JPH04243978A - セラミック体の焼成の間の収縮を減少させる方法 - Google Patents

セラミック体の焼成の間の収縮を減少させる方法

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JPH04243978A JP3256289A JP25628991A JPH04243978A JP H04243978 A JPH04243978 A JP H04243978A JP 3256289 A JP3256289 A JP 3256289A JP 25628991 A JP25628991 A JP 25628991A JP H04243978 A JPH04243978 A JP H04243978A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】本発明は焼成の間における平面収縮を実
質的に減少させて制御し、そしてセラミック体のゆがみ
を減少させる方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】相互連結板は電気的及び機械的に相互連
結された多数の極めて小さい回路素子からなる電子回路
又はサブシステムの物理的な実現である。これらの種々
な電子部品はそれらが単一の小型パッケージ中で物理的
に隔離され、互いに隣接して載置され、そして相互に及
び／又はパッケージから延びる共通の結線に電気的に接
続するような配置で結合されるのがしばしば望ましい。
【０００３】一般に複雑な電子回路は誘電体層で絶縁す
ることにより分離される数層の導電体から構成されるこ
とを必要とする。導電体層は複数のレベルがバイアとい
う誘電体を貫通する導電性通路により相互連結される。
【０００４】多層回路を作る一つのよく知られた方法は
多数のセラミックテープ誘電体を同時焼成する方法であ
り、この誘電体の上には導電体が印刷されてあり、又誘
電体層を貫通して延び、種々な導電体層を相互連結する
金属化されたバイアがある（Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇ、米国
特許第４，６５４，０９５号参照）。テープ層を登録順
に積み重ね、あらかじめ設定した温度と圧力で一緒に加
圧してモノリス構造を形成させ、これを上昇した温度で
焼成して有機バインダーを駆逐し、導電性金属を焼結し
、そして誘電体を緻密にする。この方法は古典的な「厚
膜（ｔｈｉｃｋ　ｆｉｌｍ）」法に比べて必要な焼成が
１回のみであり、製造の時間と労力を節約し、導電体間
の短絡を引き起こすことのある移動性金属の拡散を制限
する利点を持つ。しかしながら、この方法は焼成の間に
起こる収縮量を制限するのが困難なことがあるという欠
点を持つ。この方法の不確実性は特に大きい複雑な回路
で望ましくなく、その結果後のアセンブリー操作の際誤
登録を起こすことがある。
【０００５】加圧焼結又はホットプレス成形、セラミッ
ク体に外部から荷重又は重しをかけながらの焼成はセラ
ミック部品の気孔率を減少させ、形（寸法）を制御する
ためのよく知られた方法である（Ｔａｋｅｄａ等、米国
特許第４，５８５，７０６号；Ｋｉｎｇｅｒｙ等「セラ
ミックス入門（Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｃｅ
ｒａｍｉｃｓ）」（Ｗｉｌｅｙ，　１９７６年）、５０
２〜５０３ページ参照）。簡単な型を用いるセラミック
回路の加圧焼結は部品が型に接着すること及び／又は部
品と型の間で起こる交差汚染のため困難である。更に、
有機バインダーの燃え尽きの間荷重又は同様な強制力を
セラミック部品の表面に与えると揮発物の逃げを制限し
、不完全な燃え尽き及び／又はゆがみを引き起こすこと
がある。
【０００６】係属中の米国特許願第０７／４６６，９３
７号は有機バインダーの燃え尽きの間揮発物の逃げを許
容する強制された焼結方法を開示している。レリーズ層
を未焼成セラミック体表面に適用する。その後重しをレ
リーズ層の上に置いてＸ−Ｙ方向の収縮を減少させる。 重しとセラミック体の間のレリーズ層は揮発物が逃げる
通路を提供する。セラミック回路を強制焼成する方法が
確立され、型の必要性、外部荷重の適用、及び燃え尽き
の間の揮発物の逃げの制限がなくなり、なお且つ最終回
路の寸法不確実性が大きく除かれれば、収縮の減少した
回路焼成に伴う処理工程の単純化又は消去が可能となる
であろう。セラミック回路の外表面上の導電性金属通路
の同時焼成が許容されれば利益はなお一層大きいであろ
う。
【０００７】Ｆｌａｉｔｚ等（欧州特許願第０　２４３
　８５８号）は上述の困難を回避する３つの方法を記述
している。第一の方法は部品の外縁（周辺）のみに強制
を適用し、揮発物の開かれた逃げの通路と酸素の流入径
路を作る。第二の方法は同時伸長力を焼成する部品の全
表面に適用することであり、同時伸長性多孔板を使用す
るか又は焼成する部品の１つ又は複数の表面にエアベア
