JPH04228568A - 非晶質薄膜の製造方法 - Google Patents
非晶質薄膜の製造方法Info
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- JPH04228568A JPH04228568A JP3136315A JP13631591A JPH04228568A JP H04228568 A JPH04228568 A JP H04228568A JP 3136315 A JP3136315 A JP 3136315A JP 13631591 A JP13631591 A JP 13631591A JP H04228568 A JPH04228568 A JP H04228568A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ蒸着法により作
製した高い熱安定性を示すＺｒ，Ｔｉ，Ｈｆ等の金属元
素を基とした本質的に遷移金属と半金属元素からなる合
金組成で磁歪が小さい非晶質薄膜に関するものである。 さらに詳しくは回転磁場中でスパッタ蒸着することやス
パッタ蒸着膜を該薄膜のキュリー温度以上結晶化温度以
下で熱処理、あるいは回転磁場中で熱処理することによ
り低保磁力・高初期透磁率非晶質薄膜を提供するもので
ある。
製した高い熱安定性を示すＺｒ，Ｔｉ，Ｈｆ等の金属元
素を基とした本質的に遷移金属と半金属元素からなる合
金組成で磁歪が小さい非晶質薄膜に関するものである。 さらに詳しくは回転磁場中でスパッタ蒸着することやス
パッタ蒸着膜を該薄膜のキュリー温度以上結晶化温度以
下で熱処理、あるいは回転磁場中で熱処理することによ
り低保磁力・高初期透磁率非晶質薄膜を提供するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ある種の金属あるいは合金をスパッタ蒸
着することにより、原子構造で長範囲規則度のない非晶
質構造を得ることができる。この方法により得られた従
来の非晶質薄膜は、主にＢ，Ｃ，Ｓｉ等の半金属元素を
基とする金属−半金属系合金か、バブル磁性材料や光磁
気磁性材料に有用な希土類元素を基とする合金系よりな
っている。しかし、これらの非晶質合金系は機械的、磁
気的、電気的特性の劣化をもたらす熱安定性で未だ実用
上十分とはいえない。さらにＢ，Ｃ，Ｓｉ等の半金属元
素を基とする金属−半金属系合金はスパッタ蒸着時に導
入される磁気異方性のため高い保磁力と低い透磁率を示
し実用上問題がある。
着することにより、原子構造で長範囲規則度のない非晶
質構造を得ることができる。この方法により得られた従
来の非晶質薄膜は、主にＢ，Ｃ，Ｓｉ等の半金属元素を
基とする金属−半金属系合金か、バブル磁性材料や光磁
気磁性材料に有用な希土類元素を基とする合金系よりな
っている。しかし、これらの非晶質合金系は機械的、磁
気的、電気的特性の劣化をもたらす熱安定性で未だ実用
上十分とはいえない。さらにＢ，Ｃ，Ｓｉ等の半金属元
素を基とする金属−半金属系合金はスパッタ蒸着時に導
入される磁気異方性のため高い保磁力と低い透磁率を示
し実用上問題がある。
【０００３】
【発明の概要】本発明は、上述の問題点を解消するため
、ガラス化元素として従来の非晶質合金系の構成元素で
ある半金属元素および希土類元素の少なくとも一部をＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ等の金属
元素に置き換え、他は主として遷移金属元素を主成分と
し、必要に応じてＰ，Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｎ等の元素を少量
添加することによって、スパッタ蒸着法による非晶質合
金薄膜の作製を容易にすると共に熱安定性の改善をはか
ったものである。さらに金属−半金属系合金では強磁性
