JPH0423328Y2 - - Google Patents
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- JPH0423328Y2 JPH0423328Y2 JP1983183774U JP18377483U JPH0423328Y2 JP H0423328 Y2 JPH0423328 Y2 JP H0423328Y2 JP 1983183774 U JP1983183774 U JP 1983183774U JP 18377483 U JP18377483 U JP 18377483U JP H0423328 Y2 JPH0423328 Y2 JP H0423328Y2
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案はマイクロ波トランジスタの取付構造体
に係り、特にマイクロ波トランジスタの取付けが
容易であり、かつ、安定した動作のマイクロ波帯
増幅器としてのマイクロ波トランジスタの取付構
造体に関するものである。
に係り、特にマイクロ波トランジスタの取付けが
容易であり、かつ、安定した動作のマイクロ波帯
増幅器としてのマイクロ波トランジスタの取付構
造体に関するものである。
現在、通信網の発展にはめざましいものがあり
そのひとつに衛星通信システムがある。そして、
この衛星通信には、ＧHz帯の周波数が用いられ、
このＧHz帯の信号増幅素子としてGaAs（ガリウム
ヒ素）FET等が用いられはじめている。しかし
ながら、このマイクロ波帯（ＧHz帯）以上の周波
数においては、GaAs・FET等のマイクロ波トラ
ンジスタの接地点までの端子自身が有するインダ
クタンスを無視できず、このインダクタンスの値
によつてマイクロ波トランジスタの利得の減少、
雑音指数の悪化、および不安定（正帰還）になる
等の問題を生じる。よつて、マイクロ波トランジ
スタは、高域での周波数特性を良くするために、
接地を最短距離で効果的に行わなければならな
い。
そのひとつに衛星通信システムがある。そして、
この衛星通信には、ＧHz帯の周波数が用いられ、
このＧHz帯の信号増幅素子としてGaAs（ガリウム
ヒ素）FET等が用いられはじめている。しかし
ながら、このマイクロ波帯（ＧHz帯）以上の周波
数においては、GaAs・FET等のマイクロ波トラ
ンジスタの接地点までの端子自身が有するインダ
クタンスを無視できず、このインダクタンスの値
によつてマイクロ波トランジスタの利得の減少、
雑音指数の悪化、および不安定（正帰還）になる
等の問題を生じる。よつて、マイクロ波トランジ
スタは、高域での周波数特性を良くするために、
接地を最短距離で効果的に行わなければならな
い。
従来のこの種の取付構造では、GaAs・FET等
のマイクロ波トランジスタの接地用端子を曲げ加
工するなどが必要であつた。例えば、第１図、第
２図は従来例のマイクロ波トランジスタの取付構
造体を示すが、同図において１はGaAs・FET（ガ
リウムヒ素電界効果トランジスタ）等のマイクロ
波トランジスタであり、４本の端子１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄが設けられている。なお、接地用の端
子１ｂ，１ｄは、その中間部に曲げ加工が成され
ている。２はアルミナ基板又は銅張積層板等から
なる回路基板。３は金属製のシヤーシであり、前
記マイクロ波トランジスタ１は基板２上に配置さ
れ、端子１ａ，１ｃが基板２に半田等によつて接
続され、前記シヤーシ３に端子１ｂ，１ｄが接地
されている。なお、４は半田を示す。
のマイクロ波トランジスタの接地用端子を曲げ加
工するなどが必要であつた。例えば、第１図、第
２図は従来例のマイクロ波トランジスタの取付構
造体を示すが、同図において１はGaAs・FET（ガ
リウムヒ素電界効果トランジスタ）等のマイクロ
波トランジスタであり、４本の端子１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄが設けられている。なお、接地用の端
子１ｂ，１ｄは、その中間部に曲げ加工が成され
ている。２はアルミナ基板又は銅張積層板等から
なる回路基板。３は金属製のシヤーシであり、前
記マイクロ波トランジスタ１は基板２上に配置さ
れ、端子１ａ，１ｃが基板２に半田等によつて接
続され、前記シヤーシ３に端子１ｂ，１ｄが接地
されている。なお、４は半田を示す。
しかしながら、このような従来技術による構造
体においては、接地用の端子１ｂ，１ｄの端子自
身の有するインダクタンスを無視することができ
ず、マイクロ波トランジスタ１の十分な性能を得
ることができない。また、接地用の端子１ｂ，１
ｄの折り曲げ加工、および本来ならば１枚構成と
なる基板２を２分割しなければならず、さらに、
マイクロ波トランジスタ１は後付けしなければな
らない等、組立作業性においても不利であるばか
りか、前記の如く、接地効果において接地用の端
子が曲げ加工によつて長くなるために、必らずし
も芳しいものではなかつた。
体においては、接地用の端子１ｂ，１ｄの端子自
身の有するインダクタンスを無視することができ
ず、マイクロ波トランジスタ１の十分な性能を得
ることができない。また、接地用の端子１ｂ，１
ｄの折り曲げ加工、および本来ならば１枚構成と
なる基板２を２分割しなければならず、さらに、
マイクロ波トランジスタ１は後付けしなければな
らない等、組立作業性においても不利であるばか
りか、前記の如く、接地効果において接地用の端
子が曲げ加工によつて長くなるために、必らずし
も芳しいものではなかつた。
なお、図示していないが、他の従来例として、
回路基板に裏電極を設けたいわゆる両面スルーホ
ール基板を用いて金属性のシヤーシに接地する構
造もあるが、この構造では、前記従来例と比較し
た場合、組立作業性においては有利となるが、前
