JPH01273404A - 高周波半導体デバイス - Google Patents
高周波半導体デバイスInfo
- Publication number
- JPH01273404A JPH01273404A JP10468788A JP10468788A JPH01273404A JP H01273404 A JPH01273404 A JP H01273404A JP 10468788 A JP10468788 A JP 10468788A JP 10468788 A JP10468788 A JP 10468788A JP H01273404 A JPH01273404 A JP H01273404A
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- JP
- Japan
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- output
- matching circuit
- fet
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用公費〕
この発明は、高い周波数で動作する高周波半導体デバイ
スの入出力整合に関するものである。
スの入出力整合に関するものである。
第４図（ａ）、 （ｂ）は従来の高周波半導体デバイス
を示す正面図及び側面図である。図において、（１）は
アルミナセラミックス等よりなるパッケージ本体、（２
）はアルミナセラミックス又は金属板よりなるパッケー
ジキャップ、（３）〜（５）は金属板に金メツキ等施さ
れて作られている半導体デバイスの電極リードであり、
（３）はソース電極リード、（４）はゲート電極リード
、（５）はドレイン電極リードである。
を示す正面図及び側面図である。図において、（１）は
アルミナセラミックス等よりなるパッケージ本体、（２
）はアルミナセラミックス又は金属板よりなるパッケー
ジキャップ、（３）〜（５）は金属板に金メツキ等施さ
れて作られている半導体デバイスの電極リードであり、
（３）はソース電極リード、（４）はゲート電極リード
、（５）はドレイン電極リードである。
第４図で示した高周波帯で用いられているガリウム砒素
電界効果トランジスタ（以下、ＧａＡｓＦＥＴという。
電界効果トランジスタ（以下、ＧａＡｓＦＥＴという。
）で高周波増幅器を作る場合、ＧａＡｓ ＦＥＴの入
力インピーダンス及び出力インピーダンスと電源インピ
ーダンス及び負荷インピーダンスを整合させる為、整合
回路パターンの形成された第５図に示した増幅器プリン
ト基板にＧａＡｓ ＦＥＴを半田付している。
力インピーダンス及び出力インピーダンスと電源インピ
ーダンス及び負荷インピーダンスを整合させる為、整合
回路パターンの形成された第５図に示した増幅器プリン
ト基板にＧａＡｓ ＦＥＴを半田付している。
第５図において、（６）はテフロン等の低誘電損失の誘
電体基板、（７）〜（９）は誘電体基板（６）上に熱圧
着等で付けられている１１ｒ４ｗＡをエツチングして作
成した高周波増幅回路パターンであり、（７）は入力整
合回路パターン、（８）は出力整合回路パターン、（９
）はソース電極接地パターンである。なお、ソース接地
パターンは、誘電体基板（６）の裏面全体に付けられて
いる銅薄膜とスルーホールを介して導通している。第６
図は、第５図の増幅回路パターンの形成された誘電体基
板に、ＧａＡｓ ＦＥＴを半田付したＧａＡｓ Ｆ
ＥＴ高周波増幅器の外形を示したものである。
電体基板、（７）〜（９）は誘電体基板（６）上に熱圧
着等で付けられている１１ｒ４ｗＡをエツチングして作
成した高周波増幅回路パターンであり、（７）は入力整
合回路パターン、（８）は出力整合回路パターン、（９
）はソース電極接地パターンである。なお、ソース接地
パターンは、誘電体基板（６）の裏面全体に付けられて
いる銅薄膜とスルーホールを介して導通している。第６
図は、第５図の増幅回路パターンの形成された誘電体基
板に、ＧａＡｓ ＦＥＴを半田付したＧａＡｓ Ｆ
ＥＴ高周波増幅器の外形を示したものである。
第６図の高周波増幅器においては、ＧａＡｓＦＥＴのゲ
ート電極リード（４）にオープンスタブで構成した入力
整合回路パターンが接続しているので、ＧａＡｓ Ｆ
ＥＴのゲートに入る入力信号電力は、反射による損失が
なく、すべての電力がＧａＡｓ ＦＥＴに人も増幅さ
れろ。一方、ＧａＡｓ ＦＥＴで増幅されてドレイン
から出る出力信号電力は、ドレイン電極（５）が出力整
合回路パターンに接続しているので、反射による損失が
なく、すべての電力が外部負荷に出ていく。つまり、Ｇ
ａＡｓ ＦＥＴに入出力整合回路パターンが接続し・
ているので、信号電力は効率よく増幅される。
