JPH04240776A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04240776A JPH04240776A JP3006928A JP692891A JPH04240776A JP H04240776 A JPH04240776 A JP H04240776A JP 3006928 A JP3006928 A JP 3006928A JP 692891 A JP692891 A JP 692891A JP H04240776 A JPH04240776 A JP H04240776A
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- Japan
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- wafer
- pressure sensor
- diaphragm
- semiconductor pressure
- etching
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【０００２】
【産業上の利用分野】この発明は半導体圧力センサおよ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】感圧抵抗であるピエゾ抵抗を、Ｓｉ（１
００） ウエハもしくはＳｉ（１１０） ウエハの一主
面（表面）で、かつ他主面（裏面）からエッチングを行
い形成したダイアフラムとすべき薄肉領域に形設して成
る半導体圧力センサは、自動車のエンジン制御用をはじ
めとして、産業用プラント、血圧計あるいは気圧計など
広い範囲で使用されている。図７は前記半導体センサの
構造例を断面的に示したもので、１は一主面にピエゾ抵
抗が形設されたＳｉ（１００） ウエハもしくはＳｉ（
１１０） ウエハを、２は他主面（裏面）側を選択エッ
チングして形成したダイアフラムとなる薄肉領域をそれ
ぞれ示す。
００） ウエハもしくはＳｉ（１１０） ウエハの一主
面（表面）で、かつ他主面（裏面）からエッチングを行
い形成したダイアフラムとすべき薄肉領域に形設して成
る半導体圧力センサは、自動車のエンジン制御用をはじ
めとして、産業用プラント、血圧計あるいは気圧計など
広い範囲で使用されている。図７は前記半導体センサの
構造例を断面的に示したもので、１は一主面にピエゾ抵
抗が形設されたＳｉ（１００） ウエハもしくはＳｉ（
１１０） ウエハを、２は他主面（裏面）側を選択エッ
チングして形成したダイアフラムとなる薄肉領域をそれ
ぞれ示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
半導体圧力センサにおいては、一般に次のような不都合
な問題がある。先ず、Ｓｉ（１００） ウエハ１を用い
た場合、一主面にピエゾ抵抗を形設し、他主面から異方
性エッチングを施し圧力によって変形する正方形のダイ
アフラム２を形成した構造を採っている。しかして、前
記ダイアフラム２の厚さは、一般にエッチング時間によ
って制御されるが、ダイアフラム２形成のためのエッチ
ング量が多いので、温度管理などを行ってもダイアフラ
ム２の厚さにバラツキが生じ易く、特性が不揃いになる
という問題があった。また、ダイアフラムのサイズ、ピ
エゾ抵抗の形成位置の最適化を図っても、感度は最終的
にＳｉ（１００） ウエハ１固有のピエゾ抵抗係数によ
って決まるため、それ以上の高感度化を望み得ない。一
方、Ｓｉ（１１０） ウエハ１を用いた場合、前記ピエ
ゾ抵抗係数がＳｉ（１００） ウエハ１より高いため、
高感度の圧力センサを作成し得ることになる。しかし、
（１１０） 面の異方性エッチング特性から、対称で滑
らかなダイアフラムを形成することが難しく、またダイ
アフラムの厚さも一様に形成し難くバラツキが多いので
、特性が不揃いになるという問題がある。
半導体圧力センサにおいては、一般に次のような不都合
な問題がある。先ず、Ｓｉ（１００） ウエハ１を用い
