JPH04231485A - アルミニウム基材に耐蝕性保護被膜を形成する方法 - Google Patents
アルミニウム基材に耐蝕性保護被膜を形成する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム基材に形
成された耐蝕性保護被膜に関する。特に好ましい実施形
式では、本発明は半導体ウェーハに集積回路構造物を形
成するのに使用される処理装置で使用することのできる
被覆アルミニウム基材を形成するために、高純度の酸化
アルミニウム被膜を１種又は数種の弗素含有ガスと接触
させてアルミニウム基材に形成された高純度の保護被膜
に関する。
成された耐蝕性保護被膜に関する。特に好ましい実施形
式では、本発明は半導体ウェーハに集積回路構造物を形
成するのに使用される処理装置で使用することのできる
被覆アルミニウム基材を形成するために、高純度の酸化
アルミニウム被膜を１種又は数種の弗素含有ガスと接触
させてアルミニウム基材に形成された高純度の保護被膜
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハに集積回路構造物を製造
する場合に使用する処理装置のチャンバー壁、例えば化
学蒸着（ＣＶＤ）チャンバー及び／又はエッチングチャ
ンバー、例えば反応性イオンエッチングチャンバーは、
かかる蒸着及びエッチング処理で使用される化学物質に
よる攻撃を受ける。
する場合に使用する処理装置のチャンバー壁、例えば化
学蒸着（ＣＶＤ）チャンバー及び／又はエッチングチャ
ンバー、例えば反応性イオンエッチングチャンバーは、
かかる蒸着及びエッチング処理で使用される化学物質に
よる攻撃を受ける。
【０００３】従来は、半導体ウェーハ処理装置でチャン
バーの内壁に陽極処理アルミニウム基体を有するアルミ
ニウムチャンバーを使用することによって、かかる化学
的攻撃に対して十分な保護が得られると共に、処理装置
チャンバーを構成するのに比較的安い金属の利用が可能
であった。しかしながら、最近集積回路チップ産業では
、集積回路構造物を製造するのに使用される処理装置に
おいて純度についての更に高い標準を設ける必要性が認
識されている。それ故、これは“Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｐ
ａｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ
Ｍｅｔａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ） ”〔ＵＬＳＩ Ｕｌｔ
ｒａ−ｃｌｅａｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ の第８回シン
ポジウム〕プロシーディングズ（１９８９年１月２６〜
２８日）において、オーミ（Ｏｈｍｉ） によって提案
された。つまり、ＨＦで前処理して酸化物を除去し、高
純度のＦ２ ガスで不動態化して非化学量論的弗化鉄を
形成し、次いで熱処理して Ｆｅ Ｆ２被膜を形成した
高研摩ステンレス鋼で陽極処理アルミニウムを置き換え
るものである。得られた膜はガス状ハロゲン含有環境に
耐えるが、水性環境にさらすと腐食する。
バーの内壁に陽極処理アルミニウム基体を有するアルミ
ニウムチャンバーを使用することによって、かかる化学
的攻撃に対して十分な保護が得られると共に、処理装置
チャンバーを構成するのに比較的安い金属の利用が可能
であった。しかしながら、最近集積回路チップ産業では
、集積回路構造物を製造するのに使用される処理装置に
おいて純度についての更に高い標準を設ける必要性が認
識されている。それ故、これは“Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｐ
ａｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ
Ｍｅｔａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ） ”〔ＵＬＳＩ Ｕｌｔ
ｒａ−ｃｌｅａｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ の第８回シン
ポジウム〕プロシーディングズ（１９８９年１月２６〜
２８日）において、オーミ（Ｏｈｍｉ） によって提案
された。つまり、ＨＦで前処理して酸化物を除去し、高
純度のＦ２ ガスで不動態化して非化学量論的弗化鉄を
形成し、次いで熱処理して Ｆｅ Ｆ２被膜を形成した
高研摩ステンレス鋼で陽極処理アルミニウムを置き換え
るものである。得られた膜はガス状ハロゲン含有環境に
耐えるが、水性環境にさらすと腐食する。
【０００４】また、オーミ（Ｏｈｍｉ）により“Ｏｕｔ
ｇａｓ−ＦｒｅｅＣｏｒｒｏｓｉｏｎ−Ｒｅｓｉｓｔａ
ｎｔ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ ｆｏｒ Ａｄｖａ
ｎｃｅｄ ＵＬＳＩ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｅｑｕｉｐｍｅ
ｎｔ”〔ＥＣＳ Ｆａｌｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ， シカゴ
、１９８８年１０月、ＡｕｔｏｍａｔｅｄＩＣ Ｍａｎ
ｕｆａｃｔｕｒｉｎｇのシンポジウム〕で、高研摩不動
態化ステンレス鋼材料をＯ２ 中で酸化して、この上に
保護酸化物表面を形成することが提案された。かかる表
面は、濃塩酸水溶液による明らかな攻撃に、即ち目でみ
えるようなガス発生の形跡も有しないで３０〜４０分間
の間耐えることができる。
ｇａｓ−ＦｒｅｅＣｏｒｒｏｓｉｏｎ−Ｒｅｓｉｓｔａ
ｎｔ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ ｆｏｒ Ａｄｖａ
ｎｃｅｄ ＵＬＳＩ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｅｑｕｉｐｍｅ
ｎｔ”〔ＥＣＳ Ｆａｌｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ， シカゴ
、１９８８年１０月、ＡｕｔｏｍａｔｅｄＩＣ Ｍａｎ
ｕｆａｃｔｕｒｉｎｇのシンポジウム〕で、高研摩不動
態化ステンレス鋼材料をＯ２ 中で酸化して、この上に
保護酸化物表面を形成することが提案された。かかる表
面は、濃塩酸水溶液による明らかな攻撃に、即ち目でみ
えるようなガス発生の形跡も有しないで３０〜４０分間
の間耐えることができる。
【０００５】３０〜４０分間腐食に対して耐性を有する
被膜は、通常産業上の使用には不十分であると考えられ
ると共に、水性濃鉱酸、例えば塩酸に対する曝露は、ガ
ス状ハロゲンによる腐食に対して著しく長い耐性を示す
最悪のテストに相当すると考えられることを指摘しなけ
ればならない。それ故、かかる高研摩ステンレス鋼材料
の使用は、では集積回路チップ産業の耐蝕性の必要条件
を満たすように思われる。しかしながら、処理装置、例
えば蒸着及びエッチングチャンバーのような構造物にか
かる材料を使用することはコストが著しく高価である。
被膜は、通常産業上の使用には不十分であると考えられ
ると共に、水性濃鉱酸、例えば塩酸に対する曝露は、ガ
ス状ハロゲンによる腐食に対して著しく長い耐性を示す
最悪のテストに相当すると考えられることを指摘しなけ
ればならない。それ故、かかる高研摩ステンレス鋼材料
の使用は、では集積回路チップ産業の耐蝕性の必要条件
を満たすように思われる。しかしながら、処理装置、例
えば蒸着及びエッチングチャンバーのような構造物にか
かる材料を使用することはコストが著しく高価である。
【０００６】例えばエッチング又は蒸着チャンバーの構
造物中のアルミニウムを通常のステンレス鋼材料に代え
ることは、アルミニウムの費用の約４倍の費用の増大を
もたらすと共に、高研摩の空気酸化ステンレス鋼の使用
は、通常のステンレス鋼の費用の４倍大きくなるであろ
う。即ち、従来の陽極処理アルミニウムにかかる高研摩
の特別処理ステンレス鋼を代えることによって、アルミ
ニウムを使用する場合の費用の１５倍以上の費用の増大
が生じ得る。
造物中のアルミニウムを通常のステンレス鋼材料に代え
ることは、アルミニウムの費用の約４倍の費用の増大を
もたらすと共に、高研摩の空気酸化ステンレス鋼の使用
は、通常のステンレス鋼の費用の４倍大きくなるであろ
