JPH0423479A - レーザー装置 - Google Patents
レーザー装置Info
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- JPH0423479A JPH0423479A JP12877190A JP12877190A JPH0423479A JP H0423479 A JPH0423479 A JP H0423479A JP 12877190 A JP12877190 A JP 12877190A JP 12877190 A JP12877190 A JP 12877190A JP H0423479 A JPH0423479 A JP H0423479A
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- quartz glass
- glass tube
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Links
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、エネルギー効率の高いレーザー装置に関する
。
。
[従来の技術]
Nd: YAGレーザーの場合、キセノンフラッシュ
ランプを励起光源とし、集光反射鏡でレーザー媒質であ
るYAGロッドに光を照射し、ミラー系からなる共振器
でレーザー発振をさせている。
ランプを励起光源とし、集光反射鏡でレーザー媒質であ
るYAGロッドに光を照射し、ミラー系からなる共振器
でレーザー発振をさせている。
キセノンランプが高熱を発するため、ランプとYAGロ
ッドを石英管で囲み、冷却水を循環させている。
ッドを石英管で囲み、冷却水を循環させている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、Nd: YAGは720〜830nmの励起光
に対してのみレーザー遷移を行うが、キセノンランプの
発光スペクトルは、全波長域でほぼフラットである。7
20nmより短波長の光はロッドの劣化原因に、830
nmより長波長の光は発熱源となり、エネルギーの大き
な損失となっている。
に対してのみレーザー遷移を行うが、キセノンランプの
発光スペクトルは、全波長域でほぼフラットである。7
20nmより短波長の光はロッドの劣化原因に、830
nmより長波長の光は発熱源となり、エネルギーの大き
な損失となっている。
本発明は励起光源の発光スペクトルを変化させることに
より、エネルギー効率を上げ、レーザー媒質の劣化を防
ぐことを目的としている。また、エネルギー効率の向上
は、励起光源の寿命を延ばすことにもなる。
より、エネルギー効率を上げ、レーザー媒質の劣化を防
ぐことを目的としている。また、エネルギー効率の向上
は、励起光源の寿命を延ばすことにもなる。
[課題を解決するための手段]
本発明は、励起光源、レーザー媒質、共振器から構成さ
れるレーザー装置において、励起光源とレーザー媒質の
少なくとも一方を、ドープト石英ガラス管で囲むことを
特徴とする。
れるレーザー装置において、励起光源とレーザー媒質の
少なくとも一方を、ドープト石英ガラス管で囲むことを
特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
[実施例]
実施例I
Nd: YAGレーザー装置の断面構造の概念を表す
図を、第1図に示す。YAGロッド1を石英ガラス管4
で囲み、冷却水6を流した。一方キセノンフラッシュラ
ンプ2をクロムをドープした石英ガラス管5(例えば特
開昭6O−76933)で囲み冷却水を流した。
図を、第1図に示す。YAGロッド1を石英ガラス管4
で囲み、冷却水6を流した。一方キセノンフラッシュラ
ンプ2をクロムをドープした石英ガラス管5(例えば特
開昭6O−76933)で囲み冷却水を流した。
クロムをドープした石英ガラスは400〜600nmの
波長の光を吸収し、600〜850nmの波長域で発光
する。キセノンフラッシュランプから出射した光は、ク
ロムをドープした石英ガラス管を通過することにより、
600nmより短波長の光がカットされ、600〜85
0nmの波長域の輝度が倍増した。
波長の光を吸収し、600〜850nmの波長域で発光
する。キセノンフラッシュランプから出射した光は、ク
ロムをドープした石英ガラス管を通過することにより、
600nmより短波長の光がカットされ、600〜85
0nmの波長域の輝度が倍増した。
このように波長変換した光を、集光反射鏡3でNd:
YAGロッドに照射し、共振器でレーザー光を取り出
したところ、レーザーの出射強度は従来のほぼ2倍とな
った。また長時間使用しても、YAGロッドおよびクロ
ムをドープした石英ガラス管には、ソーラリゼーション
による劣化が発生せず、レーザー特性に変化は認められ
