JPH04241351A - 光学系ゴミよけ用ペリクル - Google Patents
光学系ゴミよけ用ペリクルInfo
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- JPH04241351A JPH04241351A JP3014691A JP1469191A JPH04241351A JP H04241351 A JPH04241351 A JP H04241351A JP 3014691 A JP3014691 A JP 3014691A JP 1469191 A JP1469191 A JP 1469191A JP H04241351 A JPH04241351 A JP H04241351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- group
- polyvinyl alcohol
- optical system
- dust
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学系ゴミよけ用ペリク
ル、とくにはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるい
は液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用される
実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方式における
光学系ゴミよけ用ペリクルに関するものである。
ル、とくにはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるい
は液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用される
実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方式における
光学系ゴミよけ用ペリクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。
【０００３】このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、これには露光
原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過さ
せるペリクルを貼着する方式が取られており、このペリ
クルとしてはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの
薄膜が使用されている。
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、これには露光
原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過さ
せるペリクルを貼着する方式が取られており、このペリ
クルとしてはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの
薄膜が使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのニト
ロセルロース、酢酸セルロースなどで作られたペリクル
では、２１０〜５００ｎｍのような短波長域で大きな吸
収端ができるほか、安定性に乏しく使用中に黄変するた
め、デバイスの製造の際にエキシマレーザーやｇ線、ｉ
線の紫外線のように波長域が２１０〜５００ｎｍの露光
を行う超ＬＳＩ用や高密度の微細結晶表示板などのリソ
グラフィー用には使用できないという制約がある。
ロセルロース、酢酸セルロースなどで作られたペリクル
では、２１０〜５００ｎｍのような短波長域で大きな吸
収端ができるほか、安定性に乏しく使用中に黄変するた
め、デバイスの製造の際にエキシマレーザーやｇ線、ｉ
線の紫外線のように波長域が２１０〜５００ｎｍの露光
を行う超ＬＳＩ用や高密度の微細結晶表示板などのリソ
グラフィー用には使用できないという制約がある。
【０００５】このため、本発明者らは従来のニトロセル
ロースや酢酸セルロースに代えてポリ（ビニルトリメチ
ルシラン）、またプルラン化合物の使用を提案しており
（特開平２−５８６１号、特開平２−２３０２５４号公
報参照）、これらの新規膜材料は２１０〜５００ｎｍの
ような短波領域でもすぐれた透過性および耐久性を示す
けれども、これらにはニトロセルロースにくらべて膜の
機械的強度が劣るという問題点があった。
ロースや酢酸セルロースに代えてポリ（ビニルトリメチ
ルシラン）、またプルラン化合物の使用を提案しており
（特開平２−５８６１号、特開平２−２３０２５４号公
報参照）、これらの新規膜材料は２１０〜５００ｎｍの
ような短波領域でもすぐれた透過性および耐久性を示す
けれども、これらにはニトロセルロースにくらべて膜の
機械的強度が劣るという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記の課題を解
決したものであり、これは、一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３
Ｓｉ−（ここにＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ は同一または異
種の炭化水素基）で示されるトリオルガノシリル基を側
鎖に置換基として有するポリビニルアルコールよりなる
透明膜を用いてなることを特徴とするものである。
