JPH10294561A - 高脱バインダ性多層配線基板およびその製法 - Google Patents
高脱バインダ性多層配線基板およびその製法Info
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- JPH10294561A JPH10294561A JP10000297A JP10000297A JPH10294561A JP H10294561 A JPH10294561 A JP H10294561A JP 10000297 A JP10000297 A JP 10000297A JP 10000297 A JP10000297 A JP 10000297A JP H10294561 A JPH10294561 A JP H10294561A
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- Japan
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- ceramic
- insulating layer
- ceramic composition
- green sheet
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、セラミック多層配線基板の焼
成において、雰囲気ガスが基板内部まで拡散すると同時
に、基板内部のバインダ分解ガスが飛びやすい構造にす
ることで、残留炭素が少ない良好な特性の絶縁層を有す
るセラミック多層配線基板、および、その製法の提供
と、従来、長時間を要する脱バインダ時間を短縮するこ
とである。 【解決手段】セラミック多層配線基板のセラミック絶縁
層１に、セラミック絶縁層を構成する主たるセラミック
組成より高い温度で焼成されるセラミック組成２が基板
内部から基板外部につながるように形成する。バインダ
分解時、ガスは焼結の遅い、セラミック絶縁層を構成す
る主たるセラミック組成より高い温度で焼成されるセラ
ミックス組成２の気孔で外部とつながるため、脱バイン
ダ性が向上している。
成において、雰囲気ガスが基板内部まで拡散すると同時
に、基板内部のバインダ分解ガスが飛びやすい構造にす
ることで、残留炭素が少ない良好な特性の絶縁層を有す
るセラミック多層配線基板、および、その製法の提供
と、従来、長時間を要する脱バインダ時間を短縮するこ
とである。 【解決手段】セラミック多層配線基板のセラミック絶縁
層１に、セラミック絶縁層を構成する主たるセラミック
組成より高い温度で焼成されるセラミック組成２が基板
内部から基板外部につながるように形成する。バインダ
分解時、ガスは焼結の遅い、セラミック絶縁層を構成す
る主たるセラミック組成より高い温度で焼成されるセラ
ミックス組成２の気孔で外部とつながるため、脱バイン
ダ性が向上している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、民生用やコンピュ
ータ用などの電子産業部門に用いられるセラミック多層
配線基板の構造及びその製法に関する。
ータ用などの電子産業部門に用いられるセラミック多層
配線基板の構造及びその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスの多層化技術は、電子産業
部門において重要な技術である。その中で、半導体素子
等の高密度実装に必須のセラミック多層配線基板は、グ
リーンシート法で作製され、焼結法製造される方法が知
られている。しかしながら、一般にセラミックスは焼成
時に大きな寸法変化（収縮）を伴う。また、焼成時の寸
法変化は原料やプロセスのバラツキの影響を受けやすい
ため、焼成後の寸法を高精度に保つ事は非常に難しくな
る。特にセラミック多層配線基板は、内部に異なる材料
を複合しているため、その寸法精度の確保がいっそう難
しく、さらに反り、剥離、膨れ等の発生も大きな問題と
なってくる。
部門において重要な技術である。その中で、半導体素子
等の高密度実装に必須のセラミック多層配線基板は、グ
リーンシート法で作製され、焼結法製造される方法が知
られている。しかしながら、一般にセラミックスは焼成
時に大きな寸法変化（収縮）を伴う。また、焼成時の寸
法変化は原料やプロセスのバラツキの影響を受けやすい
ため、焼成後の寸法を高精度に保つ事は非常に難しくな
る。特にセラミック多層配線基板は、内部に異なる材料
を複合しているため、その寸法精度の確保がいっそう難
しく、さらに反り、剥離、膨れ等の発生も大きな問題と
