図7】実施例10で得られたポリアミド樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
吸収スペクトル。
【図8】実施例11で得られたポリアミド樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
吸収スペクトル。
【図9】実施例12で得られたポリアミド樹脂の赤外線
吸収スペクトル。
吸収スペクトル。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、Arは芳香族ジアミンのアミノ基を除いた2価
の残基を示し、Rは炭素原子数1〜30の直鎖または分
岐鎖アルキル基を示す)で表される繰り返し単位を有し
てなるポリアミド樹脂。 - 【請求項2】 ポリアミド樹脂0.2gをジメチルホ
ルムアミドに溶解し、100mlとした溶液の30℃に
おける還元粘度が0.2〜5.0dl/gである請求項
1記載のポリアミド樹脂。 - 【請求項3】 一般式(II) 【化2】 H2−Ar−NH2
(II)(式中、Arは一般式(I)にお
けると同じものを示す)で表される芳香族ジアミンを一
般式(III)【化3】 (式中、Rは一般式(I)におけると同じものを示し、
Xはヒドロキシ基、ハロゲン原子または炭素原子数1〜
4のアルコキシ基を示す)で表される5−アシルオキシ
イソフタル酸またはその誘導体と重縮合させることを特
徴とする請求項1記載のポリアミド樹脂の製造法。 - 【請求項4】 一般式(IV) 【化4】 (式中、R′はn−C5H11,n−C11H23又は
n−C17H35を示す)で表される5−アシルオキシ
イソフタル酸。 - 【請求項5】 一般式(V) 【化5】 で表される5−ヒドロキシイソフタル酸に一般式(VI
) 【化6】 R′−COX
(VI)(式中、R′は一般式(IV)におけると同
じもの、Xはヒドロキシ基、ハロゲン原子、または炭素
数1〜4までのアルコキシ基を示す)あるいは一般式(
VII)【化7】 (R′−CO)2O (
VII)(式中、R′は前記におけると同じものを示す
)で表されるカルボン酸またはその誘導体を作用させる
ことを特徴とする一般式(IV) 【化8】 (式中、R′は前記におけると同じものを示す)で表さ
れる5−アシルオキシイソフタル酸の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13509491A JPH04226532A (ja) | 1990-11-21 | 1991-06-06 | ポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31687790 | 1990-11-21 | ||
| JP2-316877 | 1990-11-21 | ||
| JP13509491A JPH04226532A (ja) | 1990-11-21 | 1991-06-06 | ポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04226532A true JPH04226532A (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=26469035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13509491A Pending JPH04226532A (ja) | 1990-11-21 | 1991-06-06 | ポリアミド樹脂及びその製造法並びに5−アシルオキシイソフタル酸及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04226532A (ja) |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP13509491A patent/JPH04226532A/ja active Pending
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