JPH04233195A - 改良されたカソードを有するエレクトロルミネセンス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
センス装置に関する。より詳細には、本発明は、個別に
正孔輸送帯域と電子輸送帯域を含む有機エレクトロルミ
ネセンス装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネセンス装置（以下、「
ＥＬ装置」とも称する）には、電極がエレクトロルミネ
センス媒体により分離され間隔をあけた状態で含まれて
いるが、このエレクトロルミネセンス媒体は、電極間に
印加した電位差に応答して電磁放射線、典型的には光を
発する。このエレクトロルミネセンス媒体は、ただ単に
発光することができなければならないばかりでなく連続
状に作製できなければならず（即ち、ピンホールがあっ
てはならない）、そして容易に作製されるとともに装置
の動作に耐えるに十分な程度に安定でなければならない
。

【０００３】従来の有機ＥＬ装置の代表例として、メー
ル等（Ｍｅｈｌ　ｅｔａｌ）　による米国特許第３，５
３０，３２５号、ウイリアムズ（Ｗｉｌｌｉａｍｓ）　
による米国特許第３，６２１，３２１号、タング（Ｔａ
ｎｇ）による米国特許第４，３５６，４２９号、バンス
リケ等（ＶａｎＳｌｙｋｅｅｔ　ａｌ）　による米国特
許第４，５３９，５０７号及び第４，７２０，４３２号
並びにタング等による米国特許第４，７６９，２９２号
及び第４，８８５，２１１号が挙げられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マグ
ネシウムカソードを担持する装置の特定の性能効率を有
する有機ＥＬ装置を構成すると同時に、より実用的で安
定な装置構造物を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の一態様は、アノ
ードと、有機正孔注入・輸送帯域と、その有機正孔注入
・輸送帯域とで接合を形成する有機電子注入・輸送帯域
と、マグネシウム及び少なくとも１種の高い仕事関数の
金属の組み合わされたものを含有し、前記有機電子注入
・輸送帯域に接触した層を含んでなるカソードとを順次
設けてなる内部接合有機エレクトロルミネセンス装置に
向けられる。本発明は、アルミニウムがカソード層の少
なくとも８０％の割合を占めることを特徴とする。

【０００６】本発明の要件を満足する好ましい内部接合
有機ＥＬ装置１００は、図１に示されている。この装置
は、透明基板１０２とその上に透明導電層１０４を塗布
したものを含んでなる。透明基板と透明導電層が一緒に
なって本発明の装置の透明アノード要素を形成する。正
孔注入・輸送帯域１０６が透明導電層上に接触して配置
されている。本発明の好ましい態様では、正孔注入帯域
が正孔注入層１０８と正孔輸送層１１０から構成されて
いる。電子注入・輸送帯域は、層１１２によって提供さ
れ、正孔注入・輸送帯域、特に正孔輸送層１１０とで接
合１１４を形成する。

【０００７】有機電子注入・輸送帯域、具体的には層１
１２上に設置されるカソード１１６は、電子注入・輸送
帯域、具体的には層１１２と接触した状態で配置される
界面層１１８を含んでなる。この界面層上のカソードは
、最小のカソード抵抗を達成するように選択されるキャ
ップ層１２０を有する。

【０００８】使用に際し、電圧源Ｖは電導体１２４を介
してアノード導電層１０４に接続され、電導体１２２を
介してカソード１１６に接続される。電圧源が連続直流
又は断続直流電圧源であるとき、電圧源はアノードに対
してカソードを負にバイアスして内部接合有機ＥＬ装置
を発光状態にする。電圧源が交流源である場合、各半サ
イクルを通してカソードはアノードに対して負にバイア
スされる。

【０００９】アノードに対して負にバイアスされたカソ
ードでは、層１１２によって示される電子注入・輸送帯
に電子が注入される。電子注入の効率は、カソードの界
面層１１８によって制御される。同時に、アノード導電
層１０４では、正孔が正孔注入・輸送帯域１０６に注入
される。特に、正孔は正孔注入層１０８に注入され、次
いで正孔輸送層１１０に輸送される。正孔は正孔輸送層
で輸送され、接合１１４を横切って電子注入・輸送帯域
に到る。電子注入・輸送帯域で正孔−電子の再結合が起
きる。電子が伝導帯から価電子帯に降下するときエネル
ギーが電磁波放射線の状態で放出される（即ち、発光が
起こる）。

【００１０】本発明は、カソードが電子注入・輸送帯域
と接するその界面層でほんの少量のマグネシウムと多量
のアルミニウムから形成されるカソードが、高レベルの
加工安定性と使用安定性の両方を示し、さらにマグネシ
ウムが５０％（原子基準）より多いいカソードを構成す
ることで得られるにすぎない従来のものに比べて効率の
よい電子注入が達成できることに基づく。

【００１１】数種の変性カソード構造物が可能である。 Ｉ．界面層とカソードの裏打層は同一の組成からなるこ
とができる。即ち、カソードはユニタリー単一層要素で
あることができる。この場合には、カソードが全体を通
して同一割合のマグネシウムとアルミニウムを含む。 ＩＩ．カソードは、その全体を通してマグネシウムとア
ルミニウムを含むが、裏打層のマグネシウムは低い割合
で存在する。

【００１２】ＩＩＩ．　　カソードは、界面層ではマグ
ネシウムとアルミニウムを含むが、裏打層にはマグネシ
ウムを伴わないでアルミニウムを含む。 ＩＶ．カソードは、界面層ではマグネシウムとアルミニ
ウムを含むが、裏打層には他の金属１種若しくはそれら
の組み合わされたものを含む。

【００１３】すべての態様の一定の特徴は、界面層がマ
グネシウムと少なくとも８０％のアルミニウムを含むこ
とである。（特記しないかぎり、それぞれの場合のパー
セントは総重量当たりの重量％である。）もっとも単純
な可能性ある構成は、カソード界面層が本質的にマグネ
シウムとアルミニウムからなる。少なくとも約０．０５
％、好ましくは少なくとも０．１０％のマグネシウムが
界面層に存在する。界面層にマグネシウムは２０％以下
の濃度で存在できるが、好ましくは１０％以下の濃度で
存在する。