リングフォース（ａｉｒ　ｂｅａｒｉｎｇ　ｆｏｒｃｅ
）を適用するいずれかによる。第三の方法は多孔質組成
物からなる接触板を使用して摩擦力を焼結する物体に適
用することであり、この多孔質組成物は加熱周期の間焼
結又は収縮せず、又基体のいかなる収縮も妨げる。接触
板の組成は焼成の間に多孔性を残し、セラミックに融着
せず、熱に安定で焼結周期の間収縮又は膨張せず、そし
て連続的機械的保全性／剛性を持つように選択される。 接触板は焼結周期の間それらの寸法を維持し、それによ
りセラミック部品の収縮を制限する。焼結する物品に接
触板を積層させた後、追加の重しを使用することなく焼
結が起こる。
【０００８】
【従来の技術】Ｆｌａｉｔｚ等、ＥＰＯ　８７　１０５
　８６８．１ 本特許はセラミックＭＬＣ基体の焼成の間のＸ−Ｙゆが
み、反り及び収縮を妨げるためＺ方向の抑制力を使用す
る強制された焼結方法に関する。焼成前、多孔質で硬質
未焼成セラミックの熱に安定な接触板をセラミック物品
に積層させて追加の圧力を適用することなくセラミック
の収縮を物理的に制限する。接触板は焼結周期を通じて
その機械的保全性と寸法安定性とを維持し、そして焼成
済みシートを磨き又は掻取りにより基体表面から除く。
【０００９】Ａｒｎｏｌｄ等、米国特許第４，５２１，
４４９号本特許はくぼみラインで接続され、導電性金属
ペーストを充填した表面バイアとパッド領域を含む未焼
結セラミック板の焼結を容易にするためセラミック材料
誘電体層の使用を教示している。焼成後、部品を適当な
金属で被覆してそれらを導線付着のためハンダ付け可能
にする。 本発明者は焼成済みセラミック材料に特有な著しい（１
７％）基体収縮とゆがみに適応させるため後金属化の必
要性を認めている。
【００１０】Ｄｅｂｕｔｓｋｙ等、米国特許第４，３４
０，４３６号 本特許は不活性、同時伸長性非接着性、除去可能、軽量
な平板を未焼結、ガラスセラミック積層体上に重ね合わ
せてガラスが焼結の間に癒着温度に達した時横方向のＸ
−Ｙ収縮とゆがみを制限する。発明者は約０．０１２〜
約０．０５８　ｌｂｓ／ｉｎ２の圧縮圧を積層体にかけ
ると増強された平面性と横方向寸法保全性をもたらすと
報告している。
【００１１】
【発明の概要】その主要な態様において、本発明はａ）
　　揮発性固体ポリマーバインダー中に分散させたセラ
ミック固体と焼結性無機バインダーとの微粉砕粒子の混
合物からなる未焼成セラミック体を準備し、ｂ）　　未
焼成セラミック体の表面に可撓性強制層を、前記強制層
を未焼成セラミック体に密接に一致させるように適用し
、ここで前記強制層は揮発性ポリマーバインダー中に分
散させた非金属無機固体の微粉砕粒子からなり、セラミ
ック体の焼結性無機バインダーの強制層への浸透は５０
μｍ以下であるものとし、 ｃ）　　ポリマーバインダーをセラミック体と強制層の
両方から揮発させ、強制層中で相互連結された多孔性を
形成させ、及び無機バインダーをセラミック体中で焼結
するに十分な温度と時間で集成体を焼成し、ｄ）　　焼
成済み集成体を冷却し、そしてｅ）　　多孔質強制層を
焼結済みセラミック体から除く逐次的工程からなるセラ
ミック体の焼成の間Ｘ−Ｙ収縮を減少させる方法に関す
る。
【００１２】第二の態様においては、本発明は揮発性固
体ポリマーバインダー中に分散させたセラミック固体と
焼結性無機バインダーとの微粉砕粒子の混合物からなる
複合未焼成セラミック体に関し、前記複合未焼成セラミ
ック体の表面には揮発性ポリマーバインダー中に分散さ
せた非金属無機固体の微粉砕粒子からなる可撓性強制層
を付着させ、そして密接に一致させてある。
【００１３】更に別の態様においては、本発明は未焼成
セラミック体の少なくとも１つの表面に強制層を適用し
、有機溶剤を蒸発により除く連続工程からなる複合未焼
成セラミックテープの製造方法に関し、ここで前記未焼
成セラミック体は揮発性有機溶剤中に溶解させた固体ポ
リマーバインダーからなる揮発性ポリマーバインダー中
に分散させた非金属無機固体の微粉砕粒子からなる。
【００１４】〔図面の説明〕 図１は焼成前の本発明の種々な構成部品の配置を示す略
図であり、ここでは強制層を基体の両側に付着させてあ
る。図２は焼成前の本発明の種々な構成部品の配置を示
す略図であり、ここでは強制層を基体の片側に付着させ
てあり、硬質の基体を基体の他の側に付着させてある。 図３は焼成前の本発明の種々な構成部品の配置を示す略
図であり、ここでは多数のセラミック部品がモノリスに
集合させてあり、各部品は反対側に接着させた強制層を
持つ。図４は強制層にしわができていないセラミック／
強制層界面の離層の略図である。図５は強制層にしわが
できたセラミック／強制層界面の離層の略図である。図
６は無機バインダー浸透のバインダー粘度及び湿潤角（
ｗｅｔｔｉｎｇ　ａｎｇｌｅ）との相関のグラフ表示で
ある。
【００１５】〔発明の説明〕 一般事項 本発明の一般的目的はセラミック体の焼成の間Ｘ−Ｙ収
縮を減少させるための新規で改良された方法を提供する
ことである。本発明の好ましい適用は導体、抵抗器など