なってくる。
【０００３】これは、セラミック多層配線基板の用途
上、半導体チップを搭載し、チップとの電気的な接続を
形成するための多数の導体パターン（半導体チップとの
接続用端子）を基板表面に高い位置精度で形成すること
が必須であり、薄膜配線層の形成やＩ／Ｏピンの接続な
どの作業のために、高い面精度（平行度、平面度）が要
求されるためである。
上、半導体チップを搭載し、チップとの電気的な接続を
形成するための多数の導体パターン（半導体チップとの
接続用端子）を基板表面に高い位置精度で形成すること
が必須であり、薄膜配線層の形成やＩ／Ｏピンの接続な
どの作業のために、高い面精度（平行度、平面度）が要
求されるためである。
【０００４】これらの問題に対処するため、特開平５−
２８３２７２号公報において、成形体（積層体）に脱バ
インダ過程および焼結過程を通して一定の圧力を加えな
がら焼成する方法が開示されている。この方法により、
焼成後の多層配線基板の加圧した面の焼結収縮量そのも
のを小さく抑え、その結果として、焼成後の高い寸法精
度を得ることができ、かつ焼結体の反り、剥離、膨れ等
を低減させることも可能である。しかし成形体（積層
体）に脱バインダ過程および焼結過程を通して一定の圧
力を加えながら焼成する方法では、圧力を加えながら脱
バインダを行うため、加圧治具によって、炉内雰囲気ガ
スに晒される成形体表面積が少なくなり、雰囲気ガスが
基板内部まで拡散し難いと同時に、成形体内部のバイン
ダ分解ガスが飛びにくいという問題を生じる。また、残
ったバインダは、焼成後の絶縁層中に残留炭素としてと
どまるので、電気絶縁性、強度など基板特性を大幅に低
下させてしまう。この問題を解決するため、従来の方法
では、残留炭素の除去のため、長時間の脱バインダをお
こなう必要があった。しかし、低温焼成セラミックスを
絶縁層に使用した場合、上記、長時間の脱バインダの間
にも、セラミックスの焼成が進行することで、基板内部
と基板外表面を接続する気孔が減少し、脱バインダがさ
らに難しくなる。この問題を解決するため、雰囲気ガ
ス、脱バインダ温度等の条件は非常に厳しいものとな
る。
２８３２７２号公報において、成形体（積層体）に脱バ
インダ過程および焼結過程を通して一定の圧力を加えな
がら焼成する方法が開示されている。この方法により、
焼成後の多層配線基板の加圧した面の焼結収縮量そのも
のを小さく抑え、その結果として、焼成後の高い寸法精
度を得ることができ、かつ焼結体の反り、剥離、膨れ等
を低減させることも可能である。しかし成形体（積層
体）に脱バインダ過程および焼結過程を通して一定の圧
力を加えながら焼成する方法では、圧力を加えながら脱
バインダを行うため、加圧治具によって、炉内雰囲気ガ
スに晒される成形体表面積が少なくなり、雰囲気ガスが
基板内部まで拡散し難いと同時に、成形体内部のバイン
ダ分解ガスが飛びにくいという問題を生じる。また、残
ったバインダは、焼成後の絶縁層中に残留炭素としてと
どまるので、電気絶縁性、強度など基板特性を大幅に低
下させてしまう。この問題を解決するため、従来の方法
では、残留炭素の除去のため、長時間の脱バインダをお
こなう必要があった。しかし、低温焼成セラミックスを
絶縁層に使用した場合、上記、長時間の脱バインダの間
にも、セラミックスの焼成が進行することで、基板内部
と基板外表面を接続する気孔が減少し、脱バインダがさ
らに難しくなる。この問題を解決するため、雰囲気ガ
ス、脱バインダ温度等の条件は非常に厳しいものとな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−２８３２７
２号公報において示される、成形体（積層体）に脱バイ
ンダ過程および焼結過程を通して一定の圧力を加えなが
ら焼成する方法では、上記したように、雰囲気ガスが基
板内部まで拡散し難いと同時に、基板内部のバインダ分
解ガスが飛びにくいという問題を生じる。本発明の目的
は、残留炭素が少なく良好な特性の絶縁層を有するセラ
ミック多層配線基板、および、その製法を提供するとと
もに、脱バインダ時間を短縮することにある。
２号公報において示される、成形体（積層体）に脱バイ
ンダ過程および焼結過程を通して一定の圧力を加えなが
ら焼成する方法では、上記したように、雰囲気ガスが基
板内部まで拡散し難いと同時に、基板内部のバインダ分
解ガスが飛びにくいという問題を生じる。本発明の目的
は、残留炭素が少なく良好な特性の絶縁層を有するセラ
ミック多層配線基板、および、その製法を提供するとと