【００１４】必要濃度のマグネシウムとアルミニウムが
存在するかぎり、少量の他の金属が混在してもよい。一
般的には、マグネシウムそのものが必要とされる電子注
入効率を提供し、通常、仕事関数レベルを増大すること
で金属の安定性が高まるので、マグネシウムよりもより
高い仕事関数を有する他の金属を存在させることが好ま
しい。アルミニウム電子接触系に、通常少量（約５％未
満）、存在する１種以上の元素、例えばケイ素、銅、チ
タン、ゲルマニウム、錫及びガリウムが特に好ましい。

【００１５】内部接合有機ＥＬ装置の構成では、電子注
入・輸送帯域を形成する層表面を被覆できるカソードの
界面層のどのような厚さも使用できる。一般的に、界面
層の厚さは少なくとも２５オングストローム、好ましく
は少なくとも５０オングストローム、最適には少なくと
も１００オングストロームが望まれる。カソード全体の
厚さは、特定の用途の要件に合致するようないずれか都
合のよい態様に応じて変化できる。真空蒸着法やスパッ
タリング法などの薄膜堆積法を使用してカソードを形成
する場合には、約２μｍまでのカソードの厚さが都合よ
く作製され、約５０００オングストロームまでのカソー
ドの厚さが好ましい。

【００１６】驚くべきことに、効率的な装置の動作に必
要な低レベルのマグネシウムが、集積回路及びハイブリ
ッド回路用のアルミニウム接触系の構成に際して使用さ
れる常法にそれ自体適するようにする低マグネシウム含
量から完全なカソードを構成することを可能にする。ア
ルミニウムコンポジションは、内部接合有機ＥＬ装置ア
レーに必要とされるもののようなパターン化されたカソ
ード配置を形成するのに特に有利である。この型の典型
的なアレーは、ヨーロッパ特許出願公開第３４９，２６
５号（１９９０年３月１４日公開）に公表されており、
その内容は引用することによって本明細書の内容となる
。

【００１７】本発明の内部接合有機ＥＬ装置の他の特徴
は、多様な形状をとりうることである。タング等の米国
特許４，３５６，４２９号、バンスリケ等の米国特許第
４，５３９，５０７号、タング等の米国特許第４，８８
５，２１１号により公表される内部接合有機ＥＬ装置の
構造のいずれか一つを、本発明の特定のカソードの構成
と組み合わせて改良された内部接合有機ＥＬ装置を作製
することができる。上記各特許の内容は引用することに
よって本明細書の内容となる。これらの引例に示される
装置の構成では、カソードを介して発光が生じるものが
本発明に適合する。好ましくは、このような装置のカソ
ードは、界面層だけからなり、その最適の厚さは３００
オングストローム未満である。

【００１８】本発明の好ましい態様においては、ポルフ
ィリン系化合物を含有する層が、内部接合有機ＥＬ装置
の正孔注入層を構成する。ポルフィリン系化合物は、ポ
ルフィリン構造に由来するかポルフィリン構造を含んだ
いずれの化合物でもよく、天然でも合成でもよい。アル
ダー等（Ａｌｄｅｒ　ｅｔ　ａｌ）による米国特許第３
，９３５，０３１号やタングによる米国特許第４，３５
６，４２９号に公表されているいずれのポルフィリン系
化合物を用いてもよい。これらの特許に公表されている
事柄は、引用により本明細書の内容となる。ポルフィリ
ン系化合物は、下記の構造式（Ｉ）で表されるものが好
ましい。

【００１９】

【化１】

【００２０】式中、Ｑは−Ｎ＝又は−Ｃ（Ｒ）＝であり
、 Ｍは金属、金属酸化物又は金属ハロゲン化物であり、Ｒ
は水素、アルキル、アラルキル、アリール又はアルクア
リールであり、Ｔ１　及びＴ２　は、水素を表すか、い
っしょになって不飽和６員環を形成するが、この不飽和
６員環はアルキルかハロゲン等の置換基を含んでいても
よい。アルキル成分は炭素数が約１〜６であることが好
ましく、アリール成分はフェニルが好ましい。別の好ま
しい態様においては、ポルフィリン系化合物は、構造式
（Ｉ）のものとは、下式（ＩＩ）に示すように金属原子
が２つの水素原子でおきかわっている点で異なる。

【００２１】

【化２】

【００２２】有用なポルフィリン系化合物の非常に好ま
しい例は、金属を含まないフタロシアニン類及び金属含
有フタロシアニン類である。一般的にポルフィリン系化
合物、特にフタロシアニン類は、いずれの金属を含有し
てもよく、この金属は２価以上の正の原子価を有するこ
とが好ましい。好ましい金属としては、例えば、コバル
ト、マグネシウム、亜鉛、パラジウム、ニッケル、そし
て特に銅、鉛及び白金が挙げられる。

【００２３】有用なポルフィリン系化合物の例を以下に
挙げる。 　　ＰＣ−１：　　ポルフィン 　　ＰＣ−２：　　１，１０，１５，２０−テトラフェ
ニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル　　　　　　　　　　　　
　　フィン銅（ＩＩ）　　ＰＣ−３：　　１，１０，１
５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル　　
　　　　　　　　　　　　フィン亜鉛（ＩＩ）　　ＰＣ
−４：　　５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）　　　　　　　　　　　　　　２１
Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン　　ＰＣ−５：　　シリコンフ
タロシアニンオキシド　　ＰＣ−６：　　アルミニウム
フタロシアニンオキシド　　ＰＣ−７：　　フタロシア
ニン（金属を含まない）　　ＰＣ−８：　　ジリチウム
フタロシアニン　　ＰＣ−９：　　銅テトラメチルフタ
ロシアニン

