JPH06100826B2 - リソグラフイー用ペリクル - Google Patents
リソグラフイー用ペリクルInfo
- Publication number
- JPH06100826B2 JPH06100826B2 JP5129089A JP5129089A JPH06100826B2 JP H06100826 B2 JPH06100826 B2 JP H06100826B2 JP 5129089 A JP5129089 A JP 5129089A JP 5129089 A JP5129089 A JP 5129089A JP H06100826 B2 JPH06100826 B2 JP H06100826B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- film
- organic silicon
- silicon compound
- lithographic
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はリソグラフイー用ペリクル、特にはLSI,超LSI
などの半導体装置を製造するときに使用される、実質的
に500nm以下の光を用いる露光方式におけるリソグラフ
イー用ゴミよけペリクルに関するものである。
などの半導体装置を製造するときに使用される、実質的
に500nm以下の光を用いる露光方式におけるリソグラフ
イー用ゴミよけペリクルに関するものである。
（従来の技術） LSI,超LSI半導体装置の製造においては半導体ウエハー
に光を照射してパターニングを作成するのであるが、こ
の場合に用いられる露光原版にゴミが付着しているとこ
のゴミが光を吸収したり、あるいは光を曲げてしまうた
めに転写したパターニングが変形したり、エッジががさ
ついたものとなり、さらには白地が黒く汚れたりして、
寸法、品質ならびに外観が損なわれるという不利が生じ
る。
に光を照射してパターニングを作成するのであるが、こ
の場合に用いられる露光原版にゴミが付着しているとこ
のゴミが光を吸収したり、あるいは光を曲げてしまうた
めに転写したパターニングが変形したり、エッジががさ
ついたものとなり、さらには白地が黒く汚れたりして、
寸法、品質ならびに外観が損なわれるという不利が生じ
る。
そのため、この種の作業は通常クリーンルームで行なわ
れるのであるが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのために露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方法が採られており、このペリクルと
してはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が
使用されている。
れるのであるが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのために露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方法が採られており、このペリクルと
してはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が
使用されている。
（発明が解決しようとする課題） しかし、このニトロセルロース、酢酸セルロースなどで
作られたペリクルは210〜400nmのような短波長域では大
きな吸収端ができるし、安定性が乏しく使用中に黄変す
るために、半導体装置にエキシマレーザーやｉ線の紫外
線のように波長域が210〜400nmである露光を行なう超LS
I用のリソグラフイーとしては使用できないという不利
があり、このような短波長域にも使用することのできる
リソグラフイー用ペリクルの出現が求められている。
作られたペリクルは210〜400nmのような短波長域では大
きな吸収端ができるし、安定性が乏しく使用中に黄変す
るために、半導体装置にエキシマレーザーやｉ線の紫外
線のように波長域が210〜400nmである露光を行なう超LS
I用のリソグラフイーとしては使用できないという不利
があり、このような短波長域にも使用することのできる
リソグラフイー用ペリクルの出現が求められている。
（課題を解決するための手段） 本発明はこのような不利を解決したりリソグラフイー用
ペリクルに関するものであり、これは実質的に500nm以
下の光を用いる露光方式において、高分子有機けい素化
合物膜をゴミよけ用ペリクルとして用いてなることを特
徴とするものである。
ペリクルに関するものであり、これは実質的に500nm以
下の光を用いる露光方式において、高分子有機けい素化
合物膜をゴミよけ用ペリクルとして用いてなることを特
徴とするものである。
すなわち、本発明者らは短波長域での使用に適したリソ
グラフイー用ペリクルを開発すべく種々検討した結果、
従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロースに代えて
高分子有機けい素化合物膜を使用したところ、このもの
