JPH04234004A - 集積型光学部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、集積型光学部品の製造
方法に関する。当該方法は特に、単一モード及び多重モ
ードの集積回路の製造に適用される。

【０００２】

【従来の技術】集積型光学部品の既知の製造方法は、多
重モードの集積型光学部品を作るのに使用できない。実
際、多重モードの光ファイバとの結合を可能にする多重
モードの集積型光学部品の製造は、複雑かつ費用の係る
技術に属する。

【０００３】このような部品を製造する上での問題は、
その寸法および光学に関連する制約条件の結果としても
たらされるものである。部品の寸法は標準的に言って、
多重モードファイバ内で利用される体積と矛盾しないも
のであるためには数百ミクロンである。

【０００４】インターフェイスの質は、短い波長の光学
的使用と相容性のあるものでなくてはならずその欠陥及
び不規則性は０．１μｍ未満でなくてはならない。

【０００５】或る種のエッチングの垂直度は、その部品
の寸法、すなわち数百ミクロンに対して極めて良好なも
のでなくてはならない。

【０００６】これらの問題を解決するため、ドイツの研
究者は、Ｘ線リソグラフ法を利用するＬＩＧＡ法を提案
した。この方法は、数百ミクロンの焦点深度でミクロン
レベルの寸法のエッチングを可能にすることのできる唯
一の方法である。

【０００７】このような方法は、「マイクロロボットと
テレオペレータワークショップ」という題の１９８７年
１１月９日付のＩＥＥＥ文書の中に記されている。

【０００８】この技術はきわめて費用のかかるものであ
り、従って、自動車またはｄｏｍｏｔｉｑｕｅといった
応用分野のための大量生産及びコストという目標を相入
れないものである。

【０００９】本発明は、これらの問題点を解決すること
のできる方法をその目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】従って、本発明は、マイ
クロガイド、分離板、レンズ、ディオプタを結びつける
ことのできる、一枚の基板上に集積された光学部品の製
造方法において、鏡、分離板、レンズ、ディオプタを製
造できるようにする予備段階を含んでおり、この段階に
は、 −　　一定の形状および寸法のパターンを有する第１の
マスク１３を作る作業、 −　　垂直側面をもつキャビティー２０を得るためマス
クにより保護されていない基板の異方性エッチングを実
施する作業、 −　　マスクをとり除く作業、 −　　主段階のエッチングに役立つマスク及び停止層３
１を構成するため垂直側面の熱酸化を実施する作業、が
含まれること、さらに、一定の形状および寸法のパター
ンを有するマスクを作る作業、望ましい形状の単数また
は複数のキャビティを得るような形で、マスクにより保
護されていない基板のエッチングを実施する作業、キャ
ビティの一部分または内表面全体にわたり一定の与えら
れた厚みの周辺層を形成するための熱酸化作業、及び適
切な材料でキャビティを充てんする作業を含む主段階が
含まれていること、を特徴とする方法に関する。このエ
ッチングは好ましくは、マイクロガイドの製造のための
乾式（ドライ）エッチングである。

【００１１】この主段階は同様に、上部保護層の被着を
実施することから成る最後の作業を含んでいてもよい。

【００１２】マスクの製作は、層の望ましい厚みに応じ
て高圧または低圧で基板の熱酸化を実施し、望まれるパ
ターンを構成する酸化された層内に開口部を作ることか
ら成る。

【００１３】主段階のエッチング作業は、例えば深さＬ
のキャビティが得られるようにする等方性イオンエッチ
ングを実施することから成り、マスクのパターンは、ほ
ぼ円形の断面をもつキャビティを得るためこの深さＬと
の関係において小さい幅Ｄを有するように選ばれる。例
えば、Ｄは、乾式エッチングを行なうことができるよう
に１０μｍから３０μｍの間に選ばれ、Ｌはこの場合５
０μｍから５００μｍの間で変化しうる。なお深さと幅
の比率は５以上でなくてはならない。

【００１４】矩形断面を有するキャビティを得るために
は、エッチング作業は、異方性イオンエッチング又は選
択化学エッチングを実施することから成る。

【００１５】マイクロガイドタイプの部品の製造のため
には、キャビティの充てん作業は、キャビティの内側周
辺層の屈折率よりも大きい屈折率ｎｇの材料を導入する
ことから成る。

