JPH0423498A - 積層法セラミック多層配線基板 - Google Patents
積層法セラミック多層配線基板Info
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- JPH0423498A JPH0423498A JP12667990A JP12667990A JPH0423498A JP H0423498 A JPH0423498 A JP H0423498A JP 12667990 A JP12667990 A JP 12667990A JP 12667990 A JP12667990 A JP 12667990A JP H0423498 A JPH0423498 A JP H0423498A
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- Japan
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- wiring board
- ceramic
- pressure
- lamination
- multilayer wiring
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品を搭載するための積層法セラミック
多層配線基板の製造方法に関する。
多層配線基板の製造方法に関する。
セラミック配線基板は、信頼性が高い、配線の高密度化
が出来る等の長所があるため、半導体素子を搭載する回
路基板として用いられる。これに関するものは、日経エ
レクトロニクス、[85年6月17日、p251〜p2
66がある。
が出来る等の長所があるため、半導体素子を搭載する回
路基板として用いられる。これに関するものは、日経エ
レクトロニクス、[85年6月17日、p251〜p2
66がある。
セラミック配線基、板の製造方法は、オーム社、197
8年、エレクトロニクスの基礎と応用、P48〜P4□
9に述べられているように、セラミック粉末を有機樹脂
で結合し可続性のある薄板(以下グリーンシートという
)とし、貫通孔を加工をした後、配線導体材料である金
属粉末をペースト状としたものを用いて5貫通孔に充填
して配線パターンを形成する。続いて、このようにして
作製した配線パターン形成済グリーンシートi必要数積
み重ねた後、グリーンシート中の有機樹脂によって積み
重ねたグリーンシートが一体化するように温度と圧力を
加える。(積層工程) 次に、所定温度で、一体化した生セラミツク配線基板を
焼成することによって、セラミック配線基板とする。
8年、エレクトロニクスの基礎と応用、P48〜P4□
9に述べられているように、セラミック粉末を有機樹脂
で結合し可続性のある薄板(以下グリーンシートという
)とし、貫通孔を加工をした後、配線導体材料である金
属粉末をペースト状としたものを用いて5貫通孔に充填
して配線パターンを形成する。続いて、このようにして
作製した配線パターン形成済グリーンシートi必要数積
み重ねた後、グリーンシート中の有機樹脂によって積み
重ねたグリーンシートが一体化するように温度と圧力を
加える。(積層工程) 次に、所定温度で、一体化した生セラミツク配線基板を
焼成することによって、セラミック配線基板とする。
しかし、以下に述べるような理由によって、上記従来技
術では、増々大型化、高集積化する半導体素子を搭載す
ることが困難罠なってきた。
術では、増々大型化、高集積化する半導体素子を搭載す
ることが困難罠なってきた。
すなわち、半導体素子の大型化、高集積化に伴い、セラ
ミック配線基板と半導体素子との接続点数の増加および
接続点の微細化が進んだため、このような半導体素子を
搭載するセラミック配線基板に対し、よシ高い寸法精度
と、半導体素子搭載部分のよシ厳しい平坦性が要求され
るようになってきた。
ミック配線基板と半導体素子との接続点数の増加および
接続点の微細化が進んだため、このような半導体素子を
搭載するセラミック配線基板に対し、よシ高い寸法精度
と、半導体素子搭載部分のよシ厳しい平坦性が要求され
るようになってきた。
しかし、従来の製造法にたよっていたのでは、寸法精度
や平坦性を飛躍的に向上することは出来ない。
や平坦性を飛躍的に向上することは出来ない。
本発明の目的は、飛躍的に、寸法精度および平坦性が向
上したセラミック多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。
上したセラミック多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するだめの手段〕
上記目的を達成するために、本発明は積層工程における
グリーンシートの接着を従来の一軸プレスによる加熱・
加圧ではなく、液体を圧力媒体とした等方圧ブレス法で
加熱・加圧をする。
グリーンシートの接着を従来の一軸プレスによる加熱・
