JPH0422921A - 記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野Ｊ 本発明は、高解像度撮像装置、記録再生装置、表示装置
等に用いられる、例えば高分子液晶複合膜を利用した記
録層に情報を記録する記録方法に関するものである。

［従来技術の説明］ 高分子液晶複合膜を利用した撮像装置の記録方法の一例
について第４図を参！ＩＣして説明する。

図においてｌは印加される電圧に応じて光学的性質（透
過率）の変化する光変調材層を含んだ記録層としての高
分子１々晶楳合膜てあり、前記高分子液晶複合膜１には
電圧を印加Ｊるための電４＋　５７’Ｊ設けられている
。

２は前記高分子液晶複合膜１に対向して設けられた光導
電層であり、電磁放射線束分布に応じた電荷像か形成さ
れるものである。この光導電層２にも電極４か設けられ
ている。

前記電極４及び電極５には直流バイアスを（＝ｊ勾する
ための直流電源３か接続されている。尚、６は被写体、
７は被写体６を撮像するためのレンズである。

次に上記従来例の動作について説明する。

高分子液晶複合膜１の透過率と、そこに印加される印加
電圧との関係を第５図に示す。

図においてＡで表した曲線が印加電圧と透過率との関係
を表すものであり、図より明らかなように、閾値電圧Ｅ
Ｏ以下の印加電圧では透過率μＯて、飽和電圧８１以上
の印加電圧では透過率ｕ１となる。

モし１て図中の点Ｐに相当する動作点を設定するために
、閾値電圧ＥＯ以」二でかつ飽和電圧Ｅ１以下のバイア
ス電圧を直流電源３から供給しておく。

この状態で光導電層２に記録対象の電磁放射線束（被写
体像）を与えると、光導電層２のインピーダンス変化に
より光導電層２の記録層側に入射電磁放射線束の強度分
布に対応しｌ−電荷像が形成きれる。形成された電荷像
は、光導電層２と高分子液晶複合膜１のギャップ間の気
中放電により記録層表面に転写され、転写された電荷像
による電界により高分子液晶複合膜１が反応して情報が
記録される。すなわち、電荷像の転写された部分の透過
率は、そのときの電荷に相当する分だけ動作点Ｐにおけ
る場合より大きくなる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上述したような従来の高分子液晶複合膜を
利用した記録方法においては、高分子液晶複合膜１の特
性のバラツキによって、第５図の曲線Ｂ、　　Ｃに示す
ように、直流バイアスを与えたときの動作点Ｐか大きく
ずれ、転写された電荷像に対応してリニアに透過率が変
化する範囲が偏り、十分なダイナミックレンジか得られ
ないという欠点かあ−）た。

本発明は、上述したような従来技術の有する欠点を克服
するｔ：めになされたものであり、高分子液晶複合膜の
動作点を定める印加電圧を、最大レベルが飽和電圧以上
でかつ最小レベルが閾値レベル以下であるパルス状電圧
とすることにより、最適動作点の設定を容易にした記録
方法を提供することを目的とするものである。

し課題を解決するための手段１ 上記目的を達成するために本発明による記録方法は、所
定閾値以上の電圧に対して光学的性質の変化する光変調
材層を含んだ記録層にバイアス電圧を印加して動作点を
定め、光導電層に形成される電荷像に対応した情報を記
録する記録方法であって、バイアス電圧を、最大レベル
か記録層の直流特性の飽和電圧以上で、かつ、最小レベ
ルが直流特性の閾値電圧以下のパルス電圧とすることを
特徴とする。

［発明の作用１ 上記構成の記録方法においては、パルス駆動電圧を印加
した場合、例えば記録層としての高分子液晶複合膜の光
学的性質としての透過率の閾値電圧および飽和電圧が高
圧側にシフトするとともに、両者の電圧差が広がること
を利用しているので、高分子液晶複合膜のバラツキがあ
っても、動作点の変動を抑制することができ、記録時の
ダイナミックレンジを広くすることができる。

し実施例］ 本発明の記録方法の一実施例を第１図乃至第３図を参照
して説明する。尚、従来技術の説明で説明した箇所と同
一部分は同一符号を付与し、その説明を適宜省略する。

第１図は、本発明の記録方法に用いられる記録装置の一
実施例の構成を示す図であり、第４図に示した従来例と
は、駆動電圧印加回路８を除いて同一の構成となってい
る。

また第２図は、第１図の構成において高分子液晶複合膜
１と光導電層２どの間にギャップを設けることなく一体
構成した記録装置の実施例を示している。

本発明による記録方法においては、高分子液晶複合膜１
の動作点を設定するバイアス電圧を、駆動電圧印加回路
８によって、第３図に示１ようなパルス電圧とすること
を特徴としている。

このパルス電圧の最大レベルは、高分子液晶複合膜１の
直流特性における飽和電圧Ｅ１以」二で、最小レベルが
閾値電圧ＥＯ以下となるように定められている。

高分子液晶複合膜１は透過率特性が印加電圧の大きさに
依存するとともに、印加時間にも依存し、短い輻のパル
スで駆動する場合には閾値電圧及び飽和電圧が高圧側に
シフトすることが知られている。しかも飽和電圧Ｅ４と
閾値電圧Ｅ３の差が広がるため、透過率特性の傾きが小
きくなる。その結果、第３図の曲線Ａに示すような高分
子液晶複合膜１の透過率特性が、曲線Ｂ、　　Ｃで示す
ように変化したとしても、動作点Ｐの変動は直流バイア
スを与えＩ：場合に比べて少なくてすむ。

モして印加ゴるパルス電圧のパルス幅を適宜δ定するこ
とにより最適動作点を選択することが１さ、直流電圧を
直接制御するよりも簡単に最適憂作点の設定か可能であ
る。

［発明の効果Ｊ 以上のように本発明による記録方法によれば、記録層と
しての記録層の動作点を定めるバイア；電圧として、最
大レベルが記録層の直流特性における飽和電圧以上で、
かつ、最小レベルか直流ａ性における閾値以下のパルス
電圧を用いたので、記録層の光学的特性の変化率が小き
くなり、そＣバラツキによる動作点の変動を少なくする
ことｈ゛てきる。また、パルス幅制御によって最適動作
漬の設定を容易に行なうことも可能になるという効果を
有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の記録方法に用いられる記
録装置の一実施例の構成を示す図、第３図は高分子液晶
複合膜にパルス電圧を印加した場合の透過率特性を示す
グラフ、第４図は従来の記録方法に用いられる記録装置
の一例の構成を示す図、第５図は高分子液晶複合膜に直
流電圧を印加した場合の透過率特性を示すグラフである
。。 １−・・高分子液晶複合膜（記録層）、２・・光導電層
、４．５・・・電極、８・・・駆動電圧印加回路。 特許出願人　日木ビクター株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 所定閾値以上の電圧に対して光学的性質の変化する光変
   調材層を含んだ記録層にバイアス電圧を印加して動作点
   を定め、光導電層に形成される電荷像に対応した情報を
   記録する記録方法であって、前記バイアス電圧を、最大
   レベルが前記記録層の直流特性の飽和電圧以上で、かつ
   、最小レベルが前記直流特性の閾値電圧以下のパルス電
   圧とすることを特徴とする記録方法。