ート電極リード（４）にオープンスタブで構成した入力
整合回路パターンが接続しているので、ＧａＡｓ Ｆ
ＥＴのゲートに入る入力信号電力は、反射による損失が
なく、すべての電力がＧａＡｓ ＦＥＴに人も増幅さ
れろ。一方、ＧａＡｓ ＦＥＴで増幅されてドレイン
から出る出力信号電力は、ドレイン電極（５）が出力整
合回路パターンに接続しているので、反射による損失が
なく、すべての電力が外部負荷に出ていく。つまり、Ｇ
ａＡｓ ＦＥＴに入出力整合回路パターンが接続し・
ているので、信号電力は効率よく増幅される。
しかし、従来のＧａＡｓ ＦＥＴ増幅器は、以上述べ
たように入出力整合回路パターンが形成されている誘電
体基板にＧａＡｓ ＦＥＴを半田付して構成していた
ので、下記の課題があった。
たように入出力整合回路パターンが形成されている誘電
体基板にＧａＡｓ ＦＥＴを半田付して構成していた
ので、下記の課題があった。
（１１Ｇ ａ Ａ ｓ Ｆ Ｅ Ｔ増幅器の整合周波
数は、主としてＧａＡｓ ＦＥＴと入力整合回路及び
出力整合回路のオープンスタブまでの距ｇｉ ａ １及
び１、によって決まるが、高い周波数ではわずかの距離
のずれで整合周波数がずれてしまう。例えば、ゲート幅
３００μｍのＧａＡｓ ＦＥＴの場合、整合周波数を
１２ＧＨｚとした場合、０．１ ｍｍのずれで５００
Ｍ Ｈｚ程度周波数がずれてしまう。
数は、主としてＧａＡｓ ＦＥＴと入力整合回路及び
出力整合回路のオープンスタブまでの距ｇｉ ａ １及
び１、によって決まるが、高い周波数ではわずかの距離
のずれで整合周波数がずれてしまう。例えば、ゲート幅
３００μｍのＧａＡｓ ＦＥＴの場合、整合周波数を
１２ＧＨｚとした場合、０．１ ｍｍのずれで５００
Ｍ Ｈｚ程度周波数がずれてしまう。
ところが、ＧａＡｓ ＦＥＴを誘電体基板上の整合回
路パターンに半田付する場合、精度よく決められた位置
にアセンブリすることが困難であり、アセンブリの位置
ずれの為、整合周波数がずれる。
路パターンに半田付する場合、精度よく決められた位置
にアセンブリすることが困難であり、アセンブリの位置
ずれの為、整合周波数がずれる。
（２）高い周波数で動作するＧａＡｓ ＦＥＴの場合
、構造パラメータや製造フローの差により、高層、波パ
ラメータ （例えばＳパラメータ）が異なる。
、構造パラメータや製造フローの差により、高層、波パ
ラメータ （例えばＳパラメータ）が異なる。
従って、異なる型名のＦＥＴを使用する場合、その都度
史用するＦＥＴで設計された入出力整合回路パターンを
有する増幅回路の誘電体基板を準備する必要があり、非
常に煩雑である。
史用するＦＥＴで設計された入出力整合回路パターンを
有する増幅回路の誘電体基板を準備する必要があり、非
常に煩雑である。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、デバイスの取付位置にかかわらず設計通りの特
性が得られるとともに、高周波回路基板の設計が簡単に
できる高周波半導体デバイスを得ることを目的とする。
もので、デバイスの取付位置にかかわらず設計通りの特
性が得られるとともに、高周波回路基板の設計が簡単に
できる高周波半導体デバイスを得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波半導体装置は、ＧａＡｓ
ＦＥＴのゲート電極リード及びドレイン電極リードに入
出力整合用のオープンスタブを取付けたものである。
ＦＥＴのゲート電極リード及びドレイン電極リードに入
出力整合用のオープンスタブを取付けたものである。
この発明におけるＧａＡｓ、ＦＥＴでは、入出力電極リ
ードに整合回路が付いているので、アセンブリ位置によ
る整合周波数のずれがないとともに、ユーザで整合回路
を設計しなくても良い。
ードに整合回路が付いているので、アセンブリ位置によ
る整合周波数のずれがないとともに、ユーザで整合回路
を設計しなくても良い。
以下、この発明を図について説明する。第１図（ａ）
、 （ｂ）はこの発明の一実施例による高周波半導体デ
バイスを示す正面図及び側面図である。図において、
（１０）はオープンスタブの付いたゲート電極リード、
（１１）はオープンスタブの付いたドレイン電極リード
である。
、 （ｂ）はこの発明の一実施例による高周波半導体デ
バイスを示す正面図及び側面図である。図において、
（１０）はオープンスタブの付いたゲート電極リード、
（１１）はオープンスタブの付いたドレイン電極リード
である。
この発明のＧａＡｓ ＦＥＴを用いた高周波帯の増幅
器の構成は、第２図に示すような５０Ωの入力線路（１
２）と５０Ωの出力線路（１３）のパターニングされた
誘電体基板（６）に、この発明のＧａＡｓＦＥＴを半田
