JPH0423216Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案に技術分野〕 この考案は、気密型セラミツクパツケージを用
いた光伝送モジユールに関する。

〔考案の技術的背景とその問題点〕

従来、光伝送モジユールは第３図に示すよう
に、金属製ステム１との間に気密空間を形成する
ように固定された透光性窓部４を備えた金属製シ
エル３と、気密空間内、ステム１上部にマウント
され、所定の結線をしてある発光素子又は受光素
子６と、リード端子５とから構成されている。

しかし、このような従来の光伝送モジユールに
は、次のような問題点がある。

第１に、発光素子又は受光素子６への入出力信
号を外部回路で処理するために、外部回路を含め
て大きくなつてしまう。又、信号線も長くなるた
め、電磁ノイズの影響を受け易く、シールドの必
要性も出てくる。

第２にパツケージが小さいので放熱効果が弱
く、放熱板を外付けしなければならない場合があ
る。

〔考案の目的〕

この考案の目的は、上記問題点を解消するため
になされたものであり、特に高い放熱効果と耐電
磁ノイズを持たせた光伝送モジユールを提供する
ことである。

〔考案の概要〕

この考案は、一主面に所定の回路を形成するよ
うなメタライズ層と外部リード端子とを電気的に
結合するような構造を持つた少なくとも１層以上
のセラミツク基板と、このセラミツク基板の上部
に固定された環状のシールリングと、このシール
リングと上記セラミツク基板との間で気密空間を
形成するように封着された光透過部材からなる窓
部を有する金属製シエルと、気密空間内のセラミ
ツク基板上に窓部に対向するように配置された発
光素子又は受光素子とからなる光半導体ユニツト
と、光フアイバコードを中心に持つたコネクタプ
ラグと上記光半導体ユニツトとを嵌合保持したリ
セプタクルから構成されている。

そして、上記発光素子又は受光素子、気密空間
内のその他の電子素子、セラミツク基板上の回路
等から発生するジユール熱のうち大部分を占める
発光素子または受光素子以外の周辺の素子のジユ
ール熱が、メタライズ層からシールリング更にリ
セプタクルへと伝わり、シールリング表面又はリ
セプタクル表面からの放熱効果が得られる。又、
シールリングに接触しているメタライズ層には振
幅のある電気信号等が伝達されないように接地電
位もしくは一定の直流電位が与えられており、シ
ールリング及び金属性シエルは交流的接地電位に
接続された状態になつている。よつて、導電性を
持つたリセプタクルはシールリングと接触して同
電位となつているために、耐電磁ノイズに優れた
効果が得られる。更に光半導体ユニツトの外形寸
法は、シールリング外形と等しくなつており、バ
ラツキがなく、結果として安定した光結合が得ら
れる。

〔考案の実施例〕

この考案の光伝送モジユールは第１図及び第２
図に示すように構成され、第１図は主要な半導体
ユニツト上面を示す概略平面図、第２図は第１図
のＡ−A′線に沿う光伝送モジユールの概略断面
図である。少なくとも１層以上、例えば３層１１
ａ，１１ｂ，１１ｃからなるセラミツク基板１１
の一面には、所定パターンのメタライズ層２１が
形成されると共に周縁部にはシールリング１２が
固着されている。このシールリング１２は環状に
して、少なくとも一部がセラミツク基板１１より
突出し、後述のリセプタクルに接触している。こ
のようなシールリング１２には、中央に光透過部
材からなる窓部１４を有するカツプ状の金属製シ
エル１３が気密封着され、このシエル１３と上記
セラミツク基板１１及びシールリング１２との間
で気密空間が形成されることになる。更に上記窓
部１４に対向する上記メタライズ層２１上には、
発光素子又は受光素子１６が設けられ、他のメタ
ライズ層２１の所定位置には、Ｅ／Ｏ又はＯ／Ｅ
変換回路素子１７及び電子素子１８が設けられて
いる。又、上記セラミツク基板１１の他面には、
上記メタライズ層２１と電気的に結合される外部
リード端子１５が設けられている。

尚、外部リード端子１５と接続を持つメタライ
ズ層２１のうちシールリング１２に接触している
ものには、交流的接地電位すなわち、振幅のある
電気信号等が伝達されない接地電位もしくは一定
の直流電位が与えられる。これにより、シールリ
ング１２及び金属性シエル１３は交流的接地電位
に接続された状態となる。

