JPH10104663A - 電気光学装置およびその作製方法 - Google Patents

電気光学装置およびその作製方法

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JPH10104663A
JPH10104663A JP8277486A JP27748696A JPH10104663A JP H10104663 A JPH10104663 A JP H10104663A JP 8277486 A JP8277486 A JP 8277486A JP 27748696 A JP27748696 A JP 27748696A JP H10104663 A JPH10104663 A JP H10104663A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板サイズを最大限に活用した大画面表示の
可能な電気光学装置を実現する。 【解決手段】 反射型電気光学装置の駆動部となるアク
ティブマトリクス基板に対して画素マトリクス回路とロ
ジック回路とを形成するに際し、画素マトリクス回路内
のデッドスペースを利用してロジック回路を配置する構
成とする。これによりロジック回路の占有面積に制限さ
れることなく画素マトリクス回路（画像表示領域）の占
有面積を広げることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
薄膜半導体を用いた半導体装置を利用して駆動する電気
光学装置およびその作製方法に関する。特に、画素マト
リクス回路とロジック回路とを同一パネル上に一体化し
たアクティブマトリクス型電気光学装置（Active-Matri
x Electro Optical Device：ＡＭ−ＥＯＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、安価なガラス基板上に薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきて
いる。その理由は、アクティブマトリクス型電気光学装
置の需要が高まったことにある。アクティブマトリクス
型電気光学装置は、マトリクス状に配置された数百万個
もの各画素のそれぞれにＴＦＴを配置し、各画素電極に
出入りする電荷をＴＦＴのスイッチング機能により制御
するものである。
【０００３】電気光学装置としては、液晶の光学特性の
変化を利用する液晶表示装置（Liquid Crystal Despla
y）、ＺｎＳ：Ｍｎに代表される発光ＥＬ材料を利用す
るＥＬ表示装置（Electro Luminescence Desplay）、フ
ォトクロミック色素の変色特性を利用するＥＣ表示装置
（Electro Clomic Desplay）などがある。
【０００４】これらの電気光学装置はアクティブマトリ
クス方式で駆動することが可能であり、同方式を採用す
ることで高精細な表示を実現することが可能となる。
【０００５】前述の様に、アクティブマトリクス方式の
大きな特徴は、電気光学装置の画像表示領域において、
マトリクス状に設けられた複数の画素電極に出入りする
電荷を各画素領域に配置した画素ＴＦＴでオン／オフ制
御する点である。
【０００６】さらに、アクティブマトリクス方式の特徴
として、画素を制御するためのＴＦＴ（画素ＴＦＴ）を
駆動するために駆動回路を必要とする点がある。以前は
ガラス基板上に形成された画素マトリクス回路と、別に
用意された駆動回路ＩＣとを接続してアクティブマトリ
クス回路を構成していた。
【０００７】しかし近年においては、駆動回路を構成す
る複数の回路ＴＦＴを画素マトリクス回路と同一基板上
に形成して、画素マトリクス回路の周辺に駆動回路（周
辺駆動回路とも呼ばれる）を構成するのが一般的となっ
ている。
【０００８】さらに最近においては、画素ＴＦＴを駆動
するための駆動回路（シフトレジスタ回路やバッファ回
路など）以外に、プロセッサー回路、メモリ回路、Ａ／
Ｄ（Ｄ／Ａ）コンバータ回路、補正回路、パルス発振回
路などのコントローラ回路を同一基板上に組み込むＳＯ
Ｐ（システム・オン・パネル）構造が注目を浴びてい
る。
【０００９】ここで、電気光学装置の一般的な構成を図
３に示す。図３はアクティブマトリクス型液晶表示装置
の例である。３０１はガラス基板、３０２はガラス基板
３０１上に形成された画素マトリクス回路である。
【００１０】なお、画素マトリクス回路３０２は複数の
画素領域が集積化された構成となっている。即ち、画素
マトリクス回路３０２を拡大して見ると、３０３に示さ
れる様に複数の画素領域（図３では任意の２つの領域を
記載している）がマトリクス状に配列しており、各画素
領域には少なくとも一対の画素ＴＦＴと画素電極とが配
置されている。
【００１１】また、水平走査用駆動回路（データ線にデ
ータ信号を伝達する）３０４はシフトレジスタ回路、レ
ベルシフタ回路、バッファ回路、サンプリング回路など
で構成される。レベルシフタ回路とは駆動電圧の増幅を
行う回路である。
【００１２】例えば、シフトレジスタ回路が１０Ｖ駆
動、バッファ回路が１６Ｖ駆動である場合、レベルシフ
タ回路で電圧変換を行う必要がある。また、シフトレジ
スタ回路はカウンタ回路とデコーダ回路とを組み合わせ
て代用する場合もある。
【００１３】また、垂直走査用駆動回路（ゲイト線にゲ
イト信号を伝達する）３０５はシフトレジスタ回路、レ
ベルシフタ回路、バッファ回路などで構成される。
【００１４】また、近い将来においてコントロール回路
３０６が図３に示す様な位置に配置されることが予想さ
れている。コントロール回路３０６はプロセッサー回路
の様な複雑なロジック回路やメモリ回路の様な占有面積
の広い回路で構成されるため、トータルの占有面積は大
きくなると予想される。
【００１５】以上の様に、一般的には１枚のガラス基板
３０１上に画素マトリクス回路３０２、水平走査用駆動
回路３０４、垂直走査用駆動回路３０５、コントローラ
回路３０６を配置する構成となる。従って、決められた
ガラスサイズ上で表示領域をできるだけ多く確保するた
めには、画素マトリクス回路以外の占有面積を可能な限
り狭くする必要がある。
【００１６】しかしながら、図３に示す様な額縁構造を
とったとしても周辺駆動回路の高集積化には限界があ