う。即ち、従来の陽極処理アルミニウムにかかる高研摩
の特別処理ステンレス鋼を代えることによって、アルミ
ニウムを使用する場合の費用の１５倍以上の費用の増大
が生じ得る。
【０００７】それ故、その表面に耐蝕性保護被膜を有し
、処理ハロゲンガス及びプラズマの腐食攻撃に耐えるこ
とのできるアルミニウム材料（濃ハロゲン酸水溶液を使
用する耐蝕性促進試験によって測定）を得ることが望ま
れる。更に、真空処理室で使用されるアルミニウム部分
の表面で利用することができ、このためにアルミニウム
が純度標準を犠牲にしないで、集積回路チップ産業の半
導体ウェーハ処理装置の構造物中で継続して利用するこ
とのできる高純度の耐蝕性保護被膜を得ることも望まれ
る。
、処理ハロゲンガス及びプラズマの腐食攻撃に耐えるこ
とのできるアルミニウム材料（濃ハロゲン酸水溶液を使
用する耐蝕性促進試験によって測定）を得ることが望ま
れる。更に、真空処理室で使用されるアルミニウム部分
の表面で利用することができ、このためにアルミニウム
が純度標準を犠牲にしないで、集積回路チップ産業の半
導体ウェーハ処理装置の構造物中で継続して利用するこ
とのできる高純度の耐蝕性保護被膜を得ることも望まれ
る。
【０００８】
【発明の内容】それ故本発明の目的は、アルミニウム基
材に、処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に
耐えることのできる耐蝕性保護被膜を提供することであ
る。本発明のもう１つの目的は、アルミニウム基材に処
理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えるこ
とのできるアルミニウム基材の保護被膜を形成するため
に、１種又は数種の弗素含有ガスと接触させた酸化アル
ミニウム被膜を含む耐蝕性保護被膜を提供することであ
る。
材に、処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に
耐えることのできる耐蝕性保護被膜を提供することであ
る。本発明のもう１つの目的は、アルミニウム基材に処
理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えるこ
とのできるアルミニウム基材の保護被膜を形成するため
に、１種又は数種の弗素含有ガスと接触させた酸化アル
ミニウム被膜を含む耐蝕性保護被膜を提供することであ
る。
【０００９】また本発明のもう１つの目的は、処理ハロ
ゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えることので
きる高純度の耐蝕性保護被膜を有するアルミニウム基材
を得ることである。なお本発明のもう１つの目的は、処
理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えるこ
とのできる高純度の保護被膜を形成するために、１種又
は数種の弗素含有ガスと接触させた高純度の酸化アルミ
ニウム被膜を有するアルミニウム基材を得ることである
。
ゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えることので
きる高純度の耐蝕性保護被膜を有するアルミニウム基材
を得ることである。なお本発明のもう１つの目的は、処
理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に耐えるこ
とのできる高純度の保護被膜を形成するために、１種又
は数種の弗素含有ガスと接触させた高純度の酸化アルミ
ニウム被膜を有するアルミニウム基材を得ることである
。
【００１０】更に本発明の目的は、処理ハロゲンガス及
びプラズマによる腐食攻撃に耐えることのできる高純度
の保護被膜を形成するために、１種又は数種の弗素含有
ガスと反応させた高純度の酸化アルミニウム被膜で保護
されたチャンバ壁の内部アルミニウム表面を有する半導
体ウェーハ処理装置のアルミニウム真空室を得ることで
ある。
びプラズマによる腐食攻撃に耐えることのできる高純度
の保護被膜を形成するために、１種又は数種の弗素含有
ガスと反応させた高純度の酸化アルミニウム被膜で保護
されたチャンバ壁の内部アルミニウム表面を有する半導
体ウェーハ処理装置のアルミニウム真空室を得ることで
ある。
【００１１】またさらに本発明の目的は、アルミニウム
基材に処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に
耐えることのできる弗素化酸化アルミニウムの耐蝕性保
護被膜を形成する方法を得ることである。なお更に本発
明の目的は、アルミニウム基材に処理ハロゲンガス及び
プラズマによる腐食攻撃に耐えることのできる弗素化酸
化アルミニウムの耐蝕性保護被膜を形成する方法を得る
ことであり、この方法は耐蝕性保護被膜を形成するのに
は、アルミニウム基材に酸化アルミニウム被膜を形成し
、次いで酸化アルミニウム被膜を１種又は数種の弗素含
有ガスで処理することを含む。
基材に処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に
耐えることのできる弗素化酸化アルミニウムの耐蝕性保
護被膜を形成する方法を得ることである。なお更に本発
明の目的は、アルミニウム基材に処理ハロゲンガス及び
プラズマによる腐食攻撃に耐えることのできる弗素化酸
化アルミニウムの耐蝕性保護被膜を形成する方法を得る
ことであり、この方法は耐蝕性保護被膜を形成するのに
は、アルミニウム基材に酸化アルミニウム被膜を形成し
、次いで酸化アルミニウム被膜を１種又は数種の弗素含
有ガスで処理することを含む。
【００１２】本発明のもう１つの目的は、アルミニウム
基材に処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に
耐えることのできる弗素化酸化アルミニウムの高純度の
耐蝕性保護被膜を形成する方法を得ることであり、この
方法は高純度の耐蝕性保護被膜を形成するのには、アル
ミニウム基材に高純度の酸化アルミニウム被膜を形成し
、次いで酸化アルミニウム被膜を１種又は数種の高純度
の弗素含有ガスで処理することを含む。
基材に処理ハロゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃に
耐えることのできる弗素化酸化アルミニウムの高純度の
耐蝕性保護被膜を形成する方法を得ることであり、この
方法は高純度の耐蝕性保護被膜を形成するのには、アル
ミニウム基材に高純度の酸化アルミニウム被膜を形成し
、次いで酸化アルミニウム被膜を１種又は数種の高純度
の弗素含有ガスで処理することを含む。
【００１３】本発明は、広い見地ではアルミニウム表面
、例えば図１に示された処理ハロゲンガス及びプラズマ
による腐食攻撃に耐えることのできる耐蝕性保護被膜２
０が形成されたアルミニウム基材１０の表面１２を含む
。保護被膜は、アルミニウム基材に、先づ酸化アルミニ
ウム層を形成し、次いでこの上に保護被膜を形成するた
めに、酸化アルミニウム層を１種又は数種の弗素含有ガ
スと接触させて形成される。
、例えば図１に示された処理ハロゲンガス及びプラズマ
による腐食攻撃に耐えることのできる耐蝕性保護被膜２
０が形成されたアルミニウム基材１０の表面１２を含む
。保護被膜は、アルミニウム基材に、先づ酸化アルミニ
ウム層を形成し、次いでこの上に保護被膜を形成するた
めに、酸化アルミニウム層を１種又は数種の弗素含有ガ
スと接触させて形成される。
【００１４】特に好ましい実施態様では、本発明は半導
体ウェーハの処理に使用するアルミニウムチャンバー、
例えば図２に示され前述の処理ハロゲンガス及びプラズ
マによる腐食攻撃に耐えることのできるように形成され
た高純度の耐蝕性保護被膜４０で保護されたその内表面
３２を有するアルミニウム反応チャンバー３０を含む。 高純度の保護被膜はアルミニウム基材に、先づ高純度の
酸化アルミニウム層を形成し、次いでこの上に本発明の
高純度の保護被膜を形成するために、高純度の酸化アル
ミニウム層を１種又は数種の高純度の弗素含有ガスと接
触させる。
体ウェーハの処理に使用するアルミニウムチャンバー、
例えば図２に示され前述の処理ハロゲンガス及びプラズ
マによる腐食攻撃に耐えることのできるように形成され
た高純度の耐蝕性保護被膜４０で保護されたその内表面
３２を有するアルミニウム反応チャンバー３０を含む。 高純度の保護被膜はアルミニウム基材に、先づ高純度の
