JPH0423337Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0423337Y2 JPH0423337Y2 JP1982082862U JP8286282U JPH0423337Y2 JP H0423337 Y2 JPH0423337 Y2 JP H0423337Y2 JP 1982082862 U JP1982082862 U JP 1982082862U JP 8286282 U JP8286282 U JP 8286282U JP H0423337 Y2 JPH0423337 Y2 JP H0423337Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- level
- light
- light output
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
この考案はレーザダイオード等の発光機能を有
するダイオードの光出力制御回路に関する。
するダイオードの光出力制御回路に関する。
背景技術
第1図はレーザダイオードの光出力を一定に維
持する光出力制御回路の例であり、D1がレーザ
ダイオードを示し、駆動トランジスタQ1のコレ
クタ電流が抵抗R1を介して供給されることによ
つて駆動される。このダイオードD1のレーザ出
力を受光するフオトダイオードD2が設けられて
おり、このフオトダイオードD2に流れる電流変
化が抵抗R2により検出されて電圧変換される。
この電圧は差動アンプ1の逆相入力となつてお
り、その正相入力には、抵抗R3〜R5による分圧
出力が基準電圧として印加されている。この差動
アンプ1の出力が駆動トランジスタQ1のベース
入力となつている。尚、抵抗R6とコンデンサC1
は差動アンプ1の負帰還回路であり、抵抗R7は
トランジスタQ1のエミツタ抵抗を示している。
持する光出力制御回路の例であり、D1がレーザ
ダイオードを示し、駆動トランジスタQ1のコレ
クタ電流が抵抗R1を介して供給されることによ
つて駆動される。このダイオードD1のレーザ出
力を受光するフオトダイオードD2が設けられて
おり、このフオトダイオードD2に流れる電流変
化が抵抗R2により検出されて電圧変換される。
この電圧は差動アンプ1の逆相入力となつてお
り、その正相入力には、抵抗R3〜R5による分圧
出力が基準電圧として印加されている。この差動
アンプ1の出力が駆動トランジスタQ1のベース
入力となつている。尚、抵抗R6とコンデンサC1
は差動アンプ1の負帰還回路であり、抵抗R7は
トランジスタQ1のエミツタ抵抗を示している。
この光出力制御回路の動作電圧源として、トラ
ンジスタQ2,ツエナーダイオードD3,コンデン
サC2及び抵抗R8からなる定電圧発生回路が設け
られており、この電圧源の入力電圧−VCCは図示
せぬ他回路の動作電源電圧としても用いられてい
る。
ンジスタQ2,ツエナーダイオードD3,コンデン
サC2及び抵抗R8からなる定電圧発生回路が設け
られており、この電圧源の入力電圧−VCCは図示
せぬ他回路の動作電源電圧としても用いられてい
る。
かかる構成において、レーザダイオードD1の
発光出力が変化すると、これをフオトダイオード
D2が検知してこの変化量に応じた電圧変化を差
動アンプ1へ入力する。従つて、差動アンプ1の
出力にはこの入力電圧変化を補償するような電圧
変化が現われて駆動トランジスタQ1のコレクタ
電流を増減せしめる。以上の回路はいわゆる負帰
還ループとなつていることから、レーザダイオー
ドD1の発光出力が常に一定になるよう動作する
のである。
発光出力が変化すると、これをフオトダイオード
D2が検知してこの変化量に応じた電圧変化を差
動アンプ1へ入力する。従つて、差動アンプ1の
出力にはこの入力電圧変化を補償するような電圧
変化が現われて駆動トランジスタQ1のコレクタ
電流を増減せしめる。以上の回路はいわゆる負帰
還ループとなつていることから、レーザダイオー
ドD1の発光出力が常に一定になるよう動作する
のである。
第1図の回路において、レーザダイオードの発
光のオンオフ制御をなすには、他回路の動作電圧
源(−VCC)すなわち装置本体の電源をオンオフ
する以外に方法がないために、不必要にダイオー
ドD1がオンとなつている場合がありダイオード
の劣化を招来することになる。
光のオンオフ制御をなすには、他回路の動作電圧
源(−VCC)すなわち装置本体の電源をオンオフ