る。ましてや、コントローラ回路の様な付加価値が加わ
ってしまった場合には、さらに画素マトリクス回路の面
積を広げるのは困難な状況となってしまう。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、上記問題点を解決して電気光学装置（光学表示装
置）の表示領域となる画素マトリクス回路の面積を可能
な限り大きくし、母体基板のサイズを最大限に活用した
大画面表示を実現することを課題とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、同一基板上に配置された画素マトリクス回路
とロジック回路とを有する電気光学装置において、前記
画素マトリクス回路が占有する領域内に前記ロジック回
路の一部または全部が配置されていることを特徴とす
る。
【００１９】また、他の発明の構成は、同一基板上に画
素マトリクス回路とロジック回路とを有したアクティブ
マトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上に
保持された液晶層と、を少なくとも有してなる電気光学
装置において、前記画素マトリクス回路が占有する領域
内に前記ロジック回路の一部または全部が配置されてい
ることを特徴とする。
【００２０】本発明の基本的な主旨は、反射型モードや
発光型モードで駆動する電気光学装置において、画素電
極の裏側となる画素領域を有効に活用するものである。
即ち、従来は図３に示す様に画素マトリクス回路の外枠
に配置されていたロジック回路を画素領域を利用して構
成し、その一部または全部を画素マトリクス回路内に組
み込むことを特徴とする。
【００２１】換言すれば、画素マトリクス回路とロジッ
ク回路とを集積化したアクティブマトリクス基板の断面
を見た時に、ロジック回路の一部または全部は前記画素
マトリクス回路を構成する画素ＴＦＴに接続した画素電
極の下方に配置された構成となっている。
【００２２】なお、ここでいうロジック回路とは駆動回
路および／またはコントロール回路とで構成される画素
マトリクス回路以外の回路を指している。また、コント
ロール回路にはプロセッサー回路、メモリ回路、Ａ／Ｄ
またはＤ／Ａコンバータ回路、補正回路、パルス発振回
路に代表される電気光学装置を駆動するに必要な全ての
情報処理回路が含まれるものとする。
【００２３】反射型モードで駆動する電気光学装置（代
表的には反射型液晶表示装置）は光を透過する必要がな
いため、透過型液晶表示装置の様に画素電極を透明にし
て光路を確保する様な必要がない。そのため、透過型液
晶表示装置では利用することのできなかった画素電極の
裏側（横断面から見れば下方）を、ロジック回路を配置
する領域として有効に活用することが可能なのである。
【００２４】なお、前述の反射型モードで駆動する反射
型液晶表示装置について、図４を用いて簡単な説明を行
なう。図４（Ａ）において、４０１はアクティブマトリ
クス基板、４０２は対向基板、４０３は液晶層である。
【００２５】また、アクティブマトリクス基板４０１の
上部には画素電極４０４（必要があれば反射板を設ける
場合もある）が設けられた構造となっている。なお、画
素電極４０４は保護膜４０５で保護されている。
【００２６】図４（Ａ）はＴＦＴがオフ状態の時を示し
ており、液晶分子は入射した光の偏光方向を変化させな
い様な状態で配列している。
【００２７】この状態において、偏光子４０６を用いて
任意の偏光方向（ここではビームスプリッタによって反
射される方向）を与えられた光４０７をビームスプリッ
タ４０８を介して液晶層４０３に入射させる。ビームス
プリッタ４０８は偏光方向によって選択的に光を透過し
たり、反射したりする機能を持つ。
【００２８】前述の様に、図４（Ａ）の状態（ＴＦＴが
オフ状態）では、液晶層４０３に入射した光４０７はそ
の偏光方向を変化させないまま画素電極４０４で反射さ
れてビームスプリッタ４０８に到達する。即ち、画素電
極４０４で反射された光４０７は入射時と同じ偏光方向
で戻されることになる。従って、ビームスプリッタ４０
８に入った光４０７は反射されて観測者の目に入らな
い。
【００２９】逆に、図４（Ｂ）に示す状態はＴＦＴがオ
ン状態の時を示しており、液晶分子は矢印で示される光
４０９を偏光する様な状態で配列している。即ち、ビー
ムスプリッタ４０８で反射された光４０９は、液晶層４
１０によって偏光方向が変化してビームスプリッタ４０
８を透過し、観測者の目に入る様になる。
【００３０】この様に、ＴＦＴのオン／オフ状態に対応
して光のオン／オフ制御を可能とするのが反射型モード
で駆動する電気光学装置である。その様な電気光学装置
の代表例が反射型液晶表示装置であり、さらにＥＣＢ
（電界制御複屈折）モード、ＰＣＧＨ（相転移型ゲスト
・ホスト）モード、ＯＣＢモード、ＨＡＮモード、ＰＤ
ＬＣ型ＧＨモードなど様々な駆動モードに分類される。
（LCD Inteligence 8 月号, ｐ51〜63,1996 参照）
【００３１】しかしながら、本発明は鏡面反射板が液晶
層のすぐ裏に配置されるタイプであればどの駆動モード
にも適用することが可能である。
【００３２】また、本発明は反射型液晶表示装置以外に
も、発光型モードで駆動するアクティブマトリクス型Ｅ
Ｌ表示装置や、フォトクロミック色素の変色特性を利用
するアクティブマトリクス型ＥＣ表示装置にも適用する
ことができる。即ち、透過型電気光学装置以外ならばど
の様な構造にも適用することが可能である。
【００３３】また、本明細書で開示する請求項におい
て、電気光学装置とはいわゆる表示パネルのみを指すの
ではなく、表示パネルを組み込んだ応用製品をも含むも
のとする。本出願人は、電気的作用または光学的作用あ
るいはそれら作用の複合作用によって本来の機能を果た
す全ての装置を指して電気光学装置と定義している。
【００３４】なお、本明細書中では「電気光学装置」を
説明の便宜上、必要に応じて表示装置（表示パネル）や
応用製品などの言葉で使い分けることとする。
【００３５】また、他の発明の構成は、同一基板上に配
置された画素マトリクス回路とロジック回路とを有する
電気光学装置を作製するにあたって、前記画素マトリク
ス回路が占有する領域内に前記ロジック回路の一部また
は全部を配置することを特徴とする。
【００３６】また、他の発明の構成は、同一基板上に画