を含む慣用的な導電性金属化を使用するセラミック多層
回路及び誘電体テープの孔あけと印刷の間に確立された
回路特徴の寸法が焼成の間実質的に維持されるように製
造することである。従って、本発明の方法はセラミック
部品の寸法不確実性の原因を回避すること及び寸法誤差
と誤登録を避けるために必要な多くの回路の展開と製造
工程をなくすことにより、より経済的である。
【００１６】焼成周期の間、有機バインダーを揮発させ
た後、テープの無機構成部品は十分な温度に加熱される
と焼結を受ける。焼結の間、粒状多孔質テープは多孔質
微粒状結晶質及び非晶質材料に共通なその構造に変化を
受ける。粒子サイズが増加し、孔の形が変化し、そして
孔の大きさと数が変化する。焼結は通常気孔率の減少を
もたらし、その結果粒子成形体の濃密化につながる。
【００１７】本発明の中心はセラミック回路層の１つ又
は複数の表面に適用される可撓性セラミック強制層の使
用である。強制層はいくつかの機能を提供し、すなわち
（１）それは焼結部品の平面における収縮を実質的に減
少させる均一で高摩擦の接触層を提供し、そして（２）
それは焼結前にセラミックテープの揮発性成分の逃げの
通路を提供する。ある場合においては、それは自身損害
をこうむることなく先端表面金属化の同時焼成を容易に
する。
【００１８】強制層で焼結部品の平面における収縮を有
効に減少させるため、それを可撓性層として未焼成セラ
ミック回路層（１つ又は複数）の表面（１つ又は複数）
に適用する。強制層の可撓性は未焼成セラミック表面（
１つ又は複数）の地形に密接に一致させることを可能に
する。未焼成のセラミック表面（１つ又は複数）への可
撓性強制層の積層は、強制層の適用の仕方により強制層
をより密接に一致させる場合に使用することができる。 例えば、強制層を噴霧被覆、浸漬被覆又は分散液の形で
未焼成セラミックにロール塗布するか、又はそれを可撓
性シートとして調合し、未焼成セラミックに積層させる
ことができる。積層は強制層とセラミック体の表面（１
つ又は複数）との間の割れ目（きず）を減少させるのに
特に有効である。
【００１９】強制層のセラミック部品への密接な一致は
焼結の間強制層がセラミック体から離層するかしわがで
きるのを防ぐために必要である。焼成の間誘電体基体が
収縮し始めると強制層は誘電体部品の平面内焼結圧力に
より二軸圧縮を加えられる。強制層中の圧縮応力が臨界
点に達すると強制層が焼結する誘電体層から離層し、し
わができる。本発明に関連するしわ形成の問題はラミネ
ート層に平行な圧縮荷重を受けて部分的に剥離した後の
弾性積層板と外殻を分析することにより試験することが
できる。しわ形成はＳ．Ｐ．　Ｔｉｍｏｓｈｅｎｋｏ及
びＧ．Ｍ．　Ｇｅｅｒｅ、「弾性安定性の理論（Ｔｈｅ
ｏｒｙ　ｏｆ　Ｅｌａｓｔｉｃ　Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）
」、第２版（ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ、１９６１年刊）
で幅広く分析されている。圧縮膜におけるしわ形成の特
別な問題はＡ．Ｇ．　Ｅｖａｎｓ及びＪ．Ｗ．　Ｈｕｔ
ｃｈｉｎｓｏｎ、「圧縮膜における離層と破砕の機作に
ついて（Ｏｎ　ｔｈｅ　Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ　ｏｆ　Ｄ
ｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｓｐａｌｌｉｎｇ　
ｉｎ　Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ　Ｆｉｌｍｓ）」、　Ｉｎ
ｔ．　Ｊ．　Ｓｏｌｉｄｓ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ（１
９８４年）、２０巻（５号）、４５５〜４６６ページで
分析されている。
【００２０】しわ形成の問題は一次元（ビーム）、二次
元（直角又は正方形幾何学）、及び円形幾何学の問題と
して解くことができる。円形幾何学が本形状に最も適し
ており、ここに提示する。この問題は図４に示すように
自由表面に平行な単一の界面亀裂又はきずに関する。こ
のきずは二軸圧縮σｏである半径ａの円形離層で表され
る。亀裂又はきずが十分に大きいサイズの場合亀裂の上
の膜はしわができ易い。自由表面に平行な界面きず又は
離層は応力範囲を乱すことはなく、なぜなら応力範囲は
表面に平行に作用するからである。従って、きず又は亀
裂の縁部における応力濃縮は誘発されない。図５に示す
ように膜が基体から離れてしわができる場合、分離によ
り界面亀裂の外辺部において応力が再分布し（すなわち
濃縮し）、これが亀裂拡大としわ形成による破損を誘発
する。界面亀裂における状態は開口（様式Ｉ）と剪断（
様式ＩＩ）応力の組合わせを含む。この場合膜は圧縮さ
れた粉末であり、一旦しわができると粉末は剪断と張力
に極めて弱いため容易に亀裂先端の剪断力が粉末膜に生