なかった。
YAGロッドに照射し、共振器でレーザー光を取り出
したところ、レーザーの出射強度は従来のほぼ2倍とな
った。また長時間使用しても、YAGロッドおよびクロ
ムをドープした石英ガラス管には、ソーラリゼーション
による劣化が発生せず、レーザー特性に変化は認められ
なかった。
実施例2
アレキサンドライト(cr: BeA120a)ロッ
ドを、セリウムをドープした石英ガラス管で囲み、冷却
水を流した。一方キセノンフラッシュランプを石英管で
囲み、冷却水を流した。
ドを、セリウムをドープした石英ガラス管で囲み、冷却
水を流した。一方キセノンフラッシュランプを石英管で
囲み、冷却水を流した。
セリウムをドープした石英ガラスは、200〜300n
mの紫外線を吸収し、350〜550nmの波長域で発
光する。アレキサンドライトレーザーは、400〜65
0nmの励起光を吸収し、700〜818nmの波長可
変レーザー発振を起こす。
mの紫外線を吸収し、350〜550nmの波長域で発
光する。アレキサンドライトレーザーは、400〜65
0nmの励起光を吸収し、700〜818nmの波長可
変レーザー発振を起こす。
クリプトンフラッシュランプの出射光が集光反射鏡で反
射され、セリウムをドープした石英ガラスを通過すると
、300nmより短波長の光がカットされ、350〜5
00nmの波長域の輝度が倍増した。このように波長変
換した光をアレキサンドライトロッドに照射し、共振器
でレーザーを取り出したところ、レーザーの出射強度は
従来のほぼ2倍となった。
射され、セリウムをドープした石英ガラスを通過すると
、300nmより短波長の光がカットされ、350〜5
00nmの波長域の輝度が倍増した。このように波長変
換した光をアレキサンドライトロッドに照射し、共振器
でレーザーを取り出したところ、レーザーの出射強度は
従来のほぼ2倍となった。
実施例3
Nd: YAGロッドを、クロムをドープした石英ガ
ラス管で囲み、冷却水を流した。一方キセノンフラッシ
ュランプを、セリウムをドープした石英ガラス管で囲み
、冷却水を流した。
ラス管で囲み、冷却水を流した。一方キセノンフラッシ
ュランプを、セリウムをドープした石英ガラス管で囲み
、冷却水を流した。
キセノンフラッシュランプの出射光が、セリウムをドー
プした石英ガラス管、続いてクロムをドープした石英管
を通過すると、600nmより短波長の光がカットされ
、600〜850nmの波長の光が約3倍の強度になっ
た。このように波長変換した光をNd: YAGロッド
に照射し、共振器でレーザーを取り出したところ、レー
ザーの出射強度は従来の3倍近くに増加した。
プした石英ガラス管、続いてクロムをドープした石英管
を通過すると、600nmより短波長の光がカットされ
、600〜850nmの波長の光が約3倍の強度になっ
た。このように波長変換した光をNd: YAGロッド
に照射し、共振器でレーザーを取り出したところ、レー
ザーの出射強度は従来の3倍近くに増加した。
実施例4
Ndr YAGロッドを、セリウムとクロムを共ドー
プした石英ガラス管で囲み、冷却水を流した。
プした石英ガラス管で囲み、冷却水を流した。
一方キセノンフラッシュランプを、石英ガラス管で囲み
、冷却水を流した。
、冷却水を流した。
キセノンフラッシュランプの出射光が集光され、セリウ
ムとクロムを共ドープした石英管を通過すると、600
nmより短波長の光がカットされ、600〜850nm
の波長の光が約3倍の強度になった。このように波長変
換した光をNd: YAGロッドに照射し、共振器で
レーザーを取り出したところ、レーザーの出射強度は従
来の3倍近くに増加した。
ムとクロムを共ドープした石英管を通過すると、600
nmより短波長の光がカットされ、600〜850nm
の波長の光が約3倍の強度になった。このように波長変
換した光をNd: YAGロッドに照射し、共振器で
レーザーを取り出したところ、レーザーの出射強度は従
来の3倍近くに増加した。
実施例5
アレキサンドライトレーザ装置の断面構造の概念を表す
図を、第2図に示す。アレキサンドライトロッド11及
びキセノンフラッシュランプ12を、セリウムをドープ
した石英ガラス管14で囲み、冷却水15を流した。
図を、第2図に示す。アレキサンドライトロッド11及
びキセノンフラッシュランプ12を、セリウムをドープ
した石英ガラス管14で囲み、冷却水15を流した。
キセノンランプを出射した光は、セリウムをドープした
石英ガラス管で波長変換され、集光反射鏡13でアレキ
サンドライトロッドに集光される。
石英ガラス管で波長変換され、集光反射鏡13でアレキ
サンドライトロッドに集光される。
共振器でレーザー光を取り出したところ、レーザーの出
射強度は従来のほぼ2倍となった。
射強度は従来のほぼ2倍となった。
また、レーザーの出射強度が従来並みになるよう、キセ