た場合、一主面にピエゾ抵抗を形設し、他主面から異方
性エッチングを施し圧力によって変形する正方形のダイ
アフラム２を形成した構造を採っている。しかして、前
記ダイアフラム２の厚さは、一般にエッチング時間によ
って制御されるが、ダイアフラム２形成のためのエッチ
ング量が多いので、温度管理などを行ってもダイアフラ
ム２の厚さにバラツキが生じ易く、特性が不揃いになる
という問題があった。また、ダイアフラムのサイズ、ピ
エゾ抵抗の形成位置の最適化を図っても、感度は最終的
にＳｉ（１００） ウエハ１固有のピエゾ抵抗係数によ
って決まるため、それ以上の高感度化を望み得ない。一
方、Ｓｉ（１１０） ウエハ１を用いた場合、前記ピエ
ゾ抵抗係数がＳｉ（１００） ウエハ１より高いため、
高感度の圧力センサを作成し得ることになる。しかし、
（１１０） 面の異方性エッチング特性から、対称で滑
らかなダイアフラムを形成することが難しく、またダイ
アフラムの厚さも一様に形成し難くバラツキが多いので
、特性が不揃いになるという問題がある。
【０００５】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、高感度でダイアフラムの厚さも一様に精度よく制
御され、常にすぐれた所要の機能を呈する半導体センサ
およびその製造方法の提供を目的とする。
ので、高感度でダイアフラムの厚さも一様に精度よく制
御され、常にすぐれた所要の機能を呈する半導体センサ
およびその製造方法の提供を目的とする。
【０００６】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサは、Ｓｉ（１１０） ウエハおよびＳｉ（１００
） ウエハの接合体のＳｉ（１１０） ウエハ面に感圧
抵抗を成すピエゾ抵抗が形成され、Ｓｉ（１００） ウ
エハに前記接合界面もしくはその近傍に達する選択エッ
チングによりダイアフラムが形成されていることを特徴
とし、またその製造方法はＳｉ（１１０） ウエハおよ
びＳｉ（１００） ウエハの接合体を構成する工程と、
感圧抵抗を成すピエゾ抵抗を形成する工程と、前記Ｓｉ
（１００） ウエハを接合界面もしくはその近傍に達す
るよう選択エッチングして少なくとも一部がＳｉ（１１
０） ウエハからなるダイアフラムを形成する工程とを
具備することを特徴とする。
センサは、Ｓｉ（１１０） ウエハおよびＳｉ（１００
） ウエハの接合体のＳｉ（１１０） ウエハ面に感圧
抵抗を成すピエゾ抵抗が形成され、Ｓｉ（１００） ウ
エハに前記接合界面もしくはその近傍に達する選択エッ
チングによりダイアフラムが形成されていることを特徴
とし、またその製造方法はＳｉ（１１０） ウエハおよ
びＳｉ（１００） ウエハの接合体を構成する工程と、
感圧抵抗を成すピエゾ抵抗を形成する工程と、前記Ｓｉ
（１００） ウエハを接合界面もしくはその近傍に達す
るよう選択エッチングして少なくとも一部がＳｉ（１１
０） ウエハからなるダイアフラムを形成する工程とを
具備することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明に係る半導体圧力センサにおいては、Ｓ
ｉ（１１０） ウエハ面に感圧抵抗を成すピエゾ抵抗を
形設して高感度化が図られ、Ｓｉ（１００） ウエハの
選択エッチングによって少なくとも一部がＳｉ（１１０
） ウエハからなる特性のすぐれたダイアフラムが形成
され、しかも形成されるダイアフラムの厚さも高精度に
制御されるので特性のバラツキなど全面的に解消される
。
ｉ（１１０） ウエハ面に感圧抵抗を成すピエゾ抵抗を
形設して高感度化が図られ、Ｓｉ（１００） ウエハの
選択エッチングによって少なくとも一部がＳｉ（１１０
） ウエハからなる特性のすぐれたダイアフラムが形成
され、しかも形成されるダイアフラムの厚さも高精度に
制御されるので特性のバラツキなど全面的に解消される
。
【０００９】
【実施例】以下図１〜図６を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明に係る半導体圧力センサの構