素マトリクス回路とロジック回路とを有したアクティブ
マトリクス基板を形成する工程と、前記アクティブマト
リクス基板上に液晶層を保持する工程と、を少なくとも
有し、前記画素マトリクス回路が占有する領域内に前記
ロジック回路の一部または全部を配置することを特徴と
する。
【００３７】
【発明の実施の形態】１枚のガラス基板１０１上に画素
マトリクス回路とロジック回路（駆動回路やコントロー
ル回路を含む）とを集積化するアクティブマトリクス型
の電気光学装置を構成するに際し、画素マトリクス回路
とロジック回路とを重複させて配置する構成とする。
【００３８】この構成はバックライト等の光路（開口
部）を確保する必要のある透過型電気光学装置では成し
えない構成である。なぜならば、透過型電気光学装置の
画素マトリクス回路はその殆どの領域が開口部であり、
画素マトリクス回路内において透過光量を落とさずにロ
ジック回路を構成するのは不可能だからである。
【００３９】従って、本発明は光路を確保する必要のな
い反射型電気光学装置において実施可能な技術であると
言える。具体的には、反射板となる画素電極の下方（裏
側）にロジック回路を構成しようとするものである。
【００４０】図２（Ａ）において、接続配線１４６〜１
５０は回路ＴＦＴ（第１、第２・・・第Ｎの回路ＴＦ
Ｔ）を相互に接続させ、Ａ／Ｄコンバータ回路やメモリ
回路等を構成するための配線である。この時点でロジッ
ク回路は完成する。
【００４１】さらに、第１および第２の画素ＴＦＴにお
けるデータ信号の入出力に用いられるデータ配線１５２
〜１５５が配置される。なお、データ配線１５３、１５
５は後の画素電極１６０、１６１への取り出し電極とも
言える。
【００４２】画素電極１６０、１６１はその表面を鏡面
状態としておくことで、入射光を反射する反射板として
の機能を持たせることができる。また、必要に応じて、
画素電極１６０、１６１の上方にミラーとなる反射膜を
設ける構成としても良い。
【００４３】以上の様な構造とすると、図５に示される
様に、画素マトリクス回路５０２を構成する複数の画素
領域に対してロジック回路５０３や５０４を組み込むこ
とが可能となる。
【００４４】以上の構成で示される本発明について、以
下に記載する実施例でもって詳細な説明を行なうことと
する。
【００４５】
【実施例】
〔実施例１〕本発明の構造を有するアクティブマトリク
ス基板の作製工程を図１、図２を用いて説明する。な
お、本実施例は一例を示すものであり、記載される数値
等の具体的な条件は作製者が適宜決定すれば良いもので
ある。
【００４６】まず、絶縁表面を有する基板１０１を準備
する。本実施例では基板１０１として酸化珪素膜を堆積
したガラス基板を用いる。ガラス基板の代わりに石英基
板を用いても良い。
【００４７】次に、図示しない非晶質珪素膜を500 Åの
厚さに成膜し、適当な結晶化技術を利用して結晶性珪素
膜に変成する。結晶化は加熱処理またはレーザー処理あ
るいは両処理を併用して行えば良い。加熱処理による場
合の結晶化温度は、ガラス基板（または石英基板）の耐
熱性温度を考慮する必要がある。
【００４８】図示しない結晶性珪素膜を得たら、パター
ニングを施して活性層１０２〜１０５を形成する。活性
層１０２は第１の画素ＴＦＴを構成する活性層であり、
活性層１０５は第２の画素ＴＦＴを構成する活性層であ
る。
【００４９】また、第１、第２の画素ＴＦＴ（両方とも
Ｐチャネル型ＴＦＴとする）の間には、第１〜第Ｎの回
路ＴＦＴ（途中の回路ＴＦＴは省略する）が配置され
る。なお、本実施例において第１の回路ＴＦＴはＮチャ
ネル型、第Ｎの回路ＴＦＴはＰチャネル型とする。
【００５０】また、第Ｎの回路ＴＦＴとしたのは、どの
様なロジック回路を構成するかで必要な回路ＴＦＴの数
が変化するからである。即ち、実際にはガラス基板１０
１上に百数十万から数百万個以上もの画素ＴＦＴがマト
リクス状に配置され、その間を縫って回路ＴＦＴがロジ
ック回路を構成する。
【００５１】勿論、第１の回路ＴＦＴと第Ｎの回路ＴＦ
Ｔは必ずしも同一構造とはならない。本実施例では基本
的に同一構造として説明を進めるが、チャネル長の違い
やオフセット領域の有無など、ロジック回路の設計の都
合によって適宜構造が変化することは言うまでもない。
【００５２】次に、活性層１０２〜１０５が形成された
らゲイト絶縁膜１０６を1200Åの厚さに成膜する。ゲイ
ト絶縁膜１０６としては、プラズマＣＶＤ法や減圧熱Ｃ
ＶＤ法で成膜した酸化珪素膜を用いればよい。勿論、熱
酸化法を用いて形成することも可能である。
【００５３】次に、ゲイト絶縁膜１０６上にアルミニウ
ムを主成分とするパターン１０７〜１１０を形成する。
本実施例では、パターン１０７〜１１０の材料として0.
2wt%のスカンジウムを含有した4000Å厚のアルミニウム
膜を用いる。スカンジウムはアルミニウム膜に発生する
ヒロックやウィスカーを防止する効果がある。
【００５４】アルミニウム膜のパターン１０７〜１１０
は、後のゲイト電極およびゲイト配線の原型となるもの
である。アルミニウム膜以外にもタンタル、ニオブ、モ
リブデン等の金属材料を用いることができる。また、導
電性を付与した結晶性珪素膜（ポリシリコン膜）を利用
しても良い。
【００５５】こうして図１（Ａ）の状態が得られる（ア
ルミニウム膜のパターン１０７〜１１０上には図示しな
いレジストマスクが残存している）。この状態が得られ
たら、電解溶液として３％のシュウ酸水溶液を用いた陽
極酸化処理を行い、多孔質状の陽極酸化膜１１１〜１１
４を形成する。本実施例では化成電流２〜３ｍＡ、到達
電圧８Ｖに調節して0.7 μｍの厚さに成長させる。
【００５６】なお、この時陽極酸化反応は基板に対して
平行な方向に進行する。これは、アルミニウム膜のパタ
ーン１０７〜１１０の上面に図示しないレジストマスク
が存在したままなので、そこでは陽極酸化反応は進行し
ないからである。
【００５７】さらに、専用の剥離液でレジストマスクを
除去した後、再度陽極酸化処理を行い、1000Å厚の緻密
で強固な陽極酸化膜１１５〜１１８を形成する。この
時、電解溶液は３％の酒石酸のエチレングリコール溶液
をアンモニア水で中和して、ＰＨ＝６．９２に調節した
ものを用いる。また、化成電流５〜６ｍＡ、到達電圧１
００Ｖで処理を行う。
【００５８】この陽極酸化膜１１５〜１１８は、多孔質