加圧ではなく、液体を圧力媒体とした等方圧ブレス法で
加熱・加圧をする。
すなわち、前述した従来技術の欠点である寸法精度、及
び、平担性が悪い原因は、積層工程を一軸プレスで行っ
ていることによる。−軸プレスでは、配線パターンを形
成したグリーンシートを積み重ねた後、離型用の有機フ
ィルムを介して、加熱した平板で押しつける事(第2図
)によって、グリーンシート間の接着が行なわれる。こ
の時、積層される側からみると、配線パターンが多く重
なった部分は全体の厚みが大きい。従って、平板チクリ
ーンシートラ積層する時にかかる圧力は、配、IIハタ
ーンが上、下方向に多く重なっている所はど、大きな圧
力がかかる。このため、積層した生セラミツク配線基板
では、配線パターンが多い所ではグリーンシートの密度
が高く、また、少ない所ではグリーンシートの密度が低
いという分布をもつ。
び、平担性が悪い原因は、積層工程を一軸プレスで行っ
ていることによる。−軸プレスでは、配線パターンを形
成したグリーンシートを積み重ねた後、離型用の有機フ
ィルムを介して、加熱した平板で押しつける事(第2図
)によって、グリーンシート間の接着が行なわれる。こ
の時、積層される側からみると、配線パターンが多く重
なった部分は全体の厚みが大きい。従って、平板チクリ
ーンシートラ積層する時にかかる圧力は、配、IIハタ
ーンが上、下方向に多く重なっている所はど、大きな圧
力がかかる。このため、積層した生セラミツク配線基板
では、配線パターンが多い所ではグリーンシートの密度
が高く、また、少ない所ではグリーンシートの密度が低
いという分布をもつ。
ところで、セラミック配線基板を焼成した時のセラミッ
ク部分の密度は、どの場所でも一定となる。セラミック
配線基板の焼成時の収縮率は、積層後の密度と、焼成後
の密度でほぼ一義的に決まるため、積層時の基板内のグ
リーンシートの密度ばらつきは、そのまま焼成時の収縮
率ばらつきとなって現われる。また、−軸プレスでは、
平板で押しているため、横方向(基板端面方向〕は、圧
力がかからないので、横方向に変形することも、寸法精
度を悪くする原因となっている。
ク部分の密度は、どの場所でも一定となる。セラミック
配線基板の焼成時の収縮率は、積層後の密度と、焼成後
の密度でほぼ一義的に決まるため、積層時の基板内のグ
リーンシートの密度ばらつきは、そのまま焼成時の収縮
率ばらつきとなって現われる。また、−軸プレスでは、
平板で押しているため、横方向(基板端面方向〕は、圧
力がかからないので、横方向に変形することも、寸法精
度を悪くする原因となっている。
このような収縮率ばらつきを、−軸プレスを用いたまま
改善する方法として、特開昭62−55659号公報が
ある。
改善する方法として、特開昭62−55659号公報が
ある。
これ忙対し、積層を液体を圧力媒体とする等方圧プレス
で行うと、積層するセラミック配線基板の配線パターン
の分布とは無関係に、すべての面に等しい圧力がかかる
。従って、積層後の基板内のグリーンシートの密度は、
どの部分でも同一となり、その結果、収縮率のばらつき
が大幅に小さくなる。
で行うと、積層するセラミック配線基板の配線パターン
の分布とは無関係に、すべての面に等しい圧力がかかる
。従って、積層後の基板内のグリーンシートの密度は、
どの部分でも同一となり、その結果、収縮率のばらつき
が大幅に小さくなる。
このように、収縮率のばらつきは改善されるが、どの部
分も同一の圧力を受けるため、積層後の基板厚さは、配
線パターンの多少によって厚い部分、薄い部分ができる
。従って、この状態で焼成を行うと表面の凹凸が多い基
板、すなわち、平担性の悪い基板となる。これを改善す
るには以下のようにすれば良い。
分も同一の圧力を受けるため、積層後の基板厚さは、配
線パターンの多少によって厚い部分、薄い部分ができる
。従って、この状態で焼成を行うと表面の凹凸が多い基
板、すなわち、平担性の悪い基板となる。これを改善す
るには以下のようにすれば良い。
セラミック配線基板は、日経エレクトロニクス、198
5第6月17日、p251icみられるように1上面に
半導体素子を搭載し、また、下面に入出力端子を接続す
る。平担性が要求されるのは、上面の半導体素子搭載面
であシ、下面の必要とする平担性は上面はど厳しくない
。従って、焼成後の基板として、半導体素子搭載側が平
担になっていれば、下面の平担性は特に問題とはならな
い。
5第6月17日、p251icみられるように1上面に
半導体素子を搭載し、また、下面に入出力端子を接続す
る。平担性が要求されるのは、上面の半導体素子搭載面
であシ、下面の必要とする平担性は上面はど厳しくない
。従って、焼成後の基板として、半導体素子搭載側が平
担になっていれば、下面の平担性は特に問題とはならな
い。
そのためには、等方圧プレスをする際に、焼成後に平担
としたい側に平板を当てて積層を行えば良い。こうする
ことによって、積層後の基板内のグリーンシート密度を
