JPH04231463A - 基板被覆装置 - Google Patents
基板被覆装置Info
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- JPH04231463A JPH04231463A JP3151179A JP15117991A JPH04231463A JP H04231463 A JPH04231463 A JP H04231463A JP 3151179 A JP3151179 A JP 3151179A JP 15117991 A JP15117991 A JP 15117991A JP H04231463 A JPH04231463 A JP H04231463A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32055—Arc discharge
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Liquid Crystal (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも１個のター
ゲット、それと関連したアノード、及び基板支持体が配
置されている脱気可能なベッセルから構成され、さらに
関連の電流電圧源が設けられているとともに、磁石装置
が各ターゲットと関連して配置されている装置であって
、アーク放電及びカソードスパッタプロセスを用いて基
板を被覆する装置に関する。
ゲット、それと関連したアノード、及び基板支持体が配
置されている脱気可能なベッセルから構成され、さらに
関連の電流電圧源が設けられているとともに、磁石装置
が各ターゲットと関連して配置されている装置であって
、アーク放電及びカソードスパッタプロセスを用いて基
板を被覆する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術ではないが、ドイツ特許Ｐ３９
４１９１８．５に、基板を被覆する方法が開示されてい
る。そこでは、適用される層が、関連する基板に当てら
れる、かつ気体放電によって発生されるプラズマの高密
度粒子によって作られている。このプロセスの特徴は、
アーク放電蒸気化プロセス及びカソードスパッタプロセ
ス共に行われるということ、及びアーク放電蒸気化プロ
セスがカソードスパッタプロセスよりも前に実行される
ということにある。
４１９１８．５に、基板を被覆する方法が開示されてい
る。そこでは、適用される層が、関連する基板に当てら
れる、かつ気体放電によって発生されるプラズマの高密
度粒子によって作られている。このプロセスの特徴は、
アーク放電蒸気化プロセス及びカソードスパッタプロセ
ス共に行われるということ、及びアーク放電蒸気化プロ
セスがカソードスパッタプロセスよりも前に実行される
ということにある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】アーク放電蒸気化プロ
セスの間、基板は、基板面がイオンエッチングにより洗
浄され、部分的に除去されるような最適の高エネルギー
及びイオン電流密度を持つイオンで、まず初めに攻撃を
受ける。さらに、このアーク放電蒸気化プロセスの間、
形成されるべき層が基板材内に好適な状態に固定され、
その後、その固定が成された直後に、カソードすなわち
マグネトロンスパッタプロセスによる被覆が行われる。
セスの間、基板は、基板面がイオンエッチングにより洗
浄され、部分的に除去されるような最適の高エネルギー
及びイオン電流密度を持つイオンで、まず初めに攻撃を
受ける。さらに、このアーク放電蒸気化プロセスの間、
形成されるべき層が基板材内に好適な状態に固定され、
その後、その固定が成された直後に、カソードすなわち
マグネトロンスパッタプロセスによる被覆が行われる。
【０００４】本発明の目的は、上述の方法を特に経済的
なやり方、すなわち価格を最低限に押さえかつ装置構造
を簡単化したやり方で実現可能とする装置を提供するこ
とにある。
なやり方、すなわち価格を最低限に押さえかつ装置構造
