JPH04234798A - Ｓａｗデバイスを保護する方法および装置 - Google Patents
Ｓａｗデバイスを保護する方法および装置Info
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- JPH04234798A JPH04234798A JP24646491A JP24646491A JPH04234798A JP H04234798 A JPH04234798 A JP H04234798A JP 24646491 A JP24646491 A JP 24646491A JP 24646491 A JP24646491 A JP 24646491A JP H04234798 A JPH04234798 A JP H04234798A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
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- Acoustics & Sound (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波（ＳＡＷ：
Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デ
バイスに関し、特にＳＡＷデバイスの腐食耐性および信
頼性を向上させる手段に関する。
Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デ
バイスに関し、特にＳＡＷデバイスの腐食耐性および信
頼性を向上させる手段に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】表面
弾性波デバイスは圧電体基盤を有し、その基盤の研磨さ
れた表面上にメタライズされたＳＡＷ変換器のパターン
を有する。変換器は互いに音響的に結合するように圧電
体基盤の研磨された表面上に配置される。変換器のパタ
ーンは、金属のストリップから構成され、これは圧電効
果を使って電気信号と音響信号とを結合する。変換器の
パターンは金属ストリップおよびサミング・バス（ｓｕ
ｍｍｉｎｇ ｂｕｓｓｅｓ）から構成され、金属スト
リップは圧電効果を利用して電気信号と音響信号とを結
び付ける。サミング・バスはフィルタ機能を形成するた
めにストリップを結合し、また外部とストリップとを電
気的に結合する役割を果たす。ＳＡＷデバイスの金属ス
トリップが直接外部環境下に置かれると、汚染あるいは
侵食される。金属ストリップを保護膜で包含し、ＳＡＷ
デバイスを保護する試みが為されているが、これら金属
ストリップと電気的結合を作るところに問題がある。理
由は金属ストリップと電気的に結合させるために、保護
膜に穴を形成する必要があり、保護物質の穴によって金
属ストリップが侵食されあるいは腐食するようになるか
らである。保護材料中の穴によって、金属ストリップを
腐食し汚染する環境を与えることになる。従来の保護方
法では保護膜下の回路とＤＣ結合を形成するために、保
護膜を通じてエッチングされた穴が形成されていた。汚
染物質は、音響エネルギを吸収することにより又は変換
器の金属被覆部分と化学反応することによりＳＡＷデバ
イスの特性に影響を及ぼす。
弾性波デバイスは圧電体基盤を有し、その基盤の研磨さ
れた表面上にメタライズされたＳＡＷ変換器のパターン
を有する。変換器は互いに音響的に結合するように圧電
体基盤の研磨された表面上に配置される。変換器のパタ
ーンは、金属のストリップから構成され、これは圧電効
果を使って電気信号と音響信号とを結合する。変換器の
パターンは金属ストリップおよびサミング・バス（ｓｕ
ｍｍｉｎｇ ｂｕｓｓｅｓ）から構成され、金属スト
リップは圧電効果を利用して電気信号と音響信号とを結
び付ける。サミング・バスはフィルタ機能を形成するた
めにストリップを結合し、また外部とストリップとを電
気的に結合する役割を果たす。ＳＡＷデバイスの金属ス
トリップが直接外部環境下に置かれると、汚染あるいは
侵食される。金属ストリップを保護膜で包含し、ＳＡＷ
デバイスを保護する試みが為されているが、これら金属
ストリップと電気的結合を作るところに問題がある。理
由は金属ストリップと電気的に結合させるために、保護
膜に穴を形成する必要があり、保護物質の穴によって金
属ストリップが侵食されあるいは腐食するようになるか
らである。保護材料中の穴によって、金属ストリップを
腐食し汚染する環境を与えることになる。従来の保護方
法では保護膜下の回路とＤＣ結合を形成するために、保
護膜を通じてエッチングされた穴が形成されていた。汚
染物質は、音響エネルギを吸収することにより又は変換
器の金属被覆部分と化学反応することによりＳＡＷデバ
イスの特性に影響を及ぼす。