決したものであり、これは、一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３
Ｓｉ−（ここにＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ は同一または異
種の炭化水素基）で示されるトリオルガノシリル基を側
鎖に置換基として有するポリビニルアルコールよりなる
透明膜を用いてなることを特徴とするものである。
【０００７】すなわち、本発明者らは短波長域での使用
に適した光学系ゴミよけ用ペリクルを開発すべく種々検
討した結果、従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロ
ースに代えて、一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ−で示さ
れ、このＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ が同一または異種の炭
化水素基であるトリオルガノシリル基を側鎖に置換基と
して含有するポリビニルアルコールよりなる膜を使用し
てペリクルを形成すると、このペリクルはｇ線だけでな
く、ｉ線やエキシマレーザーなどのような４００ｎｍ以
下の短波長域での光学系ゴミよけ用にも適したものにな
ること、また、このものは機械的強度もすぐれたもので
あることを見出し、このペリクルの形状、構造、その製
造方法などについての研究を進めて本発明を完成させた
。 以下にこれをさらに詳述する。
に適した光学系ゴミよけ用ペリクルを開発すべく種々検
討した結果、従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロ
ースに代えて、一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ−で示さ
れ、このＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ が同一または異種の炭
化水素基であるトリオルガノシリル基を側鎖に置換基と
して含有するポリビニルアルコールよりなる膜を使用し
てペリクルを形成すると、このペリクルはｇ線だけでな
く、ｉ線やエキシマレーザーなどのような４００ｎｍ以
下の短波長域での光学系ゴミよけ用にも適したものにな
ること、また、このものは機械的強度もすぐれたもので
あることを見出し、このペリクルの形状、構造、その製
造方法などについての研究を進めて本発明を完成させた
。 以下にこれをさらに詳述する。
【０００８】
【作用】本発明は短波長域での使用に適した光学系ゴミ
よけ用ペリクルに関するものである。本発明の光学系ゴ
ミよけ用ペリクルはポリビニルアルコールの側鎖に一般
式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ−で示され、このＲ１ ，Ｒ
２ ，Ｒ３ が同一または異種の炭化水素基であるオル
ガノシリル基を置換基として含有するもので作られた透
明膜からなるものとされる。
よけ用ペリクルに関するものである。本発明の光学系ゴ
ミよけ用ペリクルはポリビニルアルコールの側鎖に一般
式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ−で示され、このＲ１ ，Ｒ
２ ，Ｒ３ が同一または異種の炭化水素基であるオル
ガノシリル基を置換基として含有するもので作られた透
明膜からなるものとされる。
【０００９】本発明の光学系ゴミよけ用ペリクルは上記
したようにポリビニルアルコールを主剤とするものであ
るが、このポリビニルアルコール自身は水溶性で造膜性
を有しており、この膜はニトロセルロース膜と同等の機
械的強度を有している。しかし、このポリビニルアルコ
ール水溶液は濡れ性が不充分であるためにスピンコート
による薄膜の作成が困難であり、また膜自身が空気中の
水分を吸収し易く、この水分吸収で透明性が低下すると
いう問題点がある。
したようにポリビニルアルコールを主剤とするものであ
るが、このポリビニルアルコール自身は水溶性で造膜性
を有しており、この膜はニトロセルロース膜と同等の機
械的強度を有している。しかし、このポリビニルアルコ
ール水溶液は濡れ性が不充分であるためにスピンコート
による薄膜の作成が困難であり、また膜自身が空気中の
水分を吸収し易く、この水分吸収で透明性が低下すると
いう問題点がある。
【００１０】しかるに、このポリビニルアルコールもこ
の側鎖ＯＨ基の所定量をトリオルガノシリル基で置換す
ると水に不溶となるが、トルエン、キシレンなどの炭化
水素系溶媒に可溶となり、さらに透明性および機械的強
度がすぐれたものになるということが見出された。
の側鎖ＯＨ基の所定量をトリオルガノシリル基で置換す
ると水に不溶となるが、トルエン、キシレンなどの炭化
水素系溶媒に可溶となり、さらに透明性および機械的強
度がすぐれたものになるということが見出された。
【００１１】したがって、本発明のペリクルを作成する
ポリビニルアルコールはその側鎖の所定量がトリオルガ
ノシリル基で置換されたものとされるのであるが、この
トリオルガノシリル基は一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ
−で示され、このＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ が同一または
異種の炭化水素基であるものとされる。
ポリビニルアルコールはその側鎖の所定量がトリオルガ
ノシリル基で置換されたものとされるのであるが、この
