JPH07294860A - 電気光学光変調装置 - Google Patents

電気光学光変調装置

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JPH07294860A
JPH07294860A JP6086223A JP8622394A JPH07294860A JP H07294860 A JPH07294860 A JP H07294860A JP 6086223 A JP6086223 A JP 6086223A JP 8622394 A JP8622394 A JP 8622394A JP H07294860 A JPH07294860 A JP H07294860A
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light
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optical
modulated
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Masami Hatori
正美 羽鳥
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電気光学効果を有する光導波路に近接させて
電極が形成されてなり、この電極への電圧印加に応じて
導波光を変調する電気光学光変調装置において、DCド
リフトの影響を排除する。 【構成】 発振器16が出力した高周波電圧Vfをミキサ
ー17に入力し、そこで所与の信号Sに基づいて振幅変調
した上で、電極13に印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学光変調装置に関
し、特に詳細には、電気光学効果を有する光導波路と、
この光導波路に近接させて設けられた少なくとも1対の
電極と、これらの電極間に電圧を印加する駆動回路とを
備え、上記電極への電圧印加状態に応じて導波光を変調
する電気光学光変調装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、光ビームを画像信号に基づい
て変調するとともに、この変調された光ビームを例えば
感光記録材料上において主、副走査させることにより、
上記画像信号が担持する画像をこの記録材料に記録する
光走査記録装置が公知となっている。
【0003】この種の光走査記録装置においては、光ビ
ームを画像信号に応じて変調することが必要であるが、
そのために、例えば特開平2−931号公報に示される
ような導波路型電気光学素子を使用することも提案され
ている。この導波路型電気光学素子は、電気光学効果を
有する光導波路と、その上に形成されて該光導波路に電
気光学的回折格子(Electro-Optic Grating )を形成す
る格子状電極(以下EOG電極と称する)と、このEO
G電極に電圧を印加する駆動回路とからなり、上記光導
波路を導波する導波光を、EOG電極への電圧印加状態
に応じて選択的に回折させるようにしたものである。
【0004】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、回折光と非回折光(0次光)のいずれか一方を走査
光としたとき、その走査光を回折の有無あるいは程度に
応じて変調することができる。
【0005】さらに、例えばJAPANESE JOURNAL OF APPL
IED PHYSICS (ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス)Vol.20, No.4, April, 1981 p
p.733〜737 に示されるように、電気光学効果を有する
基板に方向性結合器を構成する2本のチャンネル光導波
路を形成し、各チャンネル光導波路の上に平板状電極を
配し、一方のチャンネル光導波路を導波する導波光を上
記電極への電圧印加状態に応じて選択的に他方のチャン
ネル光導波路に移行させるようにした導波路型電気光学
素子も知られている。
【0006】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、上記他方のチャンネル光導波路から出射する光を使
用光として、その使用光を電極への電圧印加状態に基づ
いて変調することができる。
【0007】通常、この種の導波路型電気光学素子にお
いては、電極による光散乱や光吸収を避けるために、電