【００２４】 　　ＰＣ−１０：　　銅フタロシアニン　　ＰＣ−１１
：　　クロムフタロシアニンフッ化物　　ＰＣ−１２：
　　亜鉛フタロシアニン　　ＰＣ−１３：　　鉛フタロ
シアニン　　ＰＣ−１４：　　チタンフタロシアニンオ
キシド　　ＰＣ−１５：　　マグネシウムフタロシアニ
ン　　ＰＣ−１６：　　銅オクタメチルフタロシアニン

【００２５】有機ＥＬ装置の正孔輸送層は、少なくとも
一種の正孔輸送芳香族第三アミンを含有している。この
芳香族第三アミンは、炭素原子（そのうちの一つは芳香
環の環員である）にのみ結合している少なくとも一個の
三価の窒素原子を含有する化合物である。一態様におい
ては、芳香族第三アミンは、モノアリールアミン、ジア
リールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリール
アミン等のアリールアミンでよい。低分子トリアリール
アミンは、クラプフル等（Ｋｌｕｐｆｅｌ　ｅｔ　ａｌ
）による米国特許第３，１８０，７３０号に例示されて
いる。ビニルかビニレンラジカルで置換されそして／又
は少なくとも一個の水素含有基を含有している他の適当
なトリアリールアミンは、ブラントレイ等（Ｂｒａｎｔ
ｌｅｙ　ｅｔ　ａｌ）　による米国特許第３，５６７，
４５０号及び同第３，６５８，５２０号に公表されてい
る。好ましい種類の芳香族第三アミンは、少なくとも二
個のアミン成分を含むものである。このような化合物と
しては、以下の構造式（ＩＩＩ）　で表されるものが挙
げられる。

【００２６】

【化３】

【００２７】式中、Ｑ１　及びＱ２　は、それぞれ独立
して芳香族第三アミン成分であり、Ｇは、アリーレン基
、シクロアルキレン基、アルキレン基又は炭素−炭素結
合である。構造式（ＩＩＩ）　を満足し、そして２個の
トリアリール成分を含有する特に好ましい種類のトリア
リールアミンは、以下の構造式（ＩＶ）を満足するもの
である。

【００２８】

【化４】

【００２９】式中、Ｒ１　及びＲ２　は、各々独立して
水素原子、アリール基又はアルキル基を表すか、Ｒ１　
とＲ２　がいっしょになってシクロアルキル基を完成し
ている原子を表し、Ｒ３　及びＲ４　は、各々独立して
、下式（Ｖ）で示されるようなジアリール置換アミノ基
で置換されたアリール基を表す。

【００３０】

【化５】

【００３１】式中、Ｒ５　及びＲ６　は、それぞれ独立
して選択されたアリール基である。別の好ましい種類の
芳香族第三アミンは、テトラアリールジアミンである。 テトラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合
した式（Ｖ）で示されるようなジアリール基を２個含む
ことが好ましい。好ましいテトラアリールジアミンとし
ては、下式（ＶＩ）により表されるものが挙げられる。

【００３２】

【化６】

【００３３】式中、Ａｒｅは、アリーレン基であり、ｎ
は、１〜４の整数であり、Ａｒ、Ｒ７　、Ｒ８　及びＲ
９　は、独立して選択されたアリール基である。上記の
構造式（ＩＩＩ）　、（ＩＶ）、（Ｖ）及び（ＶＩ）の
種々のアルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン
成分は、各々置換されていてもよい。典型的な置換基と
しては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基並びにフッ素、塩素及び臭素等の
ハロゲンが挙げられる。種々のアルキル及びアルキレン
成分は、典型的には、炭素数が約１〜５である。シクロ
アルキル成分の炭素数は３〜約１０であるが、典型的に
は、５個、６個又は７個の環炭素原子を含み、例えば、
シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチル環
構造を有している。アリール及びアリーレン成分は、フ
ェニル及びフェニレン構造であることが好ましい。

【００３４】有用な芳香族第三アミンの代表例が、バー
ウイック等（Ｂｅｒｗｉｃｋ　ｅｔ　ａｌ）による米国
特許第４，１７５，９６０号やバンスリケ等（Ｖａｎ　
Ｓｌｙｋｅ　ｅｔ　ａｌ）による米国特許第４，５３９
，５０７号に公表されている。バーウイックは、さらに
、有用な正孔輸送化合物として、上記で公表されたジア
リール及びトリアリールアミンの環ブリッジ変体とみな
すことができるＮ置換カルバゾールを公表している。

【００３５】上記したバンスリケ等（ＩＩ）の教示にし
たがって、上記した芳香族第三アミンにおいて第三窒素
原子に直接結合した一個以上のアリール基を、少なくと
も２個の縮合芳香環を含有する芳香族成分に代えること
により、短期間動作中と長期間動作中の両方のより高度
の有機ＥＬ装置安定性を達成することが可能である。短
期間（０〜５０時間）動作と長期間（０〜３００＋　時
間）動作の安定が得られる最もよい組み合わせは、芳香
族第三アミンが（１）少なくとも２個の第三アミン成分
を含んでなり、そして（２）第三アミン窒素原子に結合
して少なくとも２個の縮合芳香族環を含有している芳香
族成分を含んでいるものである。以下に、少なくとも２
個の縮合芳香族環と１０〜２４個の環炭素原子を含有す
る芳香族化合物を例示する。

【００３６】ナフタリン、アズレン、ヘプタレン、ａｓ
−インダセン、ｓ−インダセン、アセナフチレン、フェ
ナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオロアン
スレン、アセフェナトリレン、アセアントリレン、トリ
フェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、プレイア
デン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ヘキサフェン
、ルビセン、及びコロネン。