記同様にインダクタンスが大きくなるためマイク
ロ波帯では用いられにくい。
回路基板に裏電極を設けたいわゆる両面スルーホ
ール基板を用いて金属性のシヤーシに接地する構
造もあるが、この構造では、前記従来例と比較し
た場合、組立作業性においては有利となるが、前
記同様にインダクタンスが大きくなるためマイク
ロ波帯では用いられにくい。
本考案は、上記の問題点に解決を与えるもので
あり、十分な接地効果とアイソレーシヨン効果に
よつて動作が安定なマイクロ波帯の増幅器として
のマイクロ波トランジスタの取付構造体を得るこ
とを目的とする。
あり、十分な接地効果とアイソレーシヨン効果に
よつて動作が安定なマイクロ波帯の増幅器として
のマイクロ波トランジスタの取付構造体を得るこ
とを目的とする。
以下、本考案の一実施例を第３図、第４図を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第３図は、本考案によるマイクロ波トランジス
タの取付構造体を示す斜視図、第４図は同要部断
面図を示す。図において５はアルミナ等からなる
回路基板で該基板５の一部のマイクロ波トランジ
スタ１が載置される位置に孔５ａが形成されてい
る。６は金属性のシヤーシで、該シヤーシ６の一
部には前記基板５に形成された孔５ａに対応する
位置にプレス加工によつて形成された凸部６ａ，
６ａが設けてある。この凸部６ａ，６ａは、シヤ
ーシ６上に基板５を配置したときの高さと略同一
高さに形成されている。なお、マイクロ波トラン
ジスタ１において、端子１ａはドレイン、端子１
ｃはゲート、端子１b′，１d′はソースであり、そ
れぞれ下面から水平方向に放射状に伸ばして設け
られている。
タの取付構造体を示す斜視図、第４図は同要部断
面図を示す。図において５はアルミナ等からなる
回路基板で該基板５の一部のマイクロ波トランジ
スタ１が載置される位置に孔５ａが形成されてい
る。６は金属性のシヤーシで、該シヤーシ６の一
部には前記基板５に形成された孔５ａに対応する
位置にプレス加工によつて形成された凸部６ａ，
６ａが設けてある。この凸部６ａ，６ａは、シヤ
ーシ６上に基板５を配置したときの高さと略同一
高さに形成されている。なお、マイクロ波トラン
ジスタ１において、端子１ａはドレイン、端子１
ｃはゲート、端子１b′，１d′はソースであり、そ
れぞれ下面から水平方向に放射状に伸ばして設け
られている。
上述の如き構成のマイクロ波トランジスタの取
付構造体においては、まず、シヤーシ６上に基板
５に形成された孔５ａが凸部６ａ，６ａに対応す
る位置に基板５が固着される。この後、マイクロ
波トランジスタ１を基板５に形成されたマイクロ
ストリツプライン５ｂ，５ｂと、凸部６ａ，６ａ
とにそれぞれの端子１ａ，１ｃ，１b′，１d′を載
置し、端子１ａ，１ｃが基板５上のマイクロスト
リツプライン５ｂ，５ｂに半田４等によつて接続
され、端子１b′，１d′がシヤーシ６に形成された
凸部６ａ，６ａと接続され、よつてソースリード
である端子１b′，１d′が、シヤーシ６の凸部６
ａ，６ａを介して接地されることになる。なお、
このときマイクロ波トランジスタ１の下面は、凸
部６ａ，６ａに挟まれた空〓６ｂである。
付構造体においては、まず、シヤーシ６上に基板
５に形成された孔５ａが凸部６ａ，６ａに対応す
る位置に基板５が固着される。この後、マイクロ
波トランジスタ１を基板５に形成されたマイクロ
ストリツプライン５ｂ，５ｂと、凸部６ａ，６ａ
とにそれぞれの端子１ａ，１ｃ，１b′，１d′を載
置し、端子１ａ，１ｃが基板５上のマイクロスト
リツプライン５ｂ，５ｂに半田４等によつて接続
され、端子１b′，１d′がシヤーシ６に形成された
凸部６ａ，６ａと接続され、よつてソースリード
である端子１b′，１d′が、シヤーシ６の凸部６
ａ，６ａを介して接地されることになる。なお、
このときマイクロ波トランジスタ１の下面は、凸
部６ａ，６ａに挟まれた空〓６ｂである。
以上述べたように、前記実施例のマイクロ波ト
ランジスタの取付構造体においては、シヤーシ６
の基板５と略同一平面に形成された凸部６ａ，６
ａにマイクロ波トランジスタ１の端子１b′，１
d′が、基板５の孔５ａを介して接続されることに
よつて、前記マイクロ波トランジスタ１のソー
ス・リードである、端子１b′，１d′が極く短かく
できるために、インダクタンスを小さくでき、接
地効果を向上させうる。また、トランジスタ１の
下面には、誘導体であるアルミナから成る基板が
配置されておらず空隙６ｂが配置されているの
で、トランジスタ１の入力端子であるゲート端子
１ｃと出力端子であるドレイン端子１ａとが、ト
ランジスタ１の外部で容量結合することがなくア
イソレーシヨンが優れている。したがつて、トラ
ンジスタ１の出力側から入力側への帰還作用によ
る異常発振や、利得の変動が生じない。
ランジスタの取付構造体においては、シヤーシ６
の基板５と略同一平面に形成された凸部６ａ，６
ａにマイクロ波トランジスタ１の端子１b′，１
d′が、基板５の孔５ａを介して接続されることに
よつて、前記マイクロ波トランジスタ１のソー
ス・リードである、端子１b′，１d′が極く短かく
できるために、インダクタンスを小さくでき、接
地効果を向上させうる。また、トランジスタ１の
下面には、誘導体であるアルミナから成る基板が
配置されておらず空隙６ｂが配置されているの
で、トランジスタ１の入力端子であるゲート端子
１ｃと出力端子であるドレイン端子１ａとが、ト
ランジスタ１の外部で容量結合することがなくア
イソレーシヨンが優れている。したがつて、トラ
ンジスタ１の出力側から入力側への帰還作用によ
る異常発振や、利得の変動が生じない。
また、組立作業性においても、シヤーシ６に形
成された凸部６ａ，６ａに基板５の孔５ａを係合
配置させることによつて基板５が位置決めされ、
取付けが容易となり、さらに基板が従来分割した
