JPH11258409A - 集光素子の製造方法 - Google Patents
集光素子の製造方法Info
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- JPH11258409A JPH11258409A JP10063518A JP6351898A JPH11258409A JP H11258409 A JPH11258409 A JP H11258409A JP 10063518 A JP10063518 A JP 10063518A JP 6351898 A JP6351898 A JP 6351898A JP H11258409 A JPH11258409 A JP H11258409A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接場において用いる平面開口型プローブに
おいて、光の集光効果を向上させて微小開口から出射す
る光の強度を向上させる。 【解決手段】 基板２の一方の面２ｃから他方の面２ｄ
に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部２ｂを形
成する凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間とは
屈折率が異なる感光液を上記一方の面２ｃ側から塗布し
て上記凹部２ｂ内に感光膜を形成する感光膜形成工程
と、他方の面から露光を行う露光工程と、開口部内に形
成された感光膜のうち、上記露光工程で硬化されていな
い感光膜を除去する感光膜除去工程とを有し、凹部２ｂ
内に半球レンズ３を形成する。
おいて、光の集光効果を向上させて微小開口から出射す
る光の強度を向上させる。 【解決手段】 基板２の一方の面２ｃから他方の面２ｄ
に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部２ｂを形
成する凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間とは
屈折率が異なる感光液を上記一方の面２ｃ側から塗布し
て上記凹部２ｂ内に感光膜を形成する感光膜形成工程
と、他方の面から露光を行う露光工程と、開口部内に形
成された感光膜のうち、上記露光工程で硬化されていな
い感光膜を除去する感光膜除去工程とを有し、凹部２ｂ
内に半球レンズ３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を集光する集光
素子の製造方法に関する。
素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、集光機能を備えた近接場平面開口
プローブ３０は、図７に示すように、微小開口３１が形
成されたＳｉ膜３２を備え、Ｓｉ膜３２に断面略Ｖ字状
の凹部３２ａが形成されてなるものであった。ここで、
凹部３２ａの内壁には、例えばＡｕ等の光反射素子が製
膜されている。すなわち、この開口プローブ３０は、一
方の面３０ａから入射された光を集光して微小開口３１
から出射する構造となされている。
プローブ３０は、図７に示すように、微小開口３１が形
成されたＳｉ膜３２を備え、Ｓｉ膜３２に断面略Ｖ字状
の凹部３２ａが形成されてなるものであった。ここで、
凹部３２ａの内壁には、例えばＡｕ等の光反射素子が製
膜されている。すなわち、この開口プローブ３０は、一
方の面３０ａから入射された光を集光して微小開口３１
から出射する構造となされている。
【０００３】また、この開口プローブ３０では、凹部３
２ａに球レンズ３３を配し、さらなる集光効果の向上が
図られている。
２ａに球レンズ３３を配し、さらなる集光効果の向上が
図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の開口プローブ３
０では、Ｓｉ膜３２を断面略Ｖ字状に形成し、球レンズ
３３を設けた構造として、微小開口３１から出射する光
の強度を向上させている。しかし、この開口プローブ３
０を円盤状記録媒体の記録再生に用いるときには、光が
高周波でＯＮ／ＯＦＦが切り替えられるために、さらな
る光強度の向上が望まれる。
０では、Ｓｉ膜３２を断面略Ｖ字状に形成し、球レンズ
３３を設けた構造として、微小開口３１から出射する光
の強度を向上させている。しかし、この開口プローブ３
０を円盤状記録媒体の記録再生に用いるときには、光が
高周波でＯＮ／ＯＦＦが切り替えられるために、さらな
る光強度の向上が望まれる。
【０００５】そこで、本発明は、上述したような実情に
鑑みて提案されたものであり、近接場において用いる平
面開口型プローブにおいて、光の集光効果を向上させて
微小開口から出射する光の強度を向上させる集光素子の
製造方法を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、近接場において用いる平
面開口型プローブにおいて、光の集光効果を向上させて
微小開口から出射する光の強度を向上させる集光素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決する本
発明に係る集光素子の製造方法は、基板の一方の面から
他方の面に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部
を形成する凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間
とは屈折率が異なる感光液を上記一方の面側から塗布し
て上記凹部内に感光膜を形成する感光膜形成工程と、他
方の面から露光を行う露光工程と、凹部内に形成された
感光膜のうち、上記露光工程で硬化されていない感光膜
を除去する感光膜除去工程とを有することを特徴とす
る。
発明に係る集光素子の製造方法は、基板の一方の面から
他方の面に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部
を形成する凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間
とは屈折率が異なる感光液を上記一方の面側から塗布し
て上記凹部内に感光膜を形成する感光膜形成工程と、他
方の面から露光を行う露光工程と、凹部内に形成された
感光膜のうち、上記露光工程で硬化されていない感光膜
を除去する感光膜除去工程とを有することを特徴とす
る。
【０００７】このような集光素子の製造方法は、小さい
開口の他方の面から露光を行うので、凹部を中心とした
範囲で感光液を硬化させる。
開口の他方の面から露光を行うので、凹部を中心とした
範囲で感光液を硬化させる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【０００９】図１は、近接場に用いられる開口プローブ
１の断面図である。この図１に示した開口プローブ１
は、開口部２ａを中心として凹部２ｂが形成されたＳｉ
基板２と、開口部２ａに形成された半球レンズ３と、Ｓ
ｉ基板２の凹部２ｂに配設される球レンズ４とを備え
る。
１の断面図である。この図１に示した開口プローブ１
