JPH0424079U - - Google Patents

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JPH0424079U
JPH0424079U JP6587890U JP6587890U JPH0424079U JP H0424079 U JPH0424079 U JP H0424079U JP 6587890 U JP6587890 U JP 6587890U JP 6587890 U JP6587890 U JP 6587890U JP H0424079 U JPH0424079 U JP H0424079U
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JP
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electrostatic breakdown
semiconductor
breakdown test
measuring
test device
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JP6587890U
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の静電破壊試験装置の実施例を
示すブロツク図、第２図は本実施例装置の静電破
壊試験室部を示す斜視図、第３図は本実施例の作
用を説明するフローチヤート、第４図は従来例の
作用を説明するフローチヤートである。 ２……ホストコンピユータ（パソコン）、５…
…静電破壊試験装置、６……試験装置本体、７…
…試験治具、８……電圧計、９……電流計、１０
……抵抗計、１１……静電破壊試験室部、１４…
…ＩＣ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体部品の静電破壊試験を行いこの試験前後
    の特性を参照して合否判定を行う静電破壊試験装
    置において、治具にセツトされた半導体部品に所
    定の電源を接続する本体部と、上記半導体部品の
    電圧−電流特性を計測する電圧電流計測手段と、
    上記半導体部品の絶縁特性を計測する絶縁計測手
    段とを備えたことを特徴とする静電破壊試験装置
    。
JP6587890U 1990-06-21 1990-06-21 Pending JPH0424079U (ja)

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JP6587890U JPH0424079U (ja) 1990-06-21 1990-06-21

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JP6587890U JPH0424079U (ja) 1990-06-21 1990-06-21

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JPH0424079U true JPH0424079U (ja) 1992-02-27

Family

ID=31598108

Family Applications (1)

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JP6587890U Pending JPH0424079U (ja) 1990-06-21 1990-06-21

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JP (1) JPH0424079U (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414899U (ja) * 1987-07-16 1989-01-25
JP2010062344A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体用ウエハの評価方法、半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハの製造工程の評価方法
JP2013195098A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Fujitsu Semiconductor Ltd 試験装置、試験冶具および試験方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414899U (ja) * 1987-07-16 1989-01-25
JP2010062344A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体用ウエハの評価方法、半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハの製造工程の評価方法
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