上記のような光半導体ユニツト２３は外囲器で
ある導電性物質からなるリセプタクル２２の中に
嵌合収納されているが、このとき既述のように、
シールリング１２の外周端面はリセプタクル２２
内壁に接触している。尚、上記セラミツク基板１
１外周は、図からも明らかなようにリセプタクル
２２内壁には接触していない。このリセプタクル
２２には、上記窓１４に対応する位置に透孔２４
が穿たれており、この透孔２４には中心に光フア
イバコード１９を有するコネクタプラグ２０が嵌
着されている。そして、リセプタクル２２は、上
記光半導体ユニツト２３と光フアイバコード１９
との光結合を安定して保つている。

上記のように、この考案の光伝送モジユールは
大きく分けて光半導体ユニツト２３とリセプタク
ル２２の２つで構成されるが、両者の間は少なく
ともシールリング１２がリセプタクル２２内壁と
接触した状態で保持されている。そして、動作時
にはメタライズ層２１上の発光素子又は受光素子
１６、Ｅ／Ｏ又はＯ／Ｅ変換回路素子１７、その
他の電子素子１８、セラミツク基板１１の回路等
から発生するジユール熱のうち大部分を占める発
光素子または受光素子以外の周辺の回路素子のジ
ユール熱がメタライズ層２１からシールリング１
２へ、更にリセプタクル２２へと伝わり、シール
リング１２表面又はリセプタクル２２表面から効
率よく放熱される。

更に、シールリング１２、金属製シエル１３は
交流的接地電位に結ばれており、導電性を持つた
リセプタクル２２はシールリング１２と接触して
同電位となつているために、耐電磁ノイズに優れ
た効果を持つている。

又、光半導体ユニツト２３の外形寸法は、シー
ルリング１２外形のみで決まるために、製品バラ
ツキはシールリング１２の寸法制度を高めること
で容易に解決され、光結合効率の面で高信頼のも
のができる。

尚、シールリング１２の外形寸法は、セラミツ
ク基板１１より必ずしも大きい必要はない。

〔考案の効果〕

この考案によれば、広い放熱面積と、外囲器を
含めた２重の電磁シールドが得られるので、放熱
効果と耐電磁ノイズに優れた高入出力、高感度の
光伝送モジユールを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例に係る光伝送モジ
ユールの主要な半導体ユニツト上面を示す概略平
面図、第２図は第１図のＡ−A′線に沿う光伝送
モジユールの概略断面図、第３図は従来の光伝送
モジユールを示す概略断面図である。 １１……セラミツク基板、１２……シールリン
グ、１３……金属製シエル、１４……窓部、１５
……外部リード端子、１６……発光素子又は受光
素子、１７……Ｅ／Ｏ又はＯ／Ｅ変換回路素子、
１８……電子素子、１９……光フアイバコード、
２０……コネクタプラグ、２１……メタライズ
層、２２……リセプタクル、２３……光半導体ユ
ニツト。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 一層以上のセラミツク基板と、このセラミツク
   基板の主面に選択的に形成されたメタライズ層
   と、このメタライズ層に電気的に接触する部分を
   有して交流的接地電位にされ前記セラミツク基板
   の周縁部に固着されたこのセラミツク基板より外
   周が小さくない環状シールリングと、この環状シ
   ールリングに気密封着され光透過部材からなる窓
   部を有する金属性シエルと、この金属性シエルの
   窓部に対応した前記セラミツク基板上に設けられ
   た発光素子または受光素子と、前記金属性シエル
   内における前記セラミツク基板上に設けられ、前
   記発光素子または受光素子における入出力信号を
   処理するためのインタフエイス回路を構成した電
   子素子と、前記発光素子または受光素子と前記電
   子素子とが前記メタライズ層を介して相互に電気
   的に接続される手段と、前記セラミツク基板の他
   面に設けられ、前記メタライズ層とスルーホール
   を介して接続される外部リード端子と から固着される光半導体ユニツトと、 前記金属性シエルの窓部を隔てて前記発光素子
   または受光素子に対向する位置に光フアイバコー
   ドを有するコネクタプラグを保持し、かつ内壁が
   前記環状シールリングと接触して前記光半導体ユ
   ニツトが嵌合収納される導電性のリセプタクルと
   を具備したことを特徴とする光半導体モジユー
   ル。