は500nm以下の光もよく通過させるし、210〜400nmの短
波長域でも吸収端を生じることがないので、500nm以下
の短波長域でのリソグラフイー用ペリクルとして有用で
あるということを見出し、このペリクルとしての高分子
有機けい素化合物薄膜の形状、構造、その製造方法、高
分子有機けい素化合物の種類などについての研究を進め
て本発明を完成させた。
グラフイー用ペリクルを開発すべく種々検討した結果、
従来公知のニトロセルロース、酢酸セルロースに代えて
高分子有機けい素化合物膜を使用したところ、このもの
は500nm以下の光もよく通過させるし、210〜400nmの短
波長域でも吸収端を生じることがないので、500nm以下
の短波長域でのリソグラフイー用ペリクルとして有用で
あるということを見出し、このペリクルとしての高分子
有機けい素化合物薄膜の形状、構造、その製造方法、高
分子有機けい素化合物の種類などについての研究を進め
て本発明を完成させた。
（作用） 本発明のリソグラフイー用ペリクルは前記したように高
分子有機けい素化合物膜を使用するものであるが、この
高分子有機けい素化合膜は高分子有機けい素化合物をベ
ルゼン、トルエンなどのような溶剤に適宜に溶解したの
ち、この溶液をスピンコーターやナイフコーターなどを
用いる溶液キヤスター法で成形するか、あるいはこの高
分子有機けい素化合物をＴダイ法、インフレーション法
などで溶融押出しする方法などのような公知の方法で膜
状物に成形加工することによって製造することができ
る。
分子有機けい素化合物膜を使用するものであるが、この
高分子有機けい素化合膜は高分子有機けい素化合物をベ
ルゼン、トルエンなどのような溶剤に適宜に溶解したの
ち、この溶液をスピンコーターやナイフコーターなどを
用いる溶液キヤスター法で成形するか、あるいはこの高
分子有機けい素化合物をＴダイ法、インフレーション法
などで溶融押出しする方法などのような公知の方法で膜
状物に成形加工することによって製造することができ
る。
ここに使用する高分子有機けい素化合物は膜形成能のあ
る公知の有機けい素化合物の重合体とすればよいが、特
には210〜400nmのような短波長域での光透過率がよく、
充分な膜強度をもつものを与えるということからは一般
式 で示され、R1、R2、R3がメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、オクチル基などのような同一または異種
のアルキル基であり、ｎが正の整数であるものとするこ
とが好ましく、これにはポリトリメチルビニルシラン、
ポリトリエチルビニルシラン、ポリエチルジメチルビニ
ルシランなどが例示される。
る公知の有機けい素化合物の重合体とすればよいが、特
には210〜400nmのような短波長域での光透過率がよく、
充分な膜強度をもつものを与えるということからは一般
式 で示され、R1、R2、R3がメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、オクチル基などのような同一または異種
のアルキル基であり、ｎが正の整数であるものとするこ
とが好ましく、これにはポリトリメチルビニルシラン、
ポリトリエチルビニルシラン、ポリエチルジメチルビニ
ルシランなどが例示される。
上記したような方法で作られた高分子有機けい素化合物
膜はペリクルとして使用したときの機械的強度をもたせ
るために厚さが0.5μｍ以上のものとすることがよい
が、これはまた249nm以上の波長域の紫外線を96％以上
通過させるために表面反射防止処理を行なった場合でも
300μｍ以下のものとすることが望ましい。
膜はペリクルとして使用したときの機械的強度をもたせ
るために厚さが0.5μｍ以上のものとすることがよい
が、これはまた249nm以上の波長域の紫外線を96％以上
通過させるために表面反射防止処理を行なった場合でも
300μｍ以下のものとすることが望ましい。
この高分子有機けい素化合物膜は紫外線透過率が高く、
波長が210〜400nmの短波長域の光もよく透過させるの
で、短波長域でのリソグラフイー用ペリクルとして特に
有用とされるが、この使用に当ってはアルミニウムなど
の枠体に接着固定して使用することがよい。
波長が210〜400nmの短波長域の光もよく透過させるの
で、短波長域でのリソグラフイー用ペリクルとして特に
有用とされるが、この使用に当ってはアルミニウムなど
の枠体に接着固定して使用することがよい。
（実施例） つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例1,比較例 20℃のトルエン溶液における固有粘度が0.95dl/gである
ポリトリメチルビニルシランをトルエンに溶かして３％
溶液としたものをクリアランス50μｍのナイフコーター
を用いて平滑なガラス板上にキヤストし、室温で24時間
乾燥後、60℃で２時間、100℃で１時間乾燥した。
ポリトリメチルビニルシランをトルエンに溶かして３％
溶液としたものをクリアランス50μｍのナイフコーター
を用いて平滑なガラス板上にキヤストし、室温で24時間
