JPH04227601A - シクロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ硫酸エステル及びその製法 - Google Patents
シクロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ硫酸エステル及びその製法Info
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- JPH04227601A JPH04227601A JP12878191A JP12878191A JPH04227601A JP H04227601 A JPH04227601 A JP H04227601A JP 12878191 A JP12878191 A JP 12878191A JP 12878191 A JP12878191 A JP 12878191A JP H04227601 A JPH04227601 A JP H04227601A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は抗レトロウィルス作用を
有する新規なシクロデキストリン・スルフィド誘導体の
ポリ硫酸エステル化合物及びその製法に関する。
有する新規なシクロデキストリン・スルフィド誘導体の
ポリ硫酸エステル化合物及びその製法に関する。
【0002】
【従来の技術】エイズ(後天性免疫不全症候群)はレト
ロウィルスの一種であるヒト免疫不全ウィルス(HIV
)の感染により生じる致死的ないし極めて悪性の疾患で
あり、その阻止と撲滅は現在、全世界のレベルで人類が
克服すべき最重要問題となっている。 従来、抗レト
ロウィルス作用を有する化合物としては、例えば、アジ
ドチミジン〔医学のあゆみ、142巻、第9号、619
〜622頁(1987年)〕 や、硫酸化多糖類(特
開昭63−45223、特開昭64−25724)等が
知られている。しかしながら、従来知られている抗レト
ロウィルス関係の薬物は、エイズの治療に対して有効か
つ安全であるかどうか未だ十分には検証かつ確認されて
いない。
ロウィルスの一種であるヒト免疫不全ウィルス(HIV
)の感染により生じる致死的ないし極めて悪性の疾患で
あり、その阻止と撲滅は現在、全世界のレベルで人類が
克服すべき最重要問題となっている。 従来、抗レト
ロウィルス作用を有する化合物としては、例えば、アジ
ドチミジン〔医学のあゆみ、142巻、第9号、619
〜622頁(1987年)〕 や、硫酸化多糖類(特
開昭63−45223、特開昭64−25724)等が
知られている。しかしながら、従来知られている抗レト
ロウィルス関係の薬物は、エイズの治療に対して有効か
つ安全であるかどうか未だ十分には検証かつ確認されて
いない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た抗レトロウィルス作用、特にHIVに対する優れた増
殖抑制作用を有する新規医薬化合物を提供しようとする
ものである。
た抗レトロウィルス作用、特にHIVに対する優れた増
殖抑制作用を有する新規医薬化合物を提供しようとする
ものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、シクロデキス
トリンを構成する6〜8個のD−グルコース単位のうち
、少なくとも1個が一般式(I)
トリンを構成する6〜8個のD−グルコース単位のうち
、少なくとも1個が一般式(I)
【0005】
【化3】
【0006】(但し、R1は1〜3個の置換もしくは非
置換フェニル基で置換されていてもよいアルキル基、置
換基を有していてもよいフェニル基または置換基を有し
ていてもよい含窒素複素環式基を表す。)で示される単
位であるシクロデキストリン誘導体のポリ硫酸エステル
(以下、ポリ硫酸エステル化合物という)又はその塩に
関する。
置換フェニル基で置換されていてもよいアルキル基、置
換基を有していてもよいフェニル基または置換基を有し
ていてもよい含窒素複素環式基を表す。)で示される単
位であるシクロデキストリン誘導体のポリ硫酸エステル
(以下、ポリ硫酸エステル化合物という)又はその塩に
関する。
【0007】本発明のポリ硫酸エステル化合物を模式的
に示せば次の通りである。
に示せば次の通りである。
【0008】
【化4】
【0009】(但し、nは6〜8の整数、mは1以上で
n以下の整数を表し、Rは全部または一部が−SO3H
であり、残りが水素原子であることを表し、R1は前記
と同一意味を表す。)上記一般式(II)は、6〜8個
の構成単位が任意の順序で1位と4位で環状に結合して
いることを表す。また一般式(II)において、nが6
である化合物はα−シクロデキストリンの誘導体であり
、nが7である化合物はβ−シクロデキストリンの誘導
体であり、nが8である化合物はγ−シクロデキストリ
ンの誘導体である。
n以下の整数を表し、Rは全部または一部が−SO3H
であり、残りが水素原子であることを表し、R1は前記
と同一意味を表す。)上記一般式(II)は、6〜8個
の構成単位が任意の順序で1位と4位で環状に結合して
いることを表す。また一般式(II)において、nが6
である化合物はα−シクロデキストリンの誘導体であり
、nが7である化合物はβ−シクロデキストリンの誘導
体であり、nが8である化合物はγ−シクロデキストリ
ンの誘導体である。
【0010】本発明のポリ硫酸エステル化合物の具体例
としては、上記一般式(II)において、R1が■メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