【００３７】第三アミンの縮合芳香環成分は、約１０〜
１６個の環炭素原子を有することが好ましい。不飽和５
〜７員環を芳香６員環（即ち、ベンゼン環）と縮合して
有用な縮合芳香環成分を形成できるが、縮合芳香環成分
が少なくとも２個の縮合ベンゼン環を含むことが一般的
に好ましい。２個の縮合ベンゼン環を含有する縮合芳香
環成分の最も簡単な形態は、ナフタリンである。したが
って、好ましい芳香環成分はナフタリン成分であるが、
ナフタリン成分はナフタリン環構造を含有する全ての化
合物が含まれる。一価の形態では、ナフタリン成分は、
ナフチル成分であり、そして二価の形態では、ナフタリ
ン成分はナフチレン成分である。

【００３８】有用な芳香族第三アミンを以下に例示する
。 　　ＡＴＡ−１：　　１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘ　　　　　　　　　　　　
　　　　キサン　　ＡＴＡ−２：　　１，１−ビス（４
−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フ　　　　　
　　　　　　　　　　　ェニルシクロヘキサン　　ＡＴ
Ａ−３：　　４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）カド
リフェニル　　ＡＴＡ−４：　　ビス（４−ジメチルア
ミノ−２−メチルフェニル）フェニルメ　　　　　　　
　　　　　　　　　タン　　ＡＴＡ−５：　　Ｎ，Ｎ，
Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン　　ＡＴＡ−６：　　４
−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４（ジ−ｐ−ト
リル　　　　　　　　　　　　　　　　アミノ）スチリ
ル〕スチルベン　　ＡＴＡ−７：　　Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミ　　　　　
　　　　　　　　　　　ノビフェニル　　ＡＴＡ−８：
　　Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−
ジアミノビ　　　　　　　　　　　　　　　　フェニル
　　ＡＴＡ−９：　　Ｎ−フェニルカルバゾール　　Ａ
ＴＡ−１０：　　ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）

【０
０３９】 　　ＡＴＡ−１１：　　４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　ノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−１２：　　４
，４”−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルア
ミ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ノ〕−ｐ−タ
ーフェニル　　ＡＴＡ−１３：　　４，４’−ビス〔Ｎ
−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　ノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−１
４：　　４，４’−ビス〔Ｎ−（３−アセナフテニル）
−Ｎ−フェニ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ル
アミノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−１５：　　１，５−ビ
ス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ　　　
　　　　　　　　　　　　　　　〕ナフタリン　　ＡＴ
Ａ−１６：　　４，４’−ビス〔Ｎ−（９−アントリル
）−Ｎ−フェニルア　　　　　　　　　　　　　　　　
　　ミノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−１７：　　４，４”
−ビス〔Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルア　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ミノ〕−ｐ−ターフ
ェニル　　ＡＴＡ−１８：　　４，４’−ビス〔Ｎ−２
−フェナントリル）−Ｎ−フェニル　　　　　　　　　
　　　　　　　　　アミノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−１
９：　　４，４’−ビス〔Ｎ−（８−フルオランテニル
）−Ｎ−フェ　　　　　　　　　　　　　　　　　　ニ
ルアミノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−２０：　　４，４’
−ビス〔Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミ　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ノ〕ビフェニル

【０
０４０】 　　ＡＴＡ−２１：　　４，４’−ビス〔Ｎ−（２−ナ
フタセニル）−Ｎ−フェニル　　　　　　　　　　　　
　　　　　　アミノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−２２：　
　４，４’−ビス〔Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェ
ニルア　　　　　　　　　　　　　　　　　　ミノ〕ビ
フェニル　　ＡＴＡ−２３：　　４，４’−ビス〔Ｎ−
（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルア　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ミノ〕ビフェニル　　ＡＴＡ−２
４：　　２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタ
リン　　ＡＴＡ−２５：　　２，６−ビス〔ジ−（１−
ナフチル）アミノ〕ナフタリン　　ＡＴＡ−２６：　　
２，６−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフ
チル　　　　　　　　　　　　　　　　　　）アミノ〕
ナフタリン　　ＡＴＡ−２７：　　４，４”−ビス〔Ｎ
，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ〕ター　　　　　　　
　　　　　　　　　　　フェニル　　ＡＴＡ−２８：　
　４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−〔４−（１−ナ
フチル　　　　　　　　　　　　　　　　　　）フェニ
ル〕アミノ｝ビフェニル　　ＡＴＡ−２９：　　４，４
’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミ　
　　　　　　　　　　　　　　　　　ノ〕ビフェニル　
　ＡＴＡ−３０：　　２，６−ビス〔Ｎ，Ｎ−ジ（２−
ナフチル）アミン〕フルオ　　　　　　　　　　　　　
　　　　　レン　　ＡＴＡ−３１：　　４，４”−ビス
（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ターフェ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　ニル　　ＡＴＡ−３２：　
　ビス（Ｎ−１−ナフチル）（Ｎ−２−ナフチル）アミ
ン

【００４１】カソードに隣接して有機エレクトロルミ
ネセンス媒体の層を形成する際には、通常の電子注入・
輸送化合物（一種以上）を用いることができる。この層
は、アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン等の従来から教示されているエ
レクトロルミネセンス材料並びにガーニー等（Ｇｕｒｎ
ｅｅ　ｅｔ　ａｌ）　による米国特許第３，１７２，８
６２号、ガーニーによる米国特許第３，１７３，０５０
号、ドレスナー（Ｄｒｅｓｎｅｒ）、「アントラセンに
おける二重注入エレクトロルミネセンス（Ｄｏｕｂｌｅ
　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ）　」、アールシーエイ・レビュー（ＲＣＡ
　　　Ｒｅｖｉｅｗ）　、第３０巻、３２２〜３３４（
１９６９）及びドレスナーによる米国特許第３，７１０
，１６７号に例示されているような約８個以下の縮合環
を含有する他の縮合環ルミネセンス材料により形成でき
る。

【００４２】このような縮合環ルミネセンス材料は、そ
れ自体では薄膜（＜１ｍｍ）を形成し難いので、それ自
体で最高に到達しうるＥＬ装置性能レベルを達成するこ
とが困難であるとはいえ、このようなルミネセンス材料
を組み込んだ有機ＥＬ装置が本発明に従って構成される
場合には、それらは従来のＥＬ装置に比べて別の面での
性能及び安定性に改良を示す。