【００１６】マイクロガイドの中心部を構成することに
なる導入される材料は例えば、プラスチックの光ファイ
バの製造において用いられるものと同じタイプのもので
ある。例えば、ポリスチレンまたはＰＭＭＡを選択する
ことができる。同様に、光学的に透過性ある材料を選ぶ
こともできる。

【００１７】その他のタイプの部品例えば反射鏡又は分
離板の製造のためには、キャビティの充てん作業は、キ
ャビティの内側周辺層のものより小さい屈折率ｎｒの材
料を使用することから成る。

【００１８】異方性エッチングは、深さＬ’にわたる基
板の選択化学エッチング又は乾式（ドライ）エッチング
により得られる。

【００１９】好ましくは、垂直側面をもつキャビティの
深さは、マイクロガイドのキャビティの深さＬよりも大
きい。

【００２０】予備段階において停止層を得ることができ
るようにする熱酸化作業は、同様に、マイクロガイドの
製造のためのエッチングの実施をも可能にする。

【００２１】キャビティの周辺層を形成することを目的
とする熱酸化は、壁に対し優れた耐久性を与えるような
充分な厚みが得られるように高圧下で実施できる。この
場合、空気で充てんされた状態にキャビティを置くこと
によって、全反射の付近ですなわちＡｒｃ　　Ｓｉｎ　
１／ｎ１　以上の入射角で（なおｎ１　はマイクロガイ
ドの中心部の屈折率である）作業することが可能となる
。任意の値の角度ｉについて、入射下で陰極スパッタリ
ング又は蒸着によりアルミニウム、金、銀ベースの金属
被着を行なうことができるだろう。

【００２２】同様に、低圧下で熱酸化を行なうこともで
きるが、この場合、壁を強化するように融点の低い金属
（アルミニウム、銀、インジウム）で鏡のキャビティを
充てんするのが好ましくなる。

【００２３】分離板の製造に際しては、これらの分離板
を形成するキャビティを、マイクロガイドの中心部のも
のと異なる屈折率の誘電性材料で充てんすることができ
る。

【００２４】本発明のその他の特徴及び利点は、添付図
面を参考にして制限的な意味のない例として記されてい
る以下の説明から、明らかになることだろう。

【００２５】

【実施例】図１乃至４は、本発明に基づく方法に従った
集積型光学部品の製造のさまざまな段階作業を示してい
る。

【００２６】図１の（Ａ）は、マスク１２が上に載って
いる基板１０の断面図を示している。このマスクにより
、ほぼ円形の断面をもつキャビティ１３を得るような形
で、保護されていない場所において基板のエッチングを
行なうことができた。このため、このマスクは、キャビ
ティの望ましい深さＬに比べて充分小さい幅Ｄをもつ開
口部を有しており、エッチングは化学タイプか或いは又
好ましくは乾式タイプの等方性のものである。乾式エッ
チングの場合、マイクロ波タイプの反応装置内でＳＦ６
　とＯ２　の混合物などを用いて行なわれた、制御され
た幾何形状のエッチングとなる。

【００２７】図１の（Ｂ）は、マスク１２が上に載った
基板１０内に矩形断面をもつキャビティを作る作業を概
略的に示している。このマスクにより、保護されていな
い場所において基板のエッチングを行なうことができた
。このキャビティは、きわめて垂直な側面１４ａ及び１
４ｂを有する。キャビティの深さＬは一般に、図１の（
Ａ）の場合に得られるものよりも小さく、エッチングは
、化学または乾式タイプの異方性エッチングである。

【００２８】これらの図では、単結晶ケイ素でできた基
板１０が示されており、この基板上には、基板内部にキ
ャビティを形成すべくこの基板のエッチングを可能にす
るように適合させられた寸法及び形状のパターンの備わ
ったマスク１２が作られている。マスク１２は、充分な
厚みの二酸化ケイ素の層を形成するように選ばれた圧力
及び温度の下で行なわれたケイ素の熱酸化により得られ
た。

【００２９】開口部は、選択された幅Ｄにわたり実現す
べきパターンに従って、二酸化ケイ素の層１２の中に作
られる。これらの開口部は従来の写真製版技術を用いて
作られる。