元素Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏで磁歪、飽和磁化の値を調整し、
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，希土類を少量添加し
て結晶化温度、硬度を向上させることにより磁歪が小さ
くて、しかも熱安定性、耐摩耗性の改善をはかったもの
である。さらに、強磁性を示す非晶質薄膜においては、
回転磁場中でスパッタ蒸着するか、スパッタ蒸着によっ
て非晶質磁性薄膜を得た後、該膜をそのキュリー温度以
上、結晶化温度以下の温度で熱処理することにより、磁
気異方性の小さい、低保磁力、高透磁率の磁性薄膜を得
られるようにしたものである。
、ガラス化元素として従来の非晶質合金系の構成元素で
ある半金属元素および希土類元素の少なくとも一部をＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ等の金属
元素に置き換え、他は主として遷移金属元素を主成分と
し、必要に応じてＰ，Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｎ等の元素を少量
添加することによって、スパッタ蒸着法による非晶質合
金薄膜の作製を容易にすると共に熱安定性の改善をはか
ったものである。さらに金属−半金属系合金では強磁性
元素Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏで磁歪、飽和磁化の値を調整し、
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，希土類を少量添加し
て結晶化温度、硬度を向上させることにより磁歪が小さ
くて、しかも熱安定性、耐摩耗性の改善をはかったもの
である。さらに、強磁性を示す非晶質薄膜においては、
回転磁場中でスパッタ蒸着するか、スパッタ蒸着によっ
て非晶質磁性薄膜を得た後、該膜をそのキュリー温度以
上、結晶化温度以下の温度で熱処理することにより、磁
気異方性の小さい、低保磁力、高透磁率の磁性薄膜を得
られるようにしたものである。
【０００４】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明する
。 ＜実施例１＞合金組成がＣｏ７９Ｔｉ１３Ｚｒ８，Ｃｏ
８４Ｚｒ１６，Ｃｏ８０Ｔｉ１８Ｂ２，Ｆｅ９０Ｚｒ１
０，Ｃｏ８１Ｍｏ７Ｓｍ２Ｚｒ１０（Ｃｏ０．３Ｆｅ０
．７）９０Ｔｉ２Ｚｒ８，Ｆｅ８０Ｎｉ１０Ｚｒ１０の
母合金をアーク溶解により作製し、直径５０ｍｍ、厚さ
約１ｍｍのターゲットを作製した。薄膜作製は二極高周
波スパッタ装置を用い、約１〜５ｍＴｏｒｒのアルゴン
圧力下で、ターゲットと基板の間隔を５〜１０ｃｍとし
て、厚さ数μｍ以下の薄膜を作製した。得られた薄膜の
Ｘ線ディフラクトメーターによる回折曲線はすべて、な
だらかなメインピークと二三のサブピークからなる非晶
質構造特有の回折曲線を示し、非晶質薄膜が得られてい
ることが確認された。
。 ＜実施例１＞合金組成がＣｏ７９Ｔｉ１３Ｚｒ８，Ｃｏ
８４Ｚｒ１６，Ｃｏ８０Ｔｉ１８Ｂ２，Ｆｅ９０Ｚｒ１
０，Ｃｏ８１Ｍｏ７Ｓｍ２Ｚｒ１０（Ｃｏ０．３Ｆｅ０
．７）９０Ｔｉ２Ｚｒ８，Ｆｅ８０Ｎｉ１０Ｚｒ１０の
母合金をアーク溶解により作製し、直径５０ｍｍ、厚さ
約１ｍｍのターゲットを作製した。薄膜作製は二極高周
波スパッタ装置を用い、約１〜５ｍＴｏｒｒのアルゴン
圧力下で、ターゲットと基板の間隔を５〜１０ｃｍとし
て、厚さ数μｍ以下の薄膜を作製した。得られた薄膜の
Ｘ線ディフラクトメーターによる回折曲線はすべて、な
だらかなメインピークと二三のサブピークからなる非晶
質構造特有の回折曲線を示し、非晶質薄膜が得られてい
ることが確認された。
【０００５】＜実施例２＞組成がＣｏ８５．５Ｍｏ５Ｚ
ｒ９．５，Ｃｏ８２Ｍｏ８．５Ｚｒ９．５，Ｃｏ７５．
５Ｍｏ１５Ｚｒ９．５になるように、直径５０ｍｍのコ
バルト円板上にＭｏ，Ｚｒの小塊を均一に配置した複合