を簡単化したやり方で実現可能とする装置を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、中央永久
磁石及びその中央永久磁石を取り囲みかつそれとは離れ
て置かれた逆極性の端部永久磁石が、次のような方法で
関連するターゲットに関して変位可能に取り付けられて
いるという点で、必然的に達成される。すなわち、ター
ゲットに隣接する第１の位置では、磁界がカソードスパ
ッタプロセスを可能にさせるターゲット領域で発生され
、ターゲットに対して空間的に離れた第２の位置では、
アーク放電プロセスを可能とさせる磁界が発生される。
磁石及びその中央永久磁石を取り囲みかつそれとは離れ
て置かれた逆極性の端部永久磁石が、次のような方法で
関連するターゲットに関して変位可能に取り付けられて
いるという点で、必然的に達成される。すなわち、ター
ゲットに隣接する第１の位置では、磁界がカソードスパ
ッタプロセスを可能にさせるターゲット領域で発生され
、ターゲットに対して空間的に離れた第２の位置では、
アーク放電プロセスを可能とさせる磁界が発生される。
【０００６】この方法では、ターゲットエリア、すなわ
ちアーク放電のフェーズの間中ターゲット表面のエリア
において、１０から２５０エールステッド（Ｏｅ）の範
囲にある、ターゲット表面に平行に延びている磁界成分
を持つ磁界を発生することができ、一方、カソードスパ
ッタのフェーズでは、対応成分は、５０から５００エー
ルステッド、特に１００から２５０エールステッドの範
囲の値を持つ磁界を発生することができる。
ちアーク放電のフェーズの間中ターゲット表面のエリア
において、１０から２５０エールステッド（Ｏｅ）の範
囲にある、ターゲット表面に平行に延びている磁界成分
を持つ磁界を発生することができ、一方、カソードスパ
ッタのフェーズでは、対応成分は、５０から５００エー
ルステッド、特に１００から２５０エールステッドの範
囲の値を持つ磁界を発生することができる。
【０００７】磁石装置のターゲットからの間隔は、アー
ク放電動作のフェーズにおいて、１０から２０ｃｍの範
囲に存在する。
ク放電動作のフェーズにおいて、１０から２０ｃｍの範
囲に存在する。
【０００８】本発明の１つの配置構成によれば、ターゲ
ットは、電磁環状コイルによって取り囲まれている。こ
の電磁コイルは、特に、カソードスパッタプロセスのフ
ェーズの間動作する。しかし、ターゲットに形成するア
ークトラックに影響を及ぼし、この方法でターゲットの
使用可能な寿命を延ばすために、アーク放電プロセスの
フェーズでも使用され得る。
ットは、電磁環状コイルによって取り囲まれている。こ
の電磁コイルは、特に、カソードスパッタプロセスのフ
ェーズの間動作する。しかし、ターゲットに形成するア
ークトラックに影響を及ぼし、この方法でターゲットの
使用可能な寿命を延ばすために、アーク放電プロセスの
フェーズでも使用され得る。
【０００９】本発明の装置は、特に窒化物、炭素窒化物
、及びチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、
ニオブ、アルミニウムの炭化物、及びそれらの２成分及
び３成分混合物の炭化物の製造に有効に使用される。
、及びチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、
ニオブ、アルミニウムの炭化物、及びそれらの２成分及
び３成分混合物の炭化物の製造に有効に使用される。
【００１０】
【作用】ベッセル内で、基板支持体は、アーク放電に必
要なアノードに沿って配置されている。基板支持体は、
回転可能に形成され、被覆される基板を保持する働きを
する。
要なアノードに沿って配置されている。基板支持体は、
回転可能に形成され、被覆される基板を保持する働きを
する。
【００１１】中央の永久磁石に加えて、端部永久磁石が
その中央永久磁石から径方向に離されて設けられている
。それらの端部永久磁石は、支持板を介して磁気的に短
絡されている。中央永久磁石に較べて、端部永久磁石は
、ターゲットに関して逆極性になっている。
その中央永久磁石から径方向に離されて設けられている
。それらの端部永久磁石は、支持板を介して磁気的に短