じて破損に至る。
【００２１】膜（強制層）はそれに対する圧縮応力が臨
界しわ形成応力を超える場合しわ形成をこうむる。今回
のケースの適当な円形解（ｃｉｒｃｕｌａｒ　ｓｏｌｕ
ｔｉｏｎ）は固定又はクランプ留めされた膜の縁部を仮
定する。臨界しわ形成応力σｃは
【００２２】
【数１】 で表され、式中、ｔは強制層の厚さ、ａは亀裂又はきず
の半径、クランプ留めされた縁部の場合ｋ＝１４．６８
（ｋは円形幾何学に適した始発微分方程式を解くために
使用されるベッセル（Ｂｅｓｓｅｌ）関数から求められ
る因子）、Ｅは強制層のヤング率、そしてνはポアソン
比である。式（１）はしわ形成は臨界サイズの亀裂又は
きずが強制層と焼結される部品との間の界面に存在する
場合処理の間に起こることを示している。又式（１）は
強制層の厚さｔとヤング率Ｅが臨界しわ形成応力の決定
に重要であることを示している。
【００２３】実際には、きずは強制層をセラミック体基
体に適用する間及び昇温の間に発生することがある。強
制層がセラミック回路層（１つ又は複数）の地形と密接
に一致させるために十分な可撓性を具えていない場合、
又は適用方法が適正化されないためセラミック回路層（
１つ又は複数）の地形に強制層を密接に一致させること
が確実でない場合、きず又は亀裂が強制層／セラミック
回路の界面に生ずることがある。昇温の間、強制層とセ
ラミック回路基体との間で熱膨張が整合しない場合きず
が発生することがあり得る。強制層／基体界面に平行で
ない熱膨張のきずは別の応力集中体として働く。熱膨張
の効果（亀裂など）は基体より高い熱膨張係数を持ち、
従って昇温の間強制層に平面収縮を与える強制層を使用
することによりなくすか又は減少させることができる。
【００２４】焼成後強制層の除去を容易にするため、焼
成されるセラミック部品のガラスが処理の間実質的に強
制層に浸透又は相互作用してはならない。ガラスが強制
層に過剰に浸透することは焼成される部品からの強制層
除去を妨げるようであり、又大量の強制層材料が最終の
焼成済み部品に接着する場合恐らくセラミック基体の性
質に悪影響を与えるであろう。誘電体用のガラス組成を
選択する場合２つの一般的な要件を考慮しなければなら
ない。第一に誘電体基体中のガラスは誘電体の要件（す
なわち誘電率、気密度、焼結性など）に適合するべきで
あり、第二にガラスの組成は強制層へのガラス浸透を妨
げるようなそれであるべきである。浸透妨害は後に議論
するようにガラス粘度、湿潤角のような変数を調節する
ことにより部分的に制御される。
【００２５】多孔質媒質への液体の流れの分析はガラス
浸透現象を試験し、過程に対する洞察を与えることに使
用することができる。この分析は上で議論した誘電体に
ついて明示されたガラス要件に関連するガラス組成と強
制層組成の両方を選択する場合の指針として使用するこ
とができる。次の分析において、多孔質媒質は強制層で
あり、液体は焼成されるセラミック中のガラスである。
【００２６】この分析は多孔質媒質への粘稠液体の浸透
及び特に本発明の状況の中でそれを予言するためダーシ
ーの法則（Ｄａｒｃｙ’ｓ　Ｌａｗ）に基づいて展開さ
せた。無機バインダーの強制層への浸透速度ｄｌ／ｄｔ
は
【００２７】
【数２】 で定義され、式中、Ｄは多孔質媒質の浸透度、ΔＰは浸
透の駆動圧力、ｌは時間ｔに液体が媒質中に浸透する長
さ、及びηＬは液体の粘度である。
【００２８】式（２）は浸透方向に関する圧力勾配Ｐが
浸透距離の間の圧力変化又はΔＰ／ｌに密に近似すると
仮定する場合有効である。
【００２９】多孔質媒質中のポアチャンネル（ｐｏｒｅ
　ｃｈａｎｎｅｌ）の半径ｒを考慮した場合（Ａ．Ｅ．
　Ｓｃｈｅｉｄｅｇｇａｒ、　「多孔質媒質を通過する
流れの物理学（Ｔｈｅ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｆｌｏ
ｗＴｈｒｏｕｇｈ　Ｐｏｒｏｕｓ　Ｍｅｄｉａ）」（Ｔ
ｈｅ　ＭａｃＭｉｌｌａｎ　Ｃｏ．，　１９６０年刊）
、６８〜９０ページ）、上記浸透度Ｄは　Ｄ＝ｒ２（１
−ρ）／２０　（３）　で表され、式中、ρ＝ρＢ／ρ
Ｔは多孔質媒質の相対密度、ρＢはバルク密度及びρＴ
は理論密度である。
【００３０】ΔＰは液体を多孔質媒質中に浸透を強いる
ように働く駆動圧力であり、
【数３】 で定義され、式中、２γＬＶｃｏｓθ／ｒは毛細管圧力
、Ｐａは任意の外部圧力差（即ち、外部から適用される
荷重）、γＬＶは液体蒸気表面エネルギー、及びｃｏｓ
θは固体液体接触角である。
【００３１】式（３）と（４）を式（２）に代入し、代
入された式を積分すると
【数４】 が得られる。外部から適用される荷重Ｐａは本発明で使
用されないから、式（５）は
【００３２】
【数５】 として表すことができる。
【００３３】一定の駆動力下にある所与の物体において
、浸透の深さは時間の平方根に比例する。式（６）を導
くいくつかの方法が文献に示されている。本発明におい
て、多孔質媒質は強制層であり、粘稠液体は焼成される