状の陽極酸化膜１１１〜１１４の中に電解溶液が侵入す
るので、図１（Ｂ）に示す様な状態で形成される。ま
た、同時に第１、第２の画素ＴＦＴおよび第１、第Ｎの
回路ＴＦＴを制御するゲイト電極１１９〜１２２が画定
する。（図１（Ｂ））
【００５９】また、陽極酸化膜１１５〜１１８は、緻密
かつ強固であるため、ドーピング工程などの後工程で生
じるダメージや加熱工程の熱からゲイト電極１１９〜１
２２を保護する役割を持つ。
【００６０】図１（Ｂ）の状態が得られたら、ゲイト電
極および多孔質状の陽極酸化膜をマスクとしてゲイト絶
縁膜１０６の一部をドライエッチング法により自己整合
的にエッチング除去する。この工程によりゲイト絶縁膜
１０６はゲイト電極および多孔質状の陽極酸化膜の下に
のみ残存する状態となる。
【００６１】次に、多孔質状の陽極酸化膜１１１〜１１
４を除去し、Ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域（第１、第
２の画素ＴＦＴおよび第Ｎの回路ＴＦＴとなる領域）を
レジストマスク１２３で覆う。
【００６２】次に、イオン注入法を用いて活性層１０３
に対してＮ型を付与するＰ（リン）イオンを注入する。
この際、イオン注入の加速電圧が８０ｋＶ程度と高いの
で残存したゲイト絶縁膜１０６を通り越して全てのＰイ
オンが活性層１０３に添加される。
【００６３】次いで、加速電圧を１０ｋＶ程度に落とし
て２度目のイオン注入を行う。このイオン注入では加速
電圧が低いので、ゲイト絶縁膜１０６の残存した領域下
にはＰイオンが添加されない。
【００６４】この様な２度のＰイオン注入によって、第
１の回路ＴＦＴのソース領域１２４、ドレイン領域１２
５が形成される。なお、ゲイト絶縁膜１０６を通してＰ
イオンが添加された領域には、ソース／ドレイン領域よ
りも低濃度のＰイオンが添加された低濃度不純物領域１
２６、１２７が形成される。
【００６５】特に、ドレイン領域１２５に近い側に形成
された低濃度不純物領域１２７はＬＤＤ（ライト・ドー
プ・ドレイン）領域と呼ばれ、オフ電流やリーク電流等
を効果的に抑制する効果を有している。
【００６６】また、ゲイト電極１２０の直下はＰイオン
が添加されない真性または実質的に真性なチャネル形成
領域１２８となる。なお、厳密にはチャネル形成領域１
２８の両端、即ち陽極酸化膜１１６の直下はゲイト電圧
が印加されないオフセット領域として機能する。
【００６７】こうして図１（Ｃ）に示す状態が得られ
る。次に、レジストマスク１２３を除去した後、Ｎチャ
ネル型ＴＦＴとなる領域をレジストマスク１２９で覆
う。そして、Ｐ型を付与する不純物元素であるＢ（ボロ
ン）イオンを活性層１０２、１０４、１０５に対して添
加する。
【００６８】この場合も、先のＮチャネル型ＴＦＴの場
合と同様に、１度目のイオン注入は加速電圧を高くし、
２度目は弱く調節する。このＢイオンの注入工程によ
り、第１、第２の画素ＴＦＴのソース領域１３０、１３
１、ドレイン領域１３２、１３３、低濃度不純物領域１
３４〜１３７、チャネル形成領域１３８、１３９が形成
される。また、第Ｎの回路ＴＦＴのソース領域１４０、
ドレイン領域１４１、低濃度不純物領域１４２、１４
３、チャネル形成領域１４４が形成される。
【００６９】以上の様にして、図１（Ｄ）に示す配置で
Ｎチャネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴとが別々
に形成される。なお、本実施例は一例であるのでＮチャ
ネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴの作製方法は、
上記手段以外の方法を用いても構わない。
【００７０】次に、活性層に添加された不純物元素を加
熱処理またはレーザー処理あるいは両者を併用した手段
により活性化する。さらに、活性化と同時に、イオン注
入により損傷を受けた活性層の結晶性が改善される。
【００７１】次に、レジストマスク１２９を除去した
後、第１の層間絶縁膜１４５を5000Åの厚さに成膜す
る。第１の層間絶縁膜１４５としては、酸化珪素膜や窒
化珪素膜またはそれらの積層膜を用いれば良い。
【００７２】次に、第１の層間絶縁膜１４５を成膜した
ら、コンタクトホールを形成して回路ＴＦＴの接続配線
１４６〜１５０を形成する。接続配線１４６〜１５０は
回路ＴＦＴ相互を接続するための配線であり、第１〜第
Ｎまでの各回路ＴＦＴは相互に接続されてロジック回路
を構成する。この状態で、第１〜第Ｎの回路ＴＦＴは完
成する。
【００７３】こうして図２（Ａ）の状態が得られる。図
２（Ａ）の状態が得られたら、第２の層間絶縁膜１５１
を１μｍの厚さに成膜する。第２の層間絶縁膜１５１と
しては透過性有機樹脂材料であるポリイミドを用いる。
ポリイミドはスピン法により容易に膜厚を稼ぐことが可
能であり、平坦性に優れるといった特徴を有している。
また、比誘電率が小さいので寄生容量を低減できる。
【００７４】次に、第１、第２の画素ＴＦＴと接続する
データ配線１５２〜１５５を形成する。この際、ソース
領域１３０、１３１と接続するデータ配線１５２、１５
４は駆動回路からのデータ信号を伝達する配線であり、
ドレイン領域１３２、１３３と接続するデータ配線１５
３、１５５は後に形成される画素電極とＴＦＴを接続す
るためのパイプ配線として機能する。
【００７５】さらに、データ配線１５２〜１５５を形成
した後、第３の層間絶縁膜１５６を5000Åの厚さに成膜
する。本実施例では第３の層間絶縁膜１５６もポリイミ
ドを用いる。（図２（Ｂ））
【００７６】次に、光を吸収する様な機能を有する材料
を利用してブラックマトリクス１５７、１５８を形成す
る。本実施例では黒色顔料を分散させた樹脂材料を用い
るが、窒化チタンなどを用いることもできる。また、樹
脂材料としてはアクリル系材料、ポリイミド、ポリイミ
ドアミド、ポリアミド等を用いれば良い。
【００７７】ブラックマトリクス１５７、１５８を形成
したら、その上に第４の層間絶縁膜１５９としてポリイ
ミド膜を3000Åの厚さに成膜する。第４の層間絶縁膜１
５９としては酸化珪素膜や窒化珪素膜等の珪化膜を用い
ても良い。
【００７８】ただし、第４の層間絶縁膜１５９の上に形
成する画素電極（または反射板）は正確に光を反射する
様に十分に平坦化された面上に形成する必要がある。従