ターゲットを用い、実施例１の条件で同時スパッタ蒸着
することにより非晶質薄膜を作製した。得られた非晶質
薄膜の結晶化温度（四端子法電気抵抗測定により決定）
は約５００℃と高く、１００℃、１００時間の熱処理後
でも電気抵抗値はほとんど変わらず、高い熱安定性を示
した。また、飽和磁化はＭｏ量が減少するとともに約６
０ｅｍｕ／ｇから１００ｅｍｕ／ｇと変化し、高い値が
得られることがわかった。これらの膜の保磁力は約１〜
５Ｏｅであった。磁歪が−８×１０￣７（半導体歪ゲー
ジを用いて測定）と低い値を示すＣｏ８２Ｍｏ８．５Ｚ
ｒ９．５非晶質薄膜を膜面内方向に２ｋＧの外部磁場を
印加し、１２００ｒ．ｐ．ｍ．の回転数で回転させなが
ら、４００℃で２０分間熱処理すると、保磁力８０ｍＯ
ｅ、初透磁率（２０ｋＨｚ）約６０００の軟磁特性が得
られた。
ｒ９．５，Ｃｏ８２Ｍｏ８．５Ｚｒ９．５，Ｃｏ７５．
５Ｍｏ１５Ｚｒ９．５になるように、直径５０ｍｍのコ
バルト円板上にＭｏ，Ｚｒの小塊を均一に配置した複合
ターゲットを用い、実施例１の条件で同時スパッタ蒸着
することにより非晶質薄膜を作製した。得られた非晶質
薄膜の結晶化温度（四端子法電気抵抗測定により決定）
は約５００℃と高く、１００℃、１００時間の熱処理後
でも電気抵抗値はほとんど変わらず、高い熱安定性を示
した。また、飽和磁化はＭｏ量が減少するとともに約６
０ｅｍｕ／ｇから１００ｅｍｕ／ｇと変化し、高い値が
得られることがわかった。これらの膜の保磁力は約１〜
５Ｏｅであった。磁歪が−８×１０￣７（半導体歪ゲー
ジを用いて測定）と低い値を示すＣｏ８２Ｍｏ８．５Ｚ
ｒ９．５非晶質薄膜を膜面内方向に２ｋＧの外部磁場を
印加し、１２００ｒ．ｐ．ｍ．の回転数で回転させなが
ら、４００℃で２０分間熱処理すると、保磁力８０ｍＯ
ｅ、初透磁率（２０ｋＨｚ）約６０００の軟磁特性が得
られた。
【０００６】＜実施例３＞合金組成が（Ｃｏ０．３Ｆｅ
０．７）９１Ｚｒ９，（Ｆｅ０．７Ｎｉ０．３）９０Ｚ
ｒ１０，Ｃｏ７２Ｎｉ１６Ｆｅ２Ｚｒ１０，（Ｃｏ０．
７２Ｎｉ０．１６Ｆｅ０．０２Ｚｒ０．１）９８Ｂ２，
Ｃｏ８５Ｃｒ４Ｒｕ２Ｚｒ９Ｃｏ８６Ｗ５Ｚｒ９，（Ｃ
ｏ０．８２Ｍｏ０．０８５Ｚｒ０．０９５）９８Ｂ２の
直径５０ｍｍの焼結体をターゲットとして用い、実施例
１と同様な製造条件でスパッタ蒸着して非晶質薄膜を作
製した。（Ｃｏ０．３Ｆｅ０．７）９１Ｚｒ９，（Ｆｅ
０．７Ｎｉ０．３）９０Ｚｒ１０の非晶質薄膜の飽和磁
化はそれぞれ１６０ｅｍｕ／ｇ，１２０ｅｍｕ／ｇと高
い値を示した。一方、Ｃｏ７２Ｎｉ１６Ｆｅ２Ｚｒ１０
非晶質薄膜では磁歪λｓほぼ０、飽和磁化σｓ１１０ｅ
ｍｕ／ｇ，（Ｃｏ０．７２Ｎｉ０．１６Ｆｅ０．０２Ｚ
ｒ０．１）９８Ｂ２非晶質薄膜ではλｓほぼ０，σｓ１
０５ｅｍｕ／ｇ，Ｃｏ８５Ｃｒ４Ｒｕ２Ｚｒ９非晶質薄
膜ではλｓほぼ０，σｓ９６ｅｍｕ／ｇといずれも高い
飽和磁化をもつ磁歪零材が得られた。
０．７）９１Ｚｒ９，（Ｆｅ０．７Ｎｉ０．３）９０Ｚ
ｒ１０，Ｃｏ７２Ｎｉ１６Ｆｅ２Ｚｒ１０，（Ｃｏ０．
７２Ｎｉ０．１６Ｆｅ０．０２Ｚｒ０．１）９８Ｂ２，
Ｃｏ８５Ｃｒ４Ｒｕ２Ｚｒ９Ｃｏ８６Ｗ５Ｚｒ９，（Ｃ
ｏ０．８２Ｍｏ０．０８５Ｚｒ０．０９５）９８Ｂ２の
直径５０ｍｍの焼結体をターゲットとして用い、実施例
１と同様な製造条件でスパッタ蒸着して非晶質薄膜を作
製した。（Ｃｏ０．３Ｆｅ０．７）９１Ｚｒ９，（Ｆｅ
０．７Ｎｉ０．３）９０Ｚｒ１０の非晶質薄膜の飽和磁
化はそれぞれ１６０ｅｍｕ／ｇ，１２０ｅｍｕ／ｇと高
い値を示した。一方、Ｃｏ７２Ｎｉ１６Ｆｅ２Ｚｒ１０
非晶質薄膜では磁歪λｓほぼ０、飽和磁化σｓ１１０ｅ
ｍｕ／ｇ，（Ｃｏ０．７２Ｎｉ０．１６Ｆｅ０．０２Ｚ
ｒ０．１）９８Ｂ２非晶質薄膜ではλｓほぼ０，σｓ１
０５ｅｍｕ／ｇ，Ｃｏ８５Ｃｒ４Ｒｕ２Ｚｒ９非晶質薄
膜ではλｓほぼ０，σｓ９６ｅｍｕ／ｇといずれも高い
飽和磁化をもつ磁歪零材が得られた。