均一化でき、平坦な面を作ることができ、焼成後の基板
は、寸法精度が高く、かつ、平坦性の良いものが得られ
る。
としたい側に平板を当てて積層を行えば良い。こうする
ことによって、積層後の基板内のグリーンシート密度を
均一化でき、平坦な面を作ることができ、焼成後の基板
は、寸法精度が高く、かつ、平坦性の良いものが得られ
る。
なお、等方圧プレス時の積層ずれを防ぐため、−軸プレ
スで仮接着すると良い。この時の圧力は、等方圧プレス
時の最大圧力の80%以下が適当である。これ以上とす
ると、−軸プレス時のグリーンシート密度分布がそのま
ま残るため、寸法精度、および、平坦性はほとんど改善
されない。
スで仮接着すると良い。この時の圧力は、等方圧プレス
時の最大圧力の80%以下が適当である。これ以上とす
ると、−軸プレス時のグリーンシート密度分布がそのま
ま残るため、寸法精度、および、平坦性はほとんど改善
されない。
また、積層時の温度はグリーンシート中の有機樹脂が軟
化し、グリーンシートが接着するような温度まで上げる
必要がある。
化し、グリーンシートが接着するような温度まで上げる
必要がある。
さらに、上述の方法では、積層法で作るセラミック配線
基板すべてについて共通であシ、セラミック材料組成、
導体材料組成、有機樹脂組成とは無関係である。
基板すべてについて共通であシ、セラミック材料組成、
導体材料組成、有機樹脂組成とは無関係である。
本発明はグリーンシートラ積層して製造するセラミック
多層配線基板全体に共通するもので、アルミナ、ムライ
ト、ガラス等を含む任意の適当なセラミック材料が、適
当な有機結合剤及び結合剤のための溶媒と結合されたグ
リーンシートを用いて製造されるものに適用可能で配線
に用いられる金属材料は問わない。
多層配線基板全体に共通するもので、アルミナ、ムライ
ト、ガラス等を含む任意の適当なセラミック材料が、適
当な有機結合剤及び結合剤のための溶媒と結合されたグ
リーンシートを用いて製造されるものに適用可能で配線
に用いられる金属材料は問わない。
ここでは、実施例として、アルミナ系セラミック材料を
用いた、セラミック多層配線基板を製造する例について
述べる。
用いた、セラミック多層配線基板を製造する例について
述べる。
粒子径が数μm以下のアルミナ微粉末90wt%および
焼結助剤用のセラミック微粉末10wtL有機バインダ
としてポリビニルブチラールおよび樹脂の可塑剤をセラ
ミック粉末100gに対して、それぞれb 8g+’
gbさらに溶剤としてトリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン、ブチルアルコールから成るアゼオドロープ
をセラミック粉末100g当た。945g加え合わせ、
ボールミルで十分混合し、セラミック粉末が均一に分散
したスラリを作る。
焼結助剤用のセラミック微粉末10wtL有機バインダ
としてポリビニルブチラールおよび樹脂の可塑剤をセラ
ミック粉末100gに対して、それぞれb 8g+’
gbさらに溶剤としてトリクロルエチレン、テトラクロ
ルエチレン、ブチルアルコールから成るアゼオドロープ
をセラミック粉末100g当た。945g加え合わせ、
ボールミルで十分混合し、セラミック粉末が均一に分散
したスラリを作る。
続いて、攪拌しながら低圧で脱気し、スラリ内の気泡を
除去した後、スラリをドクタプレイド製キャスティング
装置を用いて薄板化し、厚さ1125■のグリーンシー
トを作製した。
除去した後、スラリをドクタプレイド製キャスティング
装置を用いて薄板化し、厚さ1125■のグリーンシー
トを作製した。
このようにして作製したグリーンシートを外形切断し、
203角とする。さらに、超硬製のポンチをもつ打抜金
型を用いて上、下問の配線の導通管とるだめの貫通孔を
穿設した。
203角とする。さらに、超硬製のポンチをもつ打抜金
型を用いて上、下問の配線の導通管とるだめの貫通孔を
穿設した。
次に、配線パターン形成用のタングステンペーストの作
製法について説明する。
製法について説明する。
平均粒径が1〜2μmのタングステン微粉末を8085
有機バインダとしてエチルセルロースを381有機溶剤
としてジエチレングリコールヲ17g加え合わせ、らい
かい機および三本ロールで混練した後、ブチルカルピト
ールアセテートを加えて粘度調整をする。
有機バインダとしてエチルセルロースを381有機溶剤
としてジエチレングリコールヲ17g加え合わせ、らい
かい機および三本ロールで混練した後、ブチルカルピト
ールアセテートを加えて粘度調整をする。
続いて、スクリーン印刷法によシ、タングステンペース
トを用い、貫通孔を加工したグリーンシートのその貫通
孔にペーストラ充填するとともに、グリーンシート上に
配線パターンを形成する。このようにして、積層される
各グリーンシートにはそれぞれ表裏面および内層の配線
パターンがペーストによシ印刷形成される。
トを用い、貫通孔を加工したグリーンシートのその貫通
孔にペーストラ充填するとともに、グリーンシート上に