２枚構成であつたのが１枚構成となるため、マイ
クロ波トランジスタ１をあらかじめ他の回路素子
とともに基板に取付けておくことができるという
効果を奏する。また、このとき、他の回路素子と
同様にリフロー半田工程によつてトランジスタの
取付けが行え、作業工数の削減という効果をも奏
する。
成された凸部６ａ，６ａに基板５の孔５ａを係合
配置させることによつて基板５が位置決めされ、
取付けが容易となり、さらに基板が従来分割した
２枚構成であつたのが１枚構成となるため、マイ
クロ波トランジスタ１をあらかじめ他の回路素子
とともに基板に取付けておくことができるという
効果を奏する。また、このとき、他の回路素子と
同様にリフロー半田工程によつてトランジスタの
取付けが行え、作業工数の削減という効果をも奏
する。
以上説明したように、本考案によれば、マイク
ロ波トランジスタの載置が容易であり、マイクロ
波トランジスタの各端子を曲げ加工することなく
シヤーシおよび印刷回路基板に接続でき、マイク
ロ波において問題となる接地インピーダンスの増
加を妨げ、また接地端子が、インピーダンスの十
分に小さいシヤーシに接続されるので、他のいか
なる接地構造にくらべても接地インピーダンスが
最小であつて、理想に近い接地が得られる。また
トランジスタの下面には、誘電体であるアルミナ
から成る基板が配置されておらず空隙が配置され
ているので、トランジスタの入力端子であるゲー
ト端子１ｃと出力端子であるドレイン端子１ａと
が、トランジスタの外部で容量結合することがな
くアイソレーシヨンが優れている。したがつて、
トランジスタの出力側から入力側への帰還作用に
よる異常発振や、利得の変動が生じない。
ロ波トランジスタの載置が容易であり、マイクロ
波トランジスタの各端子を曲げ加工することなく
シヤーシおよび印刷回路基板に接続でき、マイク
ロ波において問題となる接地インピーダンスの増
加を妨げ、また接地端子が、インピーダンスの十
分に小さいシヤーシに接続されるので、他のいか
なる接地構造にくらべても接地インピーダンスが
最小であつて、理想に近い接地が得られる。また
トランジスタの下面には、誘電体であるアルミナ
から成る基板が配置されておらず空隙が配置され
ているので、トランジスタの入力端子であるゲー
ト端子１ｃと出力端子であるドレイン端子１ａと
が、トランジスタの外部で容量結合することがな
くアイソレーシヨンが優れている。したがつて、
トランジスタの出力側から入力側への帰還作用に
よる異常発振や、利得の変動が生じない。
すなわち、十分な接地効果とアイソレーシヨン
効果によつて動作が安定なマイクロ波帯の増幅器
としてのマイクロ波トランジスタの取付構造体が
得られる。
効果によつて動作が安定なマイクロ波帯の増幅器
としてのマイクロ波トランジスタの取付構造体が
得られる。
第１図は従来のマイクロ波トランジスタの取付
構造体を示す斜視図、第２図は同要部断面図、第
３図、第４図は本考案の一実施例に係り、第３図
は取付構造体を示す斜視図、第４図は同要部断面
図を示す。 １……マイクロ波トランジスタ、１ａ，１ｂ，
１b′，１ｃ，１ｄ，１d′……端子、２，５……基
板、５ａ……孔、４……半田、６……シヤーシ、
６ａ……凸部。
構造体を示す斜視図、第２図は同要部断面図、第
３図、第４図は本考案の一実施例に係り、第３図
は取付構造体を示す斜視図、第４図は同要部断面
図を示す。 １……マイクロ波トランジスタ、１ａ，１ｂ，
１b′，１ｃ，１ｄ，１d′……端子、２，５……基
板、５ａ……孔、４……半田、６……シヤーシ、
６ａ……凸部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一対の凸部が形成されるとともに、該一対の凸
部に挾まれた空隙が形成されたシヤーシと、前記
凸部の高さと略等しい厚さを有し孔に前記一対の
凸部が挿入されて前記シヤーシの上に重ね合わさ
れた印刷回路基板と、下面から水平方向に延びた
端子を有するマイクロ波トランジスタとからな
り、 前記マイクロ波トランジスタは前記端子のうち
接地端子が前記凸部の上面に接続され、接地端子
以外の端子が前記印刷回路基板の上面に接続され
て保持されており、前記マイクロ波トランジスタ
の下面に前記空隙が配置されていることを特徴と
するマイクロ波トランジスタの取付構造体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983183774U JPS6092829U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | マイクロ波トランジスタの取付構造体 |
| US06/674,591 US4612566A (en) | 1983-11-30 | 1984-11-26 | Microwave transistor mounting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983183774U JPS6092829U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | マイクロ波トランジスタの取付構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092829U JPS6092829U (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0423328Y2 true JPH0423328Y2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=16141712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983183774U Granted JPS6092829U (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | マイクロ波トランジスタの取付構造体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4612566A (ja) |