する以外に方法がないために、不必要にダイオー
ドD1がオンとなつている場合がありダイオード
の劣化を招来することになる。
発明の概要
[発明の目的]
よつて、本考案の目的はレーザ光等のダイオー
ド光を用いる装置がダイオード光を必要とすると
きだけ発光ダイオードを点灯させるようにして発
光ダイオードの特性劣化を防止するようにした発
光ダイオードの光出力制御回路を提供することで
ある。
ド光を用いる装置がダイオード光を必要とすると
きだけ発光ダイオードを点灯させるようにして発
光ダイオードの特性劣化を防止するようにした発
光ダイオードの光出力制御回路を提供することで
ある。
[発明の構成]
上記目的を達成するため、本考案は、発光機能
を有するダイオードから発せられた光出力レベル
に応じたレベルの検出信号と基準レベル信号との
レベル比較をなしこの比較結果に基づいて光出力
レベルを略一定に制御する光出力制御手段と、前
記制御手段の動作電圧を発生する電圧源とを有す
る発光機能を有するダイオードの光出力制御回路
であつて、外部制御入力端子を有し、前記外部制
御入力端子に供給されるオンオフ制御信号を積分
する積分手段と、前記積分手段の積分出力に応じ
て前記検出信号のレベルを変化せしめるレベル制
御手段とを有することを特徴としている。
を有するダイオードから発せられた光出力レベル
に応じたレベルの検出信号と基準レベル信号との
レベル比較をなしこの比較結果に基づいて光出力
レベルを略一定に制御する光出力制御手段と、前
記制御手段の動作電圧を発生する電圧源とを有す
る発光機能を有するダイオードの光出力制御回路
であつて、外部制御入力端子を有し、前記外部制
御入力端子に供給されるオンオフ制御信号を積分
する積分手段と、前記積分手段の積分出力に応じ
て前記検出信号のレベルを変化せしめるレベル制
御手段とを有することを特徴としている。
[発明の作用]
本考案による発光機能を有するダイオードの光
出力制御回路においては、発光ダイオードの発光
出力検出信号と基準レベル信号とのレベル比較を
なしこの比較結果に基づいて光出力レベルを略一
定に制御する一方、外部制御入力端子に供給され
るオンオフ制御信号を積分し、この積分出力に応
じてダイオードの発光出力検出信号のレベルを変
化せしめる。
出力制御回路においては、発光ダイオードの発光
出力検出信号と基準レベル信号とのレベル比較を
なしこの比較結果に基づいて光出力レベルを略一
定に制御する一方、外部制御入力端子に供給され
るオンオフ制御信号を積分し、この積分出力に応
じてダイオードの発光出力検出信号のレベルを変
化せしめる。
実施例
以下に本考案の実施例につき図面を用いて説明
する。
する。
第2図は本考案の一実施例の回路図であり、第
1図の同等部分は同一符号により示されその説明
は省略する。本例ではPNPトランジスタQ3,抵
抗R9,R10及びコンデンサC3からなる制御回路を
図のように付加されている。トランジスタQ3の
エミツタには外部制御入力端子を介して外部から
供給される外部制御信号が抵抗R9,R10により分
圧され、さらにコンデンサC3を含む積分回路を
経て供給される。トランジスタQ3のコレクタ出
力は、差動アンプ1の逆相入力端子へ供給してい
る。尚、トランジスタQ3のベースはグランド電
位(G)に固定されている。
1図の同等部分は同一符号により示されその説明
は省略する。本例ではPNPトランジスタQ3,抵
抗R9,R10及びコンデンサC3からなる制御回路を
図のように付加されている。トランジスタQ3の
エミツタには外部制御入力端子を介して外部から
供給される外部制御信号が抵抗R9,R10により分
圧され、さらにコンデンサC3を含む積分回路を
経て供給される。トランジスタQ3のコレクタ出
力は、差動アンプ1の逆相入力端子へ供給してい
る。尚、トランジスタQ3のベースはグランド電
位(G)に固定されている。
通常動作時には、外部制御信号はグランド電位
若しくはそれ以下の電位にされてトランジスタ
Q3はオフとなつている。
若しくはそれ以下の電位にされてトランジスタ
Q3はオフとなつている。
外部制御信号が高レベルになると、コンデンサ
C3は、抵抗R9の抵抗値と自らの容量によつて定
まる所定の時定数に基づき充電されるので、トラ
ンジスタQ3のエミツタ電位は緩やかに上昇する。
トランジスタQ3はこれに応じて動作しそのコレ
クタ出力は差動アンプ1の逆相入力端子の電位を
徐々に引き上げることとなる。これにより、差動
