JPH04241502A - 受信装置 - Google Patents

受信装置

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Publication number
JPH04241502A
JPH04241502A JP276991A JP276991A JPH04241502A JP H04241502 A JPH04241502 A JP H04241502A JP 276991 A JP276991 A JP 276991A JP 276991 A JP276991 A JP 276991A JP H04241502 A JPH04241502 A JP H04241502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
low
antenna
receiving device
circuit
receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP276991A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Shiga
信夫 志賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP276991A priority Critical patent/JPH04241502A/ja
Publication of JPH04241502A publication Critical patent/JPH04241502A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、通信衛星や放送衛星等
からマイクロ波信号を地上で受信するための平面アンテ
ナに関するものである。
【0002】
【従来の技術】情報ネットワークシステムの急速な展開
が図られる中で、衛星通信システムの需要も急増し、周
波数帯も高周波化されつつある。高周波用電界効果トラ
ンジスタとしてはGaAs等の化合物半導体を用いたシ
ョットキバリア型電界効果トランジスタ(MESFET
)が実用化されており、さらに最近ではシステムの小型
化、低価格化、高性能化のために高周波信号を低周波に
変換するダウンコンバータ初段増幅部の集積化(MMI
C化:Microwave Monolithic I
ntegrated Circuit )が進められて
いる。
【0003】一方、通信衛星や放送衛星からのマイクロ
波信号を地上で受信するためのアンテナとして平面アン
テナが実用化されはじめている。平面アンテナというの
は、多数のアンテナ素子を平面状に配列し、各素子で受
けた信号電力を導線で一つにまとめたものである。マイ
クロ波受信用の平面アンテナは、初めのうちは性能およ
びコストの両面でパラボラアンテナに遠く及ばなかった
。しかし、1970年代の後半からのマイクロストリッ
プアンテナの研究の高まりと、マイクロ波用プリント基
板の性能向上とによって、現在では実用レベルに達して
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、MMIC化
された受信システムと、平面アンテナとを接続する方法
に関しては必ずしも十分な研究がなされていない。例え
ば、両者を接続する手段としてマイクロ波の一般的な伝
達手段である導波管を用いたのでは、全体としての小型
軽量化を達成することが困難となり、受信システムの小
型化およびアンテナの平面化が十分に生かされない。本
発明の課題は、このような問題点を解消することにある
【0005】
【課題を解決するための手段】1または2以上のアンテ
ナ素子からなる平面アンテナと、この平面アンテナに接
続される受信回路とを同一の半絶縁性化合物半導体基板
上に形成したものである。
【0006】
【作用】平面アンテナと受信回路が同一の半絶縁性化合
物半導体基板に形成されているので、両者をマイクロス
トリップ線路で接続することができ、受信装置全体の小
型軽量化を図ることができる。この場合、平面アンテナ
、受信回路、マイクロストリップ線路をすべて通常のI
Cプロセスで集積化できる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す平面図である
。表面にはエピタキシャル成長による半導体層が形成さ
れている半絶縁性半導体基板1(ここでは、GaAs基
板)の上に、平面アンテナ部2と受信回路部3が設けら
れており、両者は電気的に接続されている。平面アンテ
ナ部2は4つのアンテナ素子4で構成されている。各ア
ンテナ素子4は、マイクロストリップパッチアンテナと
してよく知られているものであり、2点給電型のもので
ある。各アンテナ素子4の給電線は1つにまとめられて
受信回路部3に接続されている。受信回路部3は低雑音
アンプであり、半導体基板上のエピタキシャル半導体層
を利用したMESFET等が集積化されて構成されてい
る。このように、アンテナと受信回路とが一つの基板に
形成されているので、小型軽量で取り扱いの容易な受信
装置となっている。なお、この実施例では受信回路部3
が低雑音アンプであるが、低雑音アンプ以外にその出力
信号の周波数をダウンコンバートするための周波数変換
回路やこの周波数変換回路の出力信号を増幅する回路等
も併せて集積化することができる。また、この受信装置
を自動車等の移動体に適用する場合には、通信衛星や放
送衛星からのマイクロ波信号を受信するために電子的に
衛星の方向を追尾する手段、すなわち、受信したマイク
ロ波信号の位相をシフトさせるフェイズシフタ回路を受
信回路部3中に組み込むことが望ましい。また、本実施
例では、アンテナ素子4としてパッチアンテナを用いて
いるが、ライン型やスパイラル型等のその他のプリント
アンテナに置き換えることも可能である。
【0008】図2は本発明の他の実施例を示す平面図で
あり、アンテナ素子4をさらに集積化したものである。 このように、アンテナ素子4の数は、スペースの許すか
ぎり増やすことが可能である。
【0009】図3は、本発明のさらに別の実施例を示す
平面図である。この受信回路では、4つのアンテナ素子
4で1つのアンテナアレイエレメント11が構成され、
複数(ここでは4組)のアンテナアレイエレメント11
が半導体基板10上にアレイ状に配列されている。各ア
ンテナアレイエレメント11にはそれぞれ低雑音アンプ
12が接続されており、各低雑音アンプ12の出力端子
はマイクロストリップ線路13で共通に接続されている
。一般に、平面アンテナの効率が上がりにくい原因とし