酸化アルミニウム層を形成し、次いでこの上に本発明の
高純度の保護被膜を形成するために、高純度の酸化アル
ミニウム層を１種又は数種の高純度の弗素含有ガスと接
触させる。
【００１５】本発明の目的は、処理ハロゲン及びプラズ
マによる腐食攻撃に耐える保護被膜を形成することであ
るが、ここでは、液体又は水性ハロゲン酸に曝露した場
合に本発明の被膜の耐蝕性について記述する。それは、
液体又は水性ハロゲン酸は著しく苛酷な環境であると考
えられ、それ故前述のようにかかる水性ハロゲン環境に
対する耐性は最悪の場合のテストに相当すると考えられ
るからである。
マによる腐食攻撃に耐える保護被膜を形成することであ
るが、ここでは、液体又は水性ハロゲン酸に曝露した場
合に本発明の被膜の耐蝕性について記述する。それは、
液体又は水性ハロゲン酸は著しく苛酷な環境であると考
えられ、それ故前述のようにかかる水性ハロゲン環境に
対する耐性は最悪の場合のテストに相当すると考えられ
るからである。
【００１６】本発明で使用される“高純度の酸化アルミ
ニウム”という用語は、純度少くとも９７重量％、好ま
しくは９９重量％以上を有し、殊に不純物、例えば硫黄
、硼素及び燐及び一般に他の金属及びメタロイド（シリ
コンを含む）を包含する他の元素３重量％以下、好まし
くは１重量％以下を有する酸化アルミニウムを意味する
。これらの不純物は、半導体ウェーハに集積回路構造物
を形成する場合に使用される処理物質と相互に作用し、
望ましくない不純物を系に導入する。
ニウム”という用語は、純度少くとも９７重量％、好ま
しくは９９重量％以上を有し、殊に不純物、例えば硫黄
、硼素及び燐及び一般に他の金属及びメタロイド（シリ
コンを含む）を包含する他の元素３重量％以下、好まし
くは１重量％以下を有する酸化アルミニウムを意味する
。これらの不純物は、半導体ウェーハに集積回路構造物
を形成する場合に使用される処理物質と相互に作用し、
望ましくない不純物を系に導入する。
【００１７】かかる高純度の酸化アルミニウムを形成す
べきアルミニウム基材は、純度少くとも約９９重量％、
好ましくは純度約９９．９重量％を有していなければな
らない。本発明で使用される“酸化アルミニウム”とい
う用語は、十分な脱水酸化アルミニウム、即ちＡｌ２Ｏ
３ （アルファアルミナ）と酸化アルミニウムの水和形
、例えばＡｌ（ＯＨ）３ （バイエライト）又はＡｌＯ
（ＯＨ） （ベーマイト）を意図している。
べきアルミニウム基材は、純度少くとも約９９重量％、
好ましくは純度約９９．９重量％を有していなければな
らない。本発明で使用される“酸化アルミニウム”とい
う用語は、十分な脱水酸化アルミニウム、即ちＡｌ２Ｏ
３ （アルファアルミナ）と酸化アルミニウムの水和形
、例えばＡｌ（ＯＨ）３ （バイエライト）又はＡｌＯ
（ＯＨ） （ベーマイト）を意図している。
【００１８】本発明で使用される“高純度の保護被膜”
という用語は、前述のような高純度の酸化アルミニウム
を意味し、この酸化アルミニウムは１種又は数種の弗素
含有ガスと接触させて、形成されたアルミニウム、酸素
、水素及び弗素以外の元素約３重量％以下、好ましくは
約１重量％を含有する被膜である。本発明の保護被膜の
耐蝕性を評価するのに使用される濃ハロゲン酸水溶液に
関する“濃ハロゲン酸”という用語は、３５重量％又は
これよりも大きい濃度のＨＣｌ 又は４８重量％又はこ
れよりも大きい濃度のＨＦである。
という用語は、前述のような高純度の酸化アルミニウム
を意味し、この酸化アルミニウムは１種又は数種の弗素
含有ガスと接触させて、形成されたアルミニウム、酸素
、水素及び弗素以外の元素約３重量％以下、好ましくは
約１重量％を含有する被膜である。本発明の保護被膜の
耐蝕性を評価するのに使用される濃ハロゲン酸水溶液に
関する“濃ハロゲン酸”という用語は、３５重量％又は
これよりも大きい濃度のＨＣｌ 又は４８重量％又はこ
れよりも大きい濃度のＨＦである。
【００１９】（ａ） 耐蝕性保護被膜の形成本発明の耐
蝕性保護被膜を形成する実施態様において、あらかじめ
アルミニウム基材に形成した酸化アルミニウム膜を、１
種又は数種の弗素含有ガスと接触させることが必要であ
る。１種又は数種の弗素含有ガスと接触させるべき酸化
アルミニウム膜は、接触工程前に厚さ少くとも約０．１
マイクロメーター（１０００オングストローム）から約
２０マイクロメーター（ミクロン）まで有していなけれ
ばならない。これよりも厚い酸化物の膜又は層を使用す
ることもできるが、本発明の耐蝕性保護被膜を形成する
のには不必要である。
蝕性保護被膜を形成する実施態様において、あらかじめ
アルミニウム基材に形成した酸化アルミニウム膜を、１
種又は数種の弗素含有ガスと接触させることが必要であ
る。１種又は数種の弗素含有ガスと接触させるべき酸化
アルミニウム膜は、接触工程前に厚さ少くとも約０．１
マイクロメーター（１０００オングストローム）から約
２０マイクロメーター（ミクロン）まで有していなけれ
ばならない。これよりも厚い酸化物の膜又は層を使用す
ることもできるが、本発明の耐蝕性保護被膜を形成する
のには不必要である。
【００２０】好ましくは、アルミニウム基材にあらかじ
め形成した酸化アルミニウム層に接触させるのに使用す
る１種又は数種の弗素含有ガスは、酸の蒸気又はガス、
例えばガス状ＨＦ又はＦ２ を含有し、不活性キャリヤ
ーガス、例えばアルゴン又はネオン又は他のキャリヤー
ガス、例えば水素、酸素、空気又は水蒸気、例えばスチ
ームを有するか又は有しない。本発明を実施する場合に
使用してもよい他の弗素含有ガスの例としては、ＮＦ３
、ＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 及びＣ２Ｆ６があげられる。
め形成した酸化アルミニウム層に接触させるのに使用す
る１種又は数種の弗素含有ガスは、酸の蒸気又はガス、
例えばガス状ＨＦ又はＦ２ を含有し、不活性キャリヤ
ーガス、例えばアルゴン又はネオン又は他のキャリヤー
ガス、例えば水素、酸素、空気又は水蒸気、例えばスチ
ームを有するか又は有しない。本発明を実施する場合に
使用してもよい他の弗素含有ガスの例としては、ＮＦ３
、ＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 及びＣ２Ｆ６があげられる。
【００２１】本発明の好ましい実施態様により高純度の
保護被膜を形成する場合には、この工程で使用される試
薬が、アルミニウム基材にあらかじめ形成した高純度の
酸化アルミニウム中にどのような不純物も入らないよう
に十分に純粋でなければならない。弗素含有ガス及びこ
の工程で使用される他のガス状試薬が、約１００ｐｐｍ
以下の純度の不純物を有する、即ち純度少くとも約９
９．９９重量％を有すると（通常少くとも半導体のグレ
ード）、かかる高純度を所望の場合に保護被膜の所望の
高純度が保持される。
保護被膜を形成する場合には、この工程で使用される試
薬が、アルミニウム基材にあらかじめ形成した高純度の
酸化アルミニウム中にどのような不純物も入らないよう
に十分に純粋でなければならない。弗素含有ガス及びこ
の工程で使用される他のガス状試薬が、約１００ｐｐｍ
以下の純度の不純物を有する、即ち純度少くとも約９
９．９９重量％を有すると（通常少くとも半導体のグレ
ード）、かかる高純度を所望の場合に保護被膜の所望の
高純度が保持される。
【００２２】特に高純度の保護被膜を形成すべき場合に
は、接触工程は好ましくは密閉反応チャンバー中で行な
うのが好ましい。しかしながら仮に反応帯域が十分に通
気しており、特に得られた保護被膜の純度が問題でない
場合には、酸化アルミニウム−被膜アルミニウム基材を
１種又は数種の弗素含有ガスと開放帯域で接触させるこ
とも本発明の範囲内である。
は、接触工程は好ましくは密閉反応チャンバー中で行な
うのが好ましい。しかしながら仮に反応帯域が十分に通
気しており、特に得られた保護被膜の純度が問題でない
場合には、酸化アルミニウム−被膜アルミニウム基材を
１種又は数種の弗素含有ガスと開放帯域で接触させるこ
とも本発明の範囲内である。
【００２３】保護被膜が、半導体ウェーハを処理する場
合に使用される反応器の内壁の高純度の保護被膜とされ
る場合には、アルミニウム反応器はあらかじめ組立てら
れていてもよく、この場合には接触させるべき酸化アル
ミニウム基材は、アルミニウム反応器の内壁を構成して
いてもよい。その際アルミニウム反応器は、付加的に接
触工程並びに接触工程の高純度の環境を得るための封じ