基体中のガラスである。実際にはガラス粘度、強制層材
料上のガラス接触角、強制層の気孔率と孔径を時間と共
に調節し、所望の浸透度を得ることができる。液体／蒸
気表面エネルギーは多少反応性の雰囲気中で焼結するこ
とにより変更し得ることも高く評価し得ることである。 図６は種々な接触角におけるｔ＝３０分の場合のガラス
液体粘度（ηＬ）の関数としての浸透のプロットである
。半径（ｒ）、多孔質層密度（１−ρ）及び液体／蒸気
表面エネルギー（γＬＶ）も上述のように浸透に影響を
与えるために使用することができる。
【００３４】式（６）と図６に示す相関に示されるよう
に、浸透は無機バインダーの粘度と接触角から予言する
ことができ、従ってこれら２つの変数を調節することに
より制御することができる。ここで使用する用語「浸透
」は上述の相関法から求められる未焼成セラミック体の
焼結性無機バインダー成分の浸透値である。
【００３５】強制層は揮発性有機媒質中に分散させた非
金属無機固体の微粉砕粒子からなり、標準のセラミック
テープ流延法により作ることができる。強制層中の無機
固体の低い焼結速度及び／又は高い焼結温度は焼成され
るセラミック部品と強制層の両方から逃げる揮発物及び
他のガスが通る通路である層中の相互連結された多孔性
を保持する。少なくとも５０℃の焼結温度差異が適当で
ある。集成体を、強制層と焼結テープの両方から有機バ
インダーを揮発させ、テープ中の無機バインダーを焼結
するに十分な温度と時間で焼成する。耐力ラム（ｌｏａ
ｄｂｅａｒｉｎｇ　ｒｕｍ）により焼成の間セラミック
体に外部圧力を加える強制焼結は慣用的なベルト炉では
実行できない。 対照的に本方法では外部圧力が除かれるからベルト炉の
ような慣用的焼成設備を使用することができる。セラミ
ックテープ層の焼結が完了した後集成体を冷却する。そ
の後強制層はダスチング又は超音波処理により部品のセ
ラミック表面又は導電性通路に影響を与えたり損傷する
ことなく完了した部品の表面から除くことができる。
【００３６】焼結工程の間、強制層と焼結するセラミッ
ク体から有機バインダーを揮発させた後、強制層は無機
粉末の層として存在する。焼成前可撓性テープの形での
強制層の適用は粉末のゆるい層がセラミック部品の表面
に均一に分布し、強制層を焼成する物体の表面に密接に
一致させることができる。
【００３７】セラミック固体誘電体基体は一般には焼結
（バインダー）相と非焼結（セラミック固体）相からな
る。本発明に使用することができる誘電体中のセラミッ
ク固体の組成は固体がシステム中で他の材料に関して化
学的に不活性であり、誘電体の無機バインダー成分に関
連する適当な物理的特性を持つ限りそれ自身が直接臨界
的であることはない。非焼結固体を本質的に充填剤とし
て添加し、熱膨張と誘電率のような特性を調節する。
【００３８】誘電体中のセラミック固体に必要不可欠な
基礎的物理的特性は（１）それらが無機バインダーの焼
結温度より上の焼結温度を持つこと、及び（２）本発明
の焼成工程の間に焼結を受けないことである。従って本
発明の状況において、用語「セラミック固体」は本発明
の実施中受ける焼成条件下で本質的に焼結を受けない通
常は酸化物の無機材料を表す。
【００３９】従って上述の基準を条件として、実質的に
高融点の無機固体はいずれも誘電体テープのセラミック
固体成分として使用することができる。例えば、ＢａＴ
ｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、
ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＣａＳｎＯ３、ＢａＳｎ
Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、金属カーバイド例えばシリコンカー
バイド、窒化金属例えば窒化アルミニウム、鉱物質例え
ばムライト、カイアナイト、ジルコニア及び種々な形の
シリカのような材料である。高軟化点のガラスでさえ十
分に高い軟化点を持つ場合セラミック成分として使用す
ることができる。更にそのような材料の混合物をそれら
が適用されるいずれかの基体の熱膨張特性に適合させる
ために使用することができる。
【００４０】無機バインダー 本発明で使用するセラミック体に使用することができる
無機バインダーの組成も、それがシステム中の他の材料
に関して化学的に不活性であり、そしてそれが強制層中
のセラミック体中のセラミック固体と非金属固体に関連
する適当な物理的特性を持つ限りそれ自身が直接臨界的
であることはない。
【００４１】特に、焼成の間セラミック体の無機バイン
ダー成分の強制層への浸透は５０μｍを越えず、好まし
くは２５μｍを越えないことが必要不可欠である。浸透
が約５０μｍを越える場合、強制層の除去が困難になる
ように見える。本発明はこれらの温度に限定されるもの
ではないが、焼成は通常８００〜９５０℃のピーク温度
で行い、そしてピーク温度に少なくとも１０分間保持す
る。本発明の方法に使用するセラミック体中の無機バイ