【０００７】＜実施例４＞実施例１の条件により作製さ
れたＣｏ７５．５Ｍｏ１５Ｚｒ９．５非晶質薄膜をその
キューリー温度（約４００℃）以上、結晶化温度（５０
５℃）以下の温度で熱処理後、水冷したところ、保磁力
５０ｍＯｅ、初透磁率（５ｋＨｚ）１００００の磁気異
方性の小さいすぐれた軟磁特性が得られた。
れたＣｏ７５．５Ｍｏ１５Ｚｒ９．５非晶質薄膜をその
キューリー温度（約４００℃）以上、結晶化温度（５０
５℃）以下の温度で熱処理後、水冷したところ、保磁力
５０ｍＯｅ、初透磁率（５ｋＨｚ）１００００の磁気異
方性の小さいすぐれた軟磁特性が得られた。
【０００８】＜実施例５＞組成がＣｏ８０Ｍｏ９Ｚｒ１
１の母合金をアーク溶解により作製し、直径５０ｍｍ，
厚さ約１ｍｍのターゲットを作製した。このターゲット
を用い、約３ｍＴｏｒｒのＡｒ圧力下で、基板面に平行
に５０Ｏｅ以上の磁場を印加し、基板を回転しながら、
スパッタ蒸着することにより非晶質薄膜を作製した。得
られた非晶質薄膜の磁気特性は膜によってバラツキはあ
るが、その保磁力は０．１Ｏｅ以下、初透磁率（２０ｋ
Ｈｚ）は６１００以上の実用に適した磁気特性が得られ
た。このことは、この作製法により誘導磁気異方性が小
さくなったことを示すものと思われる。
１の母合金をアーク溶解により作製し、直径５０ｍｍ，
厚さ約１ｍｍのターゲットを作製した。このターゲット
を用い、約３ｍＴｏｒｒのＡｒ圧力下で、基板面に平行
に５０Ｏｅ以上の磁場を印加し、基板を回転しながら、
スパッタ蒸着することにより非晶質薄膜を作製した。得
られた非晶質薄膜の磁気特性は膜によってバラツキはあ
るが、その保磁力は０．１Ｏｅ以下、初透磁率（２０ｋ
Ｈｚ）は６１００以上の実用に適した磁気特性が得られ
た。このことは、この作製法により誘導磁気異方性が小
さくなったことを示すものと思われる。
【０００９】＜実施例６＞合金組成が（Ｃｏ０．９６Ｆ
ｅ０．０４）７３Ｃｒ２Ｓｉ１０Ｂ１５，（Ｃｏ０．９
６Ｆｅ０．０４）７３Ｍｎ２Ｓｉ１０Ｂ１５，（Ｃｏ０
．９６Ｆｅ０．０４）７３Ｎｂ２Ｓｉ１０Ｂ１５，Ｃｏ
４５．９Ｆｅ１０．１Ｎｉ２４Ｓｉ２Ｂ１８の母合金を
アーク溶解により作製し、直径５０ｍｍ，厚さ約１ｍｍ
のターゲットを作製した。 薄膜作製は二極高周波スパッタ装置を用い、約１〜５ｍ
Ｔｏｒｒのアルゴン圧力下で、ターゲットと基板との間
隔を５〜１０ｃｍとして厚さ数μｍ以下の非晶質薄膜を
作製した。得られた薄膜の膜面上に半導体歪ゲージをは
りつけ、４ｋＧの外部磁場で磁歪を測定したところ、Ｃ
ｏ４５．９Ｆｅ１０．１Ｎｉ２４Ｓｉ２Ｂ１８は＋１×
１０￣６、他の合金組成のものは１０￣７オーダーの低
い磁歪値を示した。作製されたままの薄膜の保磁力は０
．５〜１Ｏｅであった。
ｅ０．０４）７３Ｃｒ２Ｓｉ１０Ｂ１５，（Ｃｏ０．９
６Ｆｅ０．０４）７３Ｍｎ２Ｓｉ１０Ｂ１５，（Ｃｏ０
．９６Ｆｅ０．０４）７３Ｎｂ２Ｓｉ１０Ｂ１５，Ｃｏ
４５．９Ｆｅ１０．１Ｎｉ２４Ｓｉ２Ｂ１８の母合金を
アーク溶解により作製し、直径５０ｍｍ，厚さ約１ｍｍ
のターゲットを作製した。 薄膜作製は二極高周波スパッタ装置を用い、約１〜５ｍ
Ｔｏｒｒのアルゴン圧力下で、ターゲットと基板との間
隔を５〜１０ｃｍとして厚さ数μｍ以下の非晶質薄膜を
作製した。得られた薄膜の膜面上に半導体歪ゲージをは
りつけ、４ｋＧの外部磁場で磁歪を測定したところ、Ｃ
ｏ４５．９Ｆｅ１０．１Ｎｉ２４Ｓｉ２Ｂ１８は＋１×
１０￣６、他の合金組成のものは１０￣７オーダーの低
い磁歪値を示した。作製されたままの薄膜の保磁力は０
．５〜１Ｏｅであった。
【００１０】＜実施例７＞実施例６で得た（Ｃｏ０．９
６Ｆｅ０．０４）７３Ｃｒ２Ｓｉ１０Ｂ１５非晶質磁性
薄膜の結晶化温度（四端子法電気抵抗測定により決定）
は約５１０℃、キューリー温度（磁気天秤により測定）
は約４４０℃、飽和磁化は８０ｅｍｕ／ｇであった。こ
の非晶質薄膜を真空中、４７０℃、１０分間熱処理後、
水冷すると、保磁力は０．５Ｏｅから７０ｍＯｅに減少