オクタデシル基の如き炭素数1〜20のアルキル基、■
ベンジル基、トリチル基、フェネチル基、クロロベンジ
ル基もしくはメトキシベンジル基の如き、1〜3個のフ
ェニル基、ハロゲノフェニル基もしくは低級アルコキシ
フェニル基で置換された低級アルキル基、■フェニル基
、クロロフェニル基、メチルフェニル基もしくはメトキ
シフェニル基の如き、ハロゲン原子、低級アルキル基も
しくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいフェニ
ル基、■ジヒドロキシピリミジニル基、プリニル基の如
き、1〜2個の水酸基で置換されていてもよいピリミジ
ニル基またはプリニル基である化合物があげられる。
としては、上記一般式(II)において、R1が■メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
オクタデシル基の如き炭素数1〜20のアルキル基、■
ベンジル基、トリチル基、フェネチル基、クロロベンジ
ル基もしくはメトキシベンジル基の如き、1〜3個のフ
ェニル基、ハロゲノフェニル基もしくは低級アルコキシ
フェニル基で置換された低級アルキル基、■フェニル基
、クロロフェニル基、メチルフェニル基もしくはメトキ
シフェニル基の如き、ハロゲン原子、低級アルキル基も
しくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいフェニ
ル基、■ジヒドロキシピリミジニル基、プリニル基の如
き、1〜2個の水酸基で置換されていてもよいピリミジ
ニル基またはプリニル基である化合物があげられる。
【0011】上記本発明のポリ硫酸エステル化合物(I
I)のうち、好ましい化合物としては、たとえば、R1
が、ベンジル基、クロロベンジル基、メトキシベンジル
基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基又はプリニ
ル基である化合物があげられる。また、本発明のポリ硫
酸エステル化合物(II)中に含まれる硫酸エステル基
の数は、8から23個であるものが好ましい。本発明に
おいて、低級アルキル基及び低級アルコキシ基としては
、炭素数1〜6のもの、とりわけ炭素数1〜4のものが
あげられる。
I)のうち、好ましい化合物としては、たとえば、R1
が、ベンジル基、クロロベンジル基、メトキシベンジル
基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基又はプリニ
ル基である化合物があげられる。また、本発明のポリ硫
酸エステル化合物(II)中に含まれる硫酸エステル基
の数は、8から23個であるものが好ましい。本発明に
おいて、低級アルキル基及び低級アルコキシ基としては
、炭素数1〜6のもの、とりわけ炭素数1〜4のものが
あげられる。
【0012】本発明のポリ硫酸エステル化合物(II)
は、シクロデキストリンを構成する6〜8個のD−グル
コース単位のうち、少なくとも1個が一般式(I)で示
される単位であるβ−シクロデキストリン誘導体とスル
ホン化剤とを反応させることにより製することができる
。上記反応を模式的に示せば次の通りである。
は、シクロデキストリンを構成する6〜8個のD−グル
コース単位のうち、少なくとも1個が一般式(I)で示
される単位であるβ−シクロデキストリン誘導体とスル
ホン化剤とを反応させることにより製することができる
。上記反応を模式的に示せば次の通りである。
【0013】
【化5】
【0014】(但し、記号は前記と同一意味を表す。)
化合物(III)とスルホン化剤との反応は適当な溶媒
中で実施することができる。スルホン化剤としては、例
えば三酸化イオウ−ピリジン・コンプレックス、三酸化
イオウ−トリアルキルアミン・コンプレックス、無水硫
酸、濃硫酸、クロロ硫酸などを使用することができる。 また、スルホン化剤の使用量は原料化合物(III)に
対して過剰量用いるのが好ましく、例えばスルホン化剤
として三酸化イオウ−ピリジン・コンプレックス又は三
酸化イオウ−トリアルキルアミン・コンプレックスを用
いる場合には、原料化合物(III)の水酸基に対して
1〜10当量、好ましくは2〜5当量程度使用する。
化合物(III)とスルホン化剤との反応は適当な溶媒
中で実施することができる。スルホン化剤としては、例
えば三酸化イオウ−ピリジン・コンプレックス、三酸化
イオウ−トリアルキルアミン・コンプレックス、無水硫
酸、濃硫酸、クロロ硫酸などを使用することができる。 また、スルホン化剤の使用量は原料化合物(III)に
対して過剰量用いるのが好ましく、例えばスルホン化剤
として三酸化イオウ−ピリジン・コンプレックス又は三
酸化イオウ−トリアルキルアミン・コンプレックスを用
いる場合には、原料化合物(III)の水酸基に対して
1〜10当量、好ましくは2〜5当量程度使用する。
【0015】反応溶媒としては、例えば第三級アミン(
例えば、ピリジン、ピコリン、ルチジン、N,N−ジメ
チルアニリン)、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキ
サメチレンホスホリルアミド、ジメチルスルホキシド、
クロロホルム、ベンゼン、トルエン、キシレン、水及び
これらの混液、液体亜硫酸等を好適に使用することがで
きる。本反応は冷却〜加熱下で行うことができ、好まし
くは加熱下で実施するのが適当である。反応終了後は、
常法により目的物を単離・精製することができる。 例えば、反応終了液から得られる粗製物を水酸化アルカ