絡されている。中央永久磁石に較べて、端部永久磁石は
、ターゲットに関して逆極性になっている。
【００１２】この端部配列の永久磁石は、軸方向に移動
され得る。中央永久磁石は、端部永久磁石との間で相対
的移動が可能になっている。
され得る。中央永久磁石は、端部永久磁石との間で相対
的移動が可能になっている。
【００１３】端部にある永久磁石装置は、アーク放電中
に、不活性位置に持ち込まれる。カソードスパッタのフ
ェーズ中、端部永久磁石装置は、ターゲットに隣接する
位置に適合し、中央永久磁石と共働し、ターゲット表面
領域に顕著なトンネル状磁界を形成する。
に、不活性位置に持ち込まれる。カソードスパッタのフ
ェーズ中、端部永久磁石装置は、ターゲットに隣接する
位置に適合し、中央永久磁石と共働し、ターゲット表面
領域に顕著なトンネル状磁界を形成する。
【００１４】中央永久磁石が、スペーサによって端部永
久磁石装置から分離されているので、好ましい一定の侵
食プロフィールを与えるところの好都合にインバランス
の、非常に効果的なマグネトロン装置が得られる。
久磁石装置から分離されているので、好ましい一定の侵
食プロフィールを与えるところの好都合にインバランス
の、非常に効果的なマグネトロン装置が得られる。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に係るアークマグネトロンの
第１の例を示す。この装置において、中央永久磁石２は
、ターゲット１に直接隣接して配置され、例えば銅やア
ルミニウムの磁気的に中性な材料のようなものから成る
隔離素子すなわちスペーサ６の中間体を介して、磁気的
中性材料の棒状支持体７に取り付けられすなわち固定さ
れている。本実施例では固定配置されかつターゲット１
に関して僅かな間隔を有するこの中央永久磁石を介して
、磁界がターゲットエリア内に発生され、脱気されたベ
ッセルすなわちチャンバ５内でアーク放電モードで装置
を動作させる。
第１の例を示す。この装置において、中央永久磁石２は
、ターゲット１に直接隣接して配置され、例えば銅やア
ルミニウムの磁気的に中性な材料のようなものから成る
隔離素子すなわちスペーサ６の中間体を介して、磁気的
中性材料の棒状支持体７に取り付けられすなわち固定さ
れている。本実施例では固定配置されかつターゲット１
に関して僅かな間隔を有するこの中央永久磁石を介して
、磁界がターゲットエリア内に発生され、脱気されたベ
ッセルすなわちチャンバ５内でアーク放電モードで装置
を動作させる。
【００１６】ベッセルすなわちチャンバにおいて、基板
支持体９は、アーク放電に必要な、概略的に表されたア
ノード８に沿って配置されている。このアノードは、環
状アノードであり、チャンバ５の部分によって好都合に
形成されている。基板支持体９は変位可能にすなわち回
転可能に形成され、被覆される基板１０を保持する働き
をする。
支持体９は、アーク放電に必要な、概略的に表されたア
ノード８に沿って配置されている。このアノードは、環
状アノードであり、チャンバ５の部分によって好都合に
形成されている。基板支持体９は変位可能にすなわち回
転可能に形成され、被覆される基板１０を保持する働き
をする。
【００１７】中央永久磁石に加えて、端部永久磁石３が
その中央永久磁石から径方向に離されて設けられている
。それらの端部永久磁石は、支持板４を介して磁気的に
短絡されている。中央永久磁石２と較べて、端部永久磁
石３は、ターゲット１に関して逆極性になっている。
その中央永久磁石から径方向に離されて設けられている
。それらの端部永久磁石は、支持板４を介して磁気的に
短絡されている。中央永久磁石２と較べて、端部永久磁
石３は、ターゲット１に関して逆極性になっている。
【００１８】この端部配列の永久磁石は、双方向矢印に
よって示されているように、軸方向に移動され得る。そ
のために、支持板４は、中央開口を有している。中央永
久磁石２用の支持棒７は、その中央開口を通して延び、
中央永久磁石２と端部永久磁石３との間で相対的移動が
可能になっている。
よって示されているように、軸方向に移動され得る。そ
のために、支持板４は、中央開口を有している。中央永