込め容器（ｃｏｎｔａｉｎｍｅｎｔｖｅｓｓｅｌ）とし
役立つ。
合に使用される反応器の内壁の高純度の保護被膜とされ
る場合には、アルミニウム反応器はあらかじめ組立てら
れていてもよく、この場合には接触させるべき酸化アル
ミニウム基材は、アルミニウム反応器の内壁を構成して
いてもよい。その際アルミニウム反応器は、付加的に接
触工程並びに接触工程の高純度の環境を得るための封じ
込め容器（ｃｏｎｔａｉｎｍｅｎｔｖｅｓｓｅｌ）とし
役立つ。
【００２４】封じ込め容器が接触工程に使用される場合
には、１種又は数種の弗素含有ガスが容器中に導入され
、この中で濃度５〜１００容量％（弗素含有ガス源に左
右される）及び圧力約１トール〜大気圧で維持してもよ
い。接触工程は、約３０〜１２０分間の範囲内で約３７
５〜５００℃、好ましくは約４５０〜４７５℃の範囲で
行なってもよい。本発明の保護被膜の形成を保証するの
に必要な接触時間の長さは、温度及び弗素含有ガスの濃
度で変動する。しかしながら、基礎をなす酸化物層への
損傷をさけるために還元ガス（例えばＨ２ ）が弗素含
有ガス中に存在する場合には、規定された時間よりも長
い時間とすべきではない。
には、１種又は数種の弗素含有ガスが容器中に導入され
、この中で濃度５〜１００容量％（弗素含有ガス源に左
右される）及び圧力約１トール〜大気圧で維持してもよ
い。接触工程は、約３０〜１２０分間の範囲内で約３７
５〜５００℃、好ましくは約４５０〜４７５℃の範囲で
行なってもよい。本発明の保護被膜の形成を保証するの
に必要な接触時間の長さは、温度及び弗素含有ガスの濃
度で変動する。しかしながら、基礎をなす酸化物層への
損傷をさけるために還元ガス（例えばＨ２ ）が弗素含
有ガス中に存在する場合には、規定された時間よりも長
い時間とすべきではない。
【００２５】接触工程後に、被覆アルミニウム基材を水
又は他の非反応性ガス又は液体で洗浄して弗素含有ガス
の痕跡を除去してもよい。容器の壁が１種又は数種の弗
素含有ガスと接触された酸化アルミニウムを含む密閉容
器内で接触工程が行われる場合、例えば高純度の保護被
膜を形成する場合には、反応容器は、反応器から弗素含
有ガスを除去するために、非反応性ガスで洗浄してもよ
い。
又は他の非反応性ガス又は液体で洗浄して弗素含有ガス
の痕跡を除去してもよい。容器の壁が１種又は数種の弗
素含有ガスと接触された酸化アルミニウムを含む密閉容
器内で接触工程が行われる場合、例えば高純度の保護被
膜を形成する場合には、反応容器は、反応器から弗素含
有ガスを除去するために、非反応性ガスで洗浄してもよ
い。
【００２６】次いでアルミニウム基材の得られた保護被
膜は、多くの分析技術、例えばオージエ分析、ＳＩＭＳ
、ＥＳＣＡ ＬＩＭＳ及びＥＤＸによって試験し、被
膜の全重量に対して３〜１８重量％の範囲の弗素濃度を
有することが見出されるであろう。 （ｂ） 高純度の酸化アルミニウム膜の形成アルミニウ
ム基材、例えば半導体ウェーハの処理に使用される反応
器壁の内表面に本発明の高純度の保護被膜を形成するに
は、先づ高純度の酸化アルミニウム膜又は層を、アルミ
ニウム基材上に形成しなければならない。高純度の酸化
アルミニウム層は、熱によって形成される層か又は陽極
によって形成される層であってもよい。
膜は、多くの分析技術、例えばオージエ分析、ＳＩＭＳ
、ＥＳＣＡ ＬＩＭＳ及びＥＤＸによって試験し、被
膜の全重量に対して３〜１８重量％の範囲の弗素濃度を
有することが見出されるであろう。 （ｂ） 高純度の酸化アルミニウム膜の形成アルミニウ
ム基材、例えば半導体ウェーハの処理に使用される反応
器壁の内表面に本発明の高純度の保護被膜を形成するに
は、先づ高純度の酸化アルミニウム膜又は層を、アルミ
ニウム基材上に形成しなければならない。高純度の酸化
アルミニウム層は、熱によって形成される層か又は陽極
によって形成される層であってもよい。
【００２７】しかしながら、いづれの場合にも望みの純
度を保証するには、好ましくは酸化物層の形成に使用さ
れる試薬は本質的に不純物を含有していてはならず、さ
もなければこの不純物は酸化アルミニウム層中に混入す
る。それ故、高純度の酸化アルミニウム被膜それ自体に
関して前に定義されたように、好ましくは酸化アルミニ
ウム被膜の形成に使用される試薬は、純度少くとも約９
７重量％、好ましくは９９重量％を有していなければな
らない。特に試薬は好ましくは不純物、例えば硫黄、硼
素及び燐及び他の金属及びメタロイド（シリコンを含む
）を包含する他の元素３重量％以下、更に好ましくは１
重量％以下を有していなければならない。これらの不純
物は高純度の被膜中に混入し、恐らく半導体ウェーハの
集積回路構造物の形成に使用される処理物質と相互に作
用して、望ましくない不純物が導入される。
度を保証するには、好ましくは酸化物層の形成に使用さ
れる試薬は本質的に不純物を含有していてはならず、さ
もなければこの不純物は酸化アルミニウム層中に混入す
る。それ故、高純度の酸化アルミニウム被膜それ自体に
関して前に定義されたように、好ましくは酸化アルミニ
ウム被膜の形成に使用される試薬は、純度少くとも約９
７重量％、好ましくは９９重量％を有していなければな
らない。特に試薬は好ましくは不純物、例えば硫黄、硼
素及び燐及び他の金属及びメタロイド（シリコンを含む
）を包含する他の元素３重量％以下、更に好ましくは１
重量％以下を有していなければならない。これらの不純
物は高純度の被膜中に混入し、恐らく半導体ウェーハの
集積回路構造物の形成に使用される処理物質と相互に作
用して、望ましくない不純物が導入される。
【００２８】しかしながら、被膜中に混入する不純物を
含有する試薬の使用は、本発明を実施する際、好ましい
実施形式によって高純度の被膜を得る場合にさえも、不
純物が被膜の表面から容易に除去され得るタイプの場合
には使用してもよい。例えば硫酸を、陽極処理酸化アル
ミニウム被膜を形成する際の電解液として使用する場合
には、得られた被膜中の望ましくない硫酸は、 ｐＨを
約５に調節する十分な量の硝酸を含有する脱イオン水で
表面を完全に水洗して除去してもよい。硝酸イオンは明
らかに被膜中の硫酸イオンに代り、次いで硝酸イオンの
溶解度のために被膜から容易に除去される。
含有する試薬の使用は、本発明を実施する際、好ましい
実施形式によって高純度の被膜を得る場合にさえも、不
純物が被膜の表面から容易に除去され得るタイプの場合
には使用してもよい。例えば硫酸を、陽極処理酸化アル
ミニウム被膜を形成する際の電解液として使用する場合
には、得られた被膜中の望ましくない硫酸は、 ｐＨを
約５に調節する十分な量の硝酸を含有する脱イオン水で
表面を完全に水洗して除去してもよい。硝酸イオンは明
らかに被膜中の硫酸イオンに代り、次いで硝酸イオンの
溶解度のために被膜から容易に除去される。
【００２９】高純度の熱酸化物層を形成すべき場合には
、アルミニウム基材は、約１０〜２００時間酸素約１５
〜１００重量％の範囲の分圧で、好ましくは残部が純キ
ャリヤーガス９９．９９重量％を含有する酸化ガスと接
触させ、約３５０〜５００℃の範囲内の温度に加熱して
、最小の厚さ少くとも約１０００オングストローム、好
ましくは３０００オングストロームを有する酸化アルミ
ニウム被膜を形成する。
、アルミニウム基材は、約１０〜２００時間酸素約１５
〜１００重量％の範囲の分圧で、好ましくは残部が純キ
ャリヤーガス９９．９９重量％を含有する酸化ガスと接
触させ、約３５０〜５００℃の範囲内の温度に加熱して
、最小の厚さ少くとも約１０００オングストローム、好
ましくは３０００オングストロームを有する酸化アルミ
ニウム被膜を形成する。
【００３０】高純度の酸化アルミニウム層を陽極によっ
て形成するには、電解液が好ましくは前述のように、陽
極によってアルミニウム基材に形成すべき酸化アルミニ
ウム被膜中に他の元素を導入しない化合物を含有する電
解槽中でアルミニウム基材を陽極とする。好ましくは電
解液は高純度の無機酸、例えば硝酸又は高純度の有機酸
、例えばモノカルボン酸、例えば蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、
酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ） 、プロピオン酸（Ｃ２Ｈ５Ｃ
ＯＯＨ）、酪酸（Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＨ）、吉草酸（Ｃ４Ｈ
