JPH0422849A - 傷検査方法 - Google Patents
傷検査方法Info
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- JPH0422849A JPH0422849A JP12539690A JP12539690A JPH0422849A JP H0422849 A JPH0422849 A JP H0422849A JP 12539690 A JP12539690 A JP 12539690A JP 12539690 A JP12539690 A JP 12539690A JP H0422849 A JPH0422849 A JP H0422849A
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Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 28
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば、メツキされた金属板のような検査
対象物についてそのメツキ面の微小な傷も高精度で検査
するのに好適な傷検査方法に関する。
対象物についてそのメツキ面の微小な傷も高精度で検査
するのに好適な傷検査方法に関する。
検査対象物の表面の傷を検査する方法としては従来より
各種のものが知られているが、その中に光線を検査対象
物に照射し、この光線の反射状態にて傷の有無を検査す
る方法がある。
各種のものが知られているが、その中に光線を検査対象
物に照射し、この光線の反射状態にて傷の有無を検査す
る方法がある。
しかし、この光線を用いる方法の場合には、検査対象物
の表面の状態により検査精度が左右され勝ちであるとい
う不具合がある。つまり、光線を用いての検査は傷の部
分で生じる乱反射を利用して傷を検出するものであるが
、検査対象物自体が乱反射し易い状態であると、微小な
傷については、検査対象物固有の乱反射と傷による乱反
射との区別がつかなくなり、その検出が不可能になって
しまうということである。
の表面の状態により検査精度が左右され勝ちであるとい
う不具合がある。つまり、光線を用いての検査は傷の部
分で生じる乱反射を利用して傷を検出するものであるが
、検査対象物自体が乱反射し易い状態であると、微小な
傷については、検査対象物固有の乱反射と傷による乱反
射との区別がつかなくなり、その検出が不可能になって
しまうということである。
したがって、この発明では、乱反射性の検査対象物でも
高精度で検査できる傷検査方法の提供を目的とする。
高精度で検査できる傷検査方法の提供を目的とする。
このような目的は、光線としてレーザ光を用い、且つ検
査対象物で反射されたレーザ光を円周状に配列した複数
の受光素子で検出し、そしてこの複数の受光素子中から
適宜に選択された複数の受光素子間でそれぞれの受光量
を比較し、この比較にて得られる値と予め設定されてい
る基準値との比較により検査対象物の傷の有無を検出す
るようにした傷検査方法にて達成される。
査対象物で反射されたレーザ光を円周状に配列した複数
の受光素子で検出し、そしてこの複数の受光素子中から
適宜に選択された複数の受光素子間でそれぞれの受光量
を比較し、この比較にて得られる値と予め設定されてい
る基準値との比較により検査対象物の傷の有無を検出す
るようにした傷検査方法にて達成される。
この検査方法及び装置は、複数の受光素子を円周状に配
列し、この受光素子間でそれぞれの受光量を比較した結
果にて傷の有無を検出するようにしている。このことは
、傷による乱反射を受ける受光素子と検査対象物固有の
乱反射のみを受ける受光素子との相対関係を用いて傷の
有無を検出するということであるから、検査対象物固有
の乱反射の影響を受けずに済む。したがって、乱反射性
の検査対象物でも高精度で検査できる。
列し、この受光素子間でそれぞれの受光量を比較した結
果にて傷の有無を検出するようにしている。このことは
、傷による乱反射を受ける受光素子と検査対象物固有の
乱反射のみを受ける受光素子との相対関係を用いて傷の
有無を検出するということであるから、検査対象物固有
の乱反射の影響を受けずに済む。したがって、乱反射性
の検査対象物でも高精度で検査できる。
以下、この発明の詳細な説明する。
この傷検査方法は、第１図に示す傷検査装置１を用いる
ものである。
ものである。
傷検査装置ｌは、レーザ光照射手段２、受光体３、補助
受光体４及び図示せぬ処理手段を備えてなるもので、受
光体３は、複数の受光素子５（５ｘＨ５ａ〜５ｈ）を円
周状、より具体的には頂部切断円錐形、つまり中央に照
射孔６を有する円錐状配列とすることにより形成されて
いる。
受光体４及び図示せぬ処理手段を備えてなるもので、受
光体３は、複数の受光素子５（５ｘＨ５ａ〜５ｈ）を円
周状、より具体的には頂部切断円錐形、つまり中央に照
射孔６を有する円錐状配列とすることにより形成されて
いる。
つまり、照射孔６から照射されたレーザ光りは、検査対
象物Ｍの検査対象面Ｍｆが正常であれば照射孔６から逃
げるように反射し、もし検査対象面Ｍｆに傷Ｃがあれば
この傷Ｃにより乱反射して何れかの受光素子５にその反
射レーザ光Ｒが入射するようになっている。
象物Ｍの検査対象面Ｍｆが正常であれば照射孔６から逃
げるように反射し、もし検査対象面Ｍｆに傷Ｃがあれば
この傷Ｃにより乱反射して何れかの受光素子５にその反
射レーザ光Ｒが入射するようになっている。
受光素子５は、乱反射したレーザ光りの受光量の程度に
応じた電圧を出力するようになっており、検査対象物Ｍ
の傷Ｃの有無は、適宜に選択された受光素子５Ｘ、５Ｘ