もに、脱バインダ時間を短縮することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、脱バインダ時の基板内部と基板外表面を接続する気
孔の減少を補うよう、セラミック絶縁層を形成する主た
るセラミック組成より高い温度で焼成されるセラミック
ス組成物を形成しておく。セラミック絶縁層を形成する
主たるセラミック組成より高い温度で焼成されるセラミ
ック組成物は、セラミック絶縁層より遅れて焼結するた
め、絶縁層外部へとつながる気孔がふさがりにくく、脱
バインダ時のガスの通り道の役割を果たし、バインダの
分解性を向上させる。さらに、その構成を、基板内部か
ら、基板外表部に接続するようにすることで、基板内部
まで、無理なく脱バインダが行われる。
め、脱バインダ時の基板内部と基板外表面を接続する気
孔の減少を補うよう、セラミック絶縁層を形成する主た
るセラミック組成より高い温度で焼成されるセラミック
ス組成物を形成しておく。セラミック絶縁層を形成する
主たるセラミック組成より高い温度で焼成されるセラミ
ック組成物は、セラミック絶縁層より遅れて焼結するた
め、絶縁層外部へとつながる気孔がふさがりにくく、脱
バインダ時のガスの通り道の役割を果たし、バインダの
分解性を向上させる。さらに、その構成を、基板内部か
ら、基板外表部に接続するようにすることで、基板内部
まで、無理なく脱バインダが行われる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例によってさ
らに詳細に示すが本発明はこれらに限定されない。
らに詳細に示すが本発明はこれらに限定されない。
【０００８】図１、２、３、４に本発明のセラミック多
層配線基板構造の一実施例を示す。また図５に本発明の
セラミック多層配線基板の製造方法の一実施例を示す。
層配線基板構造の一実施例を示す。また図５に本発明の
セラミック多層配線基板の製造方法の一実施例を示す。
【０００９】図１は、セラミック絶縁層１に、セラミッ
ク絶縁層を構成する主たるセラミックス組成より高い温
度で焼成されるセラミックス組成２を平行線状に、かつ
セラミック絶縁層ごとに直角になるように構成したセラ
ミック多層配線基板構造である。バインダ分解時、ガス
は焼結の遅い、セラミック絶縁層内部を構成する主たる
セラミック組成より高い温度で焼成されるセラミック組
成２の気孔で外部接続されているため、脱バインダ性が
向上している。
ク絶縁層を構成する主たるセラミックス組成より高い温
度で焼成されるセラミックス組成２を平行線状に、かつ
セラミック絶縁層ごとに直角になるように構成したセラ
ミック多層配線基板構造である。バインダ分解時、ガス
は焼結の遅い、セラミック絶縁層内部を構成する主たる
セラミック組成より高い温度で焼成されるセラミック組
成２の気孔で外部接続されているため、脱バインダ性が
向上している。
【００１０】図２は、セラミック絶縁層１に、セラミッ
ク絶縁層を構成する主たるセラミックス組成より高い温
度で焼成されるセラミック組成２を放射線状に、各セラ
ミック絶縁層ごとに構成することで、上記効果により、
脱バインダ性を向上させたセラミック多層配線基板構造
である。
ク絶縁層を構成する主たるセラミックス組成より高い温
度で焼成されるセラミック組成２を放射線状に、各セラ
ミック絶縁層ごとに構成することで、上記効果により、
脱バインダ性を向上させたセラミック多層配線基板構造
である。
【００１１】図３は、セラミック絶縁層１に、セラミッ
ク絶縁層を構成する主たるセラミックス組成より高い温
度で焼成されるセラミック組成２を基板表裏面を貫通す
るように、構成することで、上記効果により、脱バイン
ダ性を向上させたセラミック多層配線基板構造である。
ク絶縁層を構成する主たるセラミックス組成より高い温
度で焼成されるセラミック組成２を基板表裏面を貫通す
るように、構成することで、上記効果により、脱バイン
ダ性を向上させたセラミック多層配線基板構造である。
【００１２】図４は、セラミック絶縁層に、セラミック
絶縁層を構成する主たるセラミック組成より高い温度で
焼成されるセラミックス組成の絶縁層３をもたせること
で、上記効果により、脱バインダ性を向上させたセラミ
ック多層配線基板構造である。
絶縁層を構成する主たるセラミック組成より高い温度で
焼成されるセラミックス組成の絶縁層３をもたせること
で、上記効果により、脱バインダ性を向上させたセラミ
ック多層配線基板構造である。
【００１３】図５−１〜５−９は製造方法の一実施例で
ある。まず、ホウケイ酸ガラスとムライトの二種類を主