アンプ1はトランジスタQ1を緩やかに動作せし
めるのでダイオードD1はゆつくりとその発光量
を減少させる。
C3は、抵抗R9の抵抗値と自らの容量によつて定
まる所定の時定数に基づき充電されるので、トラ
ンジスタQ3のエミツタ電位は緩やかに上昇する。
トランジスタQ3はこれに応じて動作しそのコレ
クタ出力は差動アンプ1の逆相入力端子の電位を
徐々に引き上げることとなる。これにより、差動
アンプ1はトランジスタQ1を緩やかに動作せし
めるのでダイオードD1はゆつくりとその発光量
を減少させる。
トランジスタQ3のエミツタ電位が所定電位に
達すると、トランジスタQ3は完全にオンとなり
差動アンプ1の逆相入力端子の電位を所定の高レ
ベルに引き上げる。よつて、アンプ1の正相入力
よりも逆相入力が直流的に高い電位となり、駆動
トランジスタQ1のベース電位が低レベルに引き
下げられる。これによりトランジスタQ1がオフ
となりダイオードD1の発光は完全に停止する。
達すると、トランジスタQ3は完全にオンとなり
差動アンプ1の逆相入力端子の電位を所定の高レ
ベルに引き上げる。よつて、アンプ1の正相入力
よりも逆相入力が直流的に高い電位となり、駆動
トランジスタQ1のベース電位が低レベルに引き
下げられる。これによりトランジスタQ1がオフ
となりダイオードD1の発光は完全に停止する。
このように、外部制御信号が高レベルになつて
もこれに応じて直ちにダイオードD1の発光を停
止することなく、徐々に発光量を減少せしめてそ
の発光を停止とするので、外部制御信号の急峻な
る立上りに応じたダイオードD1の発光停止動作
に基因するダイオードの特性劣化を回避すること
ができる。
もこれに応じて直ちにダイオードD1の発光を停
止することなく、徐々に発光量を減少せしめてそ
の発光を停止とするので、外部制御信号の急峻な
る立上りに応じたダイオードD1の発光停止動作
に基因するダイオードの特性劣化を回避すること
ができる。
また、上述の如きダイオードD1の発光停止の
状態から上記通常動作状態に切り換えるために、
外部制御信号が低レベルとなつた場合にも同様の
効果を奏する。
状態から上記通常動作状態に切り換えるために、
外部制御信号が低レベルとなつた場合にも同様の
効果を奏する。
例えば、家庭用CDプレーヤでは電源スイツチ
がオンとなると各部回路用の動作電圧が発生する
が、このとき外部制御入力端子には発光オフを指
令する高レベルの制御信号が供給されており、レ
ーザダイオードの発光は阻止される。そして、操
作者によつて「PLAY」が指令されると、制御信
号は低レベルとなりレーザダイオードは発光す
る。この発光は演奏の終了により制御信号が高レ
ベルになることによつて停止される。なお、この
ようなプレーヤの動作モードにも種々存在し、各
動作モードに応じてレーザダイオードの発光のみ
を外部制御入力端子を利用して細かく制御する場
合には極めて有効である。
がオンとなると各部回路用の動作電圧が発生する
が、このとき外部制御入力端子には発光オフを指
令する高レベルの制御信号が供給されており、レ
ーザダイオードの発光は阻止される。そして、操
作者によつて「PLAY」が指令されると、制御信
号は低レベルとなりレーザダイオードは発光す
る。この発光は演奏の終了により制御信号が高レ
ベルになることによつて停止される。なお、この
ようなプレーヤの動作モードにも種々存在し、各
動作モードに応じてレーザダイオードの発光のみ
を外部制御入力端子を利用して細かく制御する場
合には極めて有効である。
発明の効果
以上説明したように、本考案の発光機能を有す
るダイオードの光出力制御回路によれば、発光ダ
イオードの発光出力検出信号と基準レベル信号と
のレベル比較をなしこの比較結果に基づいて光出
力レベルを略一定に制御する一方、外部制御入力
端子に供給されるオンオフ制御信号を積分し、こ
の積分出力に応じてダイオードの発光出力検出信
号のレベルを変化せしめるので、該光出力制御回
路の電源を断とすることなく装置がダイオード光
を必要とするときだけ発光ダイオードのみを点灯
させることができ、不必要な発光ダイオードのオ
ン時間をなくすことができる。
るダイオードの光出力制御回路によれば、発光ダ
イオードの発光出力検出信号と基準レベル信号と
のレベル比較をなしこの比較結果に基づいて光出
力レベルを略一定に制御する一方、外部制御入力
端子に供給されるオンオフ制御信号を積分し、こ
の積分出力に応じてダイオードの発光出力検出信
