JPH0423221A - ハードディスク用基板の表面処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は、磁性層形成前にアルミニウムを主体とする基
板に対して行うハードディスク用基板の表面処理方法に
関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、磁性層形成前にアルミニウムを主体とする基
板に対して行うハードディスク用基板の表面処理方法に
おいて、アルミニウムを主体とする基板をジンケート液
に浸漬した後、酢酸溶液中に浸漬し、その後Ｎｉ−Ｐメ
ッキすることにより、基板に対するＮｉ−Ｐメッキ被膜
の付着力を高めるとともに、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜の表面
性を向上させようとするものである。

〔従来の技術〕

例えば、コンピュータ等の記憶媒体としては、ランダム
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
ことから、基板にアルミニウムやアルミニウム合金等の
硬質材料を用いた磁気ディスクが固定ディスクあるいは
外部ディスクとして使用されるようになっている。

ところで、このようなハードディスクにあっては、磁気
へノドとの接触による衝撃等に耐えられるように、通常
、記録層たる磁性層とアルミニウム基板との間にＮｉ−
Ｐメッキ被膜等のある程度硬度の高い膜を記録層の下地
膜として設けるようにしている。Ｎｉ−Ｐメッキ被膜は
、通常、アルミニラム基板をジンケート処理、すなわち
アルミニウム基板をジンケート液に浸漬し、該アルミニ
ウム基板上に亜鉛を置換してＺｎ層を形成した後、その
上にＮｉ−Ｐメッキをして作製される。

この場合、Ｚｎ層とアルミニウム基板との間ではメタル
結合であるため、その結合力が高くなっている。これに
対して、Ｚｎ層の表面は水酸化亜鉛となっており、Ｚｎ
層と水酸化亜鉛層との結合力は比較的弱いものとなって
いる。このため、水酸化亜鉛層上に形成されたＮｉ−Ｐ
メッキ被膜は、前記Ｚｎ層より剥がれ昌くなっており、
前記アルミニウム基板に対するメッキ膜の付着力が低下
している。

また、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜を形成するときには、Ｚｎ層
の表面にある水酸化亜鉛層が部分的に溶は出し、その上
にＮｉ−Ｐメッキすることになるので、当該Ｎｉ−Ｐメ
ッキ被膜の表面粗度が悪くなる傾向にある。

〔発明が解決しようとするｉｌ！！り そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであり、基板に対するＮｉ−Ｐメッキ被膜の付着力
を高めるとともに、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜表面の表面性を
向上させることが可能なハードディスク用基板の製造方
法を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のハードディスク用基板の表面処理方法は、上述
の目的を達成するために提案されたものであって、アル
ミニウムを主体とする基板をジンケート液に浸漬した後
、酢酸溶液中に浸漬し、その後Ｎｉ−Ｐメッキすること
を特徴とするものである。

〔作用〕

アルミニウムを主体とする基板をジンケート液中に浸漬
すると、基板表面がＺｎと置換され、該アルミニウム基
板表面にＺｎ層が形成される。このＺｎ層は、その表面
が水酸化亜鉛とされる。