【００４３】電子注入・輸送帯域化合物のうち、薄膜を
形成するのに有用なものは、上記したタングによる米国
特許第４，３５６，４２９号に開示されている１，４−
ジフェニルブタジエン及びテトラフェニルブタジエン等
のブタジエン類；クマリン類；並びにトランススチルベ
ン等のスチルベン類である。カソードに隣接する層を形
成するのに使用することができるさらに他の薄膜形成電
子輸送化合物は、螢光増白剤、特に上記したバンスリケ
等による米国特許第４，５３９，５０７号に開示されて
いるものである。有用な螢光増白剤としては、例えば、
構造式（ＶＩＩ）　及び（ＶＩＩＩ）　を満足するもの
が挙げられる。

【００４４】

【化７】

【００４５】又は

【００４６】

【化８】

【００４７】式中、Ｒ１　、Ｒ２　、Ｒ３　及びＲ４　
は、それぞれ独立して水素；炭素数が１〜１０の飽和脂
肪族炭化水素、例えば、プロピル、ｔ−ブチル、ヘプチ
ル等；炭素数が６〜１０のアリール、例えば、フェナン
トレン及びナフチル；又はクロロ、フルオロ等のハロ；
又はＲ１　とＲ２　又はＲ３　とＲ４は、いっしょに、
必要に応じてメチル、エチル、プロピル等の炭素数１〜
１０の少なくとも一個の飽和脂肪族炭化水素を有する縮
合芳香環を完成するのに必要な原子を構成し；Ｒ５　は
、メチル、エチル、ｎ−エイコシル等の炭素数１〜２０
の飽和脂肪族炭化水素；炭素数６〜１０のアリール、例
えば、フェニル及びナフチル；カルボキシル；水素；シ
アノ；又はハロ、例えば、クロロ、フルオロ等であるが
、但し、式（ＶＩＩ）　においては、Ｒ３　、Ｒ４　及
びＲ５　のうちの少なくとも２つは、炭素数３〜１０の
飽和脂肪族炭化水素、例えば、プロピル、ブチル、ヘプ
チル等であり；Ｚは、−Ｏ−、−ＮＨ−又は−Ｓ−であ
り；そしてＹは、−Ｒ６　−（ＣＨ＝ＣＨ−）Ｒ６　−
、

【００４８】

【化９】

【００４９】 −ＣＨ＝ＣＨ−、 −（ＣＨ＝ＣＨ−）Ｒ６　−（ＣＨ＝ＣＨ−）ｎ　−、

【００５０】

【化１０】

【００５１】又は

【化１１】 （式中、ｍは、０〜４の整数であり；ｎは、炭素数６〜
１０のアリーレン、例えば、フェニレン及びナフチレン
であり；そしてＺ’及びＺ”は、各々独立してＮ又はＣ
Ｈである）を表す。

【００５２】本明細書で使用されている用語「脂肪族炭
化水素（ａｌｉｐｈａｔｉｃ）」には、未置換脂肪族炭
化水素だけでなく置換脂肪族炭化水素も含まれる。置換
脂肪族炭化水素の場合における置換基としては、例えば
、炭素数１〜５のアルキル、例えば、メチル、エチル、
プロピル等；炭素数６〜１０のアリール、例えば、フェ
ニル及びナフチル；クロロ、フルオロ等のハロ；ニトロ
；及び炭素数１〜５のアルコキシ、例えば、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ等が挙げられる。有用であるさら
に他の螢光増白剤は、１９７１年発行の「ケミストリー
・オブ・シンセティック・ダイズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
　ｏｆ　Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｄｙｅｓ　）の第５巻の
第６１８〜６３７頁及び第６４０頁に列挙されている。 まだ薄膜形成性となっていないものは、脂肪族炭化水素
成分を一方又は両方の末端環に結合させることにより薄
膜形成性とすることができる。

【００５３】本発明の有機ＥＬ装置の電子注入・輸送層
の形成に使用するのに特に好ましいものは、オキシンの
キレート（一般的に「８−キノリノール」又は「８−ヒ
ドロキシキノリン」とも称する）をはじめとする金属キ
レートオキシノイド化合物である。このような化合物は
、両方とも性能が高レベルであり、そして容易に薄膜に
作製できる。使用できるオキシノイド化合物として、以
下の構造式（ＩＸ）　を満足するものが挙げられる。

【００５４】

【化１２】

【００５５】式中、Ｍｅは、金属を表し；ｎは、１〜３
の整数であり；そしてＺは、各々独立して少なくとも２
個の縮合芳香環を有する核を完成している原子を表す。

【００５６】上記のことから明らかなように、金属は、
一価、二価又は三価の金属である。金属は、例えば、リ
チウム、ナトリウム若しくはカリウム等のアルカリ金属
；マグネシウム若しくはカルシウム等のアルカリ土類金
属；又は硼素若しくはアルミニウム等の土類金属である
ことができる。一般的には、有用なキレート金属である
ことが知られている一価、二価又は三価の金属を用いる
ことができる。Ｚは、少なくとも２個の縮合芳香環（少
なくとも１個はアゾール又はアジン環である）を含有す
る複素環核である。必要に応じて、脂肪族環と芳香環の
両方を含めたさらなる環を、２個の必要な環と縮合でき
る。機能を向上することなく分子の嵩が増加するのを避
けるために、環原子の数は、１８個以下に維持すること
が好ましい。