ンダーとして好ましい基礎的物理的特性は（１）それら
がセラミック体中のセラミック固体の焼結温度より低い
それを持つこと、及び（２）使用する焼成温度で粘稠相
焼結を受けること、及び（３）無機バインダーの湿潤角
と粘度は焼成の間強制層中にかなりの程度には浸透しな
いことである。
【００４２】通常はガラスである無機バインダーのぬれ
特性は強制層に含まれる無機固体の平滑表面上の焼結済
み無機バインダーの接触角を測定することにより求めら
れる。この方法は後に説明する。
【００４３】無機バインダーが少なくとも６０℃の接触
角を持つ場合本発明に使用する非ぬれ特性（ｎｏｎ−ｗ
ｅｔｔｉｎｇ）として十分である。それにもかかわらず
ガラスの接触角は少なくとも７０°であるのが好ましい
。本発明の方法の状況においては、接触角が高いほど強
制層の離型特性が良い。
【００４４】通常そうであるようにセラミック未焼成テ
ープの無機バインダー成分がガラスの場合、それは前記
焼成条件で結晶するか又は結晶しないガラスのいずれで
あっても良い。
【００４５】無機バインダーの粒子サイズと粒子サイズ
分布は同様に狭く臨界的なものではなく、この粒子サイ
ズは通常０．５〜２０ミクロンである。しかしながら、
無機バインダーの大きい粒子と小さい粒子の両方が等重
量部と定義される５０％の点は、セラミック体のそれと
等しいか又は少ないのが望ましい。焼結速度は無機バイ
ンダーのセラミック固体に対する比率に直接関係するが
、無機バインダーのガラス転移温度（Ｔｇ）及び粒子と
は逆の関係である。
【００４６】ポリマーバインダー ガラスと耐火性無機固体がその中に分散されている有機
媒質はポリマーバインダーからなるが、場合により他の
材料例えば可塑剤、離型剤、分散剤、剥離剤、防汚剤及
び湿潤剤をその中に溶解させる。
【００４７】より良い結合効率を得るためには９５重量
％のセラミック固体に対して少なくとも５重量％のポリ
マーバインダーを使用するのが好ましい。しかしながら
、８０重量％のセラミック固体中に２０重量％以下のポ
リマーバインダーを使用するのが更に好ましい。この限
界内で熱分解で除かなければならない有機物の量を減少
させ、そして焼成時収縮の減少をもたらすよりよい粒子
充填を実現するため固体に対して可及的少量のバインダ
ーを使用するのが望ましい。
【００４８】過去において種々なポリマー材料がセラミ
ックテープ用バインダーと使用されており、例えばポリ
（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアセテート）、ポ
リ（ビニルアルコール）、セルロース系ポリマー例えば
メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、ア
タクチックポリプロピレン、ポリエチレン、シリコンポ
リマー例えばポリ（メチルシロキサン）、ポリ（メチル
フェニルシロキサン）、ポリスチレン、ブタジエン／ス
チレンコポリマー、ポリスチレン、ポリ（ビニルピロリ
ドン）、ポリアミド、高分子ポリエーテル、エチレンオ
キシドとプロピレンオキシドとのコポリマー、ポリアク
リルアミド、及び種々なアクリルポリマー例えばナトリ
ウム・ポリアクリレート、ポリ（低級アルキルアクリレ
ート）、ポリ（低級アルキルメタクリレート）及び低級
アルキルアクリレートとメタクリレートとの種々なコポ
リマー及びマルチポリマーである。エチルメタクリレー
トとメチルメタクリレートとのコポリマー及びエチルア
クリレート、メチルメタクリレート及びメタクリル酸の
ターポリマーはスリップ流し込み（ｓｌｉｐ　ｃａｓｔ
ｉｎｇ）材料用バインダーとして以前使用された。
【００４９】より最近になり、Ｕｓａｌａは米国特許第
４，５３６，５３５号において０〜１００重量％のＣ１
〜Ｃ８アルキルメタクリレート、１００〜０重量％のＣ
１〜Ｃ８アルキルアクリレート及び０〜５重量％のアミ
ンのエチレン性不飽和カルボン酸の相溶性マルチポリマ
ーの混合物である有機バインダーを開示した。このポリ
マーは最小量のバインダーと最大量の誘電体固体の使用
を許容するので、それらを本発明の誘電体組成物と共に
使用することが好ましい。この理由から上述のＵｓａｌ
ａの特許の開示を参考例としてここに組み入れる。
【００５０】しばしば、ポリマーバインダーはバインダ
ーポリマーに関して小量の可塑剤を含むこともでき、こ
のものはバインダーポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）
を下げる働きをする。可塑剤の選択は、もちろん主とし
て改質されるべきポリマーによって決まる。種々なバイ
ンダー系に使用された可塑剤にはジエチルフタレート、
ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ブチルベ
ンジルフタレート、アルキルホスフェート、ポリアルキ
レングリコール、グリセリン、ポリ（エチレンオキシド
）、ヒドロキシエチル化アルキルフェノール、ジアルキ
ルジチオホスホネート及びポリ（イソブチレン）がある