９ＣＯＯＨ）、パルミチン酸（ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｃ
ＯＯＨ）、及びステアリン酸（ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｃ
ＯＯＨ）；又はジカルボン酸、例えば蓚酸（ＣＯＯＨ）
２ 、マロン酸（ＣＯ２Ｈ（ＣＨ２）ＣＯ２Ｈ） 、コ
ハク酸（ＣＯ２Ｈ（ＣＨ２）２ＣＯ２Ｈ）、グルタル酸
（ＣＯ２Ｈ（ＣＨ２）３ＣＯ２Ｈ）及びアジピン酸（Ｃ
Ｏ２Ｈ（ＣＨ２）４ＣＯ２Ｈ）を含有する。
て形成するには、電解液が好ましくは前述のように、陽
極によってアルミニウム基材に形成すべき酸化アルミニ
ウム被膜中に他の元素を導入しない化合物を含有する電
解槽中でアルミニウム基材を陽極とする。好ましくは電
解液は高純度の無機酸、例えば硝酸又は高純度の有機酸
、例えばモノカルボン酸、例えば蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、
酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ） 、プロピオン酸（Ｃ２Ｈ５Ｃ
ＯＯＨ）、酪酸（Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＨ）、吉草酸（Ｃ４Ｈ
９ＣＯＯＨ）、パルミチン酸（ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｃ
ＯＯＨ）、及びステアリン酸（ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｃ
ＯＯＨ）；又はジカルボン酸、例えば蓚酸（ＣＯＯＨ）
２ 、マロン酸（ＣＯ２Ｈ（ＣＨ２）ＣＯ２Ｈ） 、コ
ハク酸（ＣＯ２Ｈ（ＣＨ２）２ＣＯ２Ｈ）、グルタル酸
（ＣＯ２Ｈ（ＣＨ２）３ＣＯ２Ｈ）及びアジピン酸（Ｃ
Ｏ２Ｈ（ＣＨ２）４ＣＯ２Ｈ）を含有する。
【００３１】他の鉱酸、例えば硫酸、燐含有酸及び硼酸
は、通常高純度の酸化アルミニウムを形成する場合には
避けなければならない。それは陽極によって形成される
得られた酸化アルミニウム中に酸電解液からの各々の元
素、例えば硫黄、燐、硼素等の痕跡量を含有する傾向が
あるからである。しかしながら、かかる鉱酸電解液は、
前述のようにかかる不純物が、得られた酸化アルミニウ
ム被膜の表面から引続いて除去され得る場合には使用し
てもよい。
は、通常高純度の酸化アルミニウムを形成する場合には
避けなければならない。それは陽極によって形成される
得られた酸化アルミニウム中に酸電解液からの各々の元
素、例えば硫黄、燐、硼素等の痕跡量を含有する傾向が
あるからである。しかしながら、かかる鉱酸電解液は、
前述のようにかかる不純物が、得られた酸化アルミニウ
ム被膜の表面から引続いて除去され得る場合には使用し
てもよい。
【００３２】陽極処理浴は、温度約０〜３０℃の範囲で
維持してもよい。陽極処理膜の厚さは、少くとも部分的
に陽極処理電圧に左右されるので、陽極処理は当業者に
よく知られているように、少くとも約１５〜４５ボルト
（直流）の範囲内の電圧で行なって、陽極によって形成
される酸化アルミニウムの望みの最小の厚さを確実にし
なければならない。通常直流電圧が好ましいが、或る場
合には交流電圧を利用してもよい。
維持してもよい。陽極処理膜の厚さは、少くとも部分的
に陽極処理電圧に左右されるので、陽極処理は当業者に
よく知られているように、少くとも約１５〜４５ボルト
（直流）の範囲内の電圧で行なって、陽極によって形成
される酸化アルミニウムの望みの最小の厚さを確実にし
なければならない。通常直流電圧が好ましいが、或る場
合には交流電圧を利用してもよい。
【００３３】陽極処理工程は、アルミニウム基材に酸化
アルミニウムの望みの厚さを形成するのに十分な時間行
わなければならない。陽極処理の進行は、浴中の電流の
流れによって容易に監視することができる。電流が約１
０〜６０アンペア／９２９．０３ｃｍ２（ｆｔ２）以下
に低下する（絶縁酸化アルミニウム膜の存在によって指
示される）場合には、電圧を遮断し、陽極処理アルミニ
ウムを浴から取り除いてもよい。
アルミニウムの望みの厚さを形成するのに十分な時間行
わなければならない。陽極処理の進行は、浴中の電流の
流れによって容易に監視することができる。電流が約１
０〜６０アンペア／９２９．０３ｃｍ２（ｆｔ２）以下
に低下する（絶縁酸化アルミニウム膜の存在によって指
示される）場合には、電圧を遮断し、陽極処理アルミニ
ウムを浴から取り除いてもよい。
【００３４】高純度の酸化アルミニウム被膜はアルミニ
ウム基材に、熱及び陽極の酸化物の形成を組合せて、例
えば先づ陽極によって酸化物被膜層を形成し、次いで陽
極によって形成した酸化物被膜層を熱によって酸化して
もよい。アルミニウム基材に高純度の酸化アルミニウム
膜を形成した後に、本発明によって酸化アルミニウムは
前述のようにして１種又は数種の弗素含有ガスと接触さ
せて、アルミニウム基材に本発明の高純度の耐蝕性保護
被膜を形成してもよい。
ウム基材に、熱及び陽極の酸化物の形成を組合せて、例
えば先づ陽極によって酸化物被膜層を形成し、次いで陽
極によって形成した酸化物被膜層を熱によって酸化して
もよい。アルミニウム基材に高純度の酸化アルミニウム
膜を形成した後に、本発明によって酸化アルミニウムは
前述のようにして１種又は数種の弗素含有ガスと接触さ
せて、アルミニウム基材に本発明の高純度の耐蝕性保護
被膜を形成してもよい。
【００３５】次に実施例により本発明を説明する。
【００３６】
【実施例】半導体ウェーハの処理に使用するのに適当な
アルミニウム反応器の内壁を最初に酸化して、この上に
酸化アルミニウム層を、アルミニウム反応器の表面を陽
極処理し、これを硫酸１５重量％を含有し残部が脱イオ
ン水である電解液に浸漬して形成した。電解液を温度約
１３℃で維持すると共に、アルミニウムを約３５分間陽
極処理して、最終電圧約２４ボルト（直流）及び最終電
流密度２２アンペア／９２９．０３ｃｍ２（ｆｔ２）に
した。
アルミニウム反応器の内壁を最初に酸化して、この上に
酸化アルミニウム層を、アルミニウム反応器の表面を陽
極処理し、これを硫酸１５重量％を含有し残部が脱イオ
ン水である電解液に浸漬して形成した。電解液を温度約
１３℃で維持すると共に、アルミニウムを約３５分間陽
極処理して、最終電圧約２４ボルト（直流）及び最終電
流密度２２アンペア／９２９．０３ｃｍ２（ｆｔ２）に
した。
【００３７】これとは別に、酸化物被膜は、蓚酸１５重
量％、残部脱イオン水の電解液を１３℃で３５分間使用
して、陽極によって最終電圧４０ボルト及び最終電流密
度約３０アンペア／９２９．０３ｃｍ２（ｆｔ２）にし
て形成してもよく、又は酸化物被膜は、熱によってＯ２
を充満した反応器中で５００トール〜大気圧に維持し
た圧力で接触時間約４０時間以上で形成してもよい。
量％、残部脱イオン水の電解液を１３℃で３５分間使用
して、陽極によって最終電圧４０ボルト及び最終電流密
度約３０アンペア／９２９．０３ｃｍ２（ｆｔ２）にし
て形成してもよく、又は酸化物被膜は、熱によってＯ２
を充満した反応器中で５００トール〜大気圧に維持し
た圧力で接触時間約４０時間以上で形成してもよい。
【００３８】本発明により得られた酸化物被膜を弗素ガ
スで処理するには、次いでＣ２Ｆ６５０容量％及びＯ２
５０容量％のガス状混合物を反応器中に圧力約１０ｍ
ｍＨｇ で導入した。ガス状混合物は反応器壁と約１時
間接触させておき、この際、反応器を温度約４００℃で
維持した。 次いで反応器をアルゴンガスで洗浄した。得られた被膜
の耐蝕性の度合を試験するためには、被膜反応器表面の
被覆部分又はサンプルを数滴の濃（３５重量％）塩酸水
溶液で試験し、サンプル上の酸による攻撃又は反応を示
すガスの発生を検査した。約４０分間明らかなガスの発
生は認められなかった。
スで処理するには、次いでＣ２Ｆ６５０容量％及びＯ２
５０容量％のガス状混合物を反応器中に圧力約１０ｍ
ｍＨｇ で導入した。ガス状混合物は反応器壁と約１時
間接触させておき、この際、反応器を温度約４００℃で
維持した。 次いで反応器をアルゴンガスで洗浄した。得られた被膜
の耐蝕性の度合を試験するためには、被膜反応器表面の
被覆部分又はサンプルを数滴の濃（３５重量％）塩酸水
溶液で試験し、サンプル上の酸による攻撃又は反応を示
すガスの発生を検査した。約４０分間明らかなガスの発
生は認められなかった。