成分とするセラミック粉体に、有機バインダ、溶剤を加
えてスラリーを作成し、ドクターブレードを用いたキャ
スティング法によって、焼成後セラミック絶縁層となる
グリーンシート４を複数枚形成する。（図５−１） 次に、上記グリーンシート４に、パンチングで、セラミ
ック絶縁層間の導通をとる為のビアホール５ａ及び、グ
リーンシートのセラミック組成より高い温度で焼成され
るセラミック組成を形成する為のビアホール５ｂを形成
する。（図５−２） そして、銅粉末にビヒクルを加えたペースト状銅粉末を
穴埋め印刷によって、上記ビアホール５ａに充填し、セ
ラミック絶縁層間の導通をとる銅ビアホール６を形成す
る。（図５−３） また、グリーンシートのセラミック組成より、ホウケイ
酸ガラスに対するムライト比率を多くしたセラミック粉
末に、ビヒクルを加えたペースト状セラミックス組成物
も穴埋め印刷によって、上記ビアホール５ｂに充填し、
セラミック絶縁層に、グリーンシートのセラミック組成
より高い温度で焼成されるセラミックス組成ビアホール
構造７を形成する。（図５−４） さらに、上記セラミックス組成ビアホール構造７に使用
したセラミック組成物を、グリーンシート４上に印刷
し、絶縁層間にグリーンシートのセラミック組成より高
い温度で焼成されるセラミックス組成回路構造８を形成
する。この時、上記セラミックス組成ビアホール構造７
上に、配置されるようにする。（図５−５） そして、グリーンシート４を少なくとも面圧１ｋｇｆ／
ｃｍ2以上でプレスし、表面を平滑した後、銅粉末にビ
ヒクルを加えたペースト状銅粉末を、グリーンシート４
の反対面に印刷し、グリーンシート上に回路９形成後、
（図５−６） 同様に作成した複数枚のグリーンシート４を用いて順次
積み重ね、積層体１０を得る。（図５−７） この積層体１０を、プレス機等を用いて熱間接着し、接
着体１１とし（図５−８） 得られた接着体１１を、窒素、水蒸気雰囲気中で加圧し
ながら７８０〜９２０℃で０〜８時間、脱バインダを行
い、その後、窒素雰囲気中、銅の融点以下の温度でセラ
ミック絶縁層を焼結させ、本発明による多層配線基板１
２を得る。
ある。まず、ホウケイ酸ガラスとムライトの二種類を主
成分とするセラミック粉体に、有機バインダ、溶剤を加
えてスラリーを作成し、ドクターブレードを用いたキャ
スティング法によって、焼成後セラミック絶縁層となる
グリーンシート４を複数枚形成する。（図５−１） 次に、上記グリーンシート４に、パンチングで、セラミ
ック絶縁層間の導通をとる為のビアホール５ａ及び、グ
リーンシートのセラミック組成より高い温度で焼成され
るセラミック組成を形成する為のビアホール５ｂを形成
する。（図５−２） そして、銅粉末にビヒクルを加えたペースト状銅粉末を
穴埋め印刷によって、上記ビアホール５ａに充填し、セ
ラミック絶縁層間の導通をとる銅ビアホール６を形成す
る。（図５−３） また、グリーンシートのセラミック組成より、ホウケイ
酸ガラスに対するムライト比率を多くしたセラミック粉
末に、ビヒクルを加えたペースト状セラミックス組成物
も穴埋め印刷によって、上記ビアホール５ｂに充填し、
セラミック絶縁層に、グリーンシートのセラミック組成
より高い温度で焼成されるセラミックス組成ビアホール
構造７を形成する。（図５−４） さらに、上記セラミックス組成ビアホール構造７に使用
したセラミック組成物を、グリーンシート４上に印刷
し、絶縁層間にグリーンシートのセラミック組成より高
い温度で焼成されるセラミックス組成回路構造８を形成
する。この時、上記セラミックス組成ビアホール構造７
上に、配置されるようにする。（図５−５） そして、グリーンシート４を少なくとも面圧１ｋｇｆ／
ｃｍ2以上でプレスし、表面を平滑した後、銅粉末にビ
ヒクルを加えたペースト状銅粉末を、グリーンシート４
の反対面に印刷し、グリーンシート上に回路９形成後、
（図５−６） 同様に作成した複数枚のグリーンシート４を用いて順次
積み重ね、積層体１０を得る。（図５−７） この積層体１０を、プレス機等を用いて熱間接着し、接
着体１１とし（図５−８） 得られた接着体１１を、窒素、水蒸気雰囲気中で加圧し
ながら７８０〜９２０℃で０〜８時間、脱バインダを行
い、その後、窒素雰囲気中、銅の融点以下の温度でセラ
ミック絶縁層を焼結させ、本発明による多層配線基板１
２を得る。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、脱バインダ性の良い基
板構造とすることで、セラミック絶縁層中の残留炭素濃