【０００３】従って本発明は、化学的侵食から保護され
、製造および実装することが容易なＳＡＷデバイスを提
供することを目的とする。
、製造および実装することが容易なＳＡＷデバイスを提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的により、保
護膜を通じて入出力信号の容量性結合を利用する、ＳＡ
Ｗデバイスを保護する新規な技術が示される。
護膜を通じて入出力信号の容量性結合を利用する、ＳＡ
Ｗデバイスを保護する新規な技術が示される。
【０００５】表面弾性波デバイスを連結する保護装置は
電極構造を有する基盤を包含し、ＳＡＷ変換器をも包含
する。ＳＡＷ変換器は、表面弾性波を作り出すために基
盤に結合される。
電極構造を有する基盤を包含し、ＳＡＷ変換器をも包含
する。ＳＡＷ変換器は、表面弾性波を作り出すために基
盤に結合される。
【０００６】その保護装置はさらに、基盤を被覆する所
定の厚さの保護膜を有し、その基盤は電極構造およびＳ
ＡＷ変換器を有する。そして、ＡＣカップリングが形成
される。そのＡＣカップリングは保護膜上であって電極
構造上に配置される。こうして信号とＳＡＷ基盤の電極
構造との間にＡＣカップリングが形成される。
定の厚さの保護膜を有し、その基盤は電極構造およびＳ
ＡＷ変換器を有する。そして、ＡＣカップリングが形成
される。そのＡＣカップリングは保護膜上であって電極
構造上に配置される。こうして信号とＳＡＷ基盤の電極
構造との間にＡＣカップリングが形成される。
【０００７】本発明の上記および他の目的、特徴そして
利点は以下の詳細な説明および添附した図面からよく理
解されるであろう。
利点は以下の詳細な説明および添附した図面からよく理
解されるであろう。
【０００８】
【実施例】図１は圧電基盤２０上にすだれ状電極を有す
る変換器３０，４０を有するＳＡＷデバイス１０の斜視
図である。ここでは２つの変換器が示されているが、本
発明は２つのＳＡＷ変換器のみの配置に制限されない。 圧電基盤２０は圧電半導体物質等の基盤でもよい。圧電
基盤はリチウム・ニオブ酸塩，リチウム・タンタル酸塩
，石英から成り、他の適当な材料であってもよい。圧電
半導体基盤は、酸化亜鉛，窒化アルミニウム等の物質か
ら成る。変換器３０は、バス・バー１３１，１３６と共
に、クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５から構成さ
れ、そのバス・バー１３１，１３６はクシ型電極１３０
，１３５をそれぞれ接続している。変換器４０は、バス
・バー１４１，１４６と共に、クシ状に入り組んだ電極
１４０，１４５から構成され、そのバス・バー１４１，
１４６はクシ型電極１４０，１４５をそれぞれ接続して
いる。電極１３０，１３５，１４０，１４５、バス・バ
ー１３１，１３６，１４１，１４６は、アルミニウムの
ような適した金属から成る。
る変換器３０，４０を有するＳＡＷデバイス１０の斜視
図である。ここでは２つの変換器が示されているが、本
発明は２つのＳＡＷ変換器のみの配置に制限されない。 圧電基盤２０は圧電半導体物質等の基盤でもよい。圧電
基盤はリチウム・ニオブ酸塩，リチウム・タンタル酸塩
，石英から成り、他の適当な材料であってもよい。圧電
半導体基盤は、酸化亜鉛，窒化アルミニウム等の物質か
ら成る。変換器３０は、バス・バー１３１，１３６と共
に、クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５から構成さ
れ、そのバス・バー１３１，１３６はクシ型電極１３０
，１３５をそれぞれ接続している。変換器４０は、バス
・バー１４１，１４６と共に、クシ状に入り組んだ電極
１４０，１４５から構成され、そのバス・バー１４１，
１４６はクシ型電極１４０，１４５をそれぞれ接続して
いる。電極１３０，１３５，１４０，１４５、バス・バ
ー１３１，１３６，１４１，１４６は、アルミニウムの
ような適した金属から成る。
【０００９】通常の使用では、変換器３０はバス・バー
１３１，１３６と電気的に結合した外部電圧原９０によ
る電気的な刺激に応答して、音響波を基盤２０の表面に
沿ってｘ方向に放出する。基盤２０は、２つの変換器３
０，４０と音響波を通じて結合している。変換器４０は
、変換器３０から放出された音響波に応答して、バス・
バー１４１，１４６から電気信号を導出し、その電気信
号と外部負荷９５とを結び付ける。
１３１，１３６と電気的に結合した外部電圧原９０によ
る電気的な刺激に応答して、音響波を基盤２０の表面に
沿ってｘ方向に放出する。基盤２０は、２つの変換器３
０，４０と音響波を通じて結合している。変換器４０は
、変換器３０から放出された音響波に応答して、バス・
バー１４１，１４６から電気信号を導出し、その電気信
号と外部負荷９５とを結び付ける。
【００１０】音響吸収体５０，６０は、室温加硫したシ