【００３０】等方性エッチングの場合、得られたキャビ
ティは円形断面の形状をもち、そのため幅Ｄは１０μｍ
から１３μｍの間で選ばれる。この幅はこのエッチング
を実施できるようにしながらしかも充分に小さいもので
ある。深さＬは５０μｍから５００μｍの間で変化する
。この幅Ｄに対して深さＬが大きければ大きいほど、断
面は円の断面に近づき、従って光ファイバの中心部の断
面と全く相容性がある。

【００３１】きわめて垂直な側面をもつ矩形断面を得る
ことを可能にする基板の異方性乾式エッチングの場合、
深さＬは一般に、さらに小さいものである。

【００３２】マスク１２を作りその後キャビティを得る
ため基板１０のエッチングを行なった後、この方法は、
キャビティの一部分または内表面全体にわたり一定の与
えられた厚みの周辺層を形成するべくケイ素の熱酸化を
実施することから成る（マスク１２は除去されていても
、のこされていてもよい）。図２の（Ａ）においては、
熱酸化はキャビティの内表面全体にわたり行なわれ、後
に製造されたマイクロガイドの外被を構成することにな
る二酸化ケイ素の層１５を形成する。

【００３３】図２の（Ｂ）では、ケイ素の熱酸化により
、垂直側壁１４ａ、１４ｂ上及びキャビティ底面上に周
辺層を得ることができる。この層は１６ａ、１６ｂ、１
６ｃという番号で示されている。

【００３４】熱酸化は、１〜３μｍの薄い二酸化ケイ素
を得るべく常圧で行なうこともできるし、或いは又５〜
２０μｍというはるかに大きい厚みの二酸化ケイ素を得
るべく高圧（１０〜２０バール）で行なうこともできる
。好ましくは、５〜１０μｍの厚みを得るため８００℃
と１０００℃の間の温度及び高圧下でこの熱酸化を行な
うことが選ばれる。

【００３５】図３の（Ａ）においては、層１５の屈折率
よりも大きい屈折率の材料でキャビティ１３を充てんし
た。例えば、１．４９に等しい屈折率のＰＭＭＡ又は１
．５５に等しい屈折率のポリスチレンといったプラスチ
ックファイバの製造に用いられる材料を選ぶことができ
る。これらの材料は、約１５０℃を超えると液体となり
、従ってこれらを注入して次に冷却するのを待ち、かく
して図３の（Ａ）に示されているようなマイクロガイド
の中心部を形成することになる領域１７を得るのが容易
である。

【００３６】実際には、二酸化ケイ素よりも大きい屈折
率をもち作用波長に対し透過性をもつ全ての材料が適当
である。

【００３７】図３の（Ｂ）の場合、周辺層１６ａ、１６
ｂ及び１６ｃの形成に導いた熱酸化が高圧下で行なわれ
たならば、耐久性にとってこの層の１０〜２０という厚
みは充分なものである。この場合、キャビティを空気で
満たされた状態におくことができる。充てん材料は空気
であるため、反射は、Ａｒｓ　　Ｓｉｎ　１／ｎ１　以
上の入射角ｉで全反射となる。なおｎ１　はこうして形
成された鏡に結びつけることのできるマイクロガイドの
中心部の屈折率である。同様にキャビティを層１８の被
着により充てんすることも可能であり、これは、全反射
でない鏡の製造の場合の金属被覆に相当する。

【００３８】必要不可欠なものではない最後の作業は、
本発明の方法により作られたキャビティの上に保護層（
上層）の被着を行なうことから成るものであってよい。 従って、この作業を実施するためには、キャビティを閉
じるため低い屈折率の材料または二酸化ケイ素の低温再
被着を行なうことができる。従って、光学的接着剤また
はシリカゲルを用いることができる。

【００３９】図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示したこの層は
１９という番号で表わされている。

【００４０】本発明に従った方法は同様に、その他のタ
イプの部品特に鏡及び／又は分離板に同一ウェーハ上で
結びつけられたマイクロガイドといった部品を製造する
ことをも可能にする。

【００４１】このため、この方法は有利なことに、分離
板及び／又は鏡を形成する目的をもつキャビティを作る
ことができるようにする予備段階、及び予備段階の際に
得られたキャビティを用いてマイクロガイドを製造し鏡
及び／又は分離板の製造を完了することができるように
する主段階を含むことになる。