【００３９】次いで反応器を取りはずし、内壁に形成し
た保護被膜を試験した。保護表面上の腐食攻撃の明らか
な徴候は認められなかった。反応器壁の保護被膜につい
て、不純物をオージエ分析によって分析し、被膜層中に
Ａｌ、Ｏ、Ｈ及びＦ以外の元素が３重量％以下であるの
がわかり、これは保護層が高純度であることを示してい
る。
た保護被膜を試験した。保護表面上の腐食攻撃の明らか
な徴候は認められなかった。反応器壁の保護被膜につい
て、不純物をオージエ分析によって分析し、被膜層中に
Ａｌ、Ｏ、Ｈ及びＦ以外の元素が３重量％以下であるの
がわかり、これは保護層が高純度であることを示してい
る。
【００４０】このようにして、本発明によって処理ハロ
ゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃からアルミニウム
基材を保護することのできるアルミニウム基材の耐蝕性
保護被膜が得られる。更に高純度の被膜は、集積回路構
造物を構成する場合に半導体ウェーハの処理に使用する
のに適当なアルミニウム反応器壁上に、先づ高純度の酸
化アルミニウム膜を形成し、次いでこの膜を１種又は数
種の高純度の弗素含有ガスと接触させて形成してもよく
、かかる高純度の被膜で保護された反応器中で行われる
半導体ウェーハの処理に不純物を導入しない高純度の耐
蝕性保護膜が形成される。
ゲンガス及びプラズマによる腐食攻撃からアルミニウム
基材を保護することのできるアルミニウム基材の耐蝕性
保護被膜が得られる。更に高純度の被膜は、集積回路構
造物を構成する場合に半導体ウェーハの処理に使用する
のに適当なアルミニウム反応器壁上に、先づ高純度の酸
化アルミニウム膜を形成し、次いでこの膜を１種又は数
種の高純度の弗素含有ガスと接触させて形成してもよく
、かかる高純度の被膜で保護された反応器中で行われる
半導体ウェーハの処理に不純物を導入しない高純度の耐
蝕性保護膜が形成される。
【図１】基材面に形成された耐蝕性保護被膜を有するア
ルミニウム基材の部分断面図である。
ルミニウム基材の部分断面図である。
【図２】チャンバーのアルミニウム内表面に形成された
高純度の保護被膜を有する半導体ウェーハを処理するア
ルミニウム真空チャンバーの部分縦断面図である。
高純度の保護被膜を有する半導体ウェーハを処理するア
ルミニウム真空チャンバーの部分縦断面図である。
【図３】本発明の工程を示すフローチャートである。
１０ アルミニウム基材
１２ 表面
２０ 耐蝕性保護被膜
３０ アルミニウム反応器チャンバー３２ 内表面
４０ 高純度の耐蝕性保護被膜
Claims (10)
- 【請求項１】 アルミニウム基材上の酸化アルミニウ
ム層に１種又は数種の弗素含有ガスを高温で接触させる
ことを特徴とするアルミニウム基材に耐蝕性保護被膜を
形成する方法。 - 【請求項２】 更に、該酸化アルミニウム層を該１種
又は数種の弗素含有ガスと接触させる工程より前に、該
アルミニウム基材に厚さ少くとも約０．１マイクロメー
ター（１０００オングストローム）から約２０マイクロ
メーター（ミクロン）までの範囲を有する酸化アルミニ
ウム層を形成する工程を含む請求項１に記載のアルミニ
ウム基材に耐蝕性保護被膜を形成する方法。 - 【請求項３】 該酸化アルミニウム層を１種又は数種
の弗素含有ガスと接触させて保護被膜を形成する該工程
は、酸化アルミニウム層を約３０〜約１２０分間、ＨＦ
、Ｆ２ 、ＮＦ３ 、ＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 及びＣ２Ｆ
６からなる群から選ばれた該１種又は数種の弗素含有ガ
スと温度約３７５〜約５００℃で接触させることを含む
請求項２に記載のアルミニウム基材に耐蝕性保護被膜を
形成する方法。 - 【請求項４】 （ａ） 該アルミニウム基材に、最小
の厚さ少くとも約０．１マイクロメータ（１０００オン
グストローム）を有する酸化アルミニウム層を形成し、
（ｂ） 該アルミニウム基材の該酸化アルミニウム層を
、１種又は数種の弗素含有ガスと濃度５〜１００容量％
、圧力１トール〜約大気圧及び温度約３７５〜約５００
℃で約３０〜１２０分間接触させ、これによって弗素３
〜１８重量％を有する保護層がアルミニウム基材に形成
されることを特徴とするアルミニウム基材に耐蝕性保護
被膜を形成する方法。 - 【請求項５】 アルミニウム基材の高純度の酸化アル
ミニウム層に、１種又は数種の高純度の弗素含有ガスを
高温で接触させて、その上に高純度の耐蝕性保護被膜を
形成することを特徴とするアルミニウム基材に高純度の
耐蝕性保護被膜を形成する方法。 - 【請求項６】 該１種又は数種の高純度の弗素含ガス
と接触させる前に、更に純度少くとも約９９重量％のア
ルミニウム基材に、最小の厚さ少くとも１０００オング
ストロームを有する酸化アルミニウムの高純度の熱酸化
物層を形成する第１の形成工程を含み、該アルミニウム
基材を約１０〜２００時間酸素約１５〜１００重量％を
含有する高純度の酸化ガスと接触させ、約３５０〜５０
０℃の温度範囲で加熱する請求項５に記載のアルミニウ
ム基材に高純度の耐蝕性保護被膜を形成する方法。 - 【請求項７】 純度少くとも約９９重量％を有するア
ルミニウム基材に、陽極によって形成される高純度の酸
化アルミニウム層を、陽極処理浴中で温度約０〜３０℃
で陽極処理電圧約１５〜４５ボルト（直流）を用いて、
電流が約１０〜６０アンペア／９２９．０３ｃｍ２ （
ｆｔ２） 以下に低下するまで形成する第１の形成工程
を含む請求項５に記載のアルミニウム基材に高純度の耐
蝕性保護被膜を形成する方法。 - 【請求項８】 高純度の酸化アルミニウム層を１種又
は数種の高純度の弗素含有ガスと接触させて保護被膜を
形成する該工程は、更に酸化アルミニウム層を、キャリ
ヤーガスの外に不純物１００ｐｐｍ 以下を含有する１
種又は数種の高純度の弗素含有ガスと接触させることを
含む請求項５に記載のアルミニウム基材に高純度の耐蝕
性保護被膜を形成する方法。 - 【請求項９】 高純度の酸化アルミニウム層を１種又
は数種の高純度の弗素含有ガスと接触させて保護被膜を
形成する該工程は、更に該酸化アルミニウム層を、約３
０〜１２０分間、ＨＦ、Ｆ２ 、ＮＦ３ 、ＣＦ４ 、
ＣＨＦ３ 及びＣ２Ｆ６からなる群から選ばれた１種又
は数種の高純度の弗素含有ガスと温度約３７５〜約５０
０℃で接触させることを含む請求項８に記載のアルミニ
ウム基材に高純度の耐蝕性保護被膜を形成する方法。 - 【請求項１０】 アルミニウム基材に、アルミニウム
、水素、酸素及び弗素以外の元素約３重量％以下を含有
する耐蝕性保護被膜を形成する方法において、（ａ）純
度少くとも約９７重量％を有するアルミニウム基材に、
純度少くとも約９７重量％及び最小の厚さ少くとも約０
．１マイクロメータ（１０００オングストローム）を有
する酸化アルミニウム層を形成し、（ｂ） 該アルミニ
ウム基材の酸化アルミニウム層を、濃度５〜１００容量
％で不純物（キャリヤーガス以外）１００ｐｐｍ 以下
の１種又は数種の弗素含有ガスと、圧力１トール〜約大
気圧で温度約３７５〜約５００℃で約３０〜１２０分間
接触させ、これによって弗素３〜１８重量％を有し、ア
ルミニウム、酸素、水素及び弗素以外の元素約３重量％
以下の高純度の保護層がアルミニウム基材に形成される
ことを特徴とする上記方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/534,807 US5069938A (en) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | Method of forming a corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate |
| US534807 | 1990-06-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04231485A true JPH04231485A (ja) | 1992-08-20 |
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3136024A Expired - Fee Related JP2831488B2 (ja) | 1990-06-07 | 1991-06-07 | アルミニウム基材に耐蝕性保護被膜を形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5069938A (ja) |