成例を断面的に示したもので、３は一主面に感圧抵抗を
成すピエゾ抵抗が形設されたＳｉ（１１０） ウエハ、
４は前記Ｓｉ（１１０） ウエハの他の主面にたとえば
ＳｉＯ２ 層５を介して接合一体化されたＳｉ（１０
０） ウエハである。しかして、前記Ｓｉ（１００）
ウエハ４はＳｉ（１１０） ウエハ３との接合界面もし
くはその近傍に達するよう選択エッチングされて所定厚
さのダイアフラム３ａを形成している。
成例を断面的に示したもので、３は一主面に感圧抵抗を
成すピエゾ抵抗が形設されたＳｉ（１１０） ウエハ、
４は前記Ｓｉ（１１０） ウエハの他の主面にたとえば
ＳｉＯ２ 層５を介して接合一体化されたＳｉ（１０
０） ウエハである。しかして、前記Ｓｉ（１００）
ウエハ４はＳｉ（１１０） ウエハ３との接合界面もし
くはその近傍に達するよう選択エッチングされて所定厚
さのダイアフラム３ａを形成している。
【００１１】上記構造の半導体圧力センサは、次のよう
にして製造できる。図２は半導体圧力センサの製造プロ
セスの概略を示すフローチャートで、先ずＳｉ（１１０
） ウエハ３とＳｉ（１００） ウエハ４とを貼り合わ
せ一体化する。この貼り合わせ一体化に当たっては、た
とえばｎ型Ｓｉ（１１０） ウエハ３およびｎ型もしく
はｐ型のＳｉ（１００） ウエハ４の少なくとも貼り合
わせ面を研磨して、たとえば応用物理学会誌 第５６
巻 第３号（１９８７） ｐｐ．３７３ 〜３７６）
などに開示されている直接接着技術が利用される。なお
、前記貼り合わせ一体化に当たっての貼り合わせ面研磨
後は、通常のウエハ処理以外の加工を施さず貼り合わせ
一体化するが、後述のＳｉ（１００） ウエハ４に対す
るエッチングを停止させる手段に応じて、前記ｎ型Ｓｉ
（１１０） ウエハ３の貼り合わせ面側をｐ＋ の高濃
度層にしたり、酸化層５を予め形成しておくのが好まし
い。ここで、Ｓｉ（１００） ウエハ４はｎ型か、エッ
チングを停止させる手段によってはｐ型でもよく、さら
にＳｉ（１００） ウエハ４表面に酸化層が形成されて
いてもよい。
にして製造できる。図２は半導体圧力センサの製造プロ
セスの概略を示すフローチャートで、先ずＳｉ（１１０
） ウエハ３とＳｉ（１００） ウエハ４とを貼り合わ
せ一体化する。この貼り合わせ一体化に当たっては、た
とえばｎ型Ｓｉ（１１０） ウエハ３およびｎ型もしく
はｐ型のＳｉ（１００） ウエハ４の少なくとも貼り合
わせ面を研磨して、たとえば応用物理学会誌 第５６
巻 第３号（１９８７） ｐｐ．３７３ 〜３７６）
などに開示されている直接接着技術が利用される。なお
、前記貼り合わせ一体化に当たっての貼り合わせ面研磨
後は、通常のウエハ処理以外の加工を施さず貼り合わせ
一体化するが、後述のＳｉ（１００） ウエハ４に対す
るエッチングを停止させる手段に応じて、前記ｎ型Ｓｉ
（１１０） ウエハ３の貼り合わせ面側をｐ＋ の高濃
度層にしたり、酸化層５を予め形成しておくのが好まし
い。ここで、Ｓｉ（１００） ウエハ４はｎ型か、エッ
チングを停止させる手段によってはｐ型でもよく、さら
にＳｉ（１００） ウエハ４表面に酸化層が形成されて
いてもよい。
【００１２】前記Ｓｉ（１１０） ウエハ３およびＳｉ
（１００） ウエハ４を貼り合わせ一体化した後、要す
ればウエハ・エッジの削り落としあるいはＳｉ（１１０
） ウエハ３の薄形化（ダイアフラムの厚さ程度に）な
どの形状整形加工ないし研磨加工を施す。次いで一体化
されているＳｉ（１１０）ウエハ３面に、感圧抵抗であ
るピエゾ抵抗素子を一般的な手段（プロセス）で形成す
る。さらに、Ｓｉ（１００） ウエハ４面に所要のマス
キングを行い、前記Ｓｉ（１１０） ウエハ３との接合
界面ないしその近傍まで選択的に異方性エッチングを施
して、所要のダイアフラム３ａを形成する。このダイア
フラム３ａを異方性エッチングによって形成する際のエ
ッチング停止は、次のようにして行われる。すなわち、
前記接合界面の酸化層５でエッチングを停止するか、Ｓ
ｉ（１１０） ウエハ３のｐ＋ 高濃度層でエッチング
を停止するか、あるいは電解エッチングの特性を利用す