【００４２】図５には、上述のさまざまなタイプの部品
が中に形成されることになる基板１０が斜視図として示
されている。

【００４３】単結晶ケイ素の基板１０は上に一枚の層１
３が載っており、得たいと思う鏡又は分離板の長さ及び
幅に相応する一定の寸法及び形状のパターンをもつ第１
のマスクを実現している。

【００４４】このマスクは、化学的腐食を可能にする材
料の被着によって得られ、好ましくはＳｉ３　Ｎ４　を
用いる（同様に二酸化ケイ素又は金属を用いる）ことも
できる。

【００４５】次に、マイクロガイドを形成するキャビテ
ィを作るため行なわれ好ましくは乾式エッチングである
等方性エッチングの際に役立つことになる停止平面の跡
に対して平行に選ばれた２つの辺をもつパターン２０に
従ってＳｉ３Ｎ４　のこの層のエッチングを行なう。

【００４６】その後、抑制剤としてアルコールを伴う塩
基性腐食剤（ＫＯＨ＋エタノール又はメタノール、ジエ
チルアミン＋アルコール）を利用する従来のやり方で行
なわれる異方性選択化学腐食に着手する。この化学的選
択腐食は、Ｌよりも大きい深さＬ’にわたり行なわれる
ことになる。なおここでＬは、マイクロガイドを形成す
るキャビティの深さである。

【００４７】次に、窒化ケイ素すなわちマスクを形成し
ていた層を除去する。腐食（攻撃）が乾式異方性である
場合、同じ作業を行なうものの、結晶面に従うという制
約条件は全く無い。このとき乾式腐食は例えば、二酸化
ケイ素のマスクについてはＳＦ６　タイプのガスで、マ
イクロ波エッチングによって行なわれる。

【００４８】この予備段階の後、一方ではマイクロガイ
ドを作るためのキャビティを形成し又他方では鏡及び／
又は分離板の製造を終結するべく、主段階を構成するさ
まざまな作業を実施する。

【００４９】このため、基板の熱酸化により第２のマス
クを作る、この作業により、マイクロガイドのキャビテ
ィを形成すべく行われることになる乾式エッチングのた
めの停止層を作り上げることができる。同様に、この基
板熱酸化作業を用いて、マイクロガイドを製造するため
に用いられるキャビティの形成の際にこの基板の乾式エ
ッチング用のマスクを形成することも可能である。

【００５０】このマスクがこの作業中に作られなかった
場合、被着又は熱酸化により独立して作ることができる
。

【００５１】図６は、鏡に結びつけられたマイクロガイ
ドが中に作られたウェーハの図を表わしている。この図
により、マイクロガイドを形成できるようにするキャビ
ティ４０を作るために行なわれた等方性エッチングに関
する部品の製作段階をさらに限定的に表わすことができ
る。この図には同様に、マイクロガイドのキャビティの
等方性エッチングに対する停止面である垂直側面３１も
示されている。すでに述べたように、マイクロガイド４
０の等方性エッチングは、上述の条件下で基板の熱酸化
により形成された。

【００５２】鏡を形成するキャビティ３０は空気が充て
んされていてよく、この場合、Ａｒｃ　　Ｓｉｎ　１／
ｎ１　より大きい入射角ｉで（ｎ１　はマイクロガイド
の中心部の屈折率）全反射が得られることになる。同様
に、入射下の陰極スパッタリング又は蒸着によりアルミ
ニウム、クロム、金又は銀の金属被着を行なうこともで
きる。このとき、入射角ｉは任意であってよい。同様に
、壁を強化するため融点の低いアルミニウム、銀、イン
ジウムといった金属をこれらのキャビティに充てんする
こともできるが、当然のことながら、この変形実施態様
は、鏡を形成することになるキャビティについてのみ応
用でき、分離板については応用できない。

【００５３】分離板の場合には、キャビティは、マイク
ロガイドの中心部のものとはかなり異なる屈折率の誘電
体（例えば光学接着剤）で充てんすることができる。

【００５４】結論としては： −　　マイクロガイド用に作られたキャビティは、等方
性エッチング又は異方性エッチングにより得ることがで
き、これら２つのタイプのエッチングは化学的なもので
あっても乾式のものであってもよい；有利には、これら
のキャビティは乾式等方性エッチングにより作られる。