は、開口部２ａを中心として凹部２ｂが形成されたＳｉ
基板２と、開口部２ａに形成された半球レンズ３と、Ｓ
ｉ基板２の凹部２ｂに配設される球レンズ４とを備え
る。
【００１０】Ｓｉ基板２は、複数の凹部２ｂが形成され
てなる。このＳｉ基板２には、一方の面２ｃから他方の
面２ｄに向かって開口が次第に小となるように凹部２ｂ
が形成されている。また、このＳｉ基板２上及び凹部４
ａの内壁には、光反射率の高い、例えば反射膜５が形成
されている。
てなる。このＳｉ基板２には、一方の面２ｃから他方の
面２ｄに向かって開口が次第に小となるように凹部２ｂ
が形成されている。また、このＳｉ基板２上及び凹部４
ａの内壁には、光反射率の高い、例えば反射膜５が形成
されている。
【００１１】凹部２ｂは、Ｓｉ基板２の他方の面側に例
えば約４５０ｎｍ程度の幅ｔ１を有する開口部２ａを有
して形成される。この凹部２ｂは、一方の面２ｃから他
方の面２ｄ側に向かって開口が次第に小となるように形
成されることにより、略Ｖ字状に形成されている。この
凹部２ｂの内部には、反射膜５が形成されることによ
り、一方の面２ｃ側から入射された光を集光して半球レ
ンズ３に導く。
えば約４５０ｎｍ程度の幅ｔ１を有する開口部２ａを有
して形成される。この凹部２ｂは、一方の面２ｃから他
方の面２ｄ側に向かって開口が次第に小となるように形
成されることにより、略Ｖ字状に形成されている。この
凹部２ｂの内部には、反射膜５が形成されることによ
り、一方の面２ｃ側から入射された光を集光して半球レ
ンズ３に導く。
【００１２】半球レンズ３は、Ｓｉ基板２の開口部２ａ
上に形成され、半球状に形成されている。この半球レン
ズ３は、例えば光硬化性及び光透過性を有し、高屈折率
を有する樹脂材料からなる。この半球レンズ３は、側面
がＳｉ基板２及び反射膜５により接して形成されてい
る。また、この半球レンズ３は、凹部２ｂの開口側が球
状に形成されている。
上に形成され、半球状に形成されている。この半球レン
ズ３は、例えば光硬化性及び光透過性を有し、高屈折率
を有する樹脂材料からなる。この半球レンズ３は、側面
がＳｉ基板２及び反射膜５により接して形成されてい
る。また、この半球レンズ３は、凹部２ｂの開口側が球
状に形成されている。
【００１３】このような開口プローブ１に入射される光
は、図１中の矢印Ａで示すように、Ｓｉ基板２の一方の
面２ｃ側から入射されると、球レンズ４に入射され、凹
部２ｂ内に集光される。そして、この凹部２ｂ内に集光
された光は、凹部２ｂの内壁に形成された反射膜５によ
り反射されて、半球レンズ３に導かれる。そして、半球
レンズ３に入射した光は、半球レンズ３により再び集光
されて、開口部２ａから他方の面２ｄ側に出射される。
は、図１中の矢印Ａで示すように、Ｓｉ基板２の一方の
面２ｃ側から入射されると、球レンズ４に入射され、凹
部２ｂ内に集光される。そして、この凹部２ｂ内に集光
された光は、凹部２ｂの内壁に形成された反射膜５によ
り反射されて、半球レンズ３に導かれる。そして、半球
レンズ３に入射した光は、半球レンズ３により再び集光
されて、開口部２ａから他方の面２ｄ側に出射される。
【００１４】このような開口プローブ１は、半球レンズ
３を形成することで、球レンズ４のみにより光を集光し
て開口部２ａから出射するときと比較してさらに光の集
光効果を向上させることができ、開口部２ａから出射す
る光の強度を向上させることができる。
３を形成することで、球レンズ４のみにより光を集光し
て開口部２ａから出射するときと比較してさらに光の集
光効果を向上させることができ、開口部２ａから出射す
る光の強度を向上させることができる。
【００１５】このような開口プローブ１の製造方法は、
先ず、例えばＳｉＯ基板と、Ｓｉ基板２とからなる２層
構造の平板状基板を用意する。
先ず、例えばＳｉＯ基板と、Ｓｉ基板２とからなる２層
構造の平板状基板を用意する。
【００１６】次に、平板状基板のＳｉ基板２側から異方
性エッチングを施す。このように異方性エッチングを施
すことにより、内壁が略Ｖ字状の凹部２ｂを形成する。
この異方性エッチングを行うときには、例えば水酸化カ
リウム（ＫＯＨ）を用いることで、略Ｖ字状の凹部２ｂ
を形成する。
性エッチングを施す。このように異方性エッチングを施
すことにより、内壁が略Ｖ字状の凹部２ｂを形成する。
この異方性エッチングを行うときには、例えば水酸化カ
リウム（ＫＯＨ）を用いることで、略Ｖ字状の凹部２ｂ
を形成する。
【００１７】次に、凹部２ｂが形成されたＳｉ膜上にＡ
ｕからなる反射膜５を形成する。
ｕからなる反射膜５を形成する。
【００１８】次に、凹部２ｂ内に半球レンズ３を形成す
る。この半球レンズ３を形成するときには、凹部２ｂ内
に感光液を流し込み、ＳｉＯ膜側から紫外線露光を行う
ことにより、半球レンズ３を形成する。なお、この半球
レンズ３を形成する工程についての説明は後述する。
る。この半球レンズ３を形成するときには、凹部２ｂ内
に感光液を流し込み、ＳｉＯ膜側から紫外線露光を行う
ことにより、半球レンズ３を形成する。なお、この半球
レンズ３を形成する工程についての説明は後述する。
【００１９】次に、半球レンズ３が形成された凹部２ｂ
上に球レンズ４を形成して、図１に示した開口プローブ
１を完成させる。
上に球レンズ４を形成して、図１に示した開口プローブ
１を完成させる。
【００２０】つぎに、上述の開口プローブ１の製造工程
において、半球レンズ３を形成する工程についての詳細
な説明をする。なお、以下の説明は、凹部２ｂ内に半球
レンズ３が形成できることを確認するための説明であ
る。
において、半球レンズ３を形成する工程についての詳細
な説明をする。なお、以下の説明は、凹部２ｂ内に半球
レンズ３が形成できることを確認するための説明であ
る。
【００２１】半球レンズ３を形成するときには、先ず、
図２に示すように、ガラス１１上にＣｒ膜１２を成膜
し、さらに、このＣｒ膜１２上にＡｌ膜１３を成膜す
る。このＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３の成膜法について
は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成技術が用いられ
る。このようにＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３を成膜するこ
とで、基板１０を形成する。そして、この基板１０に複
数の開口部１０ａを形成するときには、基板にパターン
エッチング等を施すことにより、開口部１０ａを形成す
る。
図２に示すように、ガラス１１上にＣｒ膜１２を成膜
し、さらに、このＣｒ膜１２上にＡｌ膜１３を成膜す
る。このＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３の成膜法について
は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成技術が用いられ
る。このようにＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３を成膜するこ
とで、基板１０を形成する。そして、この基板１０に複