ることによってなし得る。
（１００） ウエハ４を貼り合わせ一体化した後、要す
ればウエハ・エッジの削り落としあるいはＳｉ（１１０
） ウエハ３の薄形化（ダイアフラムの厚さ程度に）な
どの形状整形加工ないし研磨加工を施す。次いで一体化
されているＳｉ（１１０）ウエハ３面に、感圧抵抗であ
るピエゾ抵抗素子を一般的な手段（プロセス）で形成す
る。さらに、Ｓｉ（１００） ウエハ４面に所要のマス
キングを行い、前記Ｓｉ（１１０） ウエハ３との接合
界面ないしその近傍まで選択的に異方性エッチングを施
して、所要のダイアフラム３ａを形成する。このダイア
フラム３ａを異方性エッチングによって形成する際のエ
ッチング停止は、次のようにして行われる。すなわち、
前記接合界面の酸化層５でエッチングを停止するか、Ｓ
ｉ（１１０） ウエハ３のｐ＋ 高濃度層でエッチング
を停止するか、あるいは電解エッチングの特性を利用す
ることによってなし得る。
【００１３】前記ダイアフラム３ａを異方性エッチング
によって形成する際のエッチング停止手段についてさら
に詳述すると、接合界面の酸化層５で停止させる場合は
、異方性エッチングのエッチャントが、酸化層５でエッ
チング作用をほとんど停止する性質の利用である。すな
わち、Ｓｉ（１１０） ウエハ３とＳｉ（１００） ウ
エハ４との接合面、たとえばＳｉ（１１０） ウエハ３
面に予め酸化層５を形成しておいた場合は、前記図１に
示すごとく酸化層５でエッチングが停止し、Ｓｉ（１１
０） ウエハ３部分からなるダイアフラム３ａが形成さ
れる。この方法を用いるときは、たとえば水酸化カリウ
ム水溶液など酸化層５を容易にエッチングするエッチャ
ントの使用は適当でない。 また、Ｓｉ（１１０）
ウエハ３のｐ＋ 高濃度層でエッチングを停止させる場
合は、異方性エッチングのエッチャントが、ｐ＋ 高濃
度層でエッチングをほとんど停止する性質の利用である
。すなわち、Ｓｉ（１１０） ウエハ３の貼り合わせな
いし接合面側にたとえばボロンなどを注入・拡散してｐ
＋ 高濃度層６を形成しておいた場合は、図３に断面的
に示すごとくｐ＋ 高濃度層６でエッチングが停止し、
Ｓｉ（１１０） ウエハ３部分からなるダイアフラム３
ａが形成される。
によって形成する際のエッチング停止手段についてさら
に詳述すると、接合界面の酸化層５で停止させる場合は
、異方性エッチングのエッチャントが、酸化層５でエッ
チング作用をほとんど停止する性質の利用である。すな
わち、Ｓｉ（１１０） ウエハ３とＳｉ（１００） ウ
エハ４との接合面、たとえばＳｉ（１１０） ウエハ３
面に予め酸化層５を形成しておいた場合は、前記図１に
示すごとく酸化層５でエッチングが停止し、Ｓｉ（１１
０） ウエハ３部分からなるダイアフラム３ａが形成さ
れる。この方法を用いるときは、たとえば水酸化カリウ
ム水溶液など酸化層５を容易にエッチングするエッチャ
ントの使用は適当でない。 また、Ｓｉ（１１０）
ウエハ３のｐ＋ 高濃度層でエッチングを停止させる場
合は、異方性エッチングのエッチャントが、ｐ＋ 高濃
度層でエッチングをほとんど停止する性質の利用である
。すなわち、Ｓｉ（１１０） ウエハ３の貼り合わせな
いし接合面側にたとえばボロンなどを注入・拡散してｐ
＋ 高濃度層６を形成しておいた場合は、図３に断面的
に示すごとくｐ＋ 高濃度層６でエッチングが停止し、
Ｓｉ（１１０） ウエハ３部分からなるダイアフラム３
ａが形成される。
【００１４】さらに、電解エッチングの特性を利用する
場合は、伝導型がｐ型のＳｉ（１００） ウエハ４に、
ｎ型のＳｉ（１１０） ウエハ３を貼り合わせた（接合
させた）ものを用い、図４に断面的に示すようなエッチ
ング系で異方性エッチングを行なう。この異方性エッチ
ングは電解エッチングの特性上、図５に断面的に示すご
とく、ｎ型のＳｉ（１１０） ウエハ３面が露出した時
点でエッチングが停止し、Ｓｉ（１１０） ウエハ３部
分からなるダイアフラム３ａが形成される。なお、図４
において７は異方性エッチング液、８は白金電極、９は
電源をそれぞれ示す。
場合は、伝導型がｐ型のＳｉ（１００） ウエハ４に、