極と光導波路との間にSiO2 やAl2 3 などからな
るバッファ層を形成することが必要である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
なバッファ層を設けた導波路型電気光学素子において
は、いわゆるDCドリフトすなわち、印加電圧対回折効
率の特性が電圧を加えるのに従って変動する現象が生じ
やすいことが認められている。
【0009】光変調装置を構成する導波路型電気光学素
子においてこのようなDCドリフトが生じると、変調光
の光量レベルが変動し、記録画像の濃度変動等の不具合
を招く。特に、走査光を連続的に強度変調して高階調画
像を記録しようとする場合に、このようにして変調光の
光量レベルが変動すると、記録画像の濃度再現性が著し
く損なわれる.そこで本発明は、上記のDCドリフトに
よる変調光の光量変動を防止することができる電気光学
光変調装置を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による電気光学光
変調装置は、先に述べたように電気光学効果を有する光
導波路と、この光導波路に近接させて形成された少なく
とも1対の電極と、これらの電極間に電圧を印加する駆
動回路とを備えてなる電気光学光変調装置において、上
記駆動回路が、電極間に高周波電圧を印加するように構
成された上で、上記高周波電圧を所与の信号に基づいて
振幅変調する変調回路が設けられたことを特徴とするも
のである。
【0011】
【作用および発明の効果】前述のEOG電極を備えた導
波路型電気光学素子を例にとって説明すると、この素子
においてDCドリフトが生じなければ、EOG電極に印
加される駆動電圧Vと回折効率ηとの関係は本来、 η=sin2 AV (A:定数) となる。これをグラフで示すと、図10の曲線aとなる。
【0012】したがって、印加電圧Vがゼロのとき回折
効率ηもゼロとなり、光ビームの変調のための駆動電圧
制御も、このことを前提にしてなされる。つまり、例え
ば回折光をON-OFF変調する場合は、通常、印加電圧Vを
ゼロにして変調光量をゼロ、印加電圧VをVπにして変
調光量を最大回折効率ηmax により得られる最大値に設
定する。
【0013】ところが、前述のDCドリフトが生じて、
印加電圧対回折効率特性が図10において右方向に動い
て、曲線bのように変化した場合は、印加電圧Vをゼロ
にしても回折効率ηはゼロにならないでη1 の値を取
り、一方印加電圧VをVπに設定したとき回折効率ηは
上記η1 の値とさほど変わらないη2 の値を取ることに
なり、所望のON-OFF変調を行なうことが不可能となる。
【0014】上述の印加電圧対回折効率特性の変動は比
較的ゆっくりしたもので、またこの特性の変動方向は、
印加電圧の極性に応じて切り換わる。
【0015】そこで、本発明の電気光学光変調装置にお
けるように電極間に高周波電圧を印加すると、印加電圧
の極性が短い周期で(高周波の周期の1/2で)反転す
るので、図10で説明すれば、曲線aで示される特性が極
く僅かだけ右方向に移動したところでこの特性が今度は
左方向に移動し、この左方向への移動が極く僅かなされ
たところでこの特性が今度は左方向に移動する、という
ことが繰り返されるようになる。
【0016】したがって光ビームの回折は、常に曲線a
で示される印加電圧対回折効率特性、あるいはそれと極
めて近い特性の下になされるようになり、DCドリフト
の影響を排除できることになる。
【0017】そして、上記高周波電圧を所与の信号に基
づいて振幅変調すれば、この信号に応じて回折効率ηが
変化するから、回折光あるいは非回折光(0次光)を変
調することができる。なお、上記高周波電圧を連続的に
振幅変調すれば、被変調光を連続的に強度変調可能であ
り、高周波電圧を振幅0(ゼロ)と所定振幅のいずれか
を取るように振幅変調すれば、被変調光はON-OFF変調さ
れる。
【0018】以上、EOG電極を用いる場合を例に挙げ
て説明したが、前述の平板状電極を用いて導波光を変調
する場合も事情は同じであり、上記と同様にしてDCド
リフトの影響を排除可能である。
【0019】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図1および図2はそれぞれ、本発明の
第1実施例による電気光学光変調装置の平面形状、側面
形状を示している。
【0020】図示されるようにこの電気光学光変調装置
は、MgOがドープされたLiNbO3 基板10上にプロ