配線パターンを形成する。このようにして、積層される
各グリーンシートにはそれぞれ表裏面および内層の配線
パターンがペーストによシ印刷形成される。
続いて、各グリーンシートを積み重ねて接着を行う。
積層は以下の手順で行う。
始めに、グリーンシート上、下問の電気的接続が十分に
行なわれるように、位置決めしながら、所定のグリーン
シートを積み重ねる。続いて、ポリエステル等の有機フ
ィルムを介して、−軸プレスを用い、温度=120℃、
積層圧カニ70Kf/6Iで、積み重ねたグリーンシー
ト間を仮接着する。
行なわれるように、位置決めしながら、所定のグリーン
シートを積み重ねる。続いて、ポリエステル等の有機フ
ィルムを介して、−軸プレスを用い、温度=120℃、
積層圧カニ70Kf/6Iで、積み重ねたグリーンシー
ト間を仮接着する。
続いて、仮接着を終えた焼成前セラミック配線基板をポ
リエステル等の有機フィルムではさんだ後、一方の側に
金属、または、カーボン等の平板を当てたまま、ポリエ
ステル等の有機フィルムで真空バックする。このように
して、真空パックしたセラミック配線基板を、120’
cに加熱したシリコンオイル中、100Ky/−で加圧
(等方圧プレス)し、積層を行った。積層を終えた焼成
前のセラミック配線基板の断面を第1図に示す。
リエステル等の有機フィルムではさんだ後、一方の側に
金属、または、カーボン等の平板を当てたまま、ポリエ
ステル等の有機フィルムで真空バックする。このように
して、真空パックしたセラミック配線基板を、120’
cに加熱したシリコンオイル中、100Ky/−で加圧
(等方圧プレス)し、積層を行った。積層を終えた焼成
前のセラミック配線基板の断面を第1図に示す。
次に、積層接着を終えたグリーンシート積層体である焼
成前のセラミック多層配線基板の焼成を行う。焼成は、
モリブデンを発熱体とする箱型電気炉を用い、窒素、水
素、水蒸気の混合ガス雰囲気中で、1600℃まで昇温
した。
成前のセラミック多層配線基板の焼成を行う。焼成は、
モリブデンを発熱体とする箱型電気炉を用い、窒素、水
素、水蒸気の混合ガス雰囲気中で、1600℃まで昇温
した。
焼成が終了後、セラミック多層配線基板の、基板内での
寸法精度、および、表面粗さの測定を行った。なお焼成
後の基板寸法は、約180X180X10G、、)であ
る。
寸法精度、および、表面粗さの測定を行った。なお焼成
後の基板寸法は、約180X180X10G、、)であ
る。
〈比較例1〉
比較例1で実施例1と異なる点は、グリーンシート間の
接着を一軸プレスのみで行った点で、その他は実施例1
と同様の方法でセラミック多層配線基板を作製した。−
軸ブレスでのグリーンシートの接着条件は、温度=12
0℃、積層圧力=100に9/、、Jで行った。積層を
終えた、焼成前のセラミック配線基板の断面を第3図に
示す。
接着を一軸プレスのみで行った点で、その他は実施例1
と同様の方法でセラミック多層配線基板を作製した。−
軸ブレスでのグリーンシートの接着条件は、温度=12
0℃、積層圧力=100に9/、、Jで行った。積層を
終えた、焼成前のセラミック配線基板の断面を第3図に
示す。
く比較例2〉
比較例2で実施例1と異なる点は、等方圧プレスを行う
際に、平板無しで等方圧プレスを行う点であシ、その他
は実施例1と同様の方法でセラミック配線基板を作製し
た。積層を終えた、焼成前のセラミック配線基板の断面
を第4図に示す。
際に、平板無しで等方圧プレスを行う点であシ、その他
は実施例1と同様の方法でセラミック配線基板を作製し
た。積層を終えた、焼成前のセラミック配線基板の断面
を第4図に示す。
以上、実施例1、比較例1.2で作製し九セラミック配
線基板の基板内での寸法精度、及び表面粗さを測定した
結果を下表に示す。
線基板の基板内での寸法精度、及び表面粗さを測定した
結果を下表に示す。
〈実施例2〉
実施例1では、−軸プレスによる仮接着の圧力を70K
g/z−としたが、実施例2では、20〜100Kid
で行った。
g/z−としたが、実施例2では、20〜100Kid
で行った。
焼成後のセラミック配線基板の基板内寸法精度、表面粗
さの測定を行ったところ、第5図、第6図となった。
さの測定を行ったところ、第5図、第6図となった。
なお、全体反シは、仮接着圧力の範囲内では全く同じで
あった。
あった。
第5図、第6図から、仮接着圧力は、後工程の等方圧プ
レスの積層圧力のsob以下が良好であることがわかる
。
レスの積層圧力のsob以下が良好であることがわかる
。
さらに、等方圧プレス時の最大圧力t−100〜250
Kf/ct/lとした時の仮接着圧力の適正範囲につい
ても、上記と同様、80チ以下が良好であった。
Kf/ct/lとした時の仮接着圧力の適正範囲につい
ても、上記と同様、80チ以下が良好であった。
以上の実施例では、アルミナ系のセラミック配線基板の
例について述べたが、グリーンシートを積層して製造す