トリオルガノシリル基は一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ
−で示され、このＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ が同一または
異種の炭化水素基であるものとされる。
【００１２】この炭化水素基はメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基、シクロヘキ
シル基などのシクロアルキル基、ビニル基、アリル基、
イソプロペニル基、１−ブテン基、１−ペンテニル基、
１−ヘキセニル基などのアルケニル基、フェニル基、ト
リル基などのアリ−ル基などが例示されるが、これらは
直鎖状でも分岐状であってもよく、これらがカサ高いも
のとなるとポリビニルアルコール中への導入が困難とな
るので、これはメチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−
ブチル基などとすることがよい。このようなトリオルガ
ノシリル基としてはトリメチルシリル基、トリエチルシ
リル基、トリプロピルシリル基、ジメチルプロピルシリ
ル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシ
リル基、シクロヘキシルジメチルシリル基、フェニルジ
メチルシリル基などが例示される。
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基、シクロヘキ
シル基などのシクロアルキル基、ビニル基、アリル基、
イソプロペニル基、１−ブテン基、１−ペンテニル基、
１−ヘキセニル基などのアルケニル基、フェニル基、ト
リル基などのアリ−ル基などが例示されるが、これらは
直鎖状でも分岐状であってもよく、これらがカサ高いも
のとなるとポリビニルアルコール中への導入が困難とな
るので、これはメチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−
ブチル基などとすることがよい。このようなトリオルガ
ノシリル基としてはトリメチルシリル基、トリエチルシ
リル基、トリプロピルシリル基、ジメチルプロピルシリ
ル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシ
リル基、シクロヘキシルジメチルシリル基、フェニルジ
メチルシリル基などが例示される。
【００１３】本発明のペリクルを作成するポリビニルア
ルコールはこのようなトリオルガノシリル基を側鎖に置
換基としてもつものとされるが、このトリオルガノシリ
ル基のポリビニルアルコール中における含有量はそれが
平均４０モル％未満ではこのポリビニルアルコール中に
残存する水酸基の影響によってこのものが水分吸収する
ためにその安定性および短波長域での透過性が劣るよう
になるので平均４０モル％以上とすることが好ましい。
ルコールはこのようなトリオルガノシリル基を側鎖に置
換基としてもつものとされるが、このトリオルガノシリ
ル基のポリビニルアルコール中における含有量はそれが
平均４０モル％未満ではこのポリビニルアルコール中に
残存する水酸基の影響によってこのものが水分吸収する
ためにその安定性および短波長域での透過性が劣るよう
になるので平均４０モル％以上とすることが好ましい。
【００１４】このようにトリオルガノシリル基を導入し
たポリビニルアルコールの製造は、所望のトリオルガノ
シリル基に対応するシリル化剤を利用すればよく、これ
にはトリオルガノクロロシラン−ピリジン系、トリオル
ガノシリルアセトアミド−Ｎ−メチルピロリドン系、ト
リオルガノシリルトリフルオロアセトアミド−Ｎ−メチ
ルピロリドン系およびヘキサオルガノシリルジシラザン
−ピリジン系などを用いればよい。また、これにはアル
コールのシリル化法として公知であるトリオルガノシリ
ル過塩素酸エステルを用いる方法なども利用することが
できる。なお、これらの方法は特に限定されるものでは
ないが、トリオルガノシリルアセトアミド−Ｎ−メチル
ピロリドン系を用いる方法およびトリオルガノシリルト
リフルオロアセトアミド−Ｎ−メチルピロリドン系を用
いる方法とすることが好ましいものとされる。
たポリビニルアルコールの製造は、所望のトリオルガノ
シリル基に対応するシリル化剤を利用すればよく、これ
にはトリオルガノクロロシラン−ピリジン系、トリオル
ガノシリルアセトアミド−Ｎ−メチルピロリドン系、ト
リオルガノシリルトリフルオロアセトアミド−Ｎ−メチ
ルピロリドン系およびヘキサオルガノシリルジシラザン
−ピリジン系などを用いればよい。また、これにはアル
コールのシリル化法として公知であるトリオルガノシリ
ル過塩素酸エステルを用いる方法なども利用することが
できる。なお、これらの方法は特に限定されるものでは
ないが、トリオルガノシリルアセトアミド−Ｎ−メチル
ピロリドン系を用いる方法およびトリオルガノシリルト
リフルオロアセトアミド−Ｎ−メチルピロリドン系を用
いる方法とすることが好ましいものとされる。
【００１５】このようにして得られたトリオルガノシリ
ル基を側鎖に有するポリビニルアルコールを用いてペリ
クル用の膜状物を成形するためには、このポリビニルア
ルコールがトルエン、キシレン、ヘキサンなどの有機溶
剤に可溶とされることから、このものをこれらの溶剤に
溶解したのち、これをスピンコーターやナイフコーター
などを用いる溶液キャスター法で成膜するか、あるいは
Ｔダイ法、インフレーション法などの溶融押出し法によ
って膜状物に成形加工すればよいが、この成形物につい
てはペリクルとして使用するときの機械的強度をもたせ
るためにこの厚さを０．５μｍ以上とすることが好まし