付することでなされる。第３図はこの発明の高周波半導
体デバイス、いわば用いた増幅器外形図であり、この発
明の増幅器においても、従来の増幅器と同様、ＧａＡｓ
ＦＥＴの入力電極側に入力整合回路が、出力電極側
に出力整合回路が取付られているので、信号電力の反射
が無く効率的な増幅特性が得られる。
器の構成は、第２図に示すような５０Ωの入力線路（１
２）と５０Ωの出力線路（１３）のパターニングされた
誘電体基板（６）に、この発明のＧａＡｓＦＥＴを半田
付することでなされる。第３図はこの発明の高周波半導
体デバイス、いわば用いた増幅器外形図であり、この発
明の増幅器においても、従来の増幅器と同様、ＧａＡｓ
ＦＥＴの入力電極側に入力整合回路が、出力電極側
に出力整合回路が取付られているので、信号電力の反射
が無く効率的な増幅特性が得られる。
ところが、この発明のＧａＡｓ ＦＥＴでは、入出力
整合＠路がＧａＡｓ ＦＥＴの本体のゲート電極リー
ド及びドレイン電極リードに付いているので、従来のＧ
ａＡｓ ＦＥＴを用いた場合に比較して （１）誘電体基板上にＧａＡｓ ＦＥＴを取付る位置
によらず、設計通りの入出力整合回路が構成できるので
、アセンブリ位置のバラツキによる特性バラツキが発生
しなくなる。
整合＠路がＧａＡｓ ＦＥＴの本体のゲート電極リー
ド及びドレイン電極リードに付いているので、従来のＧ
ａＡｓ ＦＥＴを用いた場合に比較して （１）誘電体基板上にＧａＡｓ ＦＥＴを取付る位置
によらず、設計通りの入出力整合回路が構成できるので
、アセンブリ位置のバラツキによる特性バラツキが発生
しなくなる。
（２）異なったタイプのＧａＡｓ ＦＥＴをアセンブ
リする場合でも、ＧａＡｓ ＦＥＴ自身に整合回路が
付いているので、誘電体基板は５０Ωの入出カストリッ
プラインがパターニングされたもの１種類のみ準備する
だけで高周波増幅器が構成できる。
リする場合でも、ＧａＡｓ ＦＥＴ自身に整合回路が
付いているので、誘電体基板は５０Ωの入出カストリッ
プラインがパターニングされたもの１種類のみ準備する
だけで高周波増幅器が構成できる。
という利点がある。
なお上記実施例ではＧａＡｓ ＦＥＴのゲート電極及
びドレイン電極に整合回路を設けたものを示したが、シ
リコンバイポーラトランジスタ等の他の高周波半導体デ
バイスの入出力電極に整合回路を設けてもよい。
びドレイン電極に整合回路を設けたものを示したが、シ
リコンバイポーラトランジスタ等の他の高周波半導体デ
バイスの入出力電極に整合回路を設けてもよい。
また、上記実施例では高周波増幅回路の場合について説
明したが、高周波回路が発振回路の場合でも上記実施例
と同様の効果を奏する。
明したが、高周波回路が発振回路の場合でも上記実施例
と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、高周波半導体デバイ
スの入力及び出力側のリード電極に整合回路を設けてい
るので、デバイスの取付位置にかかわらず設計通りの特
性が得られるとともに、高周波回路基板の設計が非常に
簡単になるという効果がある。
スの入力及び出力側のリード電極に整合回路を設けてい
るので、デバイスの取付位置にかかわらず設計通りの特
性が得られるとともに、高周波回路基板の設計が非常に
簡単になるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例による高周
波半導体デバイスを示す正面図及び側面図、第２図及び
第３図はこの発明の高周波半導体デバイスを用いた増幅
器のプリント基板外形図及び増幅器外形図、第４図（ａ
）、（ｂ）は従来の高周波半導体デバイスを示す正面図
及び側面図、第５図及び第６図は従来の高周波半導体デ
バイスを用いた増幅器のプリント基板外形図及び増幅器
である。 （１）はパッケージ本体、（２）はキャップ、（３）は
ソースｆｌｓＩｉリード、（４）はゲート電極リード、
（５）はドレイン電極リード、（６）は誘電体基板、（
７）は入力整合回路パターン、（８）は出力整合回路パ
ターン、（９）はソース電極接地パターン、（１０）は
オープンスタブの付いたゲート電極リード、（１１）は
オープンスタブの付いたドレイン電極リードである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
波半導体デバイスを示す正面図及び側面図、第２図及び
第３図はこの発明の高周波半導体デバイスを用いた増幅
器のプリント基板外形図及び増幅器外形図、第４図（ａ
）、（ｂ）は従来の高周波半導体デバイスを示す正面図
及び側面図、第５図及び第６図は従来の高周波半導体デ
バイスを用いた増幅器のプリント基板外形図及び増幅器
である。 （１）はパッケージ本体、（２）はキャップ、（３）は