トン交換により形成された薄膜光導波路11と、その上に
形成されたSiO2 膜からなるバッファ層12と、このバ
ッファ層12の上に形成されたEOG電極13と、このEO
G電極13を間において互いに離れる状態で光導波路11の
表面に形成された光入力用線状回折格子(Linear Grati
ng Coupler :以下LGCと称する)14および光出力用
LGC15と、上記EOG電極13に電圧を印加する駆動回
路(発振器16、アンプ18およびインピーダンス・マッチ
ング回路19から構成されている)とを有している。
【0021】変調される光を発するレーザー光源21は、
平行光である光ビーム20が、基板10の斜めにカットされ
た端面10aを通過し、光導波路11を透過してLGC14の
部分に入射するように配置されている。それにより、光
ビーム20はこのLGC14で回折して光導波路11内に入射
し、該光導波路11を導波モードで矢印A方向に進行す
る。
【0022】この光ビーム(導波光)20は、EOG電極
13に対応する部分を通って導波するが、EOG電極13に
電圧が印加されていない状態では、この導波光20は直進
する。一方、EOG電極13に駆動回路から電圧が印加さ
れると、電気光学効果を有する光導波路11の屈折率が変
化して光導波路11に回折格子が形成され、導波光20はそ
の回折格子により回折する。以上のようにして回折した
光ビーム20Aおよび回折しない光ビーム20Bは、LGC
15において基板10側に回折し、この基板10の斜めにカッ
トされた端面10bから素子外に出射する。
【0023】上記回折の効率ηは、図10に示したように
EOG電極13に印加される電圧Vの値に応じて変化する
ので、素子外に出射した光ビーム20Aを、印加電圧Vの
値に応じて強度変調することができる。ただし本例で
は、光ビーム20Aを連続的に強度変調するのではなく、
ある所定の光強度と光強度ゼロのいずれかに選択的に設
定する、いわゆるON-OFF変調がなされる。
【0024】次に、このような変調を行なうための印加
電圧Vの制御について説明する。前述の発振器16は一定
周波数の高周波電圧Vfを発し、この高周波電圧Vfは
ダブル・バランスト・ミキサー17に入力される。このダ
ブル・バランスト・ミキサー17には、図3の(1)に示
すような矩形波の画像信号Sが入力され、該信号Sと上
記高周波電圧Vfとが足し合わされる。それによりダブ
ル・バランスト・ミキサー17からは、高周波電圧Vfが
画像信号Sに基づいて振幅変調されてなる、図3の
(2)に示す波形の電圧信号Vsが出力される。
【0025】この電圧信号Vsはアンプ18で増幅され、
インピーダンス・マッチング回路19から印加電圧Vとし
て出力される。この電圧VがEOG電極13に印加される
と、その電圧値に応じて上記回折の効率ηが変化するの
で、光ビーム20Aは図3の(3)に示すように強度変調
される。
【0026】なお、前述した図10の曲線aで示されるよ
うに、印加電圧対回折効率特性は印加電圧V=ゼロを挟
んで正電圧側と負電圧側とで互いに対称となっているの
で、印加電圧Vが正値を取るときも、負値を取るとき
も、それらの絶対値が等しければ、等しい回折効率ηが
得られる。したがって、高周波電圧Vfの周波数をfと
すれば、光ビーム20Aのパルス周波数は2fとなる。
【0027】この際、印加電圧Vは短時間内に極性が反
転するため、DCドリフトが抑圧される。その詳しい理
由は、先に述べた通りである。DCドリフトが抑圧され
れば、画像信号Sが高レベルにあるときは必ず光ビーム
20AがON状態になり、画像信号Sが低レベルにあるとき
は必ず光ビーム20AがOFF 状態になる。
【0028】またDCドリフトが抑圧されれば、印加電
圧Vのピーク値と、回折した光ビーム20Aの強度(ピー
ク値)とが常に一義的に対応する。そうであれば、画像
信号Sの信号レベルを連続的に変化させ、光ビーム20A
で銀塩感材を走査して高階調画像を記録するような場合
においても、その信号レベルと回折した光ビーム20Aの
強度(ピーク値)とが常に一義的に対応して、濃度再現
性に優れた画像を記録可能となる。
【0029】なお、本実施例におけるように光ビーム20
AをON-OFF変調する場合は、高周波電圧Vfの周期を、
光ビーム20Aの最小ON時間(最小ドットを記録する時
間)よりも十分短くすることが必要である。そのように
なっていれば、いかなる場合も、光ビーム20AはそのON
時間内にパルス状に点灯/消灯を繰り返し、一定光量の