リ金属で処理した後、架橋デキストランゲル等を充填し
たカラムに供することにより目的物をアルカリ金属塩と
して取得することができる。
例えば、ピリジン、ピコリン、ルチジン、N,N−ジメ
チルアニリン)、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキ
サメチレンホスホリルアミド、ジメチルスルホキシド、
クロロホルム、ベンゼン、トルエン、キシレン、水及び
これらの混液、液体亜硫酸等を好適に使用することがで
きる。本反応は冷却〜加熱下で行うことができ、好まし
くは加熱下で実施するのが適当である。反応終了後は、
常法により目的物を単離・精製することができる。 例えば、反応終了液から得られる粗製物を水酸化アルカ
リ金属で処理した後、架橋デキストランゲル等を充填し
たカラムに供することにより目的物をアルカリ金属塩と
して取得することができる。
【0016】本発明のポリ硫酸エステル化合物は、遊離
の形であっても、その薬理的に許容しうる塩の形であっ
てもいずれも好適に用いることができる。かかる塩とし
ては、例えばナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩の
如きアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、
バリウム塩の如きアルカリ土類金属塩、トリメチルアミ
ン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、グリシンエチ
ルエステル塩の如き有機アミン塩などがあげられる。本
発明のポリ硫酸エステル化合物又はその塩は経口的にも
非経口的(例えば、静脈内、筋肉内、皮下)にも投与す
ることができ、常法により例えば錠剤、顆粒剤、カプセ
ル剤、散剤、注射剤、座剤、膣剤、クリームのような適
宜の医薬製剤として用いることができる。本発明の有効
成分化合物の投与量は、患者の年令、体重、状態および
疾患の種類によっても異なるが、通常、1日当り約0.
1〜500mg/kgが適当であり、特に約1〜50m
g/kg程度とするのが好ましい。
の形であっても、その薬理的に許容しうる塩の形であっ
てもいずれも好適に用いることができる。かかる塩とし
ては、例えばナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩の
如きアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、
バリウム塩の如きアルカリ土類金属塩、トリメチルアミ
ン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、グリシンエチ
ルエステル塩の如き有機アミン塩などがあげられる。本
発明のポリ硫酸エステル化合物又はその塩は経口的にも
非経口的(例えば、静脈内、筋肉内、皮下)にも投与す
ることができ、常法により例えば錠剤、顆粒剤、カプセ
ル剤、散剤、注射剤、座剤、膣剤、クリームのような適
宜の医薬製剤として用いることができる。本発明の有効
成分化合物の投与量は、患者の年令、体重、状態および
疾患の種類によっても異なるが、通常、1日当り約0.
1〜500mg/kgが適当であり、特に約1〜50m
g/kg程度とするのが好ましい。
【0017】
【実施例】実施例1
ヘプタキス(6−ベンジルチオ−6−デオキシ)−β−
シクロデキストリン0.4gをピリジン25mlに加え
、次に、三酸化イオウ−ピリジンコンプレックス1.4
2gを加え、70℃で6時間撹拌する。放冷後、上澄液
を除去し、残渣を減圧乾固した後、5mlの水に溶解し
、10%水酸化ナトリウムでpH8としてから、セファ
デックスG−10(ファルマシア社製)を充填したカラ
ムで精製することにより、淡黄色粉末としてヘプタキス
(6−ベンジルチオ−6−デオキシ)−β−シクロデキ
ストリン・ポリ硫酸エステルのナトリウム塩0.22g
を得る。IRNujolνMaxcm−1:1240,
1160,1040,8301H−NMR(D2O)δ
:3.6(br,s),6.8〜7.4(br,s)元
素分析値から計算される分子中の硫酸エステル基の数:
12
シクロデキストリン0.4gをピリジン25mlに加え
、次に、三酸化イオウ−ピリジンコンプレックス1.4
2gを加え、70℃で6時間撹拌する。放冷後、上澄液
を除去し、残渣を減圧乾固した後、5mlの水に溶解し
、10%水酸化ナトリウムでpH8としてから、セファ
デックスG−10(ファルマシア社製)を充填したカラ
ムで精製することにより、淡黄色粉末としてヘプタキス
(6−ベンジルチオ−6−デオキシ)−β−シクロデキ
ストリン・ポリ硫酸エステルのナトリウム塩0.22g
を得る。IRNujolνMaxcm−1:1240,
1160,1040,8301H−NMR(D2O)δ
:3.6(br,s),6.8〜7.4(br,s)元
素分析値から計算される分子中の硫酸エステル基の数:
12
【0018】実施例2〜19
対応原料化合物を実施例1と同様に処理して、下記第1
表記載の化合物を得る。
表記載の化合物を得る。
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】
【表3】
【0022】
【表4】
【0023】実施例20〜23
参考例22で得たトリス(6−ベンジルチオ−6−デオ
キシ)−γ−シクロデキストリン又はオクタキス(6−
ベンジルチオ−6−デオキシ)−γ−シクロデキストリ
ンを、実施例1と同様に処理して、下記第2表記載の化
合物を得る。
キシ)−γ−シクロデキストリン又はオクタキス(6−