い。しかし、この膜の表面に反射防止膜処理を行なった
場合でも、２１０ｎｍ以上の波長域の紫外線の透過性を
保持するため、この膜厚は１０μｍ以内とすることが望
ましい。
ル基を側鎖に有するポリビニルアルコールを用いてペリ
クル用の膜状物を成形するためには、このポリビニルア
ルコールがトルエン、キシレン、ヘキサンなどの有機溶
剤に可溶とされることから、このものをこれらの溶剤に
溶解したのち、これをスピンコーターやナイフコーター
などを用いる溶液キャスター法で成膜するか、あるいは
Ｔダイ法、インフレーション法などの溶融押出し法によ
って膜状物に成形加工すればよいが、この成形物につい
てはペリクルとして使用するときの機械的強度をもたせ
るためにこの厚さを０．５μｍ以上とすることが好まし
い。しかし、この膜の表面に反射防止膜処理を行なった
場合でも、２１０ｎｍ以上の波長域の紫外線の透過性を
保持するため、この膜厚は１０μｍ以内とすることが望
ましい。
【００１６】このようにして得られたトリオルガノシリ
ル基を側鎖に有するポリビニルアルコールから作られた
膜状物は２１０〜５００ｎｍの短波長域の光透過性が良
好であり、機械的強度もすぐれていることから、短波長
域での光学系ゴミよけ用ペリクルとして特に有用である
が、この使用に際しては公知の方法にしたがってアルミ
ニウムなどの枠体に接着固定して使用することが好まし
い。
ル基を側鎖に有するポリビニルアルコールから作られた
膜状物は２１０〜５００ｎｍの短波長域の光透過性が良
好であり、機械的強度もすぐれていることから、短波長
域での光学系ゴミよけ用ペリクルとして特に有用である
が、この使用に際しては公知の方法にしたがってアルミ
ニウムなどの枠体に接着固定して使用することが好まし
い。
【００１７】
【実施例】つぎに本発明で使用されるトリオルガノシリ
ル基を側鎖に含有するポリビニルアルコールの合成例、
およびこれを用いた本発明の実施例、比較例をあげる。
ル基を側鎖に含有するポリビニルアルコールの合成例、
およびこれを用いた本発明の実施例、比較例をあげる。
【００１８】合成例１
ポリビニルアルコール・ＡＴタイプ乾燥品［信越化学工
業（株）製商品名］３５．２ｇ（０．８０モル）をＮ−
メチルピロリドン３００ｇに分散後１１０℃に加熱し、
さらにＮ，Ｏ−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリル）トリ
フルオロアセトアミド２０４．９ｇ（０．６０モル）を
添加し、１１０℃で５時間撹拌した。その後、トルエン
３００ｇを加えて冷却後、トルエン層をメタノール中に
注いでポリマーを析出ろ取し、ついで４００ｇのトルエ
ンに再溶解し、メタノールにより析出ろ取してから１０
０℃で真空乾燥したところ、８１．９ｇのｔ−ブチルジ
メチルシリルポリビニルアルコールが得られ、これにつ
いて１３Ｃ−ＮＭＲ分析したところ、このものはポリマ
ー中にｔ−ブチルジメチルシリル基を６５モル％含有す
るものであることが確認された。
業（株）製商品名］３５．２ｇ（０．８０モル）をＮ−
メチルピロリドン３００ｇに分散後１１０℃に加熱し、
さらにＮ，Ｏ−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリル）トリ
フルオロアセトアミド２０４．９ｇ（０．６０モル）を
添加し、１１０℃で５時間撹拌した。その後、トルエン
３００ｇを加えて冷却後、トルエン層をメタノール中に
注いでポリマーを析出ろ取し、ついで４００ｇのトルエ
ンに再溶解し、メタノールにより析出ろ取してから１０
０℃で真空乾燥したところ、８１．９ｇのｔ−ブチルジ
メチルシリルポリビニルアルコールが得られ、これにつ
いて１３Ｃ−ＮＭＲ分析したところ、このものはポリマ
ー中にｔ−ブチルジメチルシリル基を６５モル％含有す
るものであることが確認された。
【００１９】合成例２
合成例１で得たｔ−ブチルジメチルシリルポリビニルア
ルコールに、さらにＮ，Ｏ−ビストリメチルシリルアセ
トアミド４８．８ｇ（０．２４モル）をトルエン３００
ｇを用いて添加し、１１０℃で５時間撹拌してからトル
エン３００ｇを加えて冷却し、メタノール中に注いでポ
リマーを析出ろ取した。ついでこれをトルエン５００ｇ
に再溶解し、メタノールで析出ろ取し、１００℃で真空
乾燥したところ、１１１．６ｇのｔ−ブチルジメチルシ
リル（トリメチルシリル）ポリビニルアルコールが得ら
れたが、このものはｔ−ブチルジメチルシリル基を６４
モル％、トリメチルシリル基を１８モル％含有するもの
であった。
ルコールに、さらにＮ，Ｏ−ビストリメチルシリルアセ
トアミド４８．８ｇ（０．２４モル）をトルエン３００
ｇを用いて添加し、１１０℃で５時間撹拌してからトル
エン３００ｇを加えて冷却し、メタノール中に注いでポ
リマーを析出ろ取した。ついでこれをトルエン５００ｇ
に再溶解し、メタノールで析出ろ取し、１００℃で真空
乾燥したところ、１１１．６ｇのｔ−ブチルジメチルシ
リル（トリメチルシリル）ポリビニルアルコールが得ら
れたが、このものはｔ−ブチルジメチルシリル基を６４
モル％、トリメチルシリル基を１８モル％含有するもの
であった。
【００２０】実施例１
合成例１で得られたｔ−ブチルジメチルシリルポリビニ
ルアルコール１００ｇをトルエン９００ｇに溶解して濃
度１０％の溶液を調製し、この溶液を直径２００ｍｍ、
厚さ３ｍｍの表面研磨した石英基板上にスピンコーター
を用いて流し、厚みが１．２μｍの透明膜を作った。つ
いで、この透明膜を石英基板から剥離して直径１５０ｍ
ｍのテフロン製枠に移し、８０℃で５時間真空乾燥した
のち、１辺が１００ｍｍの四角形アルミニウムフレーム