間でそれぞれの出力電圧を比較し、この比較にて得られ
る値と予め設定されている基準値との比較により判断さ
れる。
応じた電圧を出力するようになっており、検査対象物Ｍ
の傷Ｃの有無は、適宜に選択された受光素子５Ｘ、５Ｘ
間でそれぞれの出力電圧を比較し、この比較にて得られ
る値と予め設定されている基準値との比較により判断さ
れる。
比較する受光素子５Ｘ、５Ｘは、例えば受光素子５ ａ
％ ５ ｅ （第３図）のように向がい合っている
もの同士を選択するのが好ましいが、必ずしもこのよう
な組合せに限られない。また、一対の受光素子５Ｘ、５
Ｘの比較に限られず、例えば、（５ａ＋５ｅ）−（５ｇ
＋５ｃ）というような比較も可能である。
％ ５ ｅ （第３図）のように向がい合っている
もの同士を選択するのが好ましいが、必ずしもこのよう
な組合せに限られない。また、一対の受光素子５Ｘ、５
Ｘの比較に限られず、例えば、（５ａ＋５ｅ）−（５ｇ
＋５ｃ）というような比較も可能である。
このように、複数の受光素子５を用い、受光素子５ｘ、
５Ｘ間の比較にて傷Ｃの有無を判断するようにしたのは
、検査対象物Ｍ自体が乱反射性のものである場合に、こ
の検査対象物固有の乱反射の影響を排除し、より高精度
での検査を行えるようにするためである。つまり、検査
対象物Ｍ目体が乱反射性であると、傷Ｃの有無に関係な
く、乱反射の状態に応じて常に一定の光量が各受光素子
５Ｘに入射するようになり、傷Ｃが一定のサイズより小
さなものである場合には、検査対象物Ｍ自体の乱反射と
の区別がつき難く、これを検出し得なくなるが、前記の
ような相対関係によればこのような事態を避けることが
でき、より高精度での検査が行えるようになる。
５Ｘ間の比較にて傷Ｃの有無を判断するようにしたのは
、検査対象物Ｍ自体が乱反射性のものである場合に、こ
の検査対象物固有の乱反射の影響を排除し、より高精度
での検査を行えるようにするためである。つまり、検査
対象物Ｍ目体が乱反射性であると、傷Ｃの有無に関係な
く、乱反射の状態に応じて常に一定の光量が各受光素子
５Ｘに入射するようになり、傷Ｃが一定のサイズより小
さなものである場合には、検査対象物Ｍ自体の乱反射と
の区別がつき難く、これを検出し得なくなるが、前記の
ような相対関係によればこのような事態を避けることが
でき、より高精度での検査が行えるようになる。
補助受光体４は、検査対象面Ｍｆの反対側に設けられる
もので、検査対象物Ｍが例えばＩ ＣＩＪ −ドフレー
ムであり、アイランドＩや多数のリードピンＰ、Ｐ、
−〜−等を有し、アイランドＩとり一ドピンＰとの間や
各リードピンＰ同士の間が切断部Ｓとなっているもので
ある場合に、この切断部Ｓの端面Ｓｅを傷Ｃと混同する
のを防止するためのものである。つまり、補助受光体４
か受光する状態はレーザ光りが端面Ｓｅに掛かっている
状態であるから、この場合には、受光素子５ｘ、５ｘの
比較結果の如何に関わらず傷無しとするものである。
もので、検査対象物Ｍが例えばＩ ＣＩＪ −ドフレー
ムであり、アイランドＩや多数のリードピンＰ、Ｐ、
−〜−等を有し、アイランドＩとり一ドピンＰとの間や
各リードピンＰ同士の間が切断部Ｓとなっているもので
ある場合に、この切断部Ｓの端面Ｓｅを傷Ｃと混同する
のを防止するためのものである。つまり、補助受光体４
か受光する状態はレーザ光りが端面Ｓｅに掛かっている
状態であるから、この場合には、受光素子５ｘ、５ｘの
比較結果の如何に関わらず傷無しとするものである。
補助受光体４の受光により切断部Ｓの端面Ｓｅであるか
否かの判断を行うについては、レーザ光りがガウシアン
分布、つまり光量が中央部で強く周辺に行くにしたがっ
て弱くなるという分布を示す点を利用することにより十
分正確に行えるが、必要に応じて傷検査用のレーザ光り
とは異なる偏向特性を持った別の補助レーザ光を端面Ｓ
ｅ検出用として傷検査用のレーザ光りの周囲に照射する
ようにしてもよい。
否かの判断を行うについては、レーザ光りがガウシアン
分布、つまり光量が中央部で強く周辺に行くにしたがっ
て弱くなるという分布を示す点を利用することにより十
分正確に行えるが、必要に応じて傷検査用のレーザ光り
とは異なる偏向特性を持った別の補助レーザ光を端面Ｓ
ｅ検出用として傷検査用のレーザ光りの周囲に照射する
ようにしてもよい。
受光素子５の円周状配列の形式としては、前述の頂部切
断円錐形の他に、第４図に示すような円筒形、あるいは
第５図に示すようなドーナツ形等を採用することができ
る。
断円錐形の他に、第４図に示すような円筒形、あるいは
第５図に示すようなドーナツ形等を採用することができ
る。
第６図に示す傷検査装置ＩＯは、位置検出素子１１を組
み合わせ、この位置検出素子１１にてリードピンＰ等の
曲がりも同時に検出できるようにしたものである。
み合わせ、この位置検出素子１１にてリードピンＰ等の
曲がりも同時に検出できるようにしたものである。
具体的には、レーザ光りの照射路にハーフミラ−１２を
設け、このハーフミラ−１２にて反射レーザ光Ｒを位置
検出素子１１に入射させるようにしている。すなわち、
位置検出素子１１は光がその受光面１１ｒのどの位置に
入射するかを判断できるようになっているものであるか
ら、もしり−ドピンＰ等に曲がりがあり、正常の場合と
は異なった位置に反射レーザ光Ｒが入射すれば、これに
よりリードピンＰ等の曲がりの存在を判断できることに
なる。
設け、このハーフミラ−１２にて反射レーザ光Ｒを位置
検出素子１１に入射させるようにしている。すなわち、
位置検出素子１１は光がその受光面１１ｒのどの位置に
入射するかを判断できるようになっているものであるか