久磁石２用の支持棒７は、その中央開口を通して延び、
中央永久磁石２と端部永久磁石３との間で相対的移動が
可能になっている。
【００１９】端部にある永久磁石装置３，４は、アーク
放電中に、連続線で示される不活性位置に持ち込まれる
。カソードスパッタのフェーズ中、端部永久磁石装置は
、ターゲット１に隣接する破線で示めされた位置に適合
し、中央永久磁石２と共働し、ターゲット表面領域に顕
著なトンネル状磁界を形成する。
放電中に、連続線で示される不活性位置に持ち込まれる
。カソードスパッタのフェーズ中、端部永久磁石装置は
、ターゲット１に隣接する破線で示めされた位置に適合
し、中央永久磁石２と共働し、ターゲット表面領域に顕
著なトンネル状磁界を形成する。
【００２０】中央永久磁石２が、スペーサ６によって端
部永久磁石装置から分離されているので、好ましい一定
の侵食プロフィールを与えるところの好都合にインバラ
ンスの、非常に効果的なマグネトロン装置が得られる。
部永久磁石装置から分離されているので、好ましい一定
の侵食プロフィールを与えるところの好都合にインバラ
ンスの、非常に効果的なマグネトロン装置が得られる。
【００２１】図２に示された変形例は、図１の実施例に
較べて、永久磁石装置の有効性がアーク放電あるいはカ
ソードスパッタ動作の間中、乱らに悪化されることなし
に、非常に簡潔な構成になる利点を有する。
較べて、永久磁石装置の有効性がアーク放電あるいはカ
ソードスパッタ動作の間中、乱らに悪化されることなし
に、非常に簡潔な構成になる利点を有する。
【００２２】この実施例では、中央永久磁石２は、端部
永久磁石３とともに軸方向に移動できるようになってい
る。従って、中央永久磁石２及び端部磁石３が、磁気短
絡回路を生ずる同一の支持板４上に配列され得る。この
磁気装置の軸移動は、概略的なガイド１２内に取り付け
られている支持棒７を行われ、駆動ユニット１３によっ
て軸方向に移動し得る。
永久磁石３とともに軸方向に移動できるようになってい
る。従って、中央永久磁石２及び端部磁石３が、磁気短
絡回路を生ずる同一の支持板４上に配列され得る。この
磁気装置の軸移動は、概略的なガイド１２内に取り付け
られている支持棒７を行われ、駆動ユニット１３によっ
て軸方向に移動し得る。
【００２３】電磁環状コイル１１は、ターゲット１の領
域内に設けられ、カソードスパッタプロセス中、公知の
方法で動作状態に設定される。一方、アーク放電のフェ
ーズ中、これは動作から外される。すなわち、形成する
アークトラックに影響を与え、それによってターゲット
１の使用寿命を増す働きをするように制御される。
域内に設けられ、カソードスパッタプロセス中、公知の
方法で動作状態に設定される。一方、アーク放電のフェ
ーズ中、これは動作から外される。すなわち、形成する
アークトラックに影響を与え、それによってターゲット
１の使用寿命を増す働きをするように制御される。
【００２４】図２に示された位置において、永久磁石装
置は、ターゲット１に対してかなり大きな間隔を有する
。ターゲットエリア内で形成する分散磁界は、アーク放
電モードにおける装置の動作を保証するために充分であ
る。永久磁石装置が軸方向に上方に動かされ、ターゲッ
ト１のすぐ近くに持ち込まれると、そのときは、カソー
ドスパッタプロセスが実行される。
置は、ターゲット１に対してかなり大きな間隔を有する
。ターゲットエリア内で形成する分散磁界は、アーク放
電モードにおける装置の動作を保証するために充分であ
る。永久磁石装置が軸方向に上方に動かされ、ターゲッ
ト１のすぐ近くに持ち込まれると、そのときは、カソー
ドスパッタプロセスが実行される。
【００２５】図３は、ターゲット１に関して絶縁された
方法で取り付けられているホウ素窒化物周囲リング１４
、及び接地されているプラズマシールド１５を備えてい
るターゲット１の概略平面図である。
方法で取り付けられているホウ素窒化物周囲リング１４
、及び接地されているプラズマシールド１５を備えてい
るターゲット１の概略平面図である。
【００２６】マグネトロン源１６の正極は、接地部及び
ホウ素窒化物周囲リング１４の間で、スイッチＳ１によ
って切り換えられ接地され得るようになっており、その