って、第４の層間絶縁膜１５９は十分な平坦性を得られ
る様に注意することが重要であると言える。
【００７９】そして、第４の層間絶縁膜１５９上に画素
電極１６０、１６１を形成する。画素電極１６０、１６
１は金属材料であれば良いのだが、全面にわたって均一
な電界を形成するためには低抵抗のアルミニウムを主成
分とする材料が好ましい。また、効果的に入射光を反射
することができる様に、画素電極１６０、１６１の表面
（光反射面）は鏡面状態となる様にしておくことが望ま
しい。
【００８０】図２（Ｃ）に示される様に、画素電極１６
０、１６１はその隙間にブラックマトリクス１５７、１
５８が配置される様なパターンに形成される。また、図
２（Ｃ）に明らかな様に、画素電極１６０の下方には第
１〜第Ｎの回路ＴＦＴが配置され、ロジック回路を構成
することができる。
【００８１】画素電極１６０、１６１の上には通常は保
護膜を設けて画素電極１６０、１６１の劣化等を防ぐ。
また、画素電極１６０、１６１に反射板としての機能を
持たせられない様な場合には、別途、反射板として金属
薄膜を設ける様なことも可能である。
【００８２】以上の様にして、図２（Ｃ）に示される様
なアクティブマトリクス基板を作製することができる。
なお、本実施例はプレーナ型トランジスタを作製する例
を示しているが、スタガ型や逆スタガ型など他の構造の
ＴＦＴで本発明を実施することは容易である。
【００８３】また、本実施例で作製したアクティブマト
リクス基板と対向基板との間に液晶を挟持した構成とす
ればアクティブマトリクス型の液晶表示装置となる。ま
た、液晶層の代わりに発光層としてＥＬ材料を挟持すれ
ばアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置となる。ま
た、フォトクロミック色素、顔料、電解質を含有した溶
液を挟持すればアクティブマトリクス型のＥＣ表示装置
となる。
【００８４】液晶表示装置としては、例えばホスト液晶
に二色性色素を混入したゲストホスト方式の液晶表示装
置を作製することができる。なお、セル組み工程は公知
の方法によれば良いのでここでの説明は省略する。ゲス
トホスト方式の中でもＰＣＧＨ（Phase change guest h
ost ）モードと呼ばれるものは、偏光子が不要なことか
ら高いコントラストと明るい表示が実現できる。
【００８５】また、ゲストホスト方式以外にもＥＣＢ
（電界制御複屈折）モードやＰＤＬＣ（ポリマ分散型）
モードなどを用いることが可能である。これらの方式は
カラーフィルターまたは偏光子が不要であることから、
光損失に弱い反射型液晶表示装置にとって極めて有効で
ある。また、ＰＤＬＣモードの場合、アクティブマトリ
クス基板のみであっても液晶パネルを構成することがで
きる。
【００８６】また、本発明を利用して電気光学装置を構
成する場合、アクティブマトリクス基板および対向基板
はガラスもしくは石英基板を用いることが好ましい。ア
クティブマトリクス基板を作製するに際してシリコンウ
ェハー等を用いると、電気光学装置を構成した後に応力
などの影響を受けて反りを生じたり、最悪の場合は破損
に至る可能性があるからである。
【００８７】ところで、本発明の最も大きな特徴は、図
２（Ｃ）に示される様に、画素電極の下方に回路ＴＦＴ
が形成されている点である。この構成は、光を透過する
透過型電気光学装置では成しえなかった構成である。
【００８８】即ち、反射型または発光型の電気光学装置
の場合、透過型電気光学装置では光路となるため空けて
おかなければならなかった画素電極の下方の領域を、駆
動回路やコントロール回路等のロジック回路を構築可能
な領域として活用することができるのである。
【００８９】従って、本発明を実施することで、従来は
画素マトリクス回路の周辺領域に配置することを余儀な
くされた駆動回路やコントロール回路を画素マトリクス
回路を配置する領域内に組み込み、ガラス基板のサイズ
を最大限に活用して画素マトリクス回路、即ち画像表示
領域を広げることが可能である。
【００９０】近年においては透過型電気光学装置の開口
率が徐々に高くなってきているが、本発明に置き換えて
みれば、ロジック回路を構成するための空き領域が増え
てきていることに他ならない。特に、今後半導体素子の
微細化が急速に進むにつれてこの傾向は益々強まり、本
発明の重要性は一層高まるものと考える。
【００９１】なお、本発明の基本的な構成から明らかな
様に、本発明は電気光学装置の設計者や作製者の必要に
応じて如何なる工夫も可能である。即ち、「画素マトリ
クス回路を配置する領域内にロジック回路を構成する」
という基本コンセプトが重要であって、どの様なロジッ
ク回路を配置するかは設計者が適宜決定すれば良い。
【００９２】ここで、本実施例に従って作製した電気光
学装置の構成を図５を用いて説明する。図５において、
５０１はガラス基板であり、５０２は画素マトリクス回
路を表している。
【００９３】画素マトリクス回路５０２の一部分を拡大
して見ると、画素領域の中にロジック回路５０３、５０
４が組み込まれた構成となっている。
【００９４】なお、図５では一つの画素領域内に２つの
ロジック回路５０４、５０５が組み込まれた構成となっ
ているがこれは一例にすぎない。他の画素領域との間を
相互に引回し配線で接続して、複数の画素領域にわたっ
て一つの機能回路を構成することも可能である。
【００９５】さらに、ロジック回路５０４を拡大して見
ると、５０５で示される様な回路が構成されている。例
えば、５０５で示される回路の内、左側はＣＭＯＳ回路
であり、右側はＮＡＮＤ回路（またはＮＯＲ回路）であ
る。
【００９６】以上の様な構成とすることでロジック回路
を画素マトリクス回路内の組み込むことが可能である。
即ち、図６の様にガラス基板５０１のサイズを最大限に
活用して画素マトリクス回路５０２を構成できる。
【００９７】本発明を実施する対象となる反射型電気光
学装置では画素マトリクス回路がそのまま画像表示領域
となるので、ロジック回路を配置する位置に制限される
ことなく大画面表示を行うことが可能となる。
【００９８】〔実施例２〕本実施例では、本発明を利用
した場合の回路設計上の有意性を説明する。本発明の特
徴は画素マトリクス回路とロジック回路とをガラス基板
（または石英基板）上の同じ領域に配置することが可能
な点にある。