| JP (1) | JP2831488B2 (ja) |
| KR (1) | KR100213397B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686053B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-02-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | AL alloy member having excellent corrosion resistance |
| US7041391B2 (en) * | 1996-03-22 | 2006-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming thin films |
| JP2009228132A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-10-08 | Kobe Steel Ltd | 半導体製造装置用表面処理部材、および、その製造方法 |
| JP2009256800A (ja) * | 1994-08-15 | 2009-11-05 | Applied Materials Inc | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 |
Families Citing this family (108)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046425A (en) * | 1991-05-31 | 2000-04-04 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus having insulator disposed on inner surface of plasma generating chamber |
| US5366585A (en) * | 1993-01-28 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor |
| JPH07207494A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-08-08 | Applied Materials Inc | 改良したアルミナコーティング |
| US5891350A (en) | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| US6280597B1 (en) * | 1997-09-12 | 2001-08-28 | Showa Denko K.K. | Fluorinated metal having a fluorinated layer and process for its production |
| JP4054148B2 (ja) * | 1999-02-01 | 2008-02-27 | 日本碍子株式会社 | 耐食性部材の製造方法及び耐食性部材 |
| US6203773B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-03-20 | Alcoa Inc. | Low temperature mineralization of alumina |
| KR100767762B1 (ko) * | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
| US8067067B2 (en) * | 2002-02-14 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Clean, dense yttrium oxide coating protecting semiconductor processing apparatus |
| CN100413998C (zh) * | 2002-08-08 | 2008-08-27 | 株式会社神户制钢所 | α型晶体结构为主体的氧化铝被膜相关技术 |
| JP4119218B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-07-16 | 忠弘 大見 | 水分発生用反応炉の白金コーティング触媒層の形成方法 |
| JP2004273472A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-09-30 | Tadahiro Omi | プラズマ処理装置用の部材，処理装置用の部材，プラズマ処理装置，処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2004225113A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Kobe Steel Ltd | 耐腐食性及び耐プラズマ性に優れたＡｌ合金部材 |
| US7728823B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-06-01 | Apple Inc. | System and method for processing raw data of track pad device |
| US20060086458A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Kim Hong J | Ceramic materials in plasma tool environments |
| JP2006128370A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、プログラムおよび記録媒体 |
| US8679252B2 (en) * | 2005-09-23 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof |
| US20070215278A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Muneo Furuse | Plasma etching apparatus and method for forming inner wall of plasma processing chamber |
| US7514125B2 (en) * | 2006-06-23 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods to improve the in-film defectivity of PECVD amorphous carbon films |
| US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US10242888B2 (en) | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US9114127B2 (en) * | 2007-05-15 | 2015-08-25 | Richard C. K. Yen | Biologic devices for hemostasis |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| KR20150129660A (ko) | 2013-03-14 | 2015-11-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 상의 고순도 알루미늄 탑 코트 |