| JP (1) | JPS6092829U (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4713730A (en) * | 1985-10-07 | 1987-12-15 | Rockwell International Corporation | Microwave plug-in signal amplifying module solderment apparatus |
| US5182631A (en) * | 1988-04-15 | 1993-01-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Film carrier for RF IC |
| US4967258A (en) * | 1989-03-02 | 1990-10-30 | Ball Corporation | Structure for use in self-biasing and source bypassing a packaged, field-effect transistor and method for making same |
| EP0393584B1 (en) * | 1989-04-17 | 1994-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
| US5297007A (en) * | 1990-09-19 | 1994-03-22 | Rockwell International Corporation | E/M shielded RF circuit board |
| JP2001185655A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波回路 |
| US7355854B2 (en) * | 2006-06-07 | 2008-04-08 | Harris Corporation | Apparatus for improved grounding of flange mount field effect transistors to printed wiring boards |
| JP4982596B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2012-07-25 | 株式会社東芝 | モジュールの接続構造 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3021461A (en) * | 1958-09-10 | 1962-02-13 | Gen Electric | Semiconductor device |
| US2985806A (en) * | 1958-12-24 | 1961-05-23 | Philco Corp | Semiconductor fabrication |
| US3641398A (en) * | 1970-09-23 | 1972-02-08 | Rca Corp | High-frequency semiconductor device |
| JPS482058U (ja) * | 1971-05-27 | 1973-01-11 | ||
| NL159818B (nl) * | 1972-04-06 | 1979-03-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting, bevattende een flexibele isolerende folie, die aan een zijde is voorzien van metalen geleider- sporen. |
| JPS5811746B2 (ja) * | 1976-10-27 | 1983-03-04 | 日本電気株式会社 | 超高周波トランジスタ増幅器 |
| JPS5386576A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Nec Corp | Package for semiconductor element |
| JPS55159571A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-11 | Yuasa Battery Co Ltd | Lead-acid battery |
| JPS57115852A (en) * | 1981-01-10 | 1982-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave transistor mount |
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1983
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-
1984
- 1984-11-26 US US06/674,591 patent/US4612566A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6092829U (ja) | 1985-06-25 |
| US4612566A (en) | 1986-09-16 |
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