数の開口部１０ａを形成するときには、基板にパターン
エッチング等を施すことにより、開口部１０ａを形成す
る。
【００２２】このように基板１０は、平板状に成形さ
れ、この平板に複数の開口部１０ａが形成されてなる。
この基板１０は、例えば約２ｎｍ程度の膜厚を有するＣ
ｒ膜１２と、約３００ｎｍ程度の膜厚を有するＡｌ膜１
３とがガラス基板１１上に形成されてなる。
れ、この平板に複数の開口部１０ａが形成されてなる。
この基板１０は、例えば約２ｎｍ程度の膜厚を有するＣ
ｒ膜１２と、約３００ｎｍ程度の膜厚を有するＡｌ膜１
３とがガラス基板１１上に形成されてなる。
【００２３】この基板１０に形成された開口部１０ａ
は、約４５０ｎｍ程度の幅ｔ２を有して形成される。ま
た、この開口部１０ａは、基板１０に対して垂直に形成
する一例に限られず、断面略Ｖ字状に形成しても良い。
すなわち、この開口部１０ａは、基板の一方の面１０ｂ
から他方の面１０ｃに向かうに従って、開口が小さくな
る形状であっても良い。なお、本実施の形態において
は、説明の便宜上、一つの開口部１０ａの近傍のみにつ
いて説明する。
は、約４５０ｎｍ程度の幅ｔ２を有して形成される。ま
た、この開口部１０ａは、基板１０に対して垂直に形成
する一例に限られず、断面略Ｖ字状に形成しても良い。
すなわち、この開口部１０ａは、基板の一方の面１０ｂ
から他方の面１０ｃに向かうに従って、開口が小さくな
る形状であっても良い。なお、本実施の形態において
は、説明の便宜上、一つの開口部１０ａの近傍のみにつ
いて説明する。
【００２４】次に、図３に示すように、Ａｌ膜１３上に
感光レジスト１４を塗布する。この感光レジスト１４
は、粘度が約３０ｃｐのものを用い、約２〜３μｍ程度
の膜厚で形成される。
感光レジスト１４を塗布する。この感光レジスト１４
は、粘度が約３０ｃｐのものを用い、約２〜３μｍ程度
の膜厚で形成される。
【００２５】次に、図４に示すように、基板１０の他方
の面１０ｃから紫外領域の波長を有する光を照射する。
このように基板１０の他方の面１０ｃから紫外線光を照
射することで、感光レジスト１４を開口部１０ａを通過
した紫外線光により照射し、開口部１０ａを中心として
硬化した露光領域１５を形成する。なお、この工程で
は、紫外線光を約６０秒程度の時間露光することで、露
光部１５を形成する。
の面１０ｃから紫外領域の波長を有する光を照射する。
このように基板１０の他方の面１０ｃから紫外線光を照
射することで、感光レジスト１４を開口部１０ａを通過
した紫外線光により照射し、開口部１０ａを中心として
硬化した露光領域１５を形成する。なお、この工程で
は、紫外線光を約６０秒程度の時間露光することで、露
光部１５を形成する。
【００２６】次に、図５に示すように、塗布した感光レ
ジスト１４を除去する。このように感光レジスト１４を
除去することで、上述の露光されて硬化した露光部１５
を残して半球状の露光部１５を形成する。
ジスト１４を除去する。このように感光レジスト１４を
除去することで、上述の露光されて硬化した露光部１５
を残して半球状の露光部１５を形成する。
【００２７】このような半球レンズの製造工程によれ
ば、基板１０の一方の面１０ｂから感光レジスト１４を
約２〜３μｍ程度の厚さに塗布し、基板１０の他方の面
１０ｃから感光レジスト１４を約６０秒という比較的長
い時間露光することで、基板１０上に半球上の露光部１
５を形成することができる。
ば、基板１０の一方の面１０ｂから感光レジスト１４を
約２〜３μｍ程度の厚さに塗布し、基板１０の他方の面
１０ｃから感光レジスト１４を約６０秒という比較的長
い時間露光することで、基板１０上に半球上の露光部１
５を形成することができる。
【００２８】したがって、この図２〜図５に示した製造
工程と同様に、上述の開口プローブ１の製造工程におい
ても、Ｓｉ膜側から感光レジストを塗布し、ＳｉＯ膜側
から開口部２ａに向かって、紫外線光を露光すること
で、開口部２ａ上であって、凹部２ｂの内部に半球レン
ズ３を形成できるとみなせる。
工程と同様に、上述の開口プローブ１の製造工程におい
ても、Ｓｉ膜側から感光レジストを塗布し、ＳｉＯ膜側
から開口部２ａに向かって、紫外線光を露光すること
で、開口部２ａ上であって、凹部２ｂの内部に半球レン
ズ３を形成できるとみなせる。
【００２９】つぎに、図６に示すような開口プローブ２
０について説明する。
０について説明する。
【００３０】この開口プローブ２０は、上述の開口プロ
ーブ１とほぼ同様の構成を有するが、Ｓｉ膜２１の内壁
が略放物線形状となされた凹部２２が形成されている
点、球レンズが形成されていない点、で異なる。また、
この凹部２２の内壁には、Ａｕ膜２３が製膜されてい
る。
ーブ１とほぼ同様の構成を有するが、Ｓｉ膜２１の内壁
が略放物線形状となされた凹部２２が形成されている
点、球レンズが形成されていない点、で異なる。また、
この凹部２２の内壁には、Ａｕ膜２３が製膜されてい
る。
【００３１】このような開口プローブ２０に入射される
光は、図６中の矢印Ｂで示すように、Ｓｉ膜２１の一方
の面２１ａ側から入射されると、凹部２２内で反射を繰
り返して半球レンズ２４に導かれる。そして、半球レン
ズ２４に入射した光は、半球レンズ２４により集光され
て、開口部２５から他方の面２０ｂ側に出射される。
光は、図６中の矢印Ｂで示すように、Ｓｉ膜２１の一方
の面２１ａ側から入射されると、凹部２２内で反射を繰
り返して半球レンズ２４に導かれる。そして、半球レン
ズ２４に入射した光は、半球レンズ２４により集光され
て、開口部２５から他方の面２０ｂ側に出射される。
【００３２】この開口プローブ２０の製造方法は、上述
の開口プローブ１とほぼ同様の製造方法であるが、Ｓｉ
膜２１に対して等方性エッチングを行うことで、内壁が
略放物線形状の凹部２２を形成する点で異なる。
の開口プローブ１とほぼ同様の製造方法であるが、Ｓｉ
膜２１に対して等方性エッチングを行うことで、内壁が
略放物線形状の凹部２２を形成する点で異なる。
【００３３】すなわち、この開口プローブ２０の製造工
程においては、開口プローブ１の製造工程と同様に、基
板のＳｉ基板側からフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３
ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いてエッチングを行うこと
で、内壁が放物線形状の凹部２２を形成する。そして、
Ｓｉ膜２１上からＡｕ膜２３を製膜することで、図６に
示した開口プローブ２０を作製する。
程においては、開口プローブ１の製造工程と同様に、基
板のＳｉ基板側からフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３
ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いてエッチングを行うこと
で、内壁が放物線形状の凹部２２を形成する。そして、
Ｓｉ膜２１上からＡｕ膜２３を製膜することで、図６に
示した開口プローブ２０を作製する。
【００３４】このような開口プローブ２０の製造方法
は、凹部２２を形成するときに、フッ硝酸を用いてエッ