にエポキシ系接着剤・アラルダイトラピット［昭和高分
子（株）製商品名］を用いて、しわのないように接着固
定してペリクルを製作した。
ルアルコール１００ｇをトルエン９００ｇに溶解して濃
度１０％の溶液を調製し、この溶液を直径２００ｍｍ、
厚さ３ｍｍの表面研磨した石英基板上にスピンコーター
を用いて流し、厚みが１．２μｍの透明膜を作った。つ
いで、この透明膜を石英基板から剥離して直径１５０ｍ
ｍのテフロン製枠に移し、８０℃で５時間真空乾燥した
のち、１辺が１００ｍｍの四角形アルミニウムフレーム
にエポキシ系接着剤・アラルダイトラピット［昭和高分
子（株）製商品名］を用いて、しわのないように接着固
定してペリクルを製作した。
【００２１】つぎにこのペリクルにエキシマレーザー（
２４８ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ
）を照射してその透過率を測定したところ、後記する表
１に示したとおりの結果が得られ、またこのペリクルに
９０Ｗ／ｃｍ２ の照射エネルギーのｉ線を照射して５
００時間経過ごとにｉ線の透過率を測定したところ、後
記する表２に示したとおりの結果が得られたが、このペ
リクルは１，５００時間照射後も黄変したり、亀裂を発
生させることはなかった。
２４８ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ
）を照射してその透過率を測定したところ、後記する表
１に示したとおりの結果が得られ、またこのペリクルに
９０Ｗ／ｃｍ２ の照射エネルギーのｉ線を照射して５
００時間経過ごとにｉ線の透過率を測定したところ、後
記する表２に示したとおりの結果が得られたが、このペ
リクルは１，５００時間照射後も黄変したり、亀裂を発
生させることはなかった。
【００２２】実施例２
合成例２で得られたｔ−ブチルジメチルシリル（トリメ
チルシリル）ポリビニルアルコールを用いて、実施例１
と同じ方法で厚さ１．３μｍのペリクルを作り、これに
ついて実施例と同じように光の透過率を測定したところ
、後記する表１、表２に示したとおりの結果が得られ、
このペリクルも１，５００時間照射後に黄変したり、亀
裂の発生はなかった。
チルシリル）ポリビニルアルコールを用いて、実施例１
と同じ方法で厚さ１．３μｍのペリクルを作り、これに
ついて実施例と同じように光の透過率を測定したところ
、後記する表１、表２に示したとおりの結果が得られ、
このペリクルも１，５００時間照射後に黄変したり、亀
裂の発生はなかった。
【００２３】比較例
ニトロセルロースを酢酸エチルに溶解して濃度１０％の
溶液を作り、これを用いて実施例１と同じ方法で厚さ１
．２μｍのペリクルを作製して実施例１と同じ方法で光
を照射してその透過率を測定したところ、表１、表２に
示したとおりの結果が得られた。
溶液を作り、これを用いて実施例１と同じ方法で厚さ１
．２μｍのペリクルを作製して実施例１と同じ方法で光
を照射してその透過率を測定したところ、表１、表２に
示したとおりの結果が得られた。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】本発明は光学系ゴミよけ用ペリクルに関
するものであり、これは前記したように一般式Ｒ１ Ｒ
２ Ｒ３ Ｓｉ−（ここにＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ は同
一または異種の炭化水素基）で示されるトリオルガノシ
リル基を側鎖に置換基として有するポリビニルアルコー
ルよりなる透明膜を用いてなることを特徴とするもので
あるが、この種のポリビニルアルコールから作られたペ
リクルはｇ線、ｉ線やエキシマレーザーのような５００
ｎｍ以下の短波長域での光線透過率がすぐれており、機
械的強度もすぐれているので、光学系ゴミよけ用ペリク
ルとしてすぐれたものになる。
するものであり、これは前記したように一般式Ｒ１ Ｒ
２ Ｒ３ Ｓｉ−（ここにＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ は同
一または異種の炭化水素基）で示されるトリオルガノシ
リル基を側鎖に置換基として有するポリビニルアルコー
ルよりなる透明膜を用いてなることを特徴とするもので
あるが、この種のポリビニルアルコールから作られたペ
リクルはｇ線、ｉ線やエキシマレーザーのような５００
ｎｍ以下の短波長域での光線透過率がすぐれており、機
械的強度もすぐれているので、光学系ゴミよけ用ペリク
ルとしてすぐれたものになる。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式Ｒ１ Ｒ２ Ｒ３ Ｓｉ−（こ
こにＲ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ は同一または異種の炭化水
素基）で示されるトリオルガノシリル基を側鎖に置換基
として有するポリビニルアルコールより成る透明膜を用
いてなることを特徴とする光学系ゴミよけ用ペリクル。 - 【請求項２】 トリオルガノシリル基の置換量が４０
モル％以上である請求項１に記載した光学系ゴミよけ用
ペリクル。 - 【請求項３】 トリオルガノシリル基のオルガノ基が
炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基および／また
はアリ−ル基からなるものである請求項１に記載した光
学系ゴミよけ用ペリクル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1469191A JP2938588B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 光学系ゴミよけ用ペリクル |