ベンジルチオ−6−デオキシ)−γ−シクロデキストリ
ンを、実施例1と同様に処理して、下記第2表記載の化
合物を得る。
【0024】
【表5】
【0025】実施例24
ヘキサキス(6−p−トリルチオ−6−デオキシ)−α
−シクロデキストリンを実施例1と同様に処理して、ヘ
キサキス(6−p−トリルチオ−6−デオキシ)−α−
シクロデキストリン・ポリ硫酸エステルのナトリウム塩
を得る。収率:126%(原料化合物に対する目的物の
重量%)IRNujolνMaxcm−1:1240,
1040,8301H−NMR(D2O)δ:2.0(
brs),6.5〜7.2(brm)元素分析値から計
算される分子中の硫酸エステル基の数:10
−シクロデキストリンを実施例1と同様に処理して、ヘ
キサキス(6−p−トリルチオ−6−デオキシ)−α−
シクロデキストリン・ポリ硫酸エステルのナトリウム塩
を得る。収率:126%(原料化合物に対する目的物の
重量%)IRNujolνMaxcm−1:1240,
1040,8301H−NMR(D2O)δ:2.0(
brs),6.5〜7.2(brm)元素分析値から計
算される分子中の硫酸エステル基の数:10
【0026
】参考例1 β−シクロデキストリン126gのピリジン2.5リッ
トル溶液に25℃でメシチレンスルホニルクロリド30
gを少量ずつ加える。2時間攪拌した後、更にメシチレ
ンスルホニルクロリド6gを加えて1時間攪拌する。反
応液に水を加えて一夜放置後、溶媒を留去し、残渣を水
1リットルに溶解してCHP−20樹脂(三菱化成社製
)を充填したカラムに付す。該カラムを水、10%メタ
ノール、20%メタノールで順次洗浄後、50%メタノ
ールを通液し、溶出液を集める。次いで、80%メタノ
ール を通液し、溶出液を集める。各溶出液を減圧下
に濃縮・乾固することにより、下記i)及びii)の化
合物を得る。 i)モノ(6−O−メシチレンスルホニル)−β−シク
ロデキストリン 収量:52.6g 白色粉末 IRNujol νMaxcm−1:1160,10
80,1030 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.29(s,3
H),2.54(s,6H),2.7〜4.6(m,4
8H),4.6〜4.9(m,7H),5.70(br
s,14H),7.10(s,2H) ii)ビス(6−O−メシチレンスルホニル)−β−シ
クロデキストリン 収量:13.0g 白色粉末 IRNujol νMaxcm−1:1610,13
55,1160,1030 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.29(s,6
H),2.52(s,12H),3.1〜4.6(m,
47H),4.74(brs,4H),4.84(br
s,3H),5.6〜5.9(m,14H),7.07
(s,2H),7.10(s,2H)
】参考例1 β−シクロデキストリン126gのピリジン2.5リッ
トル溶液に25℃でメシチレンスルホニルクロリド30
gを少量ずつ加える。2時間攪拌した後、更にメシチレ
ンスルホニルクロリド6gを加えて1時間攪拌する。反
応液に水を加えて一夜放置後、溶媒を留去し、残渣を水
1リットルに溶解してCHP−20樹脂(三菱化成社製
)を充填したカラムに付す。該カラムを水、10%メタ
ノール、20%メタノールで順次洗浄後、50%メタノ
ールを通液し、溶出液を集める。次いで、80%メタノ
ール を通液し、溶出液を集める。各溶出液を減圧下
に濃縮・乾固することにより、下記i)及びii)の化
合物を得る。 i)モノ(6−O−メシチレンスルホニル)−β−シク
ロデキストリン 収量:52.6g 白色粉末 IRNujol νMaxcm−1:1160,10
80,1030 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.29(s,3
H),2.54(s,6H),2.7〜4.6(m,4
8H),4.6〜4.9(m,7H),5.70(br
s,14H),7.10(s,2H) ii)ビス(6−O−メシチレンスルホニル)−β−シ
クロデキストリン 収量:13.0g 白色粉末 IRNujol νMaxcm−1:1610,13
55,1160,1030 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.29(s,6
H),2.52(s,12H),3.1〜4.6(m,
47H),4.74(brs,4H),4.84(br
s,3H),5.6〜5.9(m,14H),7.07
(s,2H),7.10(s,2H)
【0027】参考例2
β−シクロデキストリン56.8gのピリジン600m
l溶液に、60℃の湯浴上で攪拌下、メシチレンスルホ
ニルクロリド43.7gのピリジン100ml溶液を3
時間を要して滴下した後、更に2時間攪拌する。反応液
から溶媒を留去し、残渣をメタノール200mlに溶解
後、水300mlを加える。該溶液を氷水で冷却し、上
澄を捨て、残渣をアセトン処理して粉末化する。該粉末
をろ取して乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離、精製することにより、下記i)、ii)及
びiii)の化合物を得る。
l溶液に、60℃の湯浴上で攪拌下、メシチレンスルホ
ニルクロリド43.7gのピリジン100ml溶液を3
時間を要して滴下した後、更に2時間攪拌する。反応液
から溶媒を留去し、残渣をメタノール200mlに溶解
後、水300mlを加える。該溶液を氷水で冷却し、上
澄を捨て、残渣をアセトン処理して粉末化する。該粉末