チングを行うことにより、内壁を放物線形状とすること
ができる。従って、このような開口プローブ２０の製造
方法により製造された開口プローブ２０は、凹部２２の
半球レンズ２４への集光効果をさらに向上させることが
できる。また、この開口プローブ２０の製造方法によれ
ば、上述の開口プローブ１の製造方法よりもさらに簡易
な方法で高い集光効率を有する開口プローブ２０を製造
することができる。
は、凹部２２を形成するときに、フッ硝酸を用いてエッ
チングを行うことにより、内壁を放物線形状とすること
ができる。従って、このような開口プローブ２０の製造
方法により製造された開口プローブ２０は、凹部２２の
半球レンズ２４への集光効果をさらに向上させることが
できる。また、この開口プローブ２０の製造方法によれ
ば、上述の開口プローブ１の製造方法よりもさらに簡易
な方法で高い集光効率を有する開口プローブ２０を製造
することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る集光素子の製造方法は、基板の一方の面から他方の面
に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部を形成す
る凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間とは屈折
率が異なる感光液を上記一方の面側から塗布して上記凹
部内に感光膜を形成する感光膜形成工程と、他方の面か
ら露光を行う露光工程と、凹部内に形成された感光膜の
うち、上記露光工程で硬化されていない感光膜を除去す
る感光膜除去工程とを有するので、凹部を中心として半
球状の感光膜を形成することができる。従って、この集
光素子の製造方法によれば、凹部内に半球レンズを形成
することができる。
る集光素子の製造方法は、基板の一方の面から他方の面
に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部を形成す
る凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間とは屈折
率が異なる感光液を上記一方の面側から塗布して上記凹
部内に感光膜を形成する感光膜形成工程と、他方の面か
ら露光を行う露光工程と、凹部内に形成された感光膜の
うち、上記露光工程で硬化されていない感光膜を除去す
る感光膜除去工程とを有するので、凹部を中心として半
球状の感光膜を形成することができる。従って、この集
光素子の製造方法によれば、凹部内に半球レンズを形成
することができる。
【図１】本発明に係る集光素子の製造方法により製造さ
れる開口プローブの一例を示す断面図である。
れる開口プローブの一例を示す断面図である。
【図２】開口プローブの製造方法における開口が形成さ
れた基板の一例を示す断面図である。
れた基板の一例を示す断面図である。
【図３】基板上に感光レジストを形成したときの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】基板の他方の面から紫外線光を照射して、露光
領域を形成するときの一例を示す断面図である。
領域を形成するときの一例を示す断面図である。
【図５】基板上の感光レジストを除去したときの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明に係る集光素子の製造方法により製造さ
れる開口プローブの他の一例を示す断面図である。
れる開口プローブの他の一例を示す断面図である。
【図７】従来の開口プローブの一例を示す断面図であ
る。
る。
１，２０ 開口プローブ、３，２４ 半球レンズ、２
ｂ，２２ 凹部
ｂ，２２ 凹部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 集光素子の製造方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を集光する集光
素子の製造方法に関する。
素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、集光機能を備えた近接場平面開口
プローブ３０は、図７に示すように、微小開口３１が形
成されたＳｉ膜３２を備え、Ｓｉ膜３２に断面略Ｖ字状
の凹部３２ａが形成されてなるものであった。ここで、
凹部３２ａの内壁には、例えばＡｕ等の光反射素子が製
膜されている。すなわち、この開口プローブ３０は、一
方の面３０ａから入射された光を集光して微小開口３１
から出射する構造となされている。
プローブ３０は、図７に示すように、微小開口３１が形
成されたＳｉ膜３２を備え、Ｓｉ膜３２に断面略Ｖ字状
の凹部３２ａが形成されてなるものであった。ここで、
凹部３２ａの内壁には、例えばＡｕ等の光反射素子が製
膜されている。すなわち、この開口プローブ３０は、一
方の面３０ａから入射された光を集光して微小開口３１
から出射する構造となされている。
【０００３】また、この開口プローブ３０では、凹部３
２ａに球レンズ３３を配し、さらなる集光効果の向上が
図られている。
２ａに球レンズ３３を配し、さらなる集光効果の向上が
図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の開口プローブ３
０では、Ｓｉ膜３２を断面略Ｖ字状に形成し、球レンズ
３３を設けた構造として、微小開口３１から出射する光
の強度を向上させている。しかし、この開口プローブ３
０を円盤状記録媒体の記録再生に用いるときには、光が
高周波でＯＮ／ＯＦＦが切り替えられるために、さらな
る光強度の向上が望まれる。
０では、Ｓｉ膜３２を断面略Ｖ字状に形成し、球レンズ
３３を設けた構造として、微小開口３１から出射する光
の強度を向上させている。しかし、この開口プローブ３
０を円盤状記録媒体の記録再生に用いるときには、光が
高周波でＯＮ／ＯＦＦが切り替えられるために、さらな
る光強度の向上が望まれる。
【０００５】そこで、本発明は、上述したような実情に
鑑みて提案されたものであり、近接場において用いる平
面開口型プローブにおいて、光の集光効果を向上させて
微小開口から出射する光の強度を向上させる集光素子の
製造方法を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、近接場において用いる平
面開口型プローブにおいて、光の集光効果を向上させて
微小開口から出射する光の強度を向上させる集光素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決する本
発明に係る集光素子の製造方法は、ＳｉＯ2膜と該Ｓｉ
Ｏ2膜上に形成されたＳｉ膜とからなる基板のＳｉ膜が
形成された面からＳｉＯ2膜が形成された面に向かって
エッチングを施すことで、開口が上記基板のＳｉ膜が形
成された面からＳｉＯ2膜が形成された面に向かって開
口が次第に小とされた複数の凹部を形成する凹部形成工
程と、光透過性を有し、外部空間とは屈折率が異なる感
光液を上記一方の面側から塗布して上記凹部内に感光膜
を形成する感光膜形成工程と、上記他方の面から露光を