度を低くできるため、電気絶縁に優れ、高強度のセラミ
ック多層配線基板を形成でき、導体パターンの微細配線
化による高密度実装が可能となる。また、従来、炭化し
たバインダを除去するため長時間を要したが、本発明の
セラミック多層配線基板によれば、短時間脱バインダが
可能となる。
板構造とすることで、セラミック絶縁層中の残留炭素濃
度を低くできるため、電気絶縁に優れ、高強度のセラミ
ック多層配線基板を形成でき、導体パターンの微細配線
化による高密度実装が可能となる。また、従来、炭化し
たバインダを除去するため長時間を要したが、本発明の
セラミック多層配線基板によれば、短時間脱バインダが
可能となる。
【図１】本発明のセラミック絶縁層及び導体層からなる
セラミック多層配線基板の一実施例である。
セラミック多層配線基板の一実施例である。
【図２】本発明のセラミック絶縁層及び導体層からなる
セラミック多層配線基板の一実施例である。
セラミック多層配線基板の一実施例である。
【図３】本発明のセラミック絶縁層及び導体層からなる
セラミック多層配線基板の一実施例である。
セラミック多層配線基板の一実施例である。
【図４】本発明のセラミック絶縁層及び導体層からなる
セラミック多層配線基板の一実施例である。
セラミック多層配線基板の一実施例である。
【図５】本発明のセラミック絶縁層及び導体層からなる
セラミック多層配線基板製造方法の一実施例である。
セラミック多層配線基板製造方法の一実施例である。
１…セラミック絶縁層、２…セラミック絶縁層を構成す
る主たるセラミック組成より高い温度で焼成されるセラ
ミック組成物、３…セラミック絶縁層を構成する主たる
セラミック組成より高い温度で焼成されるセラミック組
成で形成されるセラミック絶縁層、４…グリーンシー
ト、 ５ａ…ビアホール、 ５ｂ…ビアホール、
６…銅ビアホール、 ７…セラミック組成ビアホー
ル構造、８…回路、 ９…セラミック組成
回路構造、１０…積層体、 １１…接着体、１
２…セラミック多層配線基板。
る主たるセラミック組成より高い温度で焼成されるセラ
ミック組成物、３…セラミック絶縁層を構成する主たる
セラミック組成より高い温度で焼成されるセラミック組
成で形成されるセラミック絶縁層、４…グリーンシー
ト、 ５ａ…ビアホール、 ５ｂ…ビアホール、
６…銅ビアホール、 ７…セラミック組成ビアホー
ル構造、８…回路、 ９…セラミック組成
回路構造、１０…積層体、 １１…接着体、１
２…セラミック多層配線基板。
Claims (8)
- 【請求項１】複数のセラミック絶縁層及び導体層からな
るセラミック多層配線基板において、セラミック絶縁層
を構成する主たるセラミックス組成より高い温度で焼成
されるセラミックス組成物を、基板内部から外表部に接
続するように配置したことを特徴とする基板。 - 【請求項２】複数のセラミック絶縁層及び導体層からな
るセラミック多層配線基板において、セラミック絶縁層
を構成する主たるセラミックス組成より高い温度で焼成
されるセラミックス組成物を、基板を貫通するように配
置したことを特徴とする基板。 - 【請求項３】複数のセラミック絶縁層及び導体層からな
るセラミック多層配線基板において、セラミック絶縁層
の少なくとも一層をセラミック絶縁層を構成する主たる
セラミックス組成より高い温度で焼成されるセラミック
ス組成で構成することを特徴とする基板。 - 【請求項４】セラミック組成物に、有機バインダ、溶剤
を加えてスラリーを作成する工程と、 上記スラリーで焼成後セラミック絶縁層となるグリーン
シートを複数枚形成する工程と、 上記グリーンシートに層間の導通をとる為のビアホール
を少なくとも一つ形成する工程と、 ペースト状導体によって上記ビアホールを充填する工程
とグリーンシートのセラミック組成より高い温度で焼成
されるペースト状セラミックス組成物を、上記ビアホー
ル充填済みグリーンシート表面に印刷する工程とペース
ト状導体によって、グリーンシート片面、もしくは両面
に内層導体パターンを印刷する工程と、 グリーンシートを、所望枚数積層する工程と、 積層されたグリーンシート積層体を熱間圧着後、加圧し
ながら焼成させる工程を含むことを特徴とするセラミッ
ク絶縁層及び導体層からなるセラミック多層配線基板の
製造方法。 - 【請求項５】請求項４において、グリーンシートのセラ
ミック組成より高い温度で焼成されるペースト状セラミ
ックス組成物をグリーンシートに印刷後、グリーンシー
ト反対面にペースト状導体を印刷することを特徴とする
セラミック絶縁層及び導体層からなるセラミック多層配