し、スムースなＢ−Ｈ曲線が得られた。その時の初透磁
率は２０ｋＨｚで９０００という高い値を示した。
６Ｆｅ０．０４）７３Ｃｒ２Ｓｉ１０Ｂ１５非晶質磁性
薄膜の結晶化温度（四端子法電気抵抗測定により決定）
は約５１０℃、キューリー温度（磁気天秤により測定）
は約４４０℃、飽和磁化は８０ｅｍｕ／ｇであった。こ
の非晶質薄膜を真空中、４７０℃、１０分間熱処理後、
水冷すると、保磁力は０．５Ｏｅから７０ｍＯｅに減少
し、スムースなＢ−Ｈ曲線が得られた。その時の初透磁
率は２０ｋＨｚで９０００という高い値を示した。
【００１１】＜実施例８＞合金組成が（Ｃｏ０．９６Ｆ
ｅ０．０４）７７Ｍｎ２Ｓｉ１０Ｂ１１の非晶質薄膜を
実施例６と同様な条件で作製した。この非晶質薄膜の結
晶化温度は４５０℃、飽和磁化は１００ｅｍｕ／ｇ、保
磁力は約１０Ｏｅであった。得られた円板状（直径１０
ｍｍ）非晶質薄膜を４ｋＧの静磁場中で膜面が磁場の方
向と平行になるようにして７２０ｒ．ｐ．ｍ．の回転数
で回転させながら、昇温、急冷速度が２０℃／ｍｉｎに
なるようにして４００℃で２０分間の熱処理を行った。 熱処理後のこの非晶質薄膜の保磁力は６０ｍＯｅと低下
し、２０ｋＨｚで約８０００という高い透磁率を得た。 これらの軟磁気特性の改善は磁気異方性の減少、内部応
力の除去によるものと思われる。
ｅ０．０４）７７Ｍｎ２Ｓｉ１０Ｂ１１の非晶質薄膜を
実施例６と同様な条件で作製した。この非晶質薄膜の結
晶化温度は４５０℃、飽和磁化は１００ｅｍｕ／ｇ、保
磁力は約１０Ｏｅであった。得られた円板状（直径１０
ｍｍ）非晶質薄膜を４ｋＧの静磁場中で膜面が磁場の方
向と平行になるようにして７２０ｒ．ｐ．ｍ．の回転数
で回転させながら、昇温、急冷速度が２０℃／ｍｉｎに
なるようにして４００℃で２０分間の熱処理を行った。 熱処理後のこの非晶質薄膜の保磁力は６０ｍＯｅと低下
し、２０ｋＨｚで約８０００という高い透磁率を得た。 これらの軟磁気特性の改善は磁気異方性の減少、内部応
力の除去によるものと思われる。
【００１２】＜実施例９＞合金組成が（Ｃｏ０．９６Ｆ
ｅ０．０４）７７Ｍｎ２Ｓｉ１０Ｂ１１の直径５０ｍｍ
，厚さ約１ｍｍのターゲットを用い、約３ｍＴｏｒｒの
アルゴン圧力下で基板面に平行に約１００Ｏｅの磁場を
印加し、基板を回転しながらスパッタ蒸着することによ
り上記組成の非晶質薄膜を作製した。得られた非晶質磁
性薄膜の保磁力は９０ｍＯｅと低く、透磁率も１ｋＨｚ
で７０００という高い値が得られ、通常の作製法と比べ
て顕著な差が認められた。
ｅ０．０４）７７Ｍｎ２Ｓｉ１０Ｂ１１の直径５０ｍｍ
，厚さ約１ｍｍのターゲットを用い、約３ｍＴｏｒｒの
アルゴン圧力下で基板面に平行に約１００Ｏｅの磁場を
印加し、基板を回転しながらスパッタ蒸着することによ
り上記組成の非晶質薄膜を作製した。得られた非晶質磁
性薄膜の保磁力は９０ｍＯｅと低く、透磁率も１ｋＨｚ
で７０００という高い値が得られ、通常の作製法と比べ
て顕著な差が認められた。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の非晶質薄膜は、従来の非晶質合金薄膜の合金組成とは
異なった新規な合金組成よりなり、高い熱安定性をもつ
とともに磁性薄膜においてはすぐれた磁気特性、すなわ
ち、低い保磁力と高い透磁率を示し、磁気コア材等の電
気音響変換素子材料、磁歪素子材料、インバー、エリン
バー材料等に有効に用いることができる。
の非晶質薄膜は、従来の非晶質合金薄膜の合金組成とは
異なった新規な合金組成よりなり、高い熱安定性をもつ
とともに磁性薄膜においてはすぐれた磁気特性、すなわ
ち、低い保磁力と高い透磁率を示し、磁気コア材等の電
気音響変換素子材料、磁歪素子材料、インバー、エリン
バー材料等に有効に用いることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に、強磁性の非晶質薄膜を形成する