行う露光工程と、上記凹部内に形成された感光膜のう
ち、上記露光工程で硬化されていない感光膜を除去する
感光膜除去工程とを有することを特徴とする。
発明に係る集光素子の製造方法は、ＳｉＯ2膜と該Ｓｉ
Ｏ2膜上に形成されたＳｉ膜とからなる基板のＳｉ膜が
形成された面からＳｉＯ2膜が形成された面に向かって
エッチングを施すことで、開口が上記基板のＳｉ膜が形
成された面からＳｉＯ2膜が形成された面に向かって開
口が次第に小とされた複数の凹部を形成する凹部形成工
程と、光透過性を有し、外部空間とは屈折率が異なる感
光液を上記一方の面側から塗布して上記凹部内に感光膜
を形成する感光膜形成工程と、上記他方の面から露光を
行う露光工程と、上記凹部内に形成された感光膜のう
ち、上記露光工程で硬化されていない感光膜を除去する
感光膜除去工程とを有することを特徴とする。
【０００７】また、本発明に係る集光素子の製造方法
は、基板の一方の面から他方の面に向かって開口が次第
に小とされた複数の凹部を、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ
３：ＣＨ３ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いて等方性エッ
チングを行って形成する凹部形成工程と、光透過性を有
し、外部空間とは屈折率が異なる感光液を上記一方の面
側から塗布して上記凹部内に感光膜を形成する感光膜形
成工程と、上記他方の面から露光を行う露光工程と、上
記凹部内に形成された感光膜のうち、上記露光工程で硬
化されていない感光膜を除去する感光膜除去工程とを有
することを特徴とする。
は、基板の一方の面から他方の面に向かって開口が次第
に小とされた複数の凹部を、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ
３：ＣＨ３ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いて等方性エッ
チングを行って形成する凹部形成工程と、光透過性を有
し、外部空間とは屈折率が異なる感光液を上記一方の面
側から塗布して上記凹部内に感光膜を形成する感光膜形
成工程と、上記他方の面から露光を行う露光工程と、上
記凹部内に形成された感光膜のうち、上記露光工程で硬
化されていない感光膜を除去する感光膜除去工程とを有
することを特徴とする。
【０００８】更に、本発明に係る集光素子の製造方法
は、基板の一方の面から他方の面に向かって開口が次第
に小とされた複数の凹部を形成する凹部形成工程と、光
透過性を有し、外部空間とは屈折率が異なる感光液を上
記一方の面側から塗布して上記凹部内に感光膜を形成す
る感光膜形成工程と、上記他方の面から露光を行う露光
工程と、上記凹部内に形成された感光膜のうち、上記露
光工程で硬化されていない感光膜を除去する感光膜除去
工程と、上記凹部形成工程で形成された凹部内に球レン
ズを形成するレンズ形成工程とを有することを特徴とす
る。
は、基板の一方の面から他方の面に向かって開口が次第
に小とされた複数の凹部を形成する凹部形成工程と、光
透過性を有し、外部空間とは屈折率が異なる感光液を上
記一方の面側から塗布して上記凹部内に感光膜を形成す
る感光膜形成工程と、上記他方の面から露光を行う露光
工程と、上記凹部内に形成された感光膜のうち、上記露
光工程で硬化されていない感光膜を除去する感光膜除去
工程と、上記凹部形成工程で形成された凹部内に球レン
ズを形成するレンズ形成工程とを有することを特徴とす
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図１は、近接場に用いられる開口プローブ
１の断面図である。この図１に示した開口プローブ１
は、開口部２ａを中心として凹部２ｂが形成されたＳｉ
基板２と、開口部２ａに形成された半球レンズ３と、Ｓ
ｉ基板２の凹部２ｂに配設される球レンズ４とを備え
る。
１の断面図である。この図１に示した開口プローブ１
は、開口部２ａを中心として凹部２ｂが形成されたＳｉ
基板２と、開口部２ａに形成された半球レンズ３と、Ｓ
ｉ基板２の凹部２ｂに配設される球レンズ４とを備え
る。
【００１１】Ｓｉ基板２は、複数の凹部２ｂが形成され
てなる。このＳｉ基板２には、一方の面２ｃから他方の
面２ｄに向かって開口が次第に小となるように凹部２ｂ
が形成されている。また、このＳｉ基板２上及び凹部４
ａの内壁には、光反射率の高い、例えば反射膜５が形成
されている。
てなる。このＳｉ基板２には、一方の面２ｃから他方の
面２ｄに向かって開口が次第に小となるように凹部２ｂ
が形成されている。また、このＳｉ基板２上及び凹部４
ａの内壁には、光反射率の高い、例えば反射膜５が形成
されている。
【００１２】凹部２ｂは、Ｓｉ基板２の他方の面側に例
えば約４５０ｎｍ程度の幅ｔ１を有する開口部２ａを有
して形成される。この凹部２ｂは、一方の面２ｃから他
方の面２ｄ側に向かって開口が次第に小となるように形
成されることにより、略Ｖ字状に形成されている。この
凹部２ｂの内部には、反射膜５が形成されることによ
り、一方の面２ｃ側から入射された光を集光して半球レ
ンズ３に導く。
えば約４５０ｎｍ程度の幅ｔ１を有する開口部２ａを有
して形成される。この凹部２ｂは、一方の面２ｃから他
方の面２ｄ側に向かって開口が次第に小となるように形
成されることにより、略Ｖ字状に形成されている。この
凹部２ｂの内部には、反射膜５が形成されることによ
り、一方の面２ｃ側から入射された光を集光して半球レ
ンズ３に導く。
【００１３】半球レンズ３は、Ｓｉ基板２の開口部２ａ
上に形成され、半球状に形成されている。この半球レン
ズ３は、例えば光硬化性及び光透過性を有し、高屈折率
を有する樹脂材料からなる。この半球レンズ３は、側面
がＳｉ基板２及び反射膜５により接して形成されてい
る。また、この半球レンズ３は、凹部２ｂの開口側が球
状に形成されている。
上に形成され、半球状に形成されている。この半球レン
ズ３は、例えば光硬化性及び光透過性を有し、高屈折率
を有する樹脂材料からなる。この半球レンズ３は、側面
がＳｉ基板２及び反射膜５により接して形成されてい
る。また、この半球レンズ３は、凹部２ｂの開口側が球
状に形成されている。
【００１４】このような開口プローブ１に入射される光
は、図１中の矢印Ａで示すように、Ｓｉ基板２の一方の
面２ｃ側から入射されると、球レンズ４に入射され、凹
部２ｂ内に集光される。そして、この凹部２ｂ内に集光
された光は、凹部２ｂの内壁に形成された反射膜５によ
り反射されて、半球レンズ３に導かれる。そして、半球
レンズ３に入射した光は、半球レンズ３により再び集光
されて、開口部２ａから他方の面２ｄ側に出射される。
は、図１中の矢印Ａで示すように、Ｓｉ基板２の一方の
面２ｃ側から入射されると、球レンズ４に入射され、凹
部２ｂ内に集光される。そして、この凹部２ｂ内に集光
された光は、凹部２ｂの内壁に形成された反射膜５によ
り反射されて、半球レンズ３に導かれる。そして、半球
レンズ３に入射した光は、半球レンズ３により再び集光
されて、開口部２ａから他方の面２ｄ側に出射される。
【００１５】このような開口プローブ１は、半球レンズ