をろ取して乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて分離、精製することにより、下記i)、ii)及
びiii)の化合物を得る。
【0028】i)トリス(6−O−メシチレンスルホニ
ル)−β−シクロデキストリン 収量:7.Og 白色粉末 IRKBr νMaxcm−1:3400,2850
,1610,1350,1190,1175,1155
,1080,1030 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.2〜2.4(
m,9H),2.4〜2.7(m,18H),3.0〜
5.0(br,53H),5.6〜6.0(m,14H
),7.0〜7.3(m,6H) ii)テトラキス(6−O−メシチレンスルホニル)−
β−シクロデキストリン収量:3.0g白色粉末 IRKBr νMaxcm−1:3400,2850
,1610,1355,1190,1170,1080
,1055 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.27(br,
s,12H),2.4〜2.7(m,24H),3.0
〜5.0(m,52H),5.6〜6.1(m,14H
),6.9〜7.2(m,8H) iii)ペンタキス(6−O−メシチレンスルホニル)
−β−シクロデキストリン 収量:1.30g 白色粉末 IRKBr νMaxcm−1:3400,2850
,1610,1355,1190,1175,1080
,1055 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.26(brs
,15H),2.3〜2.7(m,30H),3.0〜
5.0(m,51H),5.6〜6.1(m,14H)
,6.8〜7.2(m,10H)
ル)−β−シクロデキストリン 収量:7.Og 白色粉末 IRKBr νMaxcm−1:3400,2850
,1610,1350,1190,1175,1155
,1080,1030 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.2〜2.4(
m,9H),2.4〜2.7(m,18H),3.0〜
5.0(br,53H),5.6〜6.0(m,14H
),7.0〜7.3(m,6H) ii)テトラキス(6−O−メシチレンスルホニル)−
β−シクロデキストリン収量:3.0g白色粉末 IRKBr νMaxcm−1:3400,2850
,1610,1355,1190,1170,1080
,1055 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.27(br,
s,12H),2.4〜2.7(m,24H),3.0
〜5.0(m,52H),5.6〜6.1(m,14H
),6.9〜7.2(m,8H) iii)ペンタキス(6−O−メシチレンスルホニル)
−β−シクロデキストリン 収量:1.30g 白色粉末 IRKBr νMaxcm−1:3400,2850
,1610,1355,1190,1175,1080
,1055 1H−NMR(DMSO−d6)δ:2.26(brs
,15H),2.3〜2.7(m,30H),3.0〜
5.0(m,51H),5.6〜6.1(m,14H)
,6.8〜7.2(m,10H)
【0029】参考例3
ベンジルメルカプタン0.69gのジメチルホルムアミ
ド20ml溶液に、水素化ナトリウム0.22g(62
%含有)を氷水冷却下、撹拌しながら加える。該混合物
に室温でヘプタキス(6−ヨード−6−デオキシ)−β
−シクロデキトリン1gを加え、アルゴンガス気流下、
室温で一夜反応させる。反応液を200mlの水に注ぎ
、生成する沈澱をろ取して洗浄、乾燥することにより、
ヘプタキス(6−ベンジルチオ−6−デオキシ)−β−
シクロデキストリンの黄色粉末0.95gを得る。 1H−NMR(DMSO−d6)δ:4.9(brs)
,5.82(brs),7.17(brs)
ド20ml溶液に、水素化ナトリウム0.22g(62
%含有)を氷水冷却下、撹拌しながら加える。該混合物
に室温でヘプタキス(6−ヨード−6−デオキシ)−β
−シクロデキトリン1gを加え、アルゴンガス気流下、
室温で一夜反応させる。反応液を200mlの水に注ぎ
、生成する沈澱をろ取して洗浄、乾燥することにより、
ヘプタキス(6−ベンジルチオ−6−デオキシ)−β−
シクロデキストリンの黄色粉末0.95gを得る。 1H−NMR(DMSO−d6)δ:4.9(brs)
,5.82(brs),7.17(brs)
【0030
】参考例4 水素化ナトリウム1.2g(62%含有)のジメチルホ
ルムアミド130ml懸濁液にベンジルメルカプタン3
.5mlを滴下し、30分後、該混合物にモノ(6−O
−メシチレンスルホニル)−β−シクロデキストリン1
3.2gを加え、80℃で8時間攪拌する。反応液を冷
却後、アセトン600ml中に注ぎ、析出物をろ取して
乾燥することにより、モノ(6−ベンジルチオ−6−デ
オキシ)−β−シクロデキストリンの無色粉末9.84
gを得る。1H−NMR(DMSO−d6)δ:4.8
3(brs),5.73(brs),7.2〜7.4(
m)
】参考例4 水素化ナトリウム1.2g(62%含有)のジメチルホ
ルムアミド130ml懸濁液にベンジルメルカプタン3
.5mlを滴下し、30分後、該混合物にモノ(6−O
−メシチレンスルホニル)−β−シクロデキストリン1
3.2gを加え、80℃で8時間攪拌する。反応液を冷
却後、アセトン600ml中に注ぎ、析出物をろ取して