。これらの内、ブチルベンジルフタレートが最もしばし
ばアクリルポリマー系に使用され、これはそれが比較的
小さい濃度で有効に使用されるからである。
【００５１】テープ製造 未焼成テープはバインダーポリマー、可塑剤及び溶剤の
溶液に分散させた誘電体粒子及び無機バインダーのスラ
リーを支持体例えばポリプロピレン、ＭｙｌａｒＲポリ
エステルフィルム又はステンレス鋼の上に流延させ、次
いで流延スラリーをドクターブレードを通過させて流延
フィルムの厚さを調節することにより製造する。かくし
て本発明に使用するテープはそのような慣用的な方法で
作ることができ、これはＵｓａｌａに対する米国特許第
４，５３６，５３５号に極めて詳細に記述されている。
【００５２】本発明の方法に使用する未焼成テープはし
ばしば層の電気的相互接続のためのバイア、登録孔及び
装置とチップ付属品を受け入れるためのその他の穿孔を
含むことがあるのは言うまでもない。それにもかかわら
ず、この方法はテープがそのような穿孔を含む場合にお
いてもＸ−Ｙ収縮を減少させる有効性を残していること
を見出した。
【００５３】ある場合においては、テープは焼成済みテ
ープに特別な性質例えば熱伝導性又は引っ張り強さを付
与するため充填剤例えばセラミックフェイバーを含むこ
とができる。本発明は主としてセラミックテープの層で
作ったセラミック体の焼成の条件において開発され上で
説明したが、本発明は異形の非平面的物品例えば流延又
は成形したセラミック部品の焼成の間のＸ−Ｙ収縮を減
少させるためにも使用できることを理解できるであろう
。
【００５４】強制層 本発明の方法に使用する強制層は固体有機ポリマーバイ
ンダーに分散させた非金属粒子からなる。上述のように
、強制層中の非金属粒子は焼成条件下で焼成される基体
の無機バインダーより低い焼結速度を持つこと、及び強
制層上の無機バインダーの湿潤角と無機バインダーの粘
度は強制層中へのバインダー浸透が前述の限界内にある
ようなそれであることが好ましい。従って強制層の無機
固体成分の組成は上述の基準に適合する限り同様に臨界
的ではない。如何なる非金属無機材料もそれが焼成の間
焼結を受けず、そして無機バインダーが焼成工程の間に
焼結を受けるとき、強制テープ上の焼成されるセラミッ
ク体（部品）中の無機バインダーの湿潤角とセラミック
体中の無機バインダーの粘度とが強制層中への無機バイ
ンダー浸透の好ましい限界内にある限り使用することが
できる。強制層に使用する無機非金属固体はセラミック
体に使用するそれと同じであっても良いが、ムライト、
石英、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｎＯ２、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ２、ＢＮ及びそれらの混合物が好ましい。しかしなが
ら、ガラス状材料もそれらの軟化点が十分に高く、それ
らが本発明により焼成される場合焼結を受けなければ使
用することができる。
【００５５】強制層は可撓性テープ、厚膜ペースト、噴
霧、浸漬、ロールなどの形で適用することができる。層
を適用する形態の如何にかかわらず、層がセラミック体
表面との密接な一致を実現するために可撓性であり、好
ましくは強制層／セラミック体界面におけるいずれかの
ギャップ（きず）の大きさを最小にし、そして界面にお
ける臨界応力値を増加させることが必要不可欠である。 一般に未焼成セラミックテープに適当な同じバインダー
ポリマーはそれをテープとして適用する場合強制層に対
しても適当である。
【００５６】ここで使用する用語「厚膜」と「厚膜ペー
スト」は有機媒質中の微粉砕固体の分散物を表し、この
分散物は慣用的スクリーン印刷により適用することを可
能とするペースト稠度とレオロジーを持っている。噴霧
、浸漬又はロール塗布に適した稠度とレオロジーを持つ
他の分散物も使用することができる。そのようなペース
ト用の有機媒質は通常溶剤に溶解させた液体バインダー
ポリマーと種々なレオロジー剤からなり、それらのすべ
てが焼成工程の間完全に熱処理可能である。そのような
ペーストは性質が抵抗性又は導電性のいずれかであるこ
とができ、ある場合には誘電性でさえあり得る。そのよ
うな組成物は機能性固体が焼成の間焼結されるか又はさ
れないかにより無機バインダーを含んでも含まなくても
良い。厚膜ペーストに使用する種類の慣用的な有機媒質
は強制層用としても適当である。適当な有機媒質材料に
関するより詳細な議論はＵｓａｌａに付与された米国特
許第４，５３６，５３５号に見出すことができる。
【００５７】ポリマー分解生成物の逃げの通路を作る目
的で強制層中に相互連結された多孔性の形成を確実にす
るため、強制層中の個々の粒子の間のポアエスケープチ
ャンネル（ｐｏｒｅ　ｅｓｃａｐｅ　ｃｈａｎｎｅｌ）
（空隙又は孔の構造）は昇温の間十分な大きさと残存開
口部とを持たなければならない。昇温の間ポアチャンネ
ルに開口部を残すためには前に議論したように強制層材