リコーン・ゴムのような粘性物質から成り、基盤２０の
端による不要な音響信号の反射を抑制するように配置さ
れる。もしその反射を抑制できなければ、不要なスプリ
アス出力信号を生ずることになる。外部負荷９５および
ソース９０との相互結線は一般にはワイヤが用いられ、
図２においてはバス・バー１３１，１３６，１４１，１
４６と結合するワイヤ１５０のようなものであるが、他
の相互結線手段でもよい。
リコーン・ゴムのような粘性物質から成り、基盤２０の
端による不要な音響信号の反射を抑制するように配置さ
れる。もしその反射を抑制できなければ、不要なスプリ
アス出力信号を生ずることになる。外部負荷９５および
ソース９０との相互結線は一般にはワイヤが用いられ、
図２においてはバス・バー１３１，１３６，１４１，１
４６と結合するワイヤ１５０のようなものであるが、他
の相互結線手段でもよい。
【００１１】図２は、基盤２０の表面上であってＳＡＷ
変換器３０，４０上に配置された誘電体保護膜１１０を
有するＳＡＷデバイス１０の断面図である。誘電体保護
膜１１０は水素添加された窒化シリコン層を有する。水
素添加された窒化シリコン層はプラズマ強化化学蒸着法
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）により堆積される。ＳＡＷデバイス１０はまた
上部にメタライズされたキャパシタ電極１２０を有し、
ＳＡＷ変換器バス・バー１３１，１３６，１４１，１４
６と容量的に結合する。外部の電気回路との接続は上側
のキャパシタ電極１２０を用いてＡＣカップリングする
ことにより為される。この外部との接続は例えば通常の
ワイヤボンディングの技術等により行なわれる。
変換器３０，４０上に配置された誘電体保護膜１１０を
有するＳＡＷデバイス１０の断面図である。誘電体保護
膜１１０は水素添加された窒化シリコン層を有する。水
素添加された窒化シリコン層はプラズマ強化化学蒸着法
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）により堆積される。ＳＡＷデバイス１０はまた
上部にメタライズされたキャパシタ電極１２０を有し、
ＳＡＷ変換器バス・バー１３１，１３６，１４１，１４
６と容量的に結合する。外部の電気回路との接続は上側
のキャパシタ電極１２０を用いてＡＣカップリングする
ことにより為される。この外部との接続は例えば通常の
ワイヤボンディングの技術等により行なわれる。
【００１２】誘電体膜１１０はこうして従来技術とは違
って完全にＳＡＷ変換器３０，４０の金属被覆された領
域すべてを覆いつくす。ＳＡＷデバイスは数ギガヘルツ
までのＲＦ信号に対して動作する。信号は図２に示すよ
うな誘電体保護膜１１０を通じてＳＡＷ変換器の内外を
結合する。ＡＣカップリングする際の結合容量Ｃｃは、
図２においては近似的に次式で表される。
って完全にＳＡＷ変換器３０，４０の金属被覆された領
域すべてを覆いつくす。ＳＡＷデバイスは数ギガヘルツ
までのＲＦ信号に対して動作する。信号は図２に示すよ
うな誘電体保護膜１１０を通じてＳＡＷ変換器の内外を
結合する。ＡＣカップリングする際の結合容量Ｃｃは、
図２においては近似的に次式で表される。
【００１３】Ｃｃ＝εｒε０Ａ／ｄここでεｒは保護膜
の比誘電率、ε０は真空の誘電率、Ａはワイヤが接続さ
れている電極とカップリングしている電極との間の平行
な領域の面積そしてｄは保護膜の厚さである。
の比誘電率、ε０は真空の誘電率、Ａはワイヤが接続さ
れている電極とカップリングしている電極との間の平行
な領域の面積そしてｄは保護膜の厚さである。
【００１４】本発明が教示する装置および方法の他の実
施例を以下に述べる。 （１） 請求項１に記載された前記保護手段には誘電
体膜手段が含まれるＳＡＷデバイスを保護する装置。 （２） 請求項１に記載された前記基盤手段には圧電
手段が含まれるＳＡＷデバイスを保護する装置。 （３） 請求項１に記載された前記電極手段はメタラ
イズされた電極を有するＳＡＷデバイスを保護する装置
。 （４） 請求項１に記載された前記ＡＣカップリング
手段は第２電極手段を含むＳＡＷデバイスを保護する装
置。 （５） （４）に記載された前記第２電極手段はメタ
ライズされた電極を有するＳＡＷデバイスを保護する装
置。 （６） （４）に記載された前記ＡＣカップリング手
段は第２電極手段に結合されたワイヤボンディング手段
をさらに含み、前記ワイヤボンディング手段は電極信号
をＳＡＷデバイスに与えるＳＡＷデバイスを保護する装
置。 （７） （１）に記載された前記誘電体膜手段は水素
添加された窒化シリコン膜を有するＳＡＷデバイスを保
護する装置。 （８） 請求項２に記載されたＡＣカップリングの前
記工程は第１電極から出る電気信号に応答して、ＳＡＷ
変換器により表面弾性波を発生する工程を含むＳＡＷデ