乾燥することにより、モノ(6−ベンジルチオ−6−デ
オキシ)−β−シクロデキストリンの無色粉末9.84
gを得る。1H−NMR(DMSO−d6)δ:4.8
3(brs),5.73(brs),7.2〜7.4(
m)
【0031】参考例5〜21
対応原料化合物を、参考例4と同様に処理して、下記第
3表記載の化合物を得る。
3表記載の化合物を得る。
【0032】
【表6】
【0033】
【表7】
【0034】
【表8】
【0035】
【表9】
【0036】参考例22
(1)γ−シクロデキストリン39.1gをピリジン6
00ml溶液に懸濁し、室温で撹拌しながらメシチレン
スルホニルクロリド26gを加える。室温で1晩撹拌し
た後、反応液に水を加え、溶媒を留去する。残渣を水及
びエタノールで洗浄し、粉末としてろ取した後、メタノ
ールに溶解してCHP−20樹脂(三菱化成社製)を充
填したカラムに付す。該カラムを50%メタノール、6
5%メタノールで順次洗浄後、80%メタノールを通液
し、トリス(6−O−メシチレンスルホニル)−γ−シ
クロデキストリンを溶出する。次いで、メタノールを通
液し、テトラキス(6−O−メシチレンスルホニル)−
γ−シクロデキストリンを溶出する。
00ml溶液に懸濁し、室温で撹拌しながらメシチレン
スルホニルクロリド26gを加える。室温で1晩撹拌し
た後、反応液に水を加え、溶媒を留去する。残渣を水及
びエタノールで洗浄し、粉末としてろ取した後、メタノ
ールに溶解してCHP−20樹脂(三菱化成社製)を充
填したカラムに付す。該カラムを50%メタノール、6
5%メタノールで順次洗浄後、80%メタノールを通液
し、トリス(6−O−メシチレンスルホニル)−γ−シ
クロデキストリンを溶出する。次いで、メタノールを通
液し、テトラキス(6−O−メシチレンスルホニル)−
γ−シクロデキストリンを溶出する。
【0037】(2)80%メタノール溶出液〔トリス(
6−O−メシチレンスルホニル)−γ−シクロデキスト
リン含有〕を減圧下に濃縮・乾固させ、さらにメタノー
ルに溶解させた後CHP−20樹脂を充填したカラムに
付す。該カラムを70%メタノールで洗浄後、80%メ
タノールを通液し、3つのフラクション(フラクション
A,B,C)を得る。各フラクションのHPLC分析結
果(保持時間)は次の通りである。 フラクションA:7.4,9.0,9.5,11.5(
分) フラクションB:11.6(分) フラクションC:7.4(分) それぞれのフラクションを減圧下に濃縮・乾固すること
により、以下に示すトリス(6−O−メシチレンスルホ
ニル)−γ−シクロデキストリンの置換位置の異性体を
無色粉末として得る。
6−O−メシチレンスルホニル)−γ−シクロデキスト
リン含有〕を減圧下に濃縮・乾固させ、さらにメタノー
ルに溶解させた後CHP−20樹脂を充填したカラムに
付す。該カラムを70%メタノールで洗浄後、80%メ
タノールを通液し、3つのフラクション(フラクション
A,B,C)を得る。各フラクションのHPLC分析結
果(保持時間)は次の通りである。 フラクションA:7.4,9.0,9.5,11.5(
分) フラクションB:11.6(分) フラクションC:7.4(分) それぞれのフラクションを減圧下に濃縮・乾固すること
により、以下に示すトリス(6−O−メシチレンスルホ
ニル)−γ−シクロデキストリンの置換位置の異性体を
無色粉末として得る。
【0038】i) トリス(6−O−メシチレンスル
ホニル)−γ−シクロデキストリン〔フラクションAよ
り調製〕 収量:5.0g m.p.188℃(分解) ii) トリス(6−O−メシチレンスルホニル)−
γ−シクロデキストリン〔フラクションBより調製〕収
量:1.12g m.P.192℃(分解) iii) トリス(6−O−メシチレンスルホニル)
−γ−シクロデキストリン〔フラクションCより調製〕
収量:1.20g m.P.190℃(分解) 一方、メタノール溶出液〔テトラキス(6−O−メシチ
レンスルホニル)−γ−シクロデキストリン含有〕は、
減圧下に濃縮・乾固させ、得られた残渣20gをピリジ
ン100mlに溶解し、メシチレンスルホニルクロリド
7.2gを加える。室温で2日間撹拌した後、乾固し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製すること
により、オクタキス(6−O−メシチレンスルホニル)
−γ−シクロデキストリンを無色粉末として得る。 収量:0.93g m.p.230℃(分解)
ホニル)−γ−シクロデキストリン〔フラクションAよ
り調製〕 収量:5.0g m.p.188℃(分解) ii) トリス(6−O−メシチレンスルホニル)−
γ−シクロデキストリン〔フラクションBより調製〕収
量:1.12g m.P.192℃(分解) iii) トリス(6−O−メシチレンスルホニル)
−γ−シクロデキストリン〔フラクションCより調製〕
収量:1.20g m.P.190℃(分解) 一方、メタノール溶出液〔テトラキス(6−O−メシチ
レンスルホニル)−γ−シクロデキストリン含有〕は、
減圧下に濃縮・乾固させ、得られた残渣20gをピリジ
ン100mlに溶解し、メシチレンスルホニルクロリド
7.2gを加える。室温で2日間撹拌した後、乾固し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製すること
により、オクタキス(6−O−メシチレンスルホニル)
−γ−シクロデキストリンを無色粉末として得る。 収量:0.93g m.p.230℃(分解)
【0039】(3−a) ベンジルメルカプタン0.