次いで、これを酢酸溶液中に浸漬すると、上記Ｚｎ層表
面の水酸化亜鉛が除去される。

そして、このアルミニウム基板に対してＮｉ−Ｐメッキ
を行うと、Ｚｎ層上にＮｉ−Ｐメッキ被膜が形成される
。

このようにして得られたＮｉ−Ｐメッキ被膜は、Ｚｎ層
上に直接形成されるため、これらＮｉ　−Ｐメッキ被膜
とＺｎ層がメタル結合し、付着力が確保される。

〔実施例〕

以下、本発明を適用したハードディスク用基板の表面処
理方法の具体的な実施例について説明する。

ハードディスク用基板を表面処理するには、以下の工程
順にしたがって行う。

先ず、ホウロウやセラミックスあるいは金属等よりなる
浴槽内にジンケート液を満たす。

ジンケート液には、従来よりこの種の分野で用いられて
いるものがいずれも適用でき、例えば、水酸化ナトリウ
ム、酸化亜鉛、ロンセル塩、硝酸ソーダ、塩化第二鉄等
を純水に溶かしたものが使用される。特に、本例では、
Ｚｎ層に対するＮｉＰメッキ被膜の付着力の向上及びＮ
ｉ−Ｐメッキ被膜の磁化防止並びにジンケート液の高寿
命化を図るため、前記ジンケート液中にグルコン酸を添
加したものを使用した。これまでのジンケート液では、
アルミニウム基板表面へのＺｎ置換反応時にジンケート
液中のＦｅ”がＦｅ”となり、Ｆｅ”の増加により、前
記Ｚｎ層に対するＮ】Ｐメッキ被膜の付着力が低下する
。したがって、自ずとジンケート液の寿命が規定されて
しまう。

また、Ｆｅ”のアルミニウム基板表面への析出量が増大
することにより、Ｎｉ−Ｐメンキ被膜が磁化する。しか
し、ジンケート液中に適量のグルコン酸を添加すれば、
当該ジンケート液中のＦｅ’・とグルコン酸が配位結合
し、Ｚｎ置換反応時におけるＦｅ”からＦｅ”への反応
が抑制される。したがって、Ｚｎ層に対するＮｉ−Ｐメ
ッキ被膜の付着力が向上するとともに、当該Ｎｉ−Ｐメ
ッキ被膜は磁化され難くなる。また、これによりジンケ
ート液の寿命も延びる。特に、メンキの前処理液中でジ
ンケート液のコストの占める割合が高い（通常、６０％
程度）ので、ジンケート液の長寿命化によるコストの低
減が図れる。

ジンケート液に添加するグルコン酸の添加量としては、
例えば、ジンケート液ｌｌ中に５ｇ〜１００ｇとするこ
とが望ましい、グルコン酸の添加量が５ｇ／ｊ！未満と
なると、ジンケート液中にＦｅ”が多くなる。逆に、グ
ルコン酸の添加量が１００　ｇ／ｆｆｉを越えるとＺｎ
の置換反応速度が遅（なり、生産性が悪くなる。なお、
グルコン酸をジンケート液に添加することによるＮｉ−
Ｐメッキ被膜への悪影響はない。

次に、第１図に示すような、円板状のアルミニウム基板
（１）を前記ジンケート液に浸漬する。

このときのジンケート処理の条件は、特に限定されるこ
とはなく、従来よりこの種の分野で行われている条件が
採用できる。また、アルミニウム基板（１）には、例え
ば純Ａｌ基板、、ｌ！合金基板５Ａｆ−Ｍｇ合金基板等
が使用される。

この結果、第２図に示すように、前記アルミニウム基板
（１）の表面がＺｎで置換され、当該基板（１）の表面
上にＺｎ層（２）が形成される。このときのＺｎ層（２
）の表面は、水酸化亜鉛となっている。すなわち、Ｚｎ
層（２）は、その表面に水酸化亜鉛層（２ａ）を有した
形となる。

次に、上記アルミニウム基板（１）を酢酸溶液中に浸漬
する。

酢酸溶液としては、酢酸を純水で溶かしたものが使用さ
れる。酢酸の濃度としては、体積比で５％〜１００％程
度が好ましく、作業性を考慮すると１０％程度がより好
ましい、酢酸濃度が５％未満であると、水酸化亜鉛を除
去するのに時間がかかり生産性の面で不利となる。

また、酢酸溶液の温度は、５°Ｃ〜５０°Ｃ程度が好ま
しく、より好ましくは２５°Ｃ程度とする。酢酸溶液の
温度が５°Ｃ未満であると、反応が遅くなり生産性が低
下する。逆に５０°Ｃを越えると、反応が速過ぎてコン
トロールし難くなり、局部的にエツチングされる可能性
がある。また、処理時間は、２０秒〜５分程度とし、よ
り好ましくは１分程度とする。処理時間が２０秒未満で
あると、水酸化亜鉛を確実に除去することができず、逆
に５分を越えると、Ｚｎ層（２）までもがエンチングさ
れることになる。