【００５７】有用なキレートオキシノイド化合物を以下
に例示する。 　　ＣＯ−１：　　アルミニウムトリソキシン　　　　
　　　　　　　　　　〔トリス（８−キノリノール）ア
ルミニウムとも称される〕　　ＣＯ−２：　　マグネシ
ウムビオキシン　　　　　　　　　　　　　　〔ビス（
８−キノリノール）マグネシウムとも称される〕　　Ｃ
Ｏ−３：　　ビス〔ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノール〕
亜鉛　　ＣＯ−４：　　アルミニウムトリス（５−メチ
ルオキシン）　　　　　　　　　　　　　　〔トリス（
５−メチル−８−キノリノール）アルミニウムとも称　
　　　　　　　　　　　　　される〕　　ＣＯ−５：　
　インジウムトリソキシン　　　　　　　　　　　　　
　〔トリス（８−キノリノール）インジウムとも称され
る〕　　ＣＯ−６：　　リチウムオキシン 　　　　　　　　　　　　　　〔８−キノリノールリチ
ウムとも称される〕　　ＣＯ−７：　　ガリウムトリス
（５−クロロオキシン）　　　　　　　　　　　　　　
〔トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウムと
も称され　　　　　　　　　　　　　　る〕 　　ＣＯ−８：　　カルシウムビス（５−クロロオキシ
ン）　　　　　　　　　　　　　　〔ビス（５−クロロ
−８−キノリノール）カルシウムとも称され　　　　　
　　　　　　　　　　　る〕　　ＣＯ−９：　　ポリ〔
亜鉛（ＩＩ）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル
）メ　　　　　　　　　　　　　　タン〕 　　ＣＯ−１０：　　ジリチウムエピンドリジオン

【０
０５８】ある例では、正孔−電子の再結合に応答する発
光の可能な色素を電子注入・輸送帯域に組み込むことに
よって動作中の有機ＥＬ装置の安定性を高めることがで
きるし、また電子注入・輸送帯域由来の発光波長を変性
することができる。この目的に有用であるには、色素は
、それが分散されているホスト材料よりも長くないバン
ドギャップを持たねばならず、そしてホスト材料の還元
電位よりも低い陰性を持たねばならない。タング等の米
国特許第４，７６９，２９２号は、電子注入・輸送帯域
のホスト材料に分散された各種のものから選択される色
素を含有する内部接合有機ＥＬ装置を公表する。

【００５９】本発明の有機ＥＬ装置においては、有機ル
ミネセンス媒体の総厚さを１μｍ　（１０，０００オン
グストローム）未満に限定することにより、比較的低い
電極間電圧を用いながら、効率的な発光と両立する電流
密度を維持することが可能である。１μｍ　未満の厚さ
で、２０ボルトの電圧を印加すると、２×１０５　ボル
ト／ｃｍを超えるフィールドポテンシャルが得られ、こ
れは、効率的な発光と両立する。有機ルミネセンス媒体
の厚さが一桁減少（０．１μｍ　、即ち、１０００オン
グストロームに減少）すると、印加電圧を更に減少でき
及び／又はフィールドポテンシャルをさらに増加できる
ので、電流密度は、十分に装置構造の能力範囲内である
。

【００６０】有機ルミネセンス媒体が行う機能の一つは
、有機ＥＬ装置の電気的バイアスで電極が短絡するのを
防止するために絶縁バリヤーを提供することである。 ただ一つのピンホールが有機エレクトロルミネセンス媒
体を通って延びても、短絡が生じる。例えば、アントラ
セン等の単一の高結晶性ルミネセンス材料を用いた従来
の有機ＥＬ装置とは異なり、本発明のＥＬ装置は、短絡
なしに、有機ルミネセンス媒体の総厚さが極めて小さい
状態に作製できる。この理由の一つは、３層に重畳した
層が存在するので、電極間に伝導路を形成するように整
列されている層にピンホールが生じる可能性が減少する
からである。このことにより、有機ルミネセンス媒体の
層のうちの一層又は２層でさえも、許容できるＥＬ装置
の性能と信頼性を保持しながら、コーティングでフィル
ムを形成するには理想的でない材料から形成できる。

【００６１】有機エレクトロルミネセンス媒体を形成す
るのに好ましい材料は、薄膜の形態に作製できるもの、
即ち、厚さが０．５μｍ　（５０００オングストローム
）未満の連続層の形態に作製できるものである。有機ル
ミネセンス媒体の一層以上の層を溶媒塗布するときには
、被膜形成性高分子バインダーを活物質とともに共堆積
して、ピンホール等の構造欠陥のない連続層を確実に形
成することができる。もしバインダーを用いるならば、
バインダーは、それ自体、高絶縁耐力、好ましくは少な
くとも約２×１０６　ボルト／ｃｍを示さなければなら
ないことは言うまでもない。多種多様な既知の溶液流延
付加及び縮合重合体から適当なポリマーを選ぶことがで
きる。 適当な付加重合体を例示すると、スチレン、ｔ−ブチル
スチレン、Ｎ−ビニルカルバゾール、ビニルトルエン、
メチルメタクリレート、メチルアクリレート、アクリロ
ニトリル及びビニルアセテートの重合体及び共重合体（
ターポリマーも含む）が挙げられる。適当な縮合重合体
を例示すると、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
イミド及びポリスルホンが挙げられる。活物質が不必要
に希釈されるのを避けるために、バインダーは、層を形
成する材料の総重量に対して５０重量％未満に限定する
ことが好ましい。

【００６２】有機エレクトロルミネセンス媒体を形成す
る活物質は、薄膜形成性材料であるとともに真空蒸着で
きるものが好ましい。真空蒸着では、極めて薄く欠陥の
ない連続層が形成できる。具体的には、十分なＥＬ装置
性能を維持しながら、個々の層を約５０オングストロー
ムと非常に薄くすることができる。真空蒸着ポルフィリ
ン化合物を正孔注入層として用い、薄膜形成芳香族第三
アミンを正孔輸送層として用い、そしてキレートオキシ
ノイド化合物を電子注入・輸送層として用いるとき、約
５０〜５０００オングストロームの範囲の厚さが可能で
あるが、層厚さは、１００〜２０００オングストローム
が好ましい。有機ルミネセンス媒体の総厚さは、少なく
とも約１０００オングストロームが好ましい。