乾燥後、60℃で２時間、100℃で１時間乾燥した。
ついで内径130mmのアルミニウムフレームの端面にエポ
キシ系接着剤・アラルダイトラピッド〔昭和高分子
（株）製商品名〕を塗布したものにこのポリトリメチル
ビニルシラン薄膜を接着して１時間硬化させたのち、ガ
ラス板ごと水中に浸漬し、５分後ガラス板から自然の剥
離したものを取り出し、風乾後、アルミニウムフレーム
の外側にはみ出している部分のフイルムを切りとったと
ころ、均一な張りのある厚さ1.3μｍのリソグラフイー
用ペリクルとしてのポリトリメチルビニルシラン薄膜が
得られた。
キシ系接着剤・アラルダイトラピッド〔昭和高分子
（株）製商品名〕を塗布したものにこのポリトリメチル
ビニルシラン薄膜を接着して１時間硬化させたのち、ガ
ラス板ごと水中に浸漬し、５分後ガラス板から自然の剥
離したものを取り出し、風乾後、アルミニウムフレーム
の外側にはみ出している部分のフイルムを切りとったと
ころ、均一な張りのある厚さ1.3μｍのリソグラフイー
用ペリクルとしてのポリトリメチルビニルシラン薄膜が
得られた。
つぎにこの薄膜の光線透過率をしらべたところ、このも
のは240〜500nmの波長域で90％以上の透過率を示し、膜
面両面に反射防止処理をしたものについては436nmのｇ
線で98.4％、365nmのｉ線で98.2％、249nmのエキシマレ
ーザーで98.1％の透過率を示し、さらに210nmの透過率
が90％であり、これはまた使用中に黄変することもなか
ったのでペリクルとしてすぐれたものであることが確認
された。
のは240〜500nmの波長域で90％以上の透過率を示し、膜
面両面に反射防止処理をしたものについては436nmのｇ
線で98.4％、365nmのｉ線で98.2％、249nmのエキシマレ
ーザーで98.1％の透過率を示し、さらに210nmの透過率
が90％であり、これはまた使用中に黄変することもなか
ったのでペリクルとしてすぐれたものであることが確認
された。
しかし、比較のためにニトロセルロース・HIG-20〔旭化
成工業（株）製商品名〕の酢酸エチル溶液を用いたほか
は上記と同様に処理して得た厚さ1.4μｍのリソグラフ
イー用ペリクルは436μｍのｇ線の透過率は97.9％、365
nmのｉ線の透過率は97.5％であったが、249nmのエキシ
マレーザーの透過率は41.1％とわるく、これはまたｉ線
を使用中に黄変するためにペリクルとして使用すること
ができないものであった。
成工業（株）製商品名〕の酢酸エチル溶液を用いたほか
は上記と同様に処理して得た厚さ1.4μｍのリソグラフ
イー用ペリクルは436μｍのｇ線の透過率は97.9％、365
nmのｉ線の透過率は97.5％であったが、249nmのエキシ
マレーザーの透過率は41.1％とわるく、これはまたｉ線
を使用中に黄変するためにペリクルとして使用すること
ができないものであった。
実施例２ 実施例１で使用したポリトリメチルビニルシランをトル
エンに溶かして25％溶液とし、クリアランス1mmのナイ
フコーターを用いて平滑ガラス板上にキヤストし、40℃
で24時間乾燥したのち70℃で４時間、100℃で２時間乾
燥し、ついで水中に浸漬してポリトリメチルビニルシラ
ン膜を自然剥離させて膜厚が249μｍの膜体を作った。
エンに溶かして25％溶液とし、クリアランス1mmのナイ
フコーターを用いて平滑ガラス板上にキヤストし、40℃
で24時間乾燥したのち70℃で４時間、100℃で２時間乾
燥し、ついで水中に浸漬してポリトリメチルビニルシラ
ン膜を自然剥離させて膜厚が249μｍの膜体を作った。
つぎにこの膜体をアルミニウムの端面にエポキシ系接着
材（前出）を用いて平滑となるように接着し、アルミニ
ウムフレームの外側にはみ出した部分を切りとってリソ
グラフイー用ペリクルを作り、このものの光線透過率を
しらべたところ、240〜500nmの波長域で90％以上の透過
率を示し、膜両面に反射防止処理したものについては43
6nmのｇ線が98.3％、365nmのｉ線が98.0％、249nmのエ
キシマレーザーが96.6％の光線透過率を示し、このもの
はまた機械的強度も充分であり、使用中にペリクルが黄
変することもなかった。
材（前出）を用いて平滑となるように接着し、アルミニ
ウムフレームの外側にはみ出した部分を切りとってリソ
グラフイー用ペリクルを作り、このものの光線透過率を
しらべたところ、240〜500nmの波長域で90％以上の透過
率を示し、膜両面に反射防止処理したものについては43
6nmのｇ線が98.3％、365nmのｉ線が98.0％、249nmのエ
キシマレーザーが96.6％の光線透過率を示し、このもの
はまた機械的強度も充分であり、使用中にペリクルが黄
変することもなかった。
実施例３ 20℃のトルエン溶液における固有粘度が0.91dl/gである
ポリエチルジメチルビニルシランを用いたほかは実施例
１と同様の方法で厚さ1.2μｍのリソグラフイー用ペリ
クルを作り、このものの光線透過率をしらべたところ、
260〜500nmの波長域で90％以上の透過率を示し、膜両面
に反射防止処理をしたものについては436nmのｇ線で98.