方法において、上記基板上に形成させる非晶質薄膜に対
して、相対的に回転する磁場を印加しながらスパッタ蒸
着法により成膜することを特徴とする非晶質薄膜の製造
方法。 - 【請求項２】請求項１記載の非晶質薄膜の製造方法にお
いて、基板上に形成させる非晶質薄膜に印加する磁場の
方向が、上記基板上に形成させる非晶質薄膜面に対して
ほぼ平行であることを特徴とする非晶質薄膜の製造方法
。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載の非晶質薄膜
の製造方法において、基板上に形成させる非晶質薄膜に
印加する磁場の大きさが１０Ｏｅ以上であることを特徴
とする非晶質薄膜の製造方法。 - 【請求項４】請求項１、請求項２または請求項３のいず
れか１項に記載の非晶質薄膜の製造方法において、強磁
性の非晶質薄膜は、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ元素よりなる群か
ら選択された少なくとも１種の元素を主成分とする非晶
質合金からなることを特徴とする非晶質薄膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136315A JPH072990B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 非晶質薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136315A JPH072990B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 非晶質薄膜の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56125800A Division JPH06104870B2 (ja) | 1981-08-11 | 1981-08-11 | 非晶質薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04228568A true JPH04228568A (ja) | 1992-08-18 |
| JPH072990B2 JPH072990B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=15172339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3136315A Expired - Lifetime JPH072990B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 非晶質薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH072990B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008045173A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｃｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3136315A patent/JPH072990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008045173A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Ｃｒを添加したＦｅＣｏＢ系ターゲット材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH072990B2 (ja) | 1995-01-18 |
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