号のレベルを変化せしめるので、該光出力制御回
路の電源を断とすることなく装置がダイオード光
を必要とするときだけ発光ダイオードのみを点灯
させることができ、不必要な発光ダイオードのオ
ン時間をなくすことができる。
これにより発光ダイオードの特性劣化を抑制
し、該ダイオードの長寿命化を図ることが可能と
なる。同時に、発光ダイオードを緩やかにオンオ
フせしめているので、さらなるダイオードの特性
劣化を防止することができる。特に、外部制御信
号により頻繁にオンオフ制御される場合は有効で
ある。
し、該ダイオードの長寿命化を図ることが可能と
なる。同時に、発光ダイオードを緩やかにオンオ
フせしめているので、さらなるダイオードの特性
劣化を防止することができる。特に、外部制御信
号により頻繁にオンオフ制御される場合は有効で
ある。
しかも、常時動作電圧を受ける構成となつてい
る故、発光ダイオードをオンオフ制御することに
よる周辺回路への電源電圧変動を抑制できて好ま
しい。この点でも発光ダイオードの緩かなるオン
オフ制御は極めて有効である。
る故、発光ダイオードをオンオフ制御することに
よる周辺回路への電源電圧変動を抑制できて好ま
しい。この点でも発光ダイオードの緩かなるオン
オフ制御は極めて有効である。
第1図はレーザダイオードの光出力制御回路の
例を示す図、第2図は本考案の実施例の回路図で
ある。 主要部分の説明、D1……レーザダイオード、
D2……フオトダイオード、Q1……駆動トランジ
スタ、Q2……定電圧源トランジスタ、Q3……制
御トランジスタ、R9……抵抗、C3……コンデン
サ。
例を示す図、第2図は本考案の実施例の回路図で
ある。 主要部分の説明、D1……レーザダイオード、
D2……フオトダイオード、Q1……駆動トランジ
スタ、Q2……定電圧源トランジスタ、Q3……制
御トランジスタ、R9……抵抗、C3……コンデン
サ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 発光機能を有するダイオードから発せられた光
出力レベルに応じたレベルの検出信号と基準レベ
ル信号とのレベル比較をなしこの比較結果に基づ
いて光出力レベルを略一定に制御する光出力制御
手段と、前記制御手段の動作電圧を発生する電圧
源とを有する発光機能を有するダイオードの光出
力制御回路であつて、 外部制御入力端子を有し、前記外部制御入力端
子に供給されるオンオフ制御信号を積分する積分
手段と、前記積分手段の積分出力に応じて前記検
出信号のレベルを変化せしめるレベル制御手段と
を有することを特徴とする発光機能を有するダイ
オードの光出力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982082862U JPS58184858U (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982082862U JPS58184858U (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184858U JPS58184858U (ja) | 1983-12-08 |
| JPH0423337Y2 true JPH0423337Y2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=30091896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982082862U Granted JPS58184858U (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184858U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623904Y2 (ja) * | 1975-03-17 | 1981-06-04 |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP1982082862U patent/JPS58184858U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58184858U (ja) | 1983-12-08 |
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