【００５５】−　　その他の部品（分離板、鏡、レンズ
、ディオプタ…）のために作られるキャビティは、乾式
または化学式のいずれであってもよい異方性エッチング
により得られる。

【００５６】−　　全反射の場合、鏡は、ＳｉＯ２　で
被覆されたキャビティ内の空気を用いることにより、又
は金属層１８を用いることによって実現される。

【００５７】−　　非全反射の場合、鏡は、必然的に金
属層１８を用いて、又場合によっては保護層１９を用い
て実現される。

【００５８】−　　この最後の２つのケースにおいては
、鏡用に用いられるキャビティは好ましくは、平坦な壁
を得るため化学的異方性エッチングにより、又は平坦で
ない例えば放物線状又は楕円状の壁を得るため乾式異方
性エッチングにより、得られる；

【００５９】−　　分離板は、全反射条件の際には空気
を用いて又は結びつけられたマイクロガイドの中心部の
屈折率と異なる屈折率の誘電体を用いて作られる；誘電
体を用いる場合には同様に保護層１９を用いることがで
きる；

【００６０】−　　レンズ又はディオプタは、分離板と
同じ要領で作られる。ただし、分離板と同じ条件下で、
空気又は誘電体の充てんを伴い、平坦でない（凹または
凸の）壁をもつキャビティを得るには乾式異方性エッチ
ングを使用しなくてはならない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づく基板内のキャビティの製作作業
を示す。（Ａ）はマイクロガイドの形成に関するもので
あり、（Ｂ）は鏡又は分離板の形成に関するものである
。

【図２】キャビティ内部の周辺層の形成作業を示す。

【図３】適切な材料を用いたキャビティの充てん作業を
示す。

【図４】保護層によるキャビティの被覆作業を示す。

【図５】本発明に基づく方法に従った予備段階の各作業
を概略的に示す。

【図６】本発明の方法により得られた鏡に結び付けられ
たマイクロガイドタイプの部品を含むウェーハを概略的
に示す。

【符号の説明】

１０　　基板 １２　　マスク １３　　キャビティ １５，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ　　周辺層１７　　中心
部 １９　　上部保護層 ２０　　キャビティ ３１　　停止層