【００６３】本発明の有機ＥＬ装置のアノードは、いず
れか常用されている形状をとることができる。アノード
を介して有機ＥＬ装置からの光の伝達を意図するときは
、これは光透過性基板（例えば、透明又は実質的に透明
なガラス板又はプラスチックフィルム）上に薄い導電層
を塗布することにより都合よく達成できる。一の態様で
は、本発明の有機ＥＬ装置は、上記のガーニー（Ｇｕｒ
ｎｅｅ）等の米国特許第３，１７２，８６２号、ガーニ
ーの米国特許第３，１７３，０５０号、ドレスナー（Ｄ
ｒｅｓｎｅｒ）、「アントラセンにおける二重注入エレ
クトロルミネセンス装置（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｉｎｊｅｃｔ
ｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）　
」、アールシーエイ・レビュー（ＲＣＡ　　　Ｒｅｖｉ
ｅｗ）、第３０巻、３２２〜３３４ページ（１９６９）
及びドレスナーによる米国特許第３，７１０，１６７号
に記載されるようなガラス板上に塗布された錫酸化物や
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる光透過性アノー
ドを初めとする従来の実施例に準じることができる。

【００６４】本明細書で用いられる用語「光透過性（ｌ
ｉｇｈｔ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ）　」とは、単純
に、記載する層又は要素が、それが好ましくは少なくと
も１００ｎｍの間隔で受ける少なくとも一つの波長の光
の５０％を超える量を透過することを意味する。鏡面（
非散乱）発光と拡散（散乱）発光の両方が望ましい装置
出力であるので、半透明材料と透明材料（又は実質的に
透明な材料）の両方が有効である。また、ほとんどの場
合、有機ＥＬ装置の光透過層又は要素は、無色であるか
中性の光学濃度を有し、即ち、一つの層が別の層と比較
して、一つの波長において著しく高い光吸収を示すこと
はない。しかしながら、光透過性電極基板又は別個に重
畳するフィルム若しくは要素は、必要に応じて、発光ト
リミングフィルムとして作用するように光吸収性を調整
できることは勿論である。このような電極構成について
は、例えば、フレミング（Ｆｌｅｍｉｎｇ）による米国
特許第４，０３５，６８６号に公表されている。電極の
光透過性導電層は、受ける光の波長又は波長の倍数に近
似した厚さに作製されている場合には、干渉フィルター
として作用することができる。

【００６５】

【実施例】本発明とその利点を、以下具体的実施例によ
りさらに説明する。実施例で用いられる用語「セル（ｃ
ｅｌｌ）　」とは、有機ＥＬ装置を意味する。接尾辞Ｅ
を付けた数の実施例は、本発明の実施態様を表し、一方
、接尾辞Ｃを付けた数の実施例は、バリエーションの比
較のためにもうけたものである。

【００６６】実施例１Ｅ：２層カソードを有する内部接
合有機ＥＬ装置の作製２層カソードを含有する内部接合
有機ＥＬ装置を以下のように作製した。 ａ）ＩＴＯ塗布ガラスからなる透明アノードを、数分間
Ｄｅｃｏｎｅｘ（商標）１２ＰＡ洗剤（Ｂｏｒｅｒ　Ｃ
ｈｅｍｉｅ　ＡＧ）の３％溶液中で超音波洗浄した。次
に、脱イオン水、イソプロピルアルコールですすぎ、最
後に約１５分間トルエン蒸気で脱脂した。

【００６７】ｂ）銅フタロシアニンの正孔注入層（３７
５オングストローム）を、アノード上に真空蒸着した。 銅フタロシアニンはタングステンフィラメントを用いた
石英ボートから昇華させた。 ｃ）Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４
’−ジアミノビフェニルの正孔輸送層（３７５オングス
トローム）を、前記銅フタロシアニン上に蒸着した。 前記ジアミノビフェニルもまた石英ボートから蒸発させ
た。

【００６８】ｄ）次に、トリス（８−キノリノール）ア
ルミニウムの電子注入・輸送層（６００オングストロー
ム）を前記正孔輸送層上に蒸着した。再び石英ボートか
らの昇華によった。 ｅ）次に、トリス（８−キノリノール）アルミニウム上
に、マグネシウムとアルミニウム（容積比、１：５０）
の混合金属を蒸着した（２００オングストローム）。こ
れは、抵抗加熱タングステンボートからＭｇを昇華させ
ると同時に、電子ビーム加熱グラファイトルツボからア
ルミニウムを蒸発させることによって行った。 ｆ）次に、キャップ層として混合金属上に、純粋アルミ
ニウムを電子ビーム加熱グラファイトルツボにより蒸着
した（２０００オングストローム）。工程ｅ）とｆ）は
共に本発明のカソードを完成するものである。

【００６９】負電圧をカソードに接続し、一方アノード
を大地に接続したとき、透明アノードを介してルミネセ
ンスが観察された。装置の効率（セルを通過する電流１
アンペア当たりのワットにおける光出力）は、０．０１
４ワット／アンペアであった。電流密度２０ｍＡ／ｃｍ
２　における駆動電圧は９．１ボルトであり、放出強度
は０．２８ｍＷ／ｃｍ２　であった。セル特性を表１に
示す。

【００７０】実施例２Ｃ：純粋アルミニウムの単一層カ
ソード純粋アルミニウム層（２０００オングストローム
）を前記有機フィルム上に蒸着した以外は実施例１Ｅの
ものと同様に内部接合有機ＥＬ装置を作製した。このセ
ル効率は０．０１０Ｗ／Ａであった。２０ｍＡ／ｃｍ２
　における駆動電圧は１２．５ボルトであり、光の強度
は０．２０ｍＷ／ｃｍ２　であった（表１）。このセル
の劣った特性から、最適の性能を目差すにはマグネシウ
ムをアルミニウムと混合する必要があることが判明した
。