ら、もしり−ドピンＰ等に曲がりがあり、正常の場合と
は異なった位置に反射レーザ光Ｒが入射すれば、これに
よりリードピンＰ等の曲がりの存在を判断できることに
なる。
この発明による傷検査方法及び装置は、以上説明してき
た如きものであり、乱反射性の検査対象物についても高
精度での検査を行えるという効果がある。
た如きものであり、乱反射性の検査対象物についても高
精度での検査を行えるという効果がある。
第１図は、この発明による傷検査装置の概略斜視図、
第２図は、レーザ光の検査対象物による反射と受光素子
への入射の状態を示す概略側面図、第３図は、受光素子
の配列状態を示す概略平面図、 第４図及び第５図は、各々、受光体の他の例を示す概略
斜視図、そして 第６図は、この発明の他の実施例による傷検査装置に関
する第２図相当の概略側面図である。 １−−−−一傷検査装置 ２・・−・−レーザ光照射手段 ５・−・・・・−受光素子 Ｌ・・・・・・・・レーザ光 Ｍ−・・＝検査対象物
への入射の状態を示す概略側面図、第３図は、受光素子
の配列状態を示す概略平面図、 第４図及び第５図は、各々、受光体の他の例を示す概略
斜視図、そして 第６図は、この発明の他の実施例による傷検査装置に関
する第２図相当の概略側面図である。 １−−−−一傷検査装置 ２・・−・−レーザ光照射手段 ５・−・・・・−受光素子 Ｌ・・・・・・・・レーザ光 Ｍ−・・＝検査対象物
Claims (1)
- 検査対象物に光線を照射し、この光線の反射状態にて傷
の有無を検査する傷検査方法に於いて、光線としてレー
ザ光を用い、且つ検査対象物で反射されたレーザ光を円
周状に配列された複数の受光素子で検出し、そしてこの
複数の受光素子中から適宜に選択された複数の受光素子
間でそれぞれの受光量を比較し、この比較にて得られる
値と予め設定されている基準値との比較により検査対象
物の傷の有無を検出するようにしたことを特徴とする傷
検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12539690A JPH0422849A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 傷検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12539690A JPH0422849A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 傷検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0422849A true JPH0422849A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14909104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12539690A Pending JPH0422849A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 傷検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0422849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011093402A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219111A (en) * | 1975-08-05 | 1977-02-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Heat treated high tensile steel plate cont. b |
| JPS5621711B2 (ja) * | 1978-08-17 | 1981-05-21 |
-
1990
- 1990-05-17 JP JP12539690A patent/JPH0422849A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219111A (en) * | 1975-08-05 | 1977-02-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Heat treated high tensile steel plate cont. b |
| JPS5621711B2 (ja) * | 1978-08-17 | 1981-05-21 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011093402A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析装置 |
| CN102741680A (zh) * | 2010-01-29 | 2012-10-17 | 株式会社日立高新技术 | 分析装置 |
| JP5730218B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-06-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析装置 |
| CN102741680B (zh) * | 2010-01-29 | 2015-09-23 | 株式会社日立高新技术 | 分析装置 |
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