【００９９】図６（Ａ）に示す図は、本発明の一実施例
である。ガラス基板６０１上には実施例１の作製工程に
従って駆動回路６０２とコントロール回路６０３とが配
置されている（正確に言うと、６０２は駆動回路を配置
可能な領域、６０３はコントロール回路を配置可能な領
域である）。
【０１００】そして、駆動回路６０２やコントロール回
路６０３等で構成されるロジック回路と画素マトリクス
回路６０４とは配置領域を共有した構成となっている。
実際には、画素マトリクス回路６０４を構成する画素Ｔ
ＦＴと回路ＴＦＴとが同一層に形成され、画素ＴＦＴに
接続した画素電極が回路ＴＦＴを覆う様な構造となって
いる（図２（Ｃ）参照）。
【０１０１】従って、図６（Ａ）ではロジック回路の
内、画素マトリクス回路６０４に重複する領域を点線で
示す様にしている。なぜならば、図６（Ａ）に示す様な
アクティブマトリクス基板を上面から見た場合、画素電
極が見えるだけで下に配置されるロジック回路は見えな
いからである。
【０１０２】図６（Ａ）の場合、画素マトリクス回路６
０４の中央に垂直走査用駆動回路（Ｔ字型駆動回路６０
２の縦の部分）が配置されることになる。信号の走査方
式は特に限定されるものではなく、通常の方式以外に
も、例えば垂直走査用駆動回路を中心にして基板の左右
でゲイト信号の伝達系統を分けることもできる。
【０１０３】次に、図６（Ｂ）に示すのは、本発明の別
の実施例である。図６（Ｂ）に示す様に、駆動回路６０
５をガラス基板６０１の端に設け、中央の空きスペース
にコントロール回路６０６〜６０８を配置する構成もで
きる。
【０１０４】コントロール回路は回路構成が複雑である
ため、比較的広い面積を必要とすることが予想される。
従って、図６（Ｂ）の様な構成はコントロール回路６０
６〜６０８の設計自由度が高くなり好ましい。
【０１０５】なお、図６（Ｂ）において、コントロール
回路は６０６、６０７、６０８の３つの領域に分けて記
載してあるが、機能ブロック毎に分ける場合を示しただ
けであって、必ずしも分ける必要はない。
【０１０６】また、図６（Ｂ）は駆動回路６０５が画素
マトリクス回路６０４の中に組み込まれた例を示してい
るが、駆動回路６０５のみを画素マトリクス回路６０４
の外に出す構成とすることも可能である。こうすること
で、コントロール回路６０６〜６０８の設計自由度を上
げることができる。
【０１０７】次に、図６（Ｃ）に示すのは、本発明の別
の実施例である。図６（Ｃ）に示す様に、駆動回路６０
９を十字型とし、４つの領域に分割された基板上の各領
域にコントロール回路６１０〜６１３を配置する構成も
できる。
【０１０８】図６（Ｃ）に示す構成において、駆動方式
は特定されるものではなく、４つの領域をまとめて駆動
するのであっても、個々に別系統で駆動するのあっても
構わない。場合によっては、１枚の基板上に４つの異な
る画面を表示することも可能である。
【０１０９】〔実施例３〕本実施例は、本発明を実施す
るにあたって画素領域を有効に活用するための構成につ
いての一例を示す。具体的には画素電極の配置方法につ
いて説明する。
【０１１０】図７（Ａ）において、７０１〜７０４は並
列に設けられたデータ配線であり、７０５〜７０７はデ
ータ線７０１〜７０４と直交する様にして並列に設けら
れたゲイト線である。
【０１１１】そして、ゲイト線７０５とデータ線７０１
〜７０４との各交点には画素ＴＦＴが接続されており、
ゲイト線７０６、７０７についても同様に、データ線７
０１〜７０４との交点に画素ＴＦＴが接続されている。
【０１１２】図７（Ａ）に示す構成では、一つの画素領
域（例えば、ゲイト線７０５、７０６およびデータ線７
０２、７０３で囲まれた領域）の中に、二組の画素ＴＦ
Ｔと画素電極（７０８、７０９の点線で表される）が配
置されている。
【０１１３】この様な構成とした場合、従来の様に一つ
の画素領域に一組の画素ＴＦＴおよび画素電極を配置し
た構成と比べて、一つの画素領域の面積を約２倍に拡大
することが可能である。即ち、画素領域内にロジック回
路（斜線で示される領域）７１０を組み込む際に、デー
タ線を乗り越える回数が減るので断線不良等の原因を減
じることができる。
【０１１４】また、図７（Ｂ）において、７１１〜７１
４は並列に設けられたデータ配線であり、７１５〜７１
８はデータ線７１１〜７１４と直交する様にして並列に
設けられたゲイト線である。
【０１１５】そして、ゲイト線７１５とデータ線７１１
〜７１４との各交点には画素ＴＦＴが接続されており、
ゲイト線７１６〜７１８についても同様に、データ線７
１１〜７１４との交点に画素ＴＦＴが接続されている。
【０１１６】図７（Ｂ）に示す構成は、図７（Ａ）と異
なり一つの画素領域（例えば、ゲイト線７１６、７１７
およびデータ線７１２、７１３で囲まれた領域）の中
に、四組の画素ＴＦＴと画素電極（７１９〜７２２の点
線で表される）が配置されている。
【０１１７】この様な構成とした場合、一つの画素領域
をさらに拡大することが可能であり、従来の約４倍に相
当する領域を確保することができる。この様な構成はロ
ジック回路７２３がゲイト線やデータ線を乗り越える回
数を大幅に減じることができるので、さらに高い歩留り
で電気光学装置を作製することができる。
【０１１８】〔実施例４〕本実施例では、本発明を利用
して作製した電気光学装置の実施例１とは異なる他の構
造の例を示す。なお、概略の構造は実施例１で示した図
２（Ｃ）と同じであるので、本実施例では図８（Ａ）、
（Ｂ）について、必要な箇所のみを符号を付して説明す
ることとする。
【０１１９】図８（Ａ）に示す構成は画素ＴＦＴの構造
をダブルゲイト構造とした例である。ダブルゲイト構造
とは活性層上にゲイト電極を２つ設けた構造であり、画
素ＴＦＴの動作不良に対して冗長性を持たせることがで
きる。
【０１２０】また、２つの各ゲイト電極８０１、８０２
（本実施例ではどちらも結晶性珪素膜である）をマスク
としたイオン注入工程によりソース領域８０３、低濃度
不純物領域８０４〜８０７、ドレイン領域８０８を形成
することができる。特に、ドレイン領域側に配置された
低濃度不純物領域８０５、８０７はＬＤＤ領域と呼ば
れ、オフ電流やリーク電流を効果的に抑制する効果が期
待できる。
【０１２１】次に、図８（Ｂ）に示す構成は隣接するデ
ータ配線８０９、８１０の間に二組の画素ＴＦＴと画素