この結果、第３図に示すように、前記Ｚｎ層（２）の表
面に形成されていた水酸化亜鉛層（２ａ）が除去される
。したがって、上記Ｚｎ層（２）の表面には、水酸化亜
鉛が一切なくなり、表面性に優れたＺｎ層（２）のみが
露出する。

そして、上記アルミニウム基板（１）をＮｉ−Ｐメッキ
浴中に浸漬し、無電解メッキする。

Ｎｉ−Ｐメッキ浴としては、特に限定されず、従来より
公知の例えばニッケル水溶性塩と次亜リン酸塩と錆化剤
、必要により安定剤、その他の添加剤よりなるＮｉ−Ｐ
メッキ浴が使用できる。また、メッキ処理の条件も同様
、従来この種の分野で行われている条件が採用される。

この結果、上記Ｚｎ層（２）上にＮｉ−Ｐメッキが析出
し、第４図に示すように、Ｎｉ−Ｐメッキ被１１（３）
が形成される。

ここで形成されるＮｉ−Ｐメッキ被膜（３）は、Ｚｎ層
（２）上に直接形成されることから、該Ｚｎ層（２）　
に対してメタル結合となる。したがって、前記Ｚｎ層（
２）に対するＮｉ−Ｐメッキ被膜（３）の付着力が向上
し、当該Ｎｉ−Ｐメッキ被！ｌ！（３）の前記Ｚｎ層（
２）からの膜剥がれがなくなる。また、ジンケート液中
には、グルコン酸が含有されているので、Ｎｉ−Ｐメッ
キ被膜（３）の付着力がより高まる。

さらに、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜（３）は、表面が平滑とさ
れたＺｎ層（２）上に直接形成されるため、当ｇＬＮｉ
−Ｐメッキ被ＩＩ（３）の表面性が向上する。

また、結果として余分なＺｎ層が除去されること、およ
びジンケート中に含まれるＦｅ”の量が少ないことから
、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜（３）が磁化され難くなる。

ここで、実際に以下の条件に基づきハードディスク用基
板の表面処理を行った。

ス１１１１ 先ず、 した。

ジンケート液の組成 水酸化ナトリウム 酸化亜鉛 ロッセル塩 硝酸ソーダ 塩化第二鉄 グルコン酸 純水 以下の組成よりなるジンケート液を作製１２０ｇ／４２ ２０　ｇ＃！ ５０ｇ／１ １ｇ／！ ２ｇ／ｊ！ １０ｇ／ｌ 残部 次に、上記ジンケート液中にアルミニウム基板を浸漬し
、このアルミニウム基板に対してジンケート処理を行っ
た。

次いで、上記アルミニウム基板を純水に体積比で濃度ｌ
Ｏ％となるように酢酸を溶かした酢酸溶液中に浸漬した
。

なお、このときの酢酸溶液の温度を２５°Ｃとし、処理
時間を１分とした。

そして最後に、以下の組成よりなるメッキ浴中ニ前記ア
ルミニウム基板を浸漬し、当該アルミニウム基板に対し
て無電解メッキを行った。

メッキ浴の組成 硫酸ニッケル 次亜リン酸ソーダ リンゴ酸 コハク酸ナトリウム 塩化マグネシウム ２５ｇ／１ ３０ｇ＃ ３０　ｇ　／　１ １６　ｇ／４２ １９、６　ｇ　／　１ （Ｍｇ５ｇ／ｌに相当） 此、、！ＩＬ グルコン酸を含まないジンケート液でジンケート処理を
行った他は、実施例１と同様とした。

此１１１λ 酢酸溶液中にアルミニウム基板を浸漬しなかった他は、
実施例１と同様とした。

ル較貰ニ ゲルコン酸を含まないジンケート液でジンケート処理を
行い、酢酸溶液中にアルミニウム基板を浸漬せず、その
後直ちに無電解メッキを行った他は、実施例】と同様と
した。