負極はターゲット１に接続されている。始動プロセスの
間中、正極は、スイッチＳ１を介してホウ素窒化物周囲
リング１４に接続され、始動後に、アーク放電源１７の
正極が通常動作の間中接地されるように、スイッチＳ１
が切り換えられる。
ホウ素窒化物周囲リング１４の間で、スイッチＳ１によ
って切り換えられ接地され得るようになっており、その
負極はターゲット１に接続されている。始動プロセスの
間中、正極は、スイッチＳ１を介してホウ素窒化物周囲
リング１４に接続され、始動後に、アーク放電源１７の
正極が通常動作の間中接地されるように、スイッチＳ１
が切り換えられる。
【００２７】アーク動作からマグネトロン動作へ転移す
る間中、ホウ素窒化物周囲リング１４は、スイッチＳ２
を介してカソード電位すなわちターゲット電位に接続さ
れ、周囲リング１４とターゲット１間のギャップでのア
ーク放電を防止している。従って、スイッチＳ２は、ホ
ウ素窒化物周囲リングの電位分割を可能にする。
る間中、ホウ素窒化物周囲リング１４は、スイッチＳ２
を介してカソード電位すなわちターゲット電位に接続さ
れ、周囲リング１４とターゲット１間のギャップでのア
ーク放電を防止している。従って、スイッチＳ２は、ホ
ウ素窒化物周囲リングの電位分割を可能にする。
【００２８】次に、アーク放電動作モード及びカソード
スパッタ動作モードに対する本発明の装置のパラメータ
の好適な値あるいは値範囲について説明する。
スパッタ動作モードに対する本発明の装置のパラメータ
の好適な値あるいは値範囲について説明する。
【００２９】
動作モードアーク放電
Ｐｔｏｔａｌ ：０．５−５０・１０−３ｍｂａｒ
，特に＜１０−３ｍｂａｒ △ＰＡｒ ：０．５−
５０・１０−３ｍｂａｒ，特に約１０−３ｍｂａｒ
△ＰＮ２ ：０．２−２０・１０−３ｍｂａｒ，特に
約１０−３ｍｂａｒ △ＰＣｘＨｘ：０．２−２０・
１０−３ｍｂａｒ，特に約１０−３ｍｂａｒ Ｉｃａ
ｔｈｏｄｅ ：３５−２００Ａ，特に４０−６０Ａ
−Ｕｃａｔｈｏｄｅ：５０−１２０Ｖ，特に６０−９
０Ｖ −Ｕｂｉａｓ ：０−２００Ｖ，特に５０
−１００Ｖ Ｈ／／：１０−２５０ Ｏｅ，特に１０
−５０ Ｏｅ 磁石装置／ターゲット間隔：２−２０
ｃｍ，特に１０−２０ｃｍ
，特に＜１０−３ｍｂａｒ △ＰＡｒ ：０．５−
５０・１０−３ｍｂａｒ，特に約１０−３ｍｂａｒ
△ＰＮ２ ：０．２−２０・１０−３ｍｂａｒ，特に
約１０−３ｍｂａｒ △ＰＣｘＨｘ：０．２−２０・
１０−３ｍｂａｒ，特に約１０−３ｍｂａｒ Ｉｃａ
ｔｈｏｄｅ ：３５−２００Ａ，特に４０−６０Ａ
−Ｕｃａｔｈｏｄｅ：５０−１２０Ｖ，特に６０−９
０Ｖ −Ｕｂｉａｓ ：０−２００Ｖ，特に５０
−１００Ｖ Ｈ／／：１０−２５０ Ｏｅ，特に１０
−５０ Ｏｅ 磁石装置／ターゲット間隔：２−２０
ｃｍ，特に１０−２０ｃｍ
【００３０】
動作モードカソードスパッタ
Ｐｔｏｔａｌ ：０．５−５０・１０−３ｍｂａｒ
，特に２−５・１０−３ｍｂａｒ △ＰＡｒ ：０
．５−５０・１０−３ｍｂａｒ，特に１−３・１０−３
ｍｂａｒ △ＰＮ２ ：０．２−２０・１０−３ｍ
ｂａｒ，特に０．５−１・１０−３ｍｂａｒ −Ｕｃ
ａｔｈｏｄｅ：３００−７５０Ｖ，特に４００−６００
Ｖ −Ｕｂｉａｓ ：２０−２００Ｖ，特に５０
−１００Ｖ Ｎｃａｔｈｏｄｅ ：５−２５Ｗ／ｃ
ｍ２，特に８−１２Ｗ／ｃｍ２ Ｊｂｉａｓ
：０．５−１０ｍＡ／ｃｍ２，特に２−５ｍＡ／ｃｍ
２ Ｈ／／：５０−５００ Ｏｅ，特に１００−２５
０ Ｏｅ。
，特に２−５・１０−３ｍｂａｒ △ＰＡｒ ：０
．５−５０・１０−３ｍｂａｒ，特に１−３・１０−３
ｍｂａｒ △ＰＮ２ ：０．２−２０・１０−３ｍ
ｂａｒ，特に０．５−１・１０−３ｍｂａｒ −Ｕｃ
ａｔｈｏｄｅ：３００−７５０Ｖ，特に４００−６００
Ｖ −Ｕｂｉａｓ ：２０−２００Ｖ，特に５０
−１００Ｖ Ｎｃａｔｈｏｄｅ ：５−２５Ｗ／ｃ
ｍ２，特に８−１２Ｗ／ｃｍ２ Ｊｂｉａｓ
：０．５−１０ｍＡ／ｃｍ２，特に２−５ｍＡ／ｃｍ
２ Ｈ／／：５０−５００ Ｏｅ，特に１００−２５
０ Ｏｅ。
【００３１】これらのパラメータに関し、Ｐｔｏｔａｌ