るセラミック多層配線であれば、セラミック粉末の種類
、結合剤の種類を問わない。
例について述べたが、グリーンシートを積層して製造す
るセラミック多層配線であれば、セラミック粉末の種類
、結合剤の種類を問わない。
本発明によれば、積層時にグリーンシート積層体内のグ
リーンシート密度を一定に1かつ、一方の面を平坦に出
来るので、基板内の収縮ばらつきの小さい、すなわち、
寸法精度が高く、また平坦性の良いセラミック多層配線
基板を製造することができる。
リーンシート密度を一定に1かつ、一方の面を平坦に出
来るので、基板内の収縮ばらつきの小さい、すなわち、
寸法精度が高く、また平坦性の良いセラミック多層配線
基板を製造することができる。
第1図は、本発明の一実施例の一方の面に平板を当てて
等方圧プレスを行った時の、グリーンシート積層体の断
面図、第2図は、従来法の一軸プレスの説明図、第5図
は、比較例1−軸ブレスで積層したグリーンシート積層
体の断面図、第4図は比較例2の、平板無しで等方圧プ
レスを行った時のグリーンシート積層体の断面図、第5
図と第6図は、等方圧プレス前の一軸プレスによる仮接
着圧力と、基板内収縮率ばらつき、半導体素子搭載エリ
アの表面粗さの関係を示す説明図である。 1・・・グリーンシート 2・・・配線導体 5・・・平板。 第 第 図 吟斡ぞご嗣・戴′だ・prや、禾 楊鴫−か←$叶トC横旧鮨J(
等方圧プレスを行った時の、グリーンシート積層体の断
面図、第2図は、従来法の一軸プレスの説明図、第5図
は、比較例1−軸ブレスで積層したグリーンシート積層
体の断面図、第4図は比較例2の、平板無しで等方圧プ
レスを行った時のグリーンシート積層体の断面図、第5
図と第6図は、等方圧プレス前の一軸プレスによる仮接
着圧力と、基板内収縮率ばらつき、半導体素子搭載エリ
アの表面粗さの関係を示す説明図である。 1・・・グリーンシート 2・・・配線導体 5・・・平板。 第 第 図 吟斡ぞご嗣・戴′だ・prや、禾 楊鴫−か←$叶トC横旧鮨J(
Claims (3)
- 1.積層法セラミック多層配線基板の積層工程において
、仮接着を行った後に液体を圧力媒体として加圧し積層
することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方
法。 - 2.請求項1において、液体を圧力媒体として積層する
際に、積層する一方の面に、表面が平滑な板を当てるセ
ラミック配線基板の製造方法。 - 3.請求項1において、仮接着を一軸プレスで行い、そ
の時の接着圧力を、液体を圧力媒体とする際の最大接着
圧力の八割以下とするセラミック配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12667990A JPH0423498A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 積層法セラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12667990A JPH0423498A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 積層法セラミック多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423498A true JPH0423498A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14941175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12667990A Pending JPH0423498A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 積層法セラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0423498A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243961A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | パワー半導体基板を作製するための方法 |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP12667990A patent/JPH0423498A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243961A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | パワー半導体基板を作製するための方法 |
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