49ml、N,N−ジメチルホルムアミド10ml及び
水素化ナトリウム0.17g(60%含有)の混合物に
、(2)のフラクションAから調製したトリス(6−O
−メシチレンスルホニル)−γ−シクロデキストリン1
.0gを加え、80℃で2時間撹拌する。冷却後、水1
00mlを加え、析出物をろ取し、メタノールに溶解後
、活性炭で脱色する。濃縮後、アセトンを加え、析出物
をろ取し、N,N−ジメチルホルムアミドに溶解後、セ
ファデックスG−25(ファルマシア社製)を充填した
カラムにて精製する。溶出液を乾固し、アセトンで洗浄
後、乾燥して、トリス(6−ベンジルチオ−6−デオキ
シ)−γ−シクロデキストリン0・28gを無色粉末と
して得る。m.P.233℃(分解)(3−b〜d)
(2)のフラクションB及びCから調製したトリス(
6−O−メシチレンスルホニル)−γ−シクロデキスト
リン及びオクタキス(6−O−メシチレンスルホニル)
−γ−シクロデキストリンを、(3−a)と同様に処理
して下記第4表記載の化合物を得る。
49ml、N,N−ジメチルホルムアミド10ml及び
水素化ナトリウム0.17g(60%含有)の混合物に
、(2)のフラクションAから調製したトリス(6−O
−メシチレンスルホニル)−γ−シクロデキストリン1
.0gを加え、80℃で2時間撹拌する。冷却後、水1
00mlを加え、析出物をろ取し、メタノールに溶解後
、活性炭で脱色する。濃縮後、アセトンを加え、析出物
をろ取し、N,N−ジメチルホルムアミドに溶解後、セ
ファデックスG−25(ファルマシア社製)を充填した
カラムにて精製する。溶出液を乾固し、アセトンで洗浄
後、乾燥して、トリス(6−ベンジルチオ−6−デオキ
シ)−γ−シクロデキストリン0・28gを無色粉末と
して得る。m.P.233℃(分解)(3−b〜d)
(2)のフラクションB及びCから調製したトリス(
6−O−メシチレンスルホニル)−γ−シクロデキスト
リン及びオクタキス(6−O−メシチレンスルホニル)
−γ−シクロデキストリンを、(3−a)と同様に処理
して下記第4表記載の化合物を得る。
【0040】
【表10】
【0041】参考例23
P−トルエンチオール0.83g、N,N−ジメチルホ
ルムアミド30ml及び水素化ナトリウム0.25g(
62・7%含有)の混合物に、ヘキサキス(6−ブロモ
−6−デオキシ)−α−シクロデキストリン1.0gを
加え、アルゴンガス気流下、室温で20時間撹拌する。 反応液を200mlの水に注ぎ、生成する沈殿をろ取し
て洗浄、乾燥することにより、ヘキサキス(6−p−ト
リルチオ−6−デオキシ)−α−シクロデキストリン1
.0gを白色粉末として得る。m.p.232−235
℃(分解)
ルムアミド30ml及び水素化ナトリウム0.25g(
62・7%含有)の混合物に、ヘキサキス(6−ブロモ
−6−デオキシ)−α−シクロデキストリン1.0gを
加え、アルゴンガス気流下、室温で20時間撹拌する。 反応液を200mlの水に注ぎ、生成する沈殿をろ取し
て洗浄、乾燥することにより、ヘキサキス(6−p−ト
リルチオ−6−デオキシ)−α−シクロデキストリン1
.0gを白色粉末として得る。m.p.232−235
℃(分解)
【0042】
【作用】実験例
HIV増殖抑制作用
(原理)
ヒトT細胞白血病ウィルスI型〔human T−c
ellLeukemiavirus,HTLV−I〕持
続感染細胞株であるMT−4細胞にHIVを感染させる
とHIVが急速に増殖し、5〜6日でMT−4細胞は細
胞傷害の為に死滅することが知られている。従って、H
IV感染させたMT−4細胞の生細胞数を指標として検
体のHIV増殖抑制作用を調べることができる。 (方法) MT−4細胞にHIV(TALL−1/LAV−1の培
養上清)を0.001TCID50(median
tissue culture infectio
us dose,50%組織培養感染量)/cell
となるように37℃で1時間感染させた後洗浄し、種々
の濃度の検体を含むRPMI−1640培地〔FCS(
fetal calf serum:牛胎児血清)
を10%含む〕に1×105cell/ml濃度で浮遊
させた。この細胞浮遊液を平底カルチャープレートに2
00μl/well量を入れ、37℃、5%二酸化炭素
存在下で5日間培養した。培養後、細胞浮遊液の生細胞
数をトリパンブルー染色法によりカウントした。検体の
HIV増殖抑制作用は、MT−4細胞におけるHIVの
感染性及び細胞変性効果を100%阻止する検体の濃度
として求めた。 (結果) 結果は下記第5表の通りである。
ellLeukemiavirus,HTLV−I〕持
続感染細胞株であるMT−4細胞にHIVを感染させる
とHIVが急速に増殖し、5〜6日でMT−4細胞は細
胞傷害の為に死滅することが知られている。従って、H
IV感染させたMT−4細胞の生細胞数を指標として検
体のHIV増殖抑制作用を調べることができる。 (方法) MT−4細胞にHIV(TALL−1/LAV−1の培
養上清)を0.001TCID50(median
tissue culture infectio
us dose,50%組織培養感染量)/cell
となるように37℃で1時間感染させた後洗浄し、種々
の濃度の検体を含むRPMI−1640培地〔FCS(
fetal calf serum:牛胎児血清)
を10%含む〕に1×105cell/ml濃度で浮遊