は、脱気可能なベッセル内の全ての分圧の合計を意味し
、パラメータＨ／／は、ターゲット表面に平行な磁界成
分の大きさを示す。
は、脱気可能なベッセル内の全ての分圧の合計を意味し
、パラメータＨ／／は、ターゲット表面に平行な磁界成
分の大きさを示す。
【００３２】パラメータＮは、カソードにおける電力密
度であり、基板の電流密度は、Ｊｂｉａｓによって示さ
れている。
度であり、基板の電流密度は、Ｊｂｉａｓによって示さ
れている。
【００３３】また、引用されたパラメータの値を用いる
ことによって、最適な結果を得るため、ターゲットと永
久磁石装置間の間隔を選択すること、及び、最良の可能
な結果を得るため、永久磁石装置自体の形状を決めるこ
とができる。
ことによって、最適な結果を得るため、ターゲットと永
久磁石装置間の間隔を選択すること、及び、最良の可能
な結果を得るため、永久磁石装置自体の形状を決めるこ
とができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によって、特に経済的でかつ構造
の簡単な基板被覆装置が得られる。
の簡単な基板被覆装置が得られる。
【図１】本発明に係る装置の一実施例の概略図である。
【図２】本発明の第２実施例の図１と同様な概略説明図
である。
である。
【図３】関連電源を備えたターゲットの概略平面図であ
る。
る。
１ ターゲット
２ 中央永久磁石
３ 端部永久磁石
４ 支持板
５ ベッセル
６ スペーサ
７ 棒状支持体
９ 基板支持体
１１ ホウ素窒化物周囲リング
１６ マグネトロン源
１７ アーク源
Claims (11)
- 【請求項１】 少なくとも１個のターゲット、それと
関連したアノード、及び基板支持体が配置されている脱
気可能なベッセルから構成され、さらに関連の電流電圧
源が設けられているとともに、磁石装置が各ターゲット
と関連して配置されている装置であって、アーク放電及
びカソードスパッタプロセスを用いて基板を被覆する装
置において、中央の永久磁石及びその中央永久磁石を取
り囲みかつそれから離れて置かれた逆極性の端部永久磁
石から成る上記磁石装置は、上記ターゲットに隣接する
第１の位置における磁界が、カソードスパッタプロセス
を可能にさせるターゲット領域で発生され、さらに、上
記ターゲットから離れた第２の位置における磁界が、ア
ーク放電プロセスを可能にさせる領域で発生されるよう
に、上記関連したターゲットに関して変位可能に設置さ
れていることを特徴とする基板被覆装置。 - 【請求項２】 請求項１の装置において、上記中央永
久磁石及び端部永久磁石が、個々の永久磁石に関して磁
気短絡回路をもたらす共通の支持板に取り付けられてお
り、さらに上記支持板が、特に、磁気的に中性の材料か
ら成るスペーサ素子である中間体を介して、軸方向に調
節可能な支持棒と接続されていることを特徴とする基板
被覆装置。 - 【請求項３】 請求項１の装置において、上記中央永
久磁石が、上記ターゲットに隣接する固定位置において
、上記ターゲットに関連して設置され、さらに、上記端
部永久磁石が、上記支持板と一緒に、上記ターゲットに
関して軸方向に変位可能に設置されていると同時に、カ
ソードスパッタに対応する第１の位置とアーク放電に対
応する第２の位置間で可動になっていることを特徴とす
る基板被覆装置。 - 【請求項４】 請求項３の装置において、上記中央永
久磁石及び上記端部永久磁石が、互いに磁気的に分離さ
れており、さらに、この磁気的分離を行うために、磁気
的に中性な材料から成るスペーサ素子が上記支持板及び
上記中央永久磁石間に配置されていることを特徴とする
基板被覆装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の装置において、上記中央永久磁石が、上記端部永久磁
石よりも実質的に小さく、特に磁気的効力が弱くなって
いることを特徴とする基板被覆装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載
の装置において、上記ターゲットが、それぞれの動作モ
ードに従って制御（付勢）され得る電磁コイルによって