ｎ型のＳｉ（１１０） ウエハ３を貼り合わせた（接合
させた）ものを用い、図４に断面的に示すようなエッチ
ング系で異方性エッチングを行なう。この異方性エッチ
ングは電解エッチングの特性上、図５に断面的に示すご
とく、ｎ型のＳｉ（１１０） ウエハ３面が露出した時
点でエッチングが停止し、Ｓｉ（１１０） ウエハ３部
分からなるダイアフラム３ａが形成される。なお、図４
において７は異方性エッチング液、８は白金電極、９は
電源をそれぞれ示す。
【００１５】上記したようにＳｉ（１１０） ウエハ３
およびＳｉ（１００） ウエハ４を貼り合わせ（接合）
一体化し、Ｓｉ（１００） ウエハ４側を選択的に異方
性エッチングしてＳｉ（１１０） ウエハ３部分を残す
ことによって、厚さが一様なダイアフラム３ａを有する
半導体圧力センサが、常に容易かつ再現性よく形成され
る。なお、上記ではダイアフラム３ａの形成を異方性エ
ッチングによって行なったが、たとえばフッ硝酸を用い
た等方性エッチングや稀フッ酸を用いた等方性電解エッ
チングによっても同様の性能を有する半導体圧力センサ
が構成される。しかして、このように構成された半導体
圧力センサ１０は、たとえば図６に断面的に示すように
、常套な手段で台座１１にマウントおよびボンディング
し、さらにパッケージ化して各種の圧力測定ないし圧力
分布測定などに供される。
およびＳｉ（１００） ウエハ４を貼り合わせ（接合）
一体化し、Ｓｉ（１００） ウエハ４側を選択的に異方
性エッチングしてＳｉ（１１０） ウエハ３部分を残す
ことによって、厚さが一様なダイアフラム３ａを有する
半導体圧力センサが、常に容易かつ再現性よく形成され
る。なお、上記ではダイアフラム３ａの形成を異方性エ
ッチングによって行なったが、たとえばフッ硝酸を用い
た等方性エッチングや稀フッ酸を用いた等方性電解エッ
チングによっても同様の性能を有する半導体圧力センサ
が構成される。しかして、このように構成された半導体
圧力センサ１０は、たとえば図６に断面的に示すように
、常套な手段で台座１１にマウントおよびボンディング
し、さらにパッケージ化して各種の圧力測定ないし圧力
分布測定などに供される。
【００１６】なお、上記では半導体圧力センサの構成例
として単位素子の構造を例示したが、これらの単位素子
をアレイ状ないしマトリックス状に構成しても勿論支障
ない。つまり、本発明は上記例示の態様に限定されるも
のでなく、その要旨を逸脱しない限り種種の変形があり
得る。
として単位素子の構造を例示したが、これらの単位素子
をアレイ状ないしマトリックス状に構成しても勿論支障
ない。つまり、本発明は上記例示の態様に限定されるも
のでなく、その要旨を逸脱しない限り種種の変形があり
得る。
【００１７】
【発明の効果】上記説明したように本発明によれば、高
感度でしかもその感度にバラツキのない半導体圧力セン
サもしくは多素子化された半導体圧力センサアレイの提
供が可能となった。すなわち、高性能ないし信頼性の高
い機能を呈する半導体圧力センサの提供によって、圧力
変化を測定・検知する各種の応用機器の実用化を一層促
進することになる。
感度でしかもその感度にバラツキのない半導体圧力セン
サもしくは多素子化された半導体圧力センサアレイの提
供が可能となった。すなわち、高性能ないし信頼性の高
い機能を呈する半導体圧力センサの提供によって、圧力
変化を測定・検知する各種の応用機器の実用化を一層促
進することになる。
【図１】 本発明に係る半導体圧力センサの構造例を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】 本発明に係る半導体圧力センサの製造工程
例を示すフローチャート。
例を示すフローチャート。
【図３】 本発明に係る半導体圧力センサの他の構造
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図４】 本発明に係る半導体圧力センサの製造工程
例における電解エッチングの実施態様を模式的に示す断
面図。
例における電解エッチングの実施態様を模式的に示す断