| US07/817,438 US5254419A (en) | 1991-01-14 | 1992-01-06 | Method for dust-proofing in the manufacture of electronic devices and pellicle therefor |
| KR1019920000402A KR100190938B1 (ko) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | 전자장치제조에서의방진을위한방법및그에사용하는얇은막 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1469191A JP2938588B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 光学系ゴミよけ用ペリクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04241351A true JPH04241351A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2938588B2 JP2938588B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=11868219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1469191A Expired - Lifetime JP2938588B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 光学系ゴミよけ用ペリクル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254419A (ja) |
| JP (1) | JP2938588B2 (ja) |
| KR (1) | KR100190938B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2790946B2 (ja) * | 1992-08-21 | 1998-08-27 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル膜の製造方法 |
| US9744529B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-08-29 | Basf Corporation | Integrated LNT-TWC catalyst |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534719A (en) * | 1978-09-02 | 1980-03-11 | Ricoh Co Ltd | Picture information reader |
| JPS63266965A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学式画像入力装置の白レベル検出回路 |
| JPS63316567A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−画像読取装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036137A (en) * | 1989-09-25 | 1991-07-30 | Aqualon Company | Silated polyvinyl alcohol process |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP1469191A patent/JP2938588B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-01-06 US US07/817,438 patent/US5254419A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 KR KR1019920000402A patent/KR100190938B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534719A (en) * | 1978-09-02 | 1980-03-11 | Ricoh Co Ltd | Picture information reader |
| JPS63266965A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学式画像入力装置の白レベル検出回路 |
| JPS63316567A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−画像読取装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920015159A (ko) | 1992-08-26 |
| US5254419A (en) | 1993-10-19 |
| KR100190938B1 (ko) | 1999-06-01 |
| JP2938588B2 (ja) | 1999-08-23 |
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