取り囲まれていることを特徴とする基板被覆装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
の装置において、第２動作位置における上記ターゲット
と上記磁石装置間の間隔に必然的に対応する、２つの動
作位置間の間隔が、１０ｃｍから２０ｃｍの範囲に存在
することを特徴とする基板被覆装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載
の装置において、アーク放電中に上記ターゲット面に平
行に延びる磁界成分が、１０から２５０エールステッド
、特に１０から５０エールステッドの範囲にあることを
特徴とする基板被覆装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載
の装置において、カソードスパッタ中に上記ターゲット
面に平行に延びている磁界成分が、５０から２５０エー
ルステッド、特に、１００から２５０エールステッドの
範囲にあることを特徴とする基板被覆装置。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項に記
載の装置において、上記ターゲット面は、上記ターゲッ
トに関して絶縁されたホウ酸窒化物周囲リングによって
取り囲まれ、さらに、このホウ酸窒化物周囲リングは、
アーク放電を防止するため、マグネトロン動作に移行す
る時、カソード電位に接続されることを特徴とする基板
被覆装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか１項に
記載の装置において、上記アノードが、上記ベッセル中
に作られたベッセル構造物によって形成されていること
を特徴とする基板被覆装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4017111.6 | 1990-05-28 | ||
| DE4017111A DE4017111C2 (de) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04231463A true JPH04231463A (ja) | 1992-08-20 |
| JP3591846B2 JP3591846B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=6407318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15117991A Expired - Lifetime JP3591846B2 (ja) | 1990-05-28 | 1991-05-27 | 基板被覆装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5160595A (ja) |
| EP (1) | EP0459137B1 (ja) |
| JP (1) | JP3591846B2 (ja) |
| AT (1) | ATE194437T1 (ja) |
| DE (2) | DE4017111C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE202009005904U1 (de) | 2008-08-25 | 2009-06-25 | Shimano Inc., Sakai City | Fahrradnabenschaltung |
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| JP2012517522A (ja) * | 2009-02-09 | 2012-08-02 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | アーク蒸発源のための改変可能な磁気配列 |
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| JPS6396840A (ja) | イオン源 |
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