て給電系の損失が大きいことが挙げられる。しかし、こ
の実施例のように各アンテナアレイエレメント11毎に
低雑音アンプ12を付加することにより雑音指数を大幅
に改善することができる。この実施例では、アンテナア
レイエレメント11および低雑音アンプ12をすべて1
つの半絶縁性化合物半導体基板10上に配置してモノリ
シックに集積化したものである。しかし、混成集積化に
よって同等の構造の受信装置を構成することも可能であ
る。すなわち、1つのアンテナアレイエレメント11と
1つの低雑音アンプ12を1枚の半絶縁性化合物半導体
基板上にモノリシックに形成し、その基板を半絶縁性化
合物半導体よりもさらに平面アンテナに適した低誘電率
でtan δの小さな発泡ポリエチレンのような基板に
搭載し、各低雑音アンプ12をマイクロストリップ線路
で接続してもよい。
【0010】上記の各実施例は、いずれも通信衛星等か
らのマイクロ波を直接受信するための受信装置であるが
、これらの受信装置をパラボラアンテナの1次ホーンと
して用いることも可能である。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明の受信装置に
よれば、平面アンテナと受信回路が同一の半絶縁性化合
物半導体基板に形成されているので、両者をマイクロス
トリップ線路で接続することができ、受信装置全体の小
型軽量化を図ることができる。しかも、平面アンテナ、
受信回路、マイクロストリップ線路をすべて通常のIC
プロセスで集積化できるので、製造コストを大幅に低減
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である受信装置の平面図
【図
2】本発明の他の実施例である受信装置の平面図
【図3
】本発明のさらに別の実施例である受信装置の平面図
【符号の説明】
1,10…半絶縁性化合物半導体基板 2…平面アンテナ部 3…受信回路部 4…アンテナ素子 11…アンテナアレイエレメント 12…低雑音アンプ 13…マイクロストリップ線路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  1または2以上のアンテナ素子からな
    る平面アンテナと、この平面アンテナに接続される受信
    回路とが同一の半絶縁性化合物半導体基板上に形成され
    ていることを特徴とする受信装置。
  2. 【請求項2】  受信回路は、平面アンテナが受信した
    信号を増幅するための低雑音増幅回路を含むことを特徴
    とする請求項1に記載の受信装置。
  3. 【請求項3】  受信回路は、平面アンテナが受信した
    信号を増幅するための低雑音増幅回路およびこの低雑音
    増幅回路の出力信号の周波数をダウンコンバートするた
    めの周波数変換回路を含むことを特徴とする請求項1に
    記載の受信装置。
  4. 【請求項4】  受信回路は、平面アンテナが受信した
    信号を増幅するための低雑音増幅回路、この低雑音増幅
    回路の出力信号の周波数をダウンコンバートするための
    周波数変換回路、およびこの周波数変換回路の出力信号
    を増幅する回路を含むことを特徴とする請求項1に記載
    の受信装置。
  5. 【請求項5】  1または2以上のアンテナ素子で構成
    された複数のアンテナアレイエレメントと、この各アン
    テナアレイエレメントに対してそれぞれ1つづつ接続さ
    れた複数の低雑音アンプとが同一の半絶縁性化合物半導
    体基板上に形成され、各低雑音アンプの出力端子がマイ
    クロストリップ線路で共通に接続されていることを特徴
    とする受信装置。
  6. 【請求項6】  1または2以上のアンテナ素子で構成
    されたアンテナアレイエレメントとこのアンテナアレイ
    エレメントに接続された低雑音アンプとが同一面上に搭
    載された半絶縁性化合物半導体基板が誘電体基板上に複
    数個配列され、前記各低雑音アンプの出力端子が前記誘
    電体基板上に形成されたマイクロストリップラインによ
    って接続されていることを特徴とする受信装置。
JP276991A 1991-01-14 1991-01-14 受信装置 Pending JPH04241502A (ja)

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JP276991A JPH04241502A (ja) 1991-01-14 1991-01-14 受信装置

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JP276991A JPH04241502A (ja) 1991-01-14 1991-01-14 受信装置

Publications (1)

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JPH04241502A true JPH04241502A (ja) 1992-08-28

Family

ID=11538544

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JP276991A Pending JPH04241502A (ja) 1991-01-14 1991-01-14 受信装置

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JP (1) JPH04241502A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04291807A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Mitsubishi Electric Corp 通信受信用アレーアンテナ
JP2007116455A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Toyota Motor Corp アンテナ装置

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04291807A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Mitsubishi Electric Corp 通信受信用アレーアンテナ
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