線基板の製造方法。 - 【請求項６】請求項４において、グリーンシートのセラ
ミック組成より高い温度で焼成されるペースト状セラミ
ックス組成物を印刷した後、そのグリーンシートを少な
くとも面圧１ｋｇｆ／ｃｍ2以上でプレスし、平坦化す
る工程を含むことを特徴とするセラミック絶縁層及び導
体層からなるセラミック多層配線基板の製造方法。 - 【請求項７】セラミック組成物に、有機バインダ、溶剤
を加えてスラリーを作成する工程と、 上記スラリーで焼成後セラミック絶縁層となるグリーン
シートを複数枚形成する工程と、 上記グリーンシートに層間の導通をとる為のビアホール
を少なくとも一つ形成する工程と、 導通をとる為以外のビアホールを少なくとも一つ形成
し、グリーンシートのセラミック組成より高い温度で焼
成されるペースト状セラミックス組成物で充填する工程
とペースト状導体によって上記層間の導通をとる為のビ
アホールを充填すると共に、グリーンシート片面、もし
くは両面に内層導体パターンを印刷する工程と、 グリーンシートを、所望枚数積層する際、上記セラミッ
ク充填ビアホールが重なるように積層する工程と、 積層されたグリーンシート積層体を熱間圧着後、加圧し
ながら焼結させる工程を含むことを特徴とするセラミッ
ク絶縁層及び導体層からなるセラミック多層配線基板の
製造方法。 - 【請求項８】セラミック組成物に、有機バインダ、溶剤
を加えてスラリーを作成し、焼成後セラミック絶縁層と
なるグリーンシートを形成する際、主たる第一のグリー
ンシートを複数枚と、第二のグリーンシートとして、第
一のグリーンシートより焼成温度の高いセラミック組成
のものを形成する工程と、 上記第一、第二グリーンシートに層間の導通をとる為の
ビアホールを少なくとも一つ形成する工程と、 ペースト状導体によって上記層間の導通をとる為のビア
ホールを充填すると共に、第一、第二グリーンシート片
面、もしくは両面に内層導体パターンを印刷する工程
と、 第一グリーンシートを、所望枚数積層する際、第二のグ
リーンシートを少なくとも一層配置するよう積層する工
程と、 積層されたグリーンシート積層体を熱間圧着後、加圧し
ながら焼成させる工程を含むことを特徴とするセラミッ
ク絶縁層及び導体層からなるセラミック多層配線基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10000297A JPH10294561A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 高脱バインダ性多層配線基板およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10000297A JPH10294561A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 高脱バインダ性多層配線基板およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294561A true JPH10294561A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14262389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10000297A Pending JPH10294561A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 高脱バインダ性多層配線基板およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294561A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071842A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
| JP2008071843A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
| JP2008270756A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP10000297A patent/JPH10294561A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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