5％、365nmのｉ線で98.0％、249nmのエキシマレーザー
で90.0％であり、これはまた使用中にペリクルが黄変す
ることもないので、リソグラフイー用ペリクルとしてす
ぐれたものであることが確認された。
ポリエチルジメチルビニルシランを用いたほかは実施例
１と同様の方法で厚さ1.2μｍのリソグラフイー用ペリ
クルを作り、このものの光線透過率をしらべたところ、
260〜500nmの波長域で90％以上の透過率を示し、膜両面
に反射防止処理をしたものについては436nmのｇ線で98.
5％、365nmのｉ線で98.0％、249nmのエキシマレーザー
で90.0％であり、これはまた使用中にペリクルが黄変す
ることもないので、リソグラフイー用ペリクルとしてす
ぐれたものであることが確認された。
（発明の効果） 本発明のリソグラフイー用ペリクルは上記したように高
分子有機けい素化合物膜をゴミよけ用ペリクルとして用
いたものであるが、このものは210〜500nmの短波長域を
もつ紫外線の光線透過率が高く、使用中に黄変すること
もないので、LSI,超LSIなどの大規模集積回路の露光用
ペリクルとして有用とされるし、さらには光透過性がす
ぐれていることから露光時間の短縮、厚膜化によるペリ
クル膜強度の向上も期待できるという有利性を与えるも
のである。
分子有機けい素化合物膜をゴミよけ用ペリクルとして用
いたものであるが、このものは210〜500nmの短波長域を
もつ紫外線の光線透過率が高く、使用中に黄変すること
もないので、LSI,超LSIなどの大規模集積回路の露光用
ペリクルとして有用とされるし、さらには光透過性がす
ぐれていることから露光時間の短縮、厚膜化によるペリ
クル膜強度の向上も期待できるという有利性を与えるも
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜田 豊久 新潟県中頚城郡頚城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 井口 雅章 東京都千代田区大手町２丁目６番１号 信 越化学工業株式会社本社内
Claims (2)
- 【請求項１】実質的に500nm以下の光を用いる露光方式
において、高分子有機けい素化合物膜をゴミよけ用ペリ
クルとして用いてなることを特徴とするリソグラフイー
用ペリクル。 - 【請求項２】高分子有機けい素化合物が一般式 （ここにR1，R2，R3は同一または異種のアルキル基、ｎ
は正の整数）で示されるものである請求項１に記載のリ
ソグラフイー用ペリクル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129089A JPH06100826B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | リソグラフイー用ペリクル |
| US07/902,407 US5234742A (en) | 1989-03-03 | 1992-06-19 | Pellicle for lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129089A JPH06100826B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | リソグラフイー用ペリクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230245A JPH02230245A (ja) | 1990-09-12 |
| JPH06100826B2 true JPH06100826B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=12882793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129089A Expired - Lifetime JPH06100826B2 (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | リソグラフイー用ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100826B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| JP4861963B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2012-01-25 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP4934099B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5129089A patent/JPH06100826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02230245A (ja) | 1990-09-12 |
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