バイスを保護する方法。 （９） 請求項２に記載された保護膜を堆積する前記
工程は基盤とＳＡＷ変換器とを誘電体膜で被覆する工程
を含むＳＡＷデバイスを保護する方法。 （１０） （９）に記載された誘電体膜を通じて、第
１電極と第２電極との間で容量性カップリングを形成す
る工程を含むＳＡＷデバイスを保護する方法。 （１１） （９）に記載された基盤とＳＡＷ変換器と
を被覆する工程は、プラズマ強化化学蒸着法（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で
水素添加された窒化シリコン膜を堆積する工程を含むＳ
ＡＷデバイスを保護する方法。 （１２） 請求項３に記載された前記保護手段には誘
電体膜手段が含まれる半導体デバイスを保護する装置。 （１３） 請求項３に記載された前記電極手段はメタ
ライズされた電極を有する半導体デバイスを保護する装
置。 （１４） 請求項３に記載された前記ＡＣカップリン
グ手段は第２電極手段を含む半導体デバイスを保護する
装置。 （１５） 請求項３に記載された前記第２電極手段は
メタライズされた電極を有する半導体デバイスを保護す
る装置。 （１６） （１５）に記載された前記ＡＣカップリン
グ手段は第２電極手段と結合されたワイヤボンディング
手段をさらに含み、前記ワイヤボンディング手段は電極
信号を半導体デバイスに与える半導体デバイスを保護す
る装置。 （１７） （１２）に記載された前記誘電体手段は水
素添加された窒化シリコン膜を有する半導体デバイスを
保護する装置。 （１８） 前記保護膜の特定の厚さｄは、近似的に次
式で表されるＳＡＷデバイスを保護する装置。
施例を以下に述べる。 （１） 請求項１に記載された前記保護手段には誘電
体膜手段が含まれるＳＡＷデバイスを保護する装置。 （２） 請求項１に記載された前記基盤手段には圧電
手段が含まれるＳＡＷデバイスを保護する装置。 （３） 請求項１に記載された前記電極手段はメタラ
イズされた電極を有するＳＡＷデバイスを保護する装置
。 （４） 請求項１に記載された前記ＡＣカップリング
手段は第２電極手段を含むＳＡＷデバイスを保護する装
置。 （５） （４）に記載された前記第２電極手段はメタ
ライズされた電極を有するＳＡＷデバイスを保護する装
置。 （６） （４）に記載された前記ＡＣカップリング手
段は第２電極手段に結合されたワイヤボンディング手段
をさらに含み、前記ワイヤボンディング手段は電極信号
をＳＡＷデバイスに与えるＳＡＷデバイスを保護する装
置。 （７） （１）に記載された前記誘電体膜手段は水素
添加された窒化シリコン膜を有するＳＡＷデバイスを保
護する装置。 （８） 請求項２に記載されたＡＣカップリングの前
記工程は第１電極から出る電気信号に応答して、ＳＡＷ
変換器により表面弾性波を発生する工程を含むＳＡＷデ
バイスを保護する方法。 （９） 請求項２に記載された保護膜を堆積する前記
工程は基盤とＳＡＷ変換器とを誘電体膜で被覆する工程
を含むＳＡＷデバイスを保護する方法。 （１０） （９）に記載された誘電体膜を通じて、第
１電極と第２電極との間で容量性カップリングを形成す
る工程を含むＳＡＷデバイスを保護する方法。 （１１） （９）に記載された基盤とＳＡＷ変換器と
を被覆する工程は、プラズマ強化化学蒸着法（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で
水素添加された窒化シリコン膜を堆積する工程を含むＳ
ＡＷデバイスを保護する方法。 （１２） 請求項３に記載された前記保護手段には誘
電体膜手段が含まれる半導体デバイスを保護する装置。 （１３） 請求項３に記載された前記電極手段はメタ
ライズされた電極を有する半導体デバイスを保護する装
置。 （１４） 請求項３に記載された前記ＡＣカップリン
グ手段は第２電極手段を含む半導体デバイスを保護する
装置。 （１５） 請求項３に記載された前記第２電極手段は
メタライズされた電極を有する半導体デバイスを保護す
る装置。 （１６） （１５）に記載された前記ＡＣカップリン
グ手段は第２電極手段と結合されたワイヤボンディング
手段をさらに含み、前記ワイヤボンディング手段は電極
信号を半導体デバイスに与える半導体デバイスを保護す
る装置。 （１７） （１２）に記載された前記誘電体手段は水
素添加された窒化シリコン膜を有する半導体デバイスを
保護する装置。 （１８） 前記保護膜の特定の厚さｄは、近似的に次
式で表されるＳＡＷデバイスを保護する装置。
【００１５】ｄ＝εｒε０Ａ／Ｃｃ
ここでεｒは保護膜の比誘電率、ε０は真空の誘電率、
Ａはワイヤが接続されている電極とカップリングしてい
る電極との間の平行な領域の面積そしてＣｃは結合容量
である。 （１９） 保護膜を堆積する工程は近似的に次式で表
される特定の厚さｄまで堆積する工程を含むＳＡＷデバ