３を形成することで、球レンズ４のみにより光を集光し
て開口部２ａから出射するときと比較してさらに光の集
光効果を向上させることができ、開口部２ａから出射す
る光の強度を向上させることができる。
３を形成することで、球レンズ４のみにより光を集光し
て開口部２ａから出射するときと比較してさらに光の集
光効果を向上させることができ、開口部２ａから出射す
る光の強度を向上させることができる。
【００１６】このような開口プローブ１の製造方法は、
先ず、例えばＳｉＯ2基板と、Ｓｉ基板２とからなる２
層構造の平板状基板を用意する。
先ず、例えばＳｉＯ2基板と、Ｓｉ基板２とからなる２
層構造の平板状基板を用意する。
【００１７】次に、平板状基板のＳｉ基板２側から異方
性エッチングを施す。このように異方性エッチングを施
すことにより、内壁が略Ｖ字状の凹部２ｂを形成する。
この異方性エッチングを行うときには、例えば水酸化カ
リウム（ＫＯＨ）を用いることで、略Ｖ字状の凹部２ｂ
を形成する。
性エッチングを施す。このように異方性エッチングを施
すことにより、内壁が略Ｖ字状の凹部２ｂを形成する。
この異方性エッチングを行うときには、例えば水酸化カ
リウム（ＫＯＨ）を用いることで、略Ｖ字状の凹部２ｂ
を形成する。
【００１８】次に、凹部２ｂが形成されたＳｉ膜上にＡ
ｕからなる反射膜５を形成する。次に、凹部２ｂ内に半
球レンズ３を形成する。この半球レンズ３を形成すると
きには、凹部２ｂ内に感光液を流し込み、ＳｉＯ2膜側
から紫外線露光を行うことにより、半球レンズ３を形成
する。なお、この半球レンズ３を形成する工程について
の説明は後述する。
ｕからなる反射膜５を形成する。次に、凹部２ｂ内に半
球レンズ３を形成する。この半球レンズ３を形成すると
きには、凹部２ｂ内に感光液を流し込み、ＳｉＯ2膜側
から紫外線露光を行うことにより、半球レンズ３を形成
する。なお、この半球レンズ３を形成する工程について
の説明は後述する。
【００１９】次に、半球レンズ３が形成された凹部２ｂ
上に球レンズ４を形成して、図１に示した開口プローブ
１を完成させる。
上に球レンズ４を形成して、図１に示した開口プローブ
１を完成させる。
【００２０】つぎに、上述の開口プローブ１の製造工程
において、半球レンズ３を形成する工程についての詳細
な説明をする。なお、以下の説明は、凹部２ｂ内に半球
レンズ３が形成できることを確認するための説明であ
る。
において、半球レンズ３を形成する工程についての詳細
な説明をする。なお、以下の説明は、凹部２ｂ内に半球
レンズ３が形成できることを確認するための説明であ
る。
【００２１】半球レンズ３を形成するときには、先ず、
図２に示すように、ガラス１１上にＣｒ膜１２を成膜
し、さらに、このＣｒ膜１２上にＡｌ膜１３を成膜す
る。このＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３の成膜法について
は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成技術が用いられ
る。このようにＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３を成膜するこ
とで、基板１０を形成する。そして、この基板１０に複
数の開口部１０ａを形成するときには、基板にパターン
エッチング等を施すことにより、開口部１０ａを形成す
る。
図２に示すように、ガラス１１上にＣｒ膜１２を成膜
し、さらに、このＣｒ膜１２上にＡｌ膜１３を成膜す
る。このＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３の成膜法について
は、スパッタ法や蒸着法等の薄膜形成技術が用いられ
る。このようにＣｒ膜１２及びＡｌ膜１３を成膜するこ
とで、基板１０を形成する。そして、この基板１０に複
数の開口部１０ａを形成するときには、基板にパターン
エッチング等を施すことにより、開口部１０ａを形成す
る。
【００２２】このように基板１０は、平板状に成形さ
れ、この平板に複数の開口部１０ａが形成されてなる。
この基板１０は、例えば約２ｎｍ程度の膜厚を有するＣ
ｒ膜１２と、約３００ｎｍ程度の膜厚を有するＡｌ膜１
３とがガラス基板１１上に形成されてなる。
れ、この平板に複数の開口部１０ａが形成されてなる。
この基板１０は、例えば約２ｎｍ程度の膜厚を有するＣ
ｒ膜１２と、約３００ｎｍ程度の膜厚を有するＡｌ膜１
３とがガラス基板１１上に形成されてなる。
【００２３】この基板１０に形成された開口部１０ａ
は、約４５０ｎｍ程度の幅ｔ２を有して形成される。ま
た、この開口部１０ａは、基板１０に対して垂直に形成
する一例に限られず、断面略Ｖ字状に形成しても良い。
すなわち、この開口部１０ａは、基板の一方の面１０ｂ
から他方の面１０ｃに向かうに従って、開口が小さくな
る形状であっても良い。なお、本実施の形態において
は、説明の便宜上、一つの開口部１０ａの近傍のみにつ
いて説明する。
は、約４５０ｎｍ程度の幅ｔ２を有して形成される。ま
た、この開口部１０ａは、基板１０に対して垂直に形成
する一例に限られず、断面略Ｖ字状に形成しても良い。
すなわち、この開口部１０ａは、基板の一方の面１０ｂ
から他方の面１０ｃに向かうに従って、開口が小さくな
る形状であっても良い。なお、本実施の形態において
は、説明の便宜上、一つの開口部１０ａの近傍のみにつ
いて説明する。
【００２４】次に、図３に示すように、Ａｌ膜１３上に
感光レジスト１４を塗布する。この感光レジスト１４
は、粘度が約３０ｃｐのものを用い、約２〜３μｍ程度
の膜厚で形成される。
感光レジスト１４を塗布する。この感光レジスト１４
は、粘度が約３０ｃｐのものを用い、約２〜３μｍ程度
の膜厚で形成される。
【００２５】次に、図４に示すように、基板１０の他方
の面１０ｃから紫外領域の波長を有する光を照射する。
このように基板１０の他方の面１０ｃから紫外線光を照
射することで、感光レジスト１４を開口部１０ａを通過
した紫外線光により照射し、開口部１０ａを中心として
硬化した露光領域１５を形成する。なお、この工程で
は、紫外線光を約６０秒程度の時間露光することで、露
光部１５を形成する。
の面１０ｃから紫外領域の波長を有する光を照射する。
このように基板１０の他方の面１０ｃから紫外線光を照
射することで、感光レジスト１４を開口部１０ａを通過
した紫外線光により照射し、開口部１０ａを中心として
硬化した露光領域１５を形成する。なお、この工程で
は、紫外線光を約６０秒程度の時間露光することで、露
光部１５を形成する。
【００２６】次に、図５に示すように、塗布した感光レ
ジスト１４を除去する。このように感光レジスト１４を
除去することで、上述の露光されて硬化した露光部１５
を残して半球状の露光部１５を形成する。
ジスト１４を除去する。このように感光レジスト１４を
除去することで、上述の露光されて硬化した露光部１５
を残して半球状の露光部１５を形成する。
【００２７】このような半球レンズの製造工程によれ
ば、基板１０の一方の面１０ｂから感光レジスト１４を
約２〜３μｍ程度の厚さに塗布し、基板１０の他方の面
１０ｃから感光レジスト１４を約６０秒という比較的長