光と認識されるので、問題は生じない。つまり、光ビー
ム20Aの1つのパルスが途中で切られ、切られたパルス
の波形次第で光量が変化してしまうことがない。
【0030】本実施例では、矩形波の高周波電圧Vfを
利用している。この場合の該高周波電圧Vfおよび光ビ
ーム20Aの詳しい波形を、それぞれ図4の(1)、
(2)に示す。この高周波電圧Vfの波形は、その他s
in波等でもよく、sin波とした場合の高周波電圧V
fおよび光ビーム20Aの詳しい波形を、それぞれ図5の
(1)、(2)に示す。
【0031】これらの図4および図5に示される通り、
高周波電圧Vfの波形が矩形波の場合は、sin波の場
合と比べて光ビーム20Aのパルスの隙間が小さく、それ
が回折効率ηの増大につながるので、より好ましい。一
例として、図1および図2に示した構成において高周波
電圧Vfの周波数fを10MHzとしたとき、sin波の
場合は回折効率ηが68%であったのに対し、立ち上がり
時間が2nsec の矩形波の場合は回折効率ηが85%に達
した。
【0032】なお、この立ち上がり時間が2nsec の矩
形波に変調をかけたところ、駆動電圧波形の包絡線で立
ち上がり時間が5nsec のとき、光ビーム20Aのパルス
の立ち上がり時間は約3nsec となった(図4参照)。
このように光ビーム20Aのパルスの立ち上がりが、駆動
電圧波形の立ち上がりよりも速くなるのは、前述したよ
うに回折効率ηが印加電圧Vに対して、 η=sin2 AV (A:定数) なる非線形の関係を有して、急激に立ち上がるからであ
る。
【0033】ここで、高周波電圧Vfの波形がsin波
の場合の、印加電圧Vと回折効率ηとの関係を図6に示
す。なおこの関係は理論上のもので、横軸の印加電圧V
は、前述の印加電圧Vπに対する比で示してある。図示
されるように、印加電圧V=1.22Vπのとき最大回折効
率η=70.1%が得られる。
【0034】図7は、本発明に適用され得る高周波電圧
Vfの波形の例を示している。同図の(1)は上記のs
in波、(2)は上記sin波にその3次高調波を重畳
したもの、(3)は上記sin波にその5次高調波を重
畳したもの、(4)は上記sin波にその7次高調波を
重畳したものである。
【0035】それぞれの波形を適用した場合の理論上の
最大回折効率ηは、(1)の波形では前述の通り70.1
%、(2)の波形では83.9%、(3)の波形では89.0
%、(4)の波形では91.7%であり、矩形波に近付くの
につれて最大回折効率ηがより大きくなる。
【0036】次に、本発明の第2実施例による電気光学
光変調装置について、図8を参照して説明する。この図
8に示されている電気光学光変調装置は、MgOがドー
プされたLiNbO3 基板10と、該基板10に形成され
た、Y分岐光導波路を2つ接続した形のチャンネル光導
波路30と、このチャンネル光導波路30の一方の分岐部分
30aを挟むようにして基板10上に形成された1対の平板
状電極31,31と、これらの平板状電極31,31に電圧を印
加する変調駆動回路32とを有している。またこの場合
も、各平板状電極31と基板10との間には、SiO2 膜か
らなるバッファ層33が介設されている。
【0037】上記構成の電気光学光変調装置において、
入力光34はチャンネル光導波路30の図中左端から入力さ
れ、1番目のY分岐で分岐され、分岐部分30aおよび30
bを導波してから2番目のY分岐で再度合成される。こ
の合成された光は、チャンネル光導波路30の図中右端か
ら出力光34Aとして出力される。
【0038】チャンネル光導波路30の一方の分岐部分30
aに電極31,31を介して電圧が印加されると、この分岐
部分30aの屈折率が変化するので、分岐部分30aを導波
する光はこの電圧印加に応じて位相変調される。そし
て、この分岐部分30aを導波した光と、分岐部分30bを
導波した光は合成されたとき干渉するので、出力光34A
は上記電圧の印加に応じて強度変調される。
【0039】この場合も、変調駆動回路32を、基本的に
図1に示した発振器16、ダブル・バランスト・ミキサー
17、アンプ18およびインピーダンス・マッチング回路19
から構成すれば、DCドリフトを抑圧する効果が得られ
る。
【0040】次に、本発明の第3実施例による電気光学
光変調装置について、図9を参照して説明する。この図
9に示されている電気光学光変調装置は、MgOがドー
プされたLiNbO3 基板10と、該基板10に形成され
た、方向性結合器を構成する2つのチャンネル光導波路