ソースｆｌｓＩｉリード、（４）はゲート電極リード、
（５）はドレイン電極リード、（６）は誘電体基板、（
７）は入力整合回路パターン、（８）は出力整合回路パ
ターン、（９）はソース電極接地パターン、（１０）は
オープンスタブの付いたゲート電極リード、（１１）は
オープンスタブの付いたドレイン電極リードである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 入力側の電極リードに入力整合回路を、出力側の電極
リードに出力整合回路を備えたことを特徴とする高周波
半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10468788A JPH01273404A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 高周波半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10468788A JPH01273404A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 高周波半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273404A true JPH01273404A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14387379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10468788A Pending JPH01273404A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 高周波半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273404A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271160A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
| JPH09270432A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| JP2010219816A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Sony Corp | 半導体装置、伝送システム、半導体装置の製造方法及び伝送システムの製造方法 |
| US8125009B2 (en) | 2009-10-06 | 2012-02-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Mounting circuit substrate |
| JP2013235913A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Toshiba Corp | 高周波半導体用パッケージ |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10468788A patent/JPH01273404A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271160A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路モジュ−ル |
| JPH09270432A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| JP2010219816A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Sony Corp | 半導体装置、伝送システム、半導体装置の製造方法及び伝送システムの製造方法 |
| US8125009B2 (en) | 2009-10-06 | 2012-02-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Mounting circuit substrate |
| JP2013235913A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Toshiba Corp | 高周波半導体用パッケージ |
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