面図。
【図５】 本発明に係る半導体圧力センサのさらに他
の構造例を示す断面図。
の構造例を示す断面図。
【図６】 本発明に係る半導体圧力センサを用いた圧
力センサの構成例を示す断面図。
力センサの構成例を示す断面図。
【図７】 従来の半導体圧力センサの構造を示す断面
図。
図。
１…Ｓｉウエハ ２…ダイアフラム ３…
Ｓｉ（１１０） ウエハ ３ａ…ダイアフラム ４…Ｓｉ（１００） ウエ
ハ ５…酸化層 ６… Ｐ＋ 高濃度層
７…異方性エッチング液 ８…白金電極
Ｓｉ（１１０） ウエハ ３ａ…ダイアフラム ４…Ｓｉ（１００） ウエ
ハ ５…酸化層 ６… Ｐ＋ 高濃度層
７…異方性エッチング液 ８…白金電極
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｉ（１１０） ウエハおよびＳｉ（
１００） ウエハの接合体のＳｉ（１１０） ウエハ面
に感圧抵抗を成すピエゾ抵抗が形成され、Ｓｉ（１００
） ウエハに前記接合界面もしくはその近傍に達する選
択エッチングによりダイアフラムが形成されていること
を特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 Ｓｉ （１１０） ウエハおよびＳ
ｉ（１００） ウエハの接合体を構成する工程と、感圧
抵抗を成すピエゾ抵抗を形成する工程と、前記Ｓｉ（１
００） ウエハを接合界面もしくはその近傍に達するよ
う選択エッチングして少なくとも一部がＳｉ（１１０）
ウエハからなるダイアフラムを形成する工程とを具備
することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006928A JPH04240776A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3006928A JPH04240776A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240776A true JPH04240776A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11651911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3006928A Withdrawn JPH04240776A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240776A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11258409A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 集光素子の製造方法 |
| JP2011017693A (ja) * | 2009-06-09 | 2011-01-27 | Denso Corp | 半導体力学量センサの製造方法及び半導体力学量センサ |
| CN104266781A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-01-07 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 压阻式压力传感器及其制造方法 |
| WO2026053455A1 (ja) * | 2024-09-03 | 2026-03-12 | 三菱電機株式会社 | 薄膜応力測定方法、薄膜応力測定用基板、及びこれを用いたデバイスの製造方法、並びに薄膜応力測定装置 |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP3006928A patent/JPH04240776A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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