40A、40Bと、一方のチャンネル光導波路40Aを挟むよ
うにして基板10上に形成された1対の平板状電極41,41
と、これらの平板状電極41,41に所定の電圧を印加する
変調駆動回路42とを有している。またこの場合も、各平
板状電極41と基板10との間には、SiO2 膜からなるバ
ッファ層43が介設されている。
【0041】上記構成の電気光学光変調装置において、
入力光44は一方のチャンネル光導波路40Aに入力されて
そこを導波し、両光導波路40A、40Bが近接している部
分において他方のチャンネル光導波路40Bに乗り移り、
そこを導波して該光導波路40Bから出力光44Aとして出
力される。
【0042】チャンネル光導波路40Aに電極41,41を介
して電圧が印加されると、この光導波路40Aの屈折率が
変化するので、該光導波路40Aから光導波路40Bへの導
波光の乗り移りの大きさが変化する。そこで出力光44A
は、上記電圧の印加に応じて強度変調される。
【0043】この場合も、変調駆動回路42を、基本的に
図1に示した発振器16、ダブル・バランスト・ミキサー
17、アンプ18およびインピーダンス・マッチング回路19
から構成すれば、DCドリフトを抑圧する効果が得られ
る。
【0044】なお本発明は、先に述べたプロトン交換光
導波路を有する電気光学光変調装置に限らず、その他プ
ロトン交換後アニール処理して得られた光導波路や、さ
らにはTi拡散光導波路等を有する電気光学光変調装置
にも同様に適用可能である。
【0045】また光導波路を形成する基板も、前述のM
gOがドープされたLiNbO3 基板に限らず、その他
LiNbO3 基板、LiTaO3 基板、MgOがドープ
されたLiTaO3 基板等が利用されてもよい。
【0046】また、高周波電圧を振幅変調するための手
段も、前述したダブル・バランスト・ミキサー17に限ら
ず、その他PINダイオードにより交流を変調する手段
や、デジタル処理により変調波を発生する手段等が用い
られてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による電気光学光変調装置
の平面図
【図2】上記電気光学光変調装置の側面図
【図3】上記電気光学光変調装置における画像信号と、
印加電圧と、変調光の各波形を示すグラフ
【図4】上記印加電圧と、変調光の各波形を詳しく示す
グラフ
【図5】本発明に適用され得る印加電圧の別の波形と、
それが適用されたときの変調光の波形を示すグラフ
【図6】電極への印加電圧と回折効率との関係を示すグ
ラフ
【図7】本発明に適用され得る印加電圧の別の波形例を
示すグラフ
【図8】本発明の第2実施例による電気光学光変調装置
の斜視図
【図9】本発明の第3実施例による電気光学光変調装置
の斜視図
【図10】DCドリフトを説明するグラフ
【符号の説明】
10 MgOドープLiNbO3 基板 11 薄膜光導波路 12 バッファ層 13 EOG電極 16 発振器 17 ダブル・バランスト・ミキサー 18 アンプ 19 インピーダンス・マッチング回路 20 光ビーム 20A 回折した光ビーム 30 チャンネル光導波路 31 平板状電極 32 変調駆動回路 33 バッファ層 40A、40B チャンネル光導波路 41 平板状電極 42 変調駆動回路 43 バッファ層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電気光学効果を有する光導波路と、 この光導波路に近接させて形成された少なくとも1対の
    電極と、 これらの電極間に高周波電圧を印加する駆動回路と、 前記高周波電圧を所与の信号に基づいて振幅変調する変
    調回路とを備えたことを特徴とする電気光学光変調装
    置。
JP6086223A 1994-04-25 1994-04-25 電気光学光変調装置 Pending JPH07294860A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6086223A JPH07294860A (ja) 1994-04-25 1994-04-25 電気光学光変調装置
US08/427,195 US5757984A (en) 1994-04-25 1995-04-24 Electro-optic optical modulating apparatus

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