い時間露光することで、基板１０上に半球上の露光部１
５を形成することができる。
ば、基板１０の一方の面１０ｂから感光レジスト１４を
約２〜３μｍ程度の厚さに塗布し、基板１０の他方の面
１０ｃから感光レジスト１４を約６０秒という比較的長
い時間露光することで、基板１０上に半球上の露光部１
５を形成することができる。
【００２８】したがって、この図２〜図５に示した製造
工程と同様に、上述の開口プローブ１の製造工程におい
ても、Ｓｉ膜側から感光レジストを塗布し、ＳｉＯ2膜
側から開口部２ａに向かって、紫外線光を露光すること
で、開口部２ａ上であって、凹部２ｂの内部に半球レン
ズ３を形成できるとみなせる。
工程と同様に、上述の開口プローブ１の製造工程におい
ても、Ｓｉ膜側から感光レジストを塗布し、ＳｉＯ2膜
側から開口部２ａに向かって、紫外線光を露光すること
で、開口部２ａ上であって、凹部２ｂの内部に半球レン
ズ３を形成できるとみなせる。
【００２９】つぎに、図６に示すような開口プローブ２
０について説明する。
０について説明する。
【００３０】この開口プローブ２０は、上述の開口プロ
ーブ１とほぼ同様の構成を有するが、Ｓｉ膜２１の内壁
が略放物線形状となされた凹部２２が形成されている
点、球レンズが形成されていない点、で異なる。また、
この凹部２２の内壁には、Ａｕ膜２３が製膜されてい
る。
ーブ１とほぼ同様の構成を有するが、Ｓｉ膜２１の内壁
が略放物線形状となされた凹部２２が形成されている
点、球レンズが形成されていない点、で異なる。また、
この凹部２２の内壁には、Ａｕ膜２３が製膜されてい
る。
【００３１】このような開口プローブ２０に入射される
光は、図６中の矢印Ｂで示すように、Ｓｉ膜２１の一方
の面２１ａ側から入射されると、凹部２２内で反射を繰
り返して半球レンズ２４に導かれる。そして、半球レン
ズ２４に入射した光は、半球レンズ２４により集光され
て、開口部２５から他方の面２０ｂ側に出射される。
光は、図６中の矢印Ｂで示すように、Ｓｉ膜２１の一方
の面２１ａ側から入射されると、凹部２２内で反射を繰
り返して半球レンズ２４に導かれる。そして、半球レン
ズ２４に入射した光は、半球レンズ２４により集光され
て、開口部２５から他方の面２０ｂ側に出射される。
【００３２】この開口プローブ２０の製造方法は、上述
の開口プローブ１とほぼ同様の製造方法であるが、Ｓｉ
膜２１に対して等方性エッチングを行うことで、内壁が
略放物線形状の凹部２２を形成する点で異なる。
の開口プローブ１とほぼ同様の製造方法であるが、Ｓｉ
膜２１に対して等方性エッチングを行うことで、内壁が
略放物線形状の凹部２２を形成する点で異なる。
【００３３】すなわち、この開口プローブ２０の製造工
程においては、開口プローブ１の製造工程と同様に、基
板のＳｉ基板側からフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３
ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いてエッチングを行うこと
で、内壁が放物線形状の凹部２２を形成する。そして、
Ｓｉ膜２１上からＡｕ膜２３を製膜することで、図６に
示した開口プローブ２０を作製する。
程においては、開口プローブ１の製造工程と同様に、基
板のＳｉ基板側からフッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３
ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いてエッチングを行うこと
で、内壁が放物線形状の凹部２２を形成する。そして、
Ｓｉ膜２１上からＡｕ膜２３を製膜することで、図６に
示した開口プローブ２０を作製する。
【００３４】このような開口プローブ２０の製造方法
は、凹部２２を形成するときに、フッ硝酸を用いてエッ
チングを行うことにより、内壁を放物線形状とすること
ができる。従って、このような開口プローブ２０の製造
方法により製造された開口プローブ２０は、凹部２２の
半球レンズ２４への集光効果をさらに向上させることが
できる。また、この開口プローブ２０の製造方法によれ
ば、上述の開口プローブ１の製造方法よりもさらに簡易
な方法で高い集光効率を有する開口プローブ２０を製造
することができる。
は、凹部２２を形成するときに、フッ硝酸を用いてエッ
チングを行うことにより、内壁を放物線形状とすること
ができる。従って、このような開口プローブ２０の製造
方法により製造された開口プローブ２０は、凹部２２の
半球レンズ２４への集光効果をさらに向上させることが
できる。また、この開口プローブ２０の製造方法によれ
ば、上述の開口プローブ１の製造方法よりもさらに簡易
な方法で高い集光効率を有する開口プローブ２０を製造
することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る集光素子の製造方法は、基板の一方の面から他方の面
に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部を形成す
る凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間とは屈折
率が異なる感光液を上記一方の面側から塗布して上記凹
部内に感光膜を形成する感光膜形成工程と、他方の面か
ら露光を行う露光工程と、凹部内に形成された感光膜の
うち、上記露光工程で硬化されていない感光膜を除去す
る感光膜除去工程とを有するので、凹部を中心として半
球状の感光膜を形成することができる。従って、この集
光素子の製造方法によれば、凹部内に半球レンズを形成
することができる。
る集光素子の製造方法は、基板の一方の面から他方の面
に向かって開口が次第に小とされた複数の凹部を形成す
る凹部形成工程と、光透過性を有し、外部空間とは屈折
率が異なる感光液を上記一方の面側から塗布して上記凹
部内に感光膜を形成する感光膜形成工程と、他方の面か
ら露光を行う露光工程と、凹部内に形成された感光膜の
うち、上記露光工程で硬化されていない感光膜を除去す
る感光膜除去工程とを有するので、凹部を中心として半
球状の感光膜を形成することができる。従って、この集
光素子の製造方法によれば、凹部内に半球レンズを形成
することができる。
【００３６】また、本発明に係る集光素子の製造方法
は、基板の一方の面から他方の面に向かって開口が次第
に小とされた複数の凹部を、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ
３：ＣＨ３ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いて等方性エッ
チングを行って形成する凹部形成工程とを有するので、
凹部の内壁を放物線形状とすることができる。したがっ
て、このような集光素子の製造方法は、凹部における集
光効果を向上させ簡易な方法で高い集光効率を有する集
光素子を製造することができる。
は、基板の一方の面から他方の面に向かって開口が次第
に小とされた複数の凹部を、フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ
３：ＣＨ３ＣＯＯＨ＝１：３：５）を用いて等方性エッ
チングを行って形成する凹部形成工程とを有するので、
凹部の内壁を放物線形状とすることができる。したがっ
て、このような集光素子の製造方法は、凹部における集
光効果を向上させ簡易な方法で高い集光効率を有する集
光素子を製造することができる。
【００３７】更に、本発明に係る集光素子の製造方法
は、凹部形成工程で形成された凹部内に球レンズを形成
するレンズ形成工程を有するので、凹部内に球レンズが
配されてなる集光素子を製造することができる。
は、凹部形成工程で形成された凹部内に球レンズを形成
するレンズ形成工程を有するので、凹部内に球レンズが
配されてなる集光素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る集光素子の製造方法により製造さ
れる開口プローブの一例を示す断面図である。
れる開口プローブの一例を示す断面図である。
【図２】開口プローブの製造方法における開口が形成さ
れた基板の一例を示す断面図である。
れた基板の一例を示す断面図である。
【図３】基板上に感光レジストを形成したときの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】基板の他方の面から紫外線光を照射して、露光
領域を形成するときの一例を示す断面図である。
領域を形成するときの一例を示す断面図である。
【図５】基板上の感光レジストを除去したときの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明に係る集光素子の製造方法により製造さ
れる開口プローブの他の一例を示す断面図である。
れる開口プローブの他の一例を示す断面図である。
【図７】従来の開口プローブの一例を示す断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １，２０ 開口プローブ、３，２４ 半球レンズ、２
ｂ，２２ 凹部
ｂ，２２ 凹部
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の一方の面から他方の面に向かって
開口が次第に小とされた複数の凹部を形成する凹部形成
工程と、 光透過性を有し、外部空間とは屈折率が異なる感光液を
上記一方の面側から塗布して上記凹部内に感光膜を形成
する感光膜形成工程と、 上記他方の面から露光を行う露光工程と、 上記凹部内に形成された感光膜のうち、上記露光工程で
硬化されていない感光膜を除去する感光膜除去工程とを
有することを特徴とする集光素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記基板がＳｉＯ膜と上記ＳｉＯ膜上に
形成されたＳｉ膜とからなり、 上記凹部形成工程は、上記基板のＳｉ膜からＳｉＯ膜ま
でエッチングを施すことで、開口が上記基板のＳｉ膜か
らＳｉＯ膜に向かって次第に小となされた凹部を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の集光素子の製造方
法。 - 【請求項３】 上記エッチングは、 フッ硝酸（ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３ＣＯＯＨ＝１：３：
５）を用いて等方性エッチングを行うことを特徴とする
請求項２記載の集光素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記感光膜除去工程の後、 上記エッチングで形成された凹部内に球レンズを形成す
るレンズ形成工程を行うことを特徴とする請求項２記載
の集光素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記感光膜形成工程は、形成する感光膜
の膜厚をｔとしたとき、 ２［μｍ］≦ｔ≦３［μｍ］ の範囲内となるように感光膜を形成することを特徴とす
る請求項１記載の集光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10063518A JP3023085B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 集光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP10063518A JP3023085B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 集光素子の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258409A true JPH11258409A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3023085B2 JP3023085B2 (ja) | 2000-03-21 |
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ID=13231532
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10063518A Expired - Fee Related JP3023085B2 (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 集光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023085B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028536A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Near-field optical head and production method thereof |
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| JPH0529483A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Rohm Co Ltd | 半導体集積装置 |
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| JPH07281181A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Toray Ind Inc | 面状光学素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP10063518A patent/JP3023085B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3023085B2 (ja) | 2000-03-21 |
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