電極とを配置した構成である。この構成は図７（Ａ）に
示した構成と同じものであり、図８（Ｂ）におけるデー
タ線８０９、８１０および画素電極８１１、８１２は図
７（Ａ）におけるデータ線７０２、７０３および画素電
極７０８、７０９に相当する。
【０１２２】また、図８（Ｂ）の別の特徴は、画素ＴＦ
Ｔおよび回路ＴＦＴをサリサイド構造としている点であ
る。例えば、２つの回路ＴＦＴで構成したＣＭＯＳ回路
（インバータ回路）８１３において、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲイト電極の上部にはタングステンシリサイ
ド層８１４〜８１６を形成してオーミックコンタクトを
容易なものとしている。
【０１２３】サリサイド構造の形成方法は公知の方法
（本実施例ではサイドウォール８１７を用いる）に従え
ば容易に成しえるのでここでの説明は省略する。また、
サリサイド構造に利用するシリサイド材料としては、タ
ングステン以外にもチタン、モリブデン、コバルト、白
金等を用いることができる。
【０１２４】〔実施例５〕本実施例では、ブラックマト
リクスに特別な機能を付与した場合の実施例を説明す
る。説明には図９（Ａ）、（Ｂ）を用いる。なお、概略
の構造は実施例１で示した図２（Ｃ）と同じであるの
で、本実施例では図９（Ａ）、（Ｂ）について、必要な
箇所のみを符号を付して説明することとする。
【０１２５】図９（Ａ）はブラックマトリクス９０１と
して窒化チタンを用いている。窒化チタンは表面反射が
極めて小さい材料であるのでブラックマトリクスとして
の機能を備えており、かつ、導電性材料であるという特
徴がある。
【０１２６】従って、図９（Ａ）に示す様に、ブラック
マトリクス９０１を画素電極９０２と重畳する様に配置
し、その間で補助容量を形成することが可能である。こ
の際、ブラックマトリクス９０１と画素電極９０２との
間の絶縁層（第４の層間絶縁膜）９０３としては、有機
樹脂材料（ポリイミド等）や酸化珪素膜あるいは窒化珪
素膜を用いれば良い。
【０１２７】本実施例の構成とした場合、画素領域とほ
ぼ同等の面積が補助容量として利用できるので十分なキ
ャパシティを稼ぐことができる。従って、第４の層間絶
縁膜９０３の材料および膜厚は平坦化効果に重きを置い
て選択すべきである。
【０１２８】次に、図９（Ｂ）に示す構成は、画素電極
９０４とそれに隣接する画素電極９０５との間をブラッ
クマトリクス９０６で埋め込む構成である。ブラックマ
トリクス９０６としては、黒色顔料を分散させた有機性
樹脂材料を用いる。
【０１２９】図９（Ｂ）に示す構成の狙いは画素電極９
０４、９０５との間に形成される恐れのある横方向電界
（基板に対して水平な方向の電界）を抑制し、液晶の配
向乱れ（ディスクリネーション）を防止することであ
る。
【０１３０】そのために、本実施例では画素電極９０
４、９０５の端部（特に角部）を覆う様にして（液晶材
料に比べて）十分に比誘電率の小さい材料を設ける。こ
うすることで、画素電極が発生する電界が比誘電率の高
い液晶に集中し、画素電極間の横方向の電界形成を抑制
することが可能となる。
【０１３１】本実施例で利用する液晶材料の比誘電率は
3.5 〜10の間で誘電異方性があり、液晶に電界がかかっ
ている状態の比誘電率は約10である。それに比べてブラ
ックマトリクス９０６の材料である有機性樹脂材料の比
誘電率は約3.0 〜3.5 であるので本実施例の要件を満た
すものである。
【０１３２】なお、ブラックマトリクス９０６の膜厚を
稼げない（十分な遮光能力を発揮できない）様な場合、
ブラックマトリクス９０６を形成する前に予め第３の層
間絶縁膜９０７にトレンチを形成しておくこともでき
る。
【０１３３】即ち、画素電極９０４、９０５マスクとし
て自己整合的に第３の層間絶縁膜９０６をエッチング
し、トレンチ溝の中にブラックマトリクス９０６を埋め
込む構成とすることで十分な遮光性を持たせることがで
きる。
【０１３４】また、図２（Ｃ）における第４の層間絶縁
膜１５９を省略することができ、層間絶縁膜を１層減ら
すことができる。そのため製造工程が簡略化し、歩留り
の向上にも繋がる。
【０１３５】〔実施例６〕本実施例では本発明を利用し
た電気光学装置（画像表示装置）を組み込んだ電気光学
装置（応用製品）の一例を示す。なお、画像表示装置は
必要に応じて直視型または投影型で使用すれば良い。
【０１３６】また、応用製品としてはＴＶカメラ、ヘッ
ドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、プロジ
ェクション（フロント型とリア型がある）、ビデオカメ
ラ、パーソナルコンピュータ等が挙げられる。それら応
用用途の簡単な一例を図５を用いて行う。
【０１３７】図１０（Ａ）はＴＶカメラであり、本体２
００１、カメラ部２００２、表示装置２００３、操作ス
イッチ２００４で構成される。表示装置２００３はビュ
ーファインダーとして利用される。
【０１３８】図１０（Ｂ）はヘッドマウントディスプレ
イであり、本体２１０１、表示装置２１０２、バンド部
２１０３で構成される。表示装置２１０２は比較的小型
のサイズのものが２枚使用される。
【０１３９】図５（Ｃ）はカーナビゲーションであり、
本体２２０１、表示装置２２０２、操作スイッチ２２０
３、アンテナ２２０４で構成される。表示装置２２０２
はモニターとして利用されるが、地図の表示が主な目的
なので解像度の許容範囲は比較的広いと言える。
【０１４０】図５（Ｄ）は携帯情報端末機器（本実施例
では携帯電話）であり、本体２３０１、音声出力部２３
０２、音声入力部２３０３、表示装置２３０４、操作ボ
タン２３０５、アンテナ２３０６で構成される。表示装
置２３０３に対しては、将来的にＴＶ電話として動画表
示を要求されることが予想される。
【０１４１】図５（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２
４０１、表示装置２４０２、接眼部２４０３、操作スイ
ッチ２４０４、テープホルダー２４０５で構成される。
表示装置２４０２に映し出された撮影画像は接眼部２４
０３を通してリアルタイムに見ることができるので、使
用者は画像を見ながらの撮影が可能となる。
【０１４２】図５（Ｄ）はフロントプロジェクションで
あり、本体２５０１、光源２５０２、表示装置２５０