ノンランプの動作エネルギーを約半分にしたところ、ラ
ンプ寿命を10倍近く延ばすことができた。
ノンランプの動作エネルギーを約半分にしたところ、ラ
ンプ寿命を10倍近く延ばすことができた。
以上数種類のり−ザー装置について実施例を述べてきた
が、励起光源やレーザー媒質の種類に何ら限定されるこ
とはない。また、石英ガラスへのドーピング物質も種々
考えられる。
が、励起光源やレーザー媒質の種類に何ら限定されるこ
とはない。また、石英ガラスへのドーピング物質も種々
考えられる。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、励起光源、レーザー
媒質、共振器から構成されるレーザー装置において、励
起光源とレーザー媒質の少なくとも一方を、ドープト石
英ガラス管で囲むことにより、エネルギー効率を上げ、
レーザー媒質の劣化を防ぐことができた。また、エネル
ギー効率の向上により、励起光源の寿命を延ばすことが
できた。
媒質、共振器から構成されるレーザー装置において、励
起光源とレーザー媒質の少なくとも一方を、ドープト石
英ガラス管で囲むことにより、エネルギー効率を上げ、
レーザー媒質の劣化を防ぐことができた。また、エネル
ギー効率の向上により、励起光源の寿命を延ばすことが
できた。
第1図は本発明の実施例1における、Nd: YAG
レーザー装置の断面構造の概念を表す図である。第2図
は本発明の実施例5における、アレキサンドライトレー
ザー装置の断面構造の概念を表す図である。 YAGロッド キセノンフラッシュランプ 集光反射鏡 石英ガラス管 クロムをドープした石英ガラス管 冷却水 アレキサンドライトロッド キセノンフラッシュランプ 集光反射鏡 セリウムをドープした石英ガラス管 冷却水 以 上
レーザー装置の断面構造の概念を表す図である。第2図
は本発明の実施例5における、アレキサンドライトレー
ザー装置の断面構造の概念を表す図である。 YAGロッド キセノンフラッシュランプ 集光反射鏡 石英ガラス管 クロムをドープした石英ガラス管 冷却水 アレキサンドライトロッド キセノンフラッシュランプ 集光反射鏡 セリウムをドープした石英ガラス管 冷却水 以 上
Claims (1)
- 励起光源、レーザー媒質、共振器から構成されるレーザ
ー装置において、励起光源とレーザー媒質の少なくとも
一方を、ドープト石英ガラス管で囲むことを特徴とする
レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877190A JPH0423479A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877190A JPH0423479A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423479A true JPH0423479A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14993066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12877190A Pending JPH0423479A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0423479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008161269A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Hiroshi Ariyama | 衣服陳列兼物干し用ハンガー |
| WO2017204358A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP12877190A patent/JPH0423479A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008161269A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Hiroshi Ariyama | 衣服陳列兼物干し用ハンガー |
| WO2017204358A1 (ja) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体レーザ装置 |
| US10587088B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-03-10 | Fujifilm Corporation | Solid-state laser device |
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