そして、得られたこれらアルミニウム基板の外周縁部を
二点支持して当該アルミニウム基板をおよそ１８０度に
折り曲げ、゛前記各Ｎｉ−Ｐメンキ被膜の膜剥がれを測
定した。

その結果、実施例１及び比較例１では、アルミニウム基
板１５枚のうち１枚しか膜剥がれを生じなかったが、比
較例２及び比較例３ではアルミニウム基板１５枚中９枚
も膜剥がれを生じた。

さらに、実施例１及び比較例３のアルミニウム基板を２
９０°Ｃで１時間加熱し、その後のＮｉＰメッキ被膜の
帯磁特性を調べた。

その結果を第５図及び第６図に示す。なお、第５図は、
比較例３におけるＮｉ−Ｐメ、キ被膜の帯磁特性を示し
、第６図は実施例１におけるＮｉＰメッキ被膜の帯磁特
性を示す。

これら第５図及び第６図かられかるように、グルコン酸
を添加したジンケート液を用いてジンケート処理を行い
、酢酸溶液中にアルミニウム基板を浸漬した場合（実施
例］）には、はとんど磁化されなかったが、これらをい
ずれも行わなかった場合（比較例３）には、飽和磁束密
度Ｂｓ約５ガウス程度を示し、帯磁することが確認され
た。

〔発明の効果］ 以上の説明からも明らかなように、本発明の方法におい
ては、アルミニウムを主体とする基板をジンケート処理
した後、酢酸溶液中に浸漬しているので、Ｚｎ層表面上
に形成される水酸化亜鉛を除去することができ、その後
のＮｉ−Ｐメンキ処理で当該Ｎｉ−Ｐメ、キ被膜とＺｎ
層をメタル結合させることができる。

したがって、前記Ｚｎ層に対するＮｉ−Ｐメ。

キ被膜の付着力を向上させることができ、これにより当
ＩＮｉ　　Ｐメッキ被膜のアルミニウム基板からの膜剥
がれを防止することができる。

また、本発明の方法においては、Ｚｎ層の表面に水酸化
亜鉛層が一切存在しないため、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜を平
滑なＺｎ層上に直接形成することができ、当該Ｎｉ−Ｐ
メッキ被膜の表面性を向上させることができる。

さらに、本発明の方法によれば、結果として余分なＺｎ
層が除去されるとともに、Ｎｉ−Ｐメッキ被膜の磁化を
防止する上で有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明方法によりハードディスク
用基板を製造する工程を模式的に順次示す要部拡大断面
図であり、第１図は処理前のアルミニウム基板を示し、
第２図はジンケート処理工程、第３図は酢酸溶液浸漬工
程、第４図はＮｉ〜Ｐメッキ工程をそれぞれ示す。 第５図は比較例３におけるＮｉ−Ｐメッキ被膜の帯磁特
性を示す特性図、第６図は実施例１におけるＮｉ−Ｐメ
ッキ被膜の帯磁特性を示す特性図である。 ｌ・・・アルミニウム基板 ２・・・Ｚｎ層 ２ａ・・・水酸化亜鉛層 ３・・・Ｎｉ−Ｐメッキ被膜 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　小　池　　　晃（他２名）第１図 ２；１ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書帽発） 平成　２年 ８月２７日 特許庁長官　　植　松　　敏　殿 １、事件の表示 平成２年　特許層　第１２６８３５号 ２、発明の名称 ハードディスク用基板の表面処理方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称（２１
８）ソニー株式会社 代表者　大　賀　典　雄 ４、代理人 住所　〒１０５ 東京都港区虎ノ門二丁目６番４号 第１１森ビル１１階　ｋ　（５０８）　８２６６■７゜ 補正の内容 第６０を別紙の通り補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アルミニウムを主体とする基板をジンケート液に浸漬し
   た後、酢酸溶液中に浸漬し、その後Ｎｉ−Ｐメッキする
   ことを特徴とするハードディスク用基板の表面処理方法
   。