【００７１】実施例３Ｅ、４Ｃ及び５Ｃ：一定の濃度範
囲を有する単一層Ｍｇ：ＡｌカソードＭｇ：Ａｌの容積
比を１：２０，１：１及び１０：１とする以外は実施例
１Ｅのものと同様に内部接合有機ＥＬ装置を作製した。 それぞれの混合層の厚さは約２０００オングストローム
であって、アルミニウムキャップ層は堆積しなかった。 表１に示すように、これらの装置は実施例１Ｅの装置と
同等の性質を示し、Ｍｇ：Ａｌカソードのマグネシウム
濃度に応じて電子注入効率が極小化するにすぎない。

【００７２】実施例６Ｅ、７Ｃ及び８Ｃ：２層Ａｌ：Ｍ
ｇ／Ａｌカソード有機エレクトロルミネセンス媒体に隣
接する混合層の濃度を変化させた以外は実施例１Ｅのも
のと同様に内部接合有機ＥＬ装置を作製した。表１に示
されるように、これらのセルは、最低濃度依存性を示す
のみで、性質は実施例１Ｅと同等であることを示す。こ
のことは、混合層の厚さが相当薄くても、これらのカソ
ードがあまり影響を受けないことを示す。

【００７３】実施例９Ｃ、１０Ｃ及び１１Ｃ：Ａｌ：Ｍ
ｇカソードとＭｇ：Ａｇカソードの比較マグネシウムの
組み合わせ特性をアルミニウムのそれと比較するために
、一の試料でＡｇをマグネシウムと混合した以外は、実
施例１Ｅと同様に２層カソードＡｌ：Ｍｇ／Ａｌ及びＭ
ｇ：Ａｇ／Ａｌを作製した。銀は、アルミニウムと同様
に電子ビーム加熱グラファイトルツボから蒸着した。 表１に示すように、銀カソード中６２．４％マグネシウ
ムはアルミニウムカソード中８１．５％マグネシウムと
同等の性質を示すが、銀中５０％未満のマグネシウム含
量のカソード作製の試みは、装置の短絡に起因して成功
しなかった。このことは、Ｍｇ：ＡｌカソードはＭｇ：
Ａｇカソードと（高Ｍｇ含量で）同等の性質を示すが、
Ｍｇ濃度を相当低くできるさらなる長所を有することを
示す。

【００７４】実施例１２：実施例１〜１１のセルの動作
安定性実施例１〜１１の内部接合有機ＥＬ装置を、１ｋ
Ｈｚ　Ａｃ励起による一定電流条件下で安定性試験を行
った。 電流は、直流２０ｍＡ／ｃｍ２　と同様な光出力を生じ
るレベルに設定した。図２は実施例１Ｅに記載のセルに
ついて標準化した時間に対する光出力のプロットを示す
。光出力は、１０００時間経過後に約０．１ｍＷ／ｃｍ
２　にとどまることが明らかである（初期光出力レベル
０．２８ｍＷ／ｃｍ２　）。表２に示されるように、実
施例１〜１１のセルはすべて、動作３００時間後約４０
％に光出力が低下するにつれ、ほぼ同様な標準化低下を
示した。それぞれの例における駆動電圧の上昇は、連続
動作によるセルの抵抗性の増大に反映する。

【００７５】しかしながら、例示セル全てが動作３００
時間経過後に０．５ボルトＡｃ未満の電圧の上昇を示し
た。 １００％アルミニウムカソードでは、動作中の電圧の上
昇はより急激（最初の３００時間で約２ボルトＡｃ上昇
）であり、初期効率は相当低下した。このことは、最適
の性能を達成するにはカソード中に少量のマグネシウム
を組み込む必要があることを示す。

【００７６】これらの結果は、ＭｇとＡｌの混合金属カ
ソードを用いるエレクトロルミネセンスの安定性はカソ
ードの組成に無関係であることを示す。さらに、混合金
属層は非常に薄くすることができ、必ずしも必要でない
が、カソードの完成に純粋アルミニウムキャップ層を堆
積できる。

【００７７】

【表１】

【００７８】

【表２】

【００７９】

【発明の効果】本発明は、電子注入効率を達成するのに
マグネシウム量はほんのわずかで足り、そのマグネシウ
ムはカソード層に添加できるとの発見に基づく。同時に
、カソード層の主要成分としてアルミニウムを使用する
ことで、より実用的で安定なカソードを構成できる。 内部接合ＥＬ装置のカソード構造物の主要成分としてア
ルミニウムを使用することで、集積回路及びハイブリッ
ド回路で広範に使用されるアルミニウム接触系とよく適
合する利点を有し、かつ同一の方法で内部接合ＥＬ装置
のカソードを作製してパターン化できる利点を有する。

【００８０】マグネシウム及びアルミニウムを含有する
内部接合ＥＬ装置のカソードは、作製時でもその後の使
用時でも高レベルの安定性を示す。さらに、タング等に
よって提案されたマグネシウムのみからなるカソードで
生じる層の不均一性は回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の内部接合有機ＥＬ装置の概略図である
。

【図２】動作時間に対するｍＷ／ｃｍ２　で光出力をプ
ロットしたグラフである。

【符号の説明】 １００…ＥＬ装置 １０２…透過性基板 １０４…透明導電層 １０６…正孔注入・輸送帯域 １０８…正孔注入層 １１０…正孔輸送層 １１２…電子注入・輸送帯域 １１４…接合 １１６…カソード １１８…界面層 １２０…キャップ層 １２４…導体 １２６…導体 Ｖ…電源

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　アノードと、有機正孔注入・輸送帯域
   と、その有機正孔注入・輸送帯域とで接合を形成する有
   機電子注入・輸送帯域と、マグネシウム及び少なくとも
   １種の高い仕事関数の金属の組み合わされたものを含有
   し、前記有機電子注入・輸送帯域に接触した層を含んで
   なるカソードとを順次設けてなる内部接合有機エレクト
   ロルミネセンス装置において、アルミニウムがカソード
   層の少なくとも８０％の割合を占めることを特徴とする
   内部接合有機エレクトロルミネセンス装置。