| US9663870B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US12281385B2 (en) * | 2015-06-15 | 2025-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas dispenser and deposition apparatus using the same |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| KR102652258B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2024-03-28 | 에이비엠 주식회사 | 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버 |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US20180327892A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | Applied Materials, Inc. | Metal oxy-flouride films for chamber components |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| JP7176860B6 (ja) | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10424487B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer etching processes |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US11239058B2 (en) | 2018-07-11 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Protective layers for processing chamber components |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419871A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Hitachi Netsu Kigu Kk | Electric cooker |
| JPS5967374A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Mitsubishi Alum Co Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理法 |
| JPS61196521A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61279117A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2092035A (en) * | 1936-10-01 | 1937-09-07 | Aluminum Co Of America | Thermal treatment of aluminum and aluminum base alloys |
| US2092033A (en) * | 1936-10-01 | 1937-09-07 | Aluminum Co Of America | Heat treatment of aluminous metals |
| US2993819A (en) * | 1960-04-12 | 1961-07-25 | Chimel S A | Process for treating aluminum surfaces |
| US3592700A (en) * | 1968-08-05 | 1971-07-13 | Mc Donnell Douglas Corp | Polymer coating of metals |
| US3591426A (en) * | 1968-10-30 | 1971-07-06 | Nasa | Corrosion resistant beryllium |
| US3961111A (en) * | 1975-03-18 | 1976-06-01 | Pennwalt Corporation | Method of increasing corrosion resistance of anodized aluminum |
| US4484954A (en) * | 1982-08-03 | 1984-11-27 | Union Carbide Corporation | Halogenation treatment |
| US4647347A (en) * | 1984-08-16 | 1987-03-03 | Amchen Products, Inc. | Process and sealant compositions for sealing anodized aluminum |
| US4786336A (en) * | 1985-03-08 | 1988-11-22 | Amchem Products, Inc. | Low temperature seal for anodized aluminum surfaces |
-
1990
- 1990-06-07 US US07/534,807 patent/US5069938A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3136024A patent/JP2831488B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-07 KR KR1019910009383A patent/KR100213397B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419871A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Hitachi Netsu Kigu Kk | Electric cooker |
| JPS5967374A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Mitsubishi Alum Co Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理法 |
| JPS61196521A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61279117A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-09 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256800A (ja) * | 1994-08-15 | 2009-11-05 | Applied Materials Inc | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 |
| US7041391B2 (en) * | 1996-03-22 | 2006-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming thin films |
| US6686053B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-02-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | AL alloy member having excellent corrosion resistance |
| JP2009228132A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-10-08 | Kobe Steel Ltd | 半導体製造装置用表面処理部材、および、その製造方法 |
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| JP2831488B2 (ja) | 1998-12-02 |
| KR920000965A (ko) | 1992-01-29 |
| KR100213397B1 (ko) | 1999-08-02 |
| US5069938A (en) | 1991-12-03 |
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