させた。この細胞浮遊液を平底カルチャープレートに2
00μl/well量を入れ、37℃、5%二酸化炭素
存在下で5日間培養した。培養後、細胞浮遊液の生細胞
数をトリパンブルー染色法によりカウントした。検体の
HIV増殖抑制作用は、MT−4細胞におけるHIVの
感染性及び細胞変性効果を100%阻止する検体の濃度
として求めた。 (結果) 結果は下記第5表の通りである。
【0043】
【表11】
【0044】
【発明の効果】本発明の硫酸エステル化合物は、前述の
通り優れた抗レトロウィルス作用、特にHIVに対する
優れた増殖抑制作用を有すると共に、低毒性であり医薬
として高い安全性を示すという特徴もある。
通り優れた抗レトロウィルス作用、特にHIVに対する
優れた増殖抑制作用を有すると共に、低毒性であり医薬
として高い安全性を示すという特徴もある。
Claims (9)
- 【請求項1】 シクロデキストリンを構成する6〜8
個のD−グルコース単位のうち、少なくとも1個が一般
式【化1】 (但し、R1は1〜3個の置換もしくは非置換フェニル
基で置換されていてもよいアルキル基、置換基を有して
いてもよいフェニル基または置換基を有していてもよい
含窒素複素環式基を表す。)で示される単位であるシク
ロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ硫酸エステル
またはその塩。 - 【請求項2】 R1が、■炭素数1〜20のアルキル
基、■1〜3個のフェニル基、ハロゲノフェニル基もし
くは低級アルコキシフェニル基で置換された低級アルキ
ル基、■ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基で置換されていてもよいフェニル基、■1〜2個の
水酸基で置換されていてもよいピリミジニル基またはプ
リニル基である請求項1記載の化合物。 - 【請求項3】 R1が、ベンジル基、クロロベンジル
基、メトキシベンジル基、メチルフェニル基、メトキシ
フェニル基又はプリニル基である請求項1記載の化合物
。 - 【請求項4】 シクロデキストリンが、α−シクロデ
キストリンである請求項1〜3記載の化合物。 - 【請求項5】 シクロデキストリンが、β−シクロデ
キストリンである請求項1〜3記載の化合物。 - 【請求項6】 シクロデキストリンが、γ−シクロデ
キストリンである請求項1〜3記載の化合物。 - 【請求項7】 8〜23個の硫酸エステル基を有する
請求項1〜3記載の化合物。 - 【請求項8】 シクロデキストリンを構成する6〜8
個のD−グルコース単位のうち、すくなくとも1個が一
般式 【化2】 (但し、R1は1〜3個の置換もしくは非置換フェニル
基で置換されていてもよいアルキル基、置換基を有して
いてもよいフェニル基または置換基を有していてもよい
含窒素複素環式基を表す。)で示される単位であるシク
ロデキストリン・スルフィド誘導体をスルホン化剤と反
応させ、所望により生成物をその塩とすることを特徴と
する前記シクロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ
硫酸エステル又はその塩の製法。 - 【請求項9】 スルホン化剤が、三酸化イオウ・コン
プレックス、無水硫酸、濃硫酸又はクロロ硫酸である請
求項8記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12878191A JPH04227601A (ja) | 1990-03-15 | 1991-03-13 | シクロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ硫酸エステル及びその製法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6592590 | 1990-03-15 | ||
| JP2-65925 | 1990-03-15 | ||
| JP12878191A JPH04227601A (ja) | 1990-03-15 | 1991-03-13 | シクロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ硫酸エステル及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04227601A true JPH04227601A (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=26407093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12878191A Pending JPH04227601A (ja) | 1990-03-15 | 1991-03-13 | シクロデキストリン・スルフィド誘導体のポリ硫酸エステル及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04227601A (ja) |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP12878191A patent/JPH04227601A/ja active Pending
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