イスを保護する方法。
Ａはワイヤが接続されている電極とカップリングしてい
る電極との間の平行な領域の面積そしてＣｃは結合容量
である。 （１９） 保護膜を堆積する工程は近似的に次式で表
される特定の厚さｄまで堆積する工程を含むＳＡＷデバ
イスを保護する方法。
【００１６】ｄ＝εｒε０Ａ／Ｃｃ
ここでεｒは保護膜の比誘電率、ε０は真空の誘電率、
Ａはワイヤが接続されている電極とカップリングしてい
る電極との間の平行な領域の面積そしてＣｃは結合容量
である。
Ａはワイヤが接続されている電極とカップリングしてい
る電極との間の平行な領域の面積そしてＣｃは結合容量
である。
【００１７】これまで本発明の好適実施例を詳細に記述
してきたが、本発明の精神または特許請求の範囲から逸
脱することなく様々な改良が為されうることは、当業者
にとって明かであろう。
してきたが、本発明の精神または特許請求の範囲から逸
脱することなく様々な改良が為されうることは、当業者
にとって明かであろう。
【００１８】
【発明の効果】本発明による、削り取られた穴がないこ
とはＳＡＷ変換器の金属被覆を化学的侵食あるいは製造
過程でのデバイスの取り扱いによるキズや汚染から完全
に保護する。さらに容量性カップリング技術は、ＳＡＷ
変換器に使用する金属と外部接続用の金属との間の接触
をなくすことができる。これらの金属はしばしば異なる
ものが使用され、異なる金属同士の接触はそのような相
互結線の金属損傷の原因となる。保護膜による上記ＡＣ
カップリング技術は、半導体デバイスにも応用できる。
とはＳＡＷ変換器の金属被覆を化学的侵食あるいは製造
過程でのデバイスの取り扱いによるキズや汚染から完全
に保護する。さらに容量性カップリング技術は、ＳＡＷ
変換器に使用する金属と外部接続用の金属との間の接触
をなくすことができる。これらの金属はしばしば異なる
ものが使用され、異なる金属同士の接触はそのような相
互結線の金属損傷の原因となる。保護膜による上記ＡＣ
カップリング技術は、半導体デバイスにも応用できる。
【図１】表面弾性波デバイスの平面図を示す。
【図２】保護されているＳＡＷデバイスの断面図を示す
。
。
１１０ 誘電体保護膜
１２０ キャパシタ電極
１３１ 電極
１３６ 電極
１５０ ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 電極手段（１３０，１３１，１３５，
１３６，１４０，１４１，１４５，１４６）を有する基
盤手段（２０）；表面弾性波を発生させるために前記基
盤手段（２０）に結合されたＳＡＷ変換器手段（３０，
４０）；前記ＳＡＷ変換器手段（３０，４０）および前
記基盤手段（２０）を特定の厚さで被覆する保護手段（
１１０）；および前記保護手段（１１０）上かつ前記Ｓ
ＡＷ変換器手段（３０，４０）の前記電極手段（１３１
，１３６，１４１，１４６）上に配置され、前記電極手
段（１３１，１３６，１４１，１４６）に信号を結合す
るＡＣカップリング手段（１２０）；から構成されるこ
とを特徴とする表面弾性波デバイス（１０）を保護する
装置。 - 【請求項２】 第１電極（１３０，１３１，１３５，
１３６，１４０，１４１，１４５，１４６）を有する圧
電基盤（２０）を準備する工程；ＳＡＷ変換器（３０，
４０）を前記基盤（２０）に結合する工程；前記基盤（
２０）およびＳＡＷ変換器（３０，４０）を特定の厚さ
で被覆する保護膜（１１０）を堆積する工程；保護膜（
１１０）上かつ前記第１電極（１３１，１３６，１４１
，１４６）上に配置された第２電極（１２０）を準備す
る工程；および前記第２電極（１２０）を通じて電気信
号を前記第１電極（１３１，１３６，１４１，１４６）
にＡＣカップリングする工程；から構成されることを特
徴とする表面弾性波デバイス（１０）を保護する方法。 - 【請求項３】 電極手段（１３０，１３５，１４０，
１４５）を有する半導体手段（２０）；前記半導体手段
（２０）を特定の厚さで被覆する保護手段（１１０）；
および前記電極手段（１３１，１３６，１４１，１４６
）に電気信号を結び付けるために前記保護手段（１１０
）上に配置され、かつ前記半導体手段（２０）の前記電
極手段（１３１，１３６，１４１，１４６）上に配置さ
れたＡＣカップリング手段（１２０）；から構成される
ことを特徴とする表面弾性波デバイス（１０）を保護す
る装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57718190A | 1990-09-04 | 1990-09-04 | |