３、光学系（ビームスプリッターや偏光子等が含まれ
る）２５０４、スクリーン２５０５で構成される。スク
リーン２５０５は会議や学会発表などのプレゼンテーシ
ョンに利用される大画面スクリーンであるので、表示装
置２５０３は高い解像度が要求される。
【０１４３】また、本実施例に示した電気光学装置以外
にも、リアプロジェクションやモバイルコンピュータ、
ハンディターミナルなどの携帯型情報端末機器に適用す
ることができる。以上の様に、本発明の応用範囲は極め
て広く、あらゆる分野の表示媒体に適用することが可能
である。
【０１４４】
【発明の効果】本明細書に開示する発明を実施すること
で、画素マトリクス回路とロジック回路とを同一の領域
に重複して配置することが可能となる。即ち、ロジック
回路の占有面積に制限されることがないので、ガラス基
板のサイズを最大限に活用して広い画像表示領域（画素
マトリクス回路）を確保することができる。
【０１４５】また、ロジック回路を配置可能な領域が実
質的には大幅に広がることになるので、電気光学装置の
設計の自由度が広がり、極めて高性能な電気光学装置を
実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図２】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図３】 電気光学装置の構成を示す図。
【図４】 反射型液晶表示装置を説明するための図。
【図５】 電気光学装置の構成を示す図。
【図６】 電気光学装置の構成を示す図。
【図７】 電気光学装置の構成を示す図。
【図８】 電気光学装置の断面構造を説明するための
図。
【図９】 電気光学装置の断面構造を説明するための
図。
【図１０】 電気光学装置の応用製品を示す図。
【符号の説明】
１０１ ガラス基板 １０２〜１０５ 活性層 １０６ ゲイト絶縁膜 １０７〜１１０ アルミニウム膜のパターン １１１〜１１４ 多孔質状の陽極酸化膜 １１５〜１１８ 緻密な陽極酸化膜 １１９〜１２２ ゲイト電極 １２３ レジストマスク １２４ ソース領域 １２５ ドレイン領域 １２６、１２７ 低濃度不純物領域 １２８ チャネル形成領域 １４５ 第１の層間絶縁膜 １４６〜１５０ 接続配線 １５１ 第２の層間絶縁膜 １５２〜１５５ データ配線 １５６ 第３の層間絶縁膜 １５７、１５８ ブラックマトリクス １５９ 第４の層間絶縁膜 １６０、１６１ 画素電極

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】同一基板上に配置された画素マトリクス回
    路とロジック回路とを有する電気光学装置において、 前記画素マトリクス回路が占有する領域内に前記ロジッ
    ク回路の一部または全部が配置されていることを特徴と
    する電気光学装置。
  2. 【請求項２】同一基板上に画素マトリクス回路とロジッ
    ク回路とを有したアクティブマトリクス基板と、 前記アクティブマトリクス基板上に保持された液晶層
    と、 を少なくとも有してなる電気光学装置において、 前記画素マトリクス回路が占有する領域内に前記ロジッ
    ク回路の一部または全部が配置されていることを特徴と
    する電気光学装置。
  3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、ロジッ
    ク回路の一部または全部は前記画素マトリクス回路を構
    成する画素ＴＦＴに接続した画素電極の下方に配置され
    ることを特徴とする電気光学装置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３において、ロジック
    回路とは駆動回路および／またはコントロール回路とで
    構成されることを特徴とする電気光学装置。
  5. 【請求項５】請求項４において、コントロール回路には
    プロセッサー回路、メモリ回路、Ａ／ＤまたはＤ／Ａコ
    ンバータ回路、補正回路、パルス発振回路に代表される
    電気光学装置を駆動するに必要な全ての情報処理回路が
    含まれることを特徴とする電気光学装置。
  6. 【請求項６】請求項２において、前記液晶層は前記アク
    ティブマトリクス回路と対向基板との間に挟持されてい
    ることを特徴とする電気光学装置。
  7. 【請求項７】請求項２において、前記液晶層を透過した
    光が鏡面を有する薄膜に反射される機能を備えているこ
    とを特徴とする電気光学装置。
  8. 【請求項８】同一基板上に配置された画素マトリクス回
    路とロジック回路とを有する電気光学装置を作製するに
    あたって、 前記画素マトリクス回路が占有する領域内に前記ロジッ
    ク回路の一部または全部を配置することを特徴とする電
    気光学装置の作製方法。
  9. 【請求項９】同一基板上に画素マトリクス回路とロジッ
    ク回路とを有したアクティブマトリクス基板を形成する
    工程と、 前記アクティブマトリクス基板上に液晶層を保持する工
    程と、 を少なくとも有し、 前記画素マトリクス回路が占有する領域内に前記ロジッ
    ク回路の一部または全部を配置することを特徴とする電
    気光学装置の作製方法。
  10. 【請求項１０】請求項８または請求項９において、ロジ
    ック回路の一部または全部を前記画素マトリクス回路を
    構成する画素ＴＦＴに接続した画素電極の下方に配置す
    ることを特徴とする電気光学装置の作製方法。
  11. 【請求項１１】請求項８乃至請求項１０において、ロジ
    ック回路とは駆動回路および／またはコントロール回路
    とで構成することを特徴とする電気光学装置の作製方
    法。
  12. 【請求項１２】請求項１１において、コントロール回路
    とはプロセッサー回路、メモリ回路、Ａ／ＤまたはＤ／
    Ａコンバータ回路、補正回路、パルス発振回路に代表さ
    れる電気光学装置を駆動するに必要な全ての情報処理回
    路を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
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