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　マイクロガイド、分離板、レンズ、デ
   ィオプタを結びつけることのできる、一枚の基板上に集
   積された光学部品の製造方法において、鏡、分離板、レ
   ンズ、ディオプタを製造できるようにする予備段階を含
   んでおり、この段階には、 −　　一定の形状及び寸法のモチーフを有する第１のマ
   スク（１２）を作る作業、 −　　垂直側面をもつキャビティ（２０）を得るためマ
   スクにより保護されていない基板の異方性エッチングを
   実施する作業、 −　　マスクをとり除く作業、 −　　主段階のエッチングに役立つマスク及び停止層（
   ３１）を構成するため垂直側面の熱酸化を実施する作業
   、が含まれること、さらに、マイクロガイドを製造する
   ための主段階を含んでおり、この段階には、−　　一定
   の形状及び寸法のパターンを有するマスク（１２）を作
   る作業、 −　　望ましい形状の少なくとも１つのキャビティ（１
   ３）を得るような形で、マスクにより保護されていない
   基板のエッチングを実施する作業、 −　　キャビティの一部分又は内表面全体にわたり一定
   の与えられた厚みの周辺層（１５，１６ａ，１６ｂ，１
   ６ｃ）を形成するための熱酸化を実施する作業、−　　
   適切な材料でキャビティを充てんする（１７，１８）作
   業が含まれていることを特徴とする方法。
2. 【請求項２】　　主段階の基板のエッチングは、乾式等
   方性エッチングであることを特徴とする、請求項１に記
   載の集積型光学部品の製造方法。
3. 【請求項３】　　さらに上部保護層（１９）の被着を実
   施する作業が含まれていることを特徴とする、請求項１
   又は２に記載の集積型光学部品の製造方法。
4. 【請求項４】　　一定の形状及び寸法のパターンを有す
   るマスク（１２）の製作は、 −　　層に対し望まれる厚みに応じて、高圧又は低圧で
   の基板の熱酸化を行なうこと、 −　　望まれるパターンを構成する酸化された層内の開
   口部を作ること、から成ることを特徴とする、請求項１
   又は２又は３に記載の集積型光学部品の製造方法。
5. 【請求項５】　　主段階のエッチング作業は、深さＬの
   キャビティが得られるようにする等方性イオンエッチン
   グを実施することから成り、マウスのパターンは、ほぼ
   円形の断面をもつキャビティを得るためこの深さＬとの
   関係において小さい幅Ｄを有するように選ばれることを
   特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の集
   積型光学部品の製造方法。
6. 【請求項６】　　深さと幅の比率が５以上であることを
   特徴とする、請求項５に記載の集積型光学部品の製造方
   法。
7. 【請求項７】　　二次的段階のエッチング作業が矩形断
   面のキャビティを得ることを可能にするような異方性イ
   オンエッチングを実施することから成ることを特徴とす
   る、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の集積型光学
   部品の製造方法。
8. 【請求項８】　　キャビティの充てん作業は、キャビテ
   ィの内側周辺層の屈折率より大きい屈折率ｎｇの材料を
   導入することから成り、この材料はマイクロガイドの中
   心部を構成することを特徴とする、請求項１乃至６のい
   ずれか１項に記載の集積型光学部品の製造方法。
9. 【請求項９】　　導入される材料は、プラスチックの光
   ファイバの製造に用いられるものと同じタイプの材料で
   あることを特徴とする、請求項８に記載の集積型光学部
   品の製造方法。
10. 【請求項１０】　　充てん用材料は光学的に透過性があ
    り硬化可能な材料であることを特徴とする、請求項８に
    記載の集積型光学部品の製造方法。
11. 【請求項１１】　　キャビティの充てん作業はマイクロ
    ガイド以外の全ての部品を実現するために用いられるキ
    ャビティについて、キャビティの内側周辺層の屈折率よ
    りも小さい屈折率ｎｒの材料を導入することから成るこ
    とを特徴とする、請求項１乃至４及び５のいずれか１項
    に記載の集積型光学部品の製造方法。
12. 【請求項１２】　　部品はマイクロガイドであることを
    特徴とする、請求項１乃至６、８及び９のいずれか１項
    に記載の集積型光学部品の製造方法。
13. 【請求項１３】　　部品は鏡または分離板であることを
    特徴とする、請求項１乃至４、７及び１１のいずれか１
    項に記載の集積型光学部品の製造方法。
14. 【請求項１４】　　鏡及び／又は分離板に結びつけられ
    たマイクロガイドの実現を可能にすることを特徴とする
    、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の集積型光学
    部品の製造方法。
15. 【請求項１５】　　異方性エッチング作業は、深さＬ’
    にわたり基板の選択化学エッチングを実施することから
    成ることを特徴とする、請求項１に記載の集積型光学部
    品の製造方法。
16. 【請求項１６】　　垂直側面をもつキャビティの深さＬ
    ’がマイクロガイドのキャビティの深さＬよりも大きい
    ことを特徴とする、請求項１５に記載の集積型光学部品
    の製造方法。
17. 【請求項１７】　　主段階において熱酸化により得られ
    るマスク（１２）は、予備段階において停止層（３１）
    が得られるようにする熱酸化の際に作られることを特徴
    とする、請求項１に記載の集積型光学部品の製造方法。
18. 【請求項１８】　　キャビティの周辺層を形成すること
    を目的とする熱酸化は高圧下で行なわれること、及び鏡
    を形成するキャビティは空気で満たされていることを特
    徴とする、請求項１に記載の集積型光学部品の製造方法
    。
19. 【請求項１９】　　キャビティの周辺層を形成すること
    を目的とする熱酸化は高圧下で行なわれること、及び鏡
    を形成するキャビティ内で陰極スパッタリングまたは蒸
    着により金属被着を実施することを特徴とする、請求項
    １に記載の集積型光学部品の製造方法。
20. 【請求項２０】　　キャビティの周辺層を形成すること
    を目的とする熱酸化は低圧で行なわれること及び、鏡を
    形成するキャビティは低い融点をもつ金属で満たされて
    いることを特徴とする、請求項１に記載の集積型光学部
    品の製造方法。
21. 【請求項２１】　　分離板を形成するキャビティは、マ
    イクロガイドの中心部のものと異なる屈折率の誘電性材
    料で満たされることを特徴とする、請求項１に記載の集
    積型光学部品の製造方法。