| US577181 | 1990-09-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234798A true JPH04234798A (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=24307604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24646491A Pending JPH04234798A (ja) | 1990-09-04 | 1991-09-02 | Ｓａｗデバイスを保護する方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0475139A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04234798A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042704A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave element and surface acoustic wave device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19548046C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen |
| DE19548051A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement - |
| US6093222A (en) * | 1996-04-04 | 2000-07-25 | Ck Witco Corporation | Diesel fuel antifoam composition |
| GB2349465A (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-01 | Transense Technologies Plc | Thin film SAW strain gauge |
| CN113615082B (zh) * | 2019-04-05 | 2025-08-29 | 华为技术有限公司 | Saw器件及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674790A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Bill discriminator |
| JPS57112124A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Fujitsu Ltd | Surface acoustic wave filter |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2938542C2 (de) * | 1979-09-24 | 1984-10-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Signalzuführungsanordnung für ein Oberflächenwellen-Bauteil |
| US4450374A (en) * | 1982-05-27 | 1984-05-22 | Motorola Inc. | Oxygen-plasma passivated and low scatter acoustic wave devices |
-
1991
- 1991-08-22 EP EP19910114035 patent/EP0475139A3/en not_active Withdrawn
- 1991-09-02 JP JP24646491A patent/JPH04234798A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674790A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Bill discriminator |
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|---|---|---|---|---|
| WO2000042704A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave element and surface acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0475139A2 (en) | 1992-03-18 |
| EP0475139A3 (en) | 1992-03-25 |
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