料の焼結速度が焼成されるセラミック部品の焼結速度よ
り小さくなければならない。強制層の孔の構造は層中の
特徴的な粒子の配列又は組立てにより決まる。層中の粒
子の配列又は充填はいくつかの要因、例えば固体の容積
画分、固体の粒子サイズ、サイズ分布及び形、最初の流
延における粒子の分散の程度、流延の乾燥特性、層適用
がスラリー浸漬又は噴霧のいずれによるか、及び層が如
何に適用されるかにより影響される。更にポリマーマト
リックスを含むテープ、噴霧又は浸漬層中の孔又は空隙
の構造はポリマーを熱処理した後の層中で差異があるこ
とは極めてありそうなことである。前述の条件を考慮し
ながら、粒子を９０容量％固体のバルク密度まで充填す
ることが可能である。一方、１０容量％固体のバルク密
度を下限とすることが層のＸ−Ｙ圧縮応力能力の重大な
低落と層中へのガラスの著しい浸透を伴うことなく十分
に大きなポアチャンネルを作るために実用的であろう。
【００５８】工程の変数 本発明の方法の必要不可欠な特徴は強制層を基体表面に
密接に一致させることである。強制層を可撓性シートと
して適用する場合、密接な一致はシートを未焼成誘電体
テープパッケージに積層させることにより達成すること
ができる。
【００５９】本発明の方法の焼成周期はセラミック体と
強制層の両方に含まれる固体の物理的性質の影響を受け
、更に材料が焼成される炉又は窯の加熱速度能力により
制限される。多くの適用に使用することができる代表的
バッチ式炉焼成周期は集成体を３℃／分の速度で６００
℃まで、次いで５℃／分で８５０℃のピーク温度に至ら
せ、集成体をピーク温度に３０分間保ち、次いで炉を消
して集成体を冷却することである。代表的な商業的設備
においては、材料の焼成特性を利用する炉又は窯の動作
特性に適するように選ばれる。焼成はもちろんバッチ式
、断続式又は連続式のいずれによっても実行することが
できる。
【００６０】焼成が完了すると、強制層はその粒子がフ
ァンデルワールスカのみにより弱く結合する乾燥した多
孔質層の形体になり、なぜなら焼成の間に有機バインダ
ーは揮発し、又層の粒子は焼結されないからである。こ
の層は小さな一体化強さを持つので、ブラッシングによ
り容易に除くことができる。それでも焼成済み強制層の
除去は極めて小さな機械的エネルギーのみを必要とする
ことにより特徴付けられ、そして熱間圧縮を使用する従
来技術の方法にある研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）はもちろ
ん必要としない。
【００６１】本発明はその上に厚膜の電気的機能性パタ
ーン例えば抵抗器または導電性ラインまたはその両方が
印刷されている１つまたは複数の誘電体層を含むより複
雑な多層部分を作るためにしばしば使用される。この場
合、誘電体及び電気的機能性層を順次または同時焼成す
ることができる。その上、多重部品を垂直に積み重ねて
単一のモノリスとし、同時焼成することができる。その
ようなモノリスにおいては、図３に示すように強制層は
各部品の間及びモノリスの上部と底部にあり、各部品は
上部と底部のセラミック表面に密接に一致させた強制層
を持つ。モノリスに集成された単一の多層部品又は多重
の多層部品のいずれを焼成するかの如何にかかわらず、
焼成温度輪郭及び／又は誘電体層と電気的機能性層の成
分はすべての層の有機媒質を完全に揮発させ、そしてそ
れぞれの層の無機バインダーが十分に焼結されるように
選ばれなければならない。ある場合において、その上厚
膜金属化の導電相を焼結することが必要になることがあ
る。これらの相対的特性を持つ成分の選択は、もちろん
厚膜に関する技術分野で公知である。
【００６２】又本発明は硬質予備焼成済み基体上の多重
誘電体テープ層と厚膜導電性ペーストからなる多層部品
の焼成も可能にする。これらの部品の層は誘電体層にお
けるすぐれたＸ−Ｙ寸法安定性が保ちながら、上で議論
したように一工程で同時焼成するか又は逐次焼成するこ
とができる。
【００６３】硬質基体上で誘電体テープの多重層を同時
焼成する能力はいくつかの理由から魅力的である。硬質
基体が高い強度の材料例えばアルミナで作られている場
合、それは機械的支持を提供する。硬質基体が高い熱伝
導度の材料例えばＡｌＮ又はベリリアで作られている場
合、電子パッケージから熱を除く方法を提供する。他の
材料例えばＳｉ又は他の誘電体材料で作られた硬質基体
も非常に魅力的である。多重層を同時焼成し得ることも
焼成工程数を減らすことにより原価を低減させる。
【００６４】硬質基体上へ誘電体テープを同時焼成する
能力は他の基体上テープ（ＴＯＳ）法を上回る利点を持
ち、なぜならパッケージの多重層テープ誘電体部分は慣
用的な方法で形成させることができるからである。誘電
体層の切断、導電体又は他の誘電体材料を用いる印刷、
バイアの充填、層の積み重ねと積層は慣用的な多重層法
による。次いで強制層を未焼成の誘電体テープの表面に
適用する。次いで強制層を未焼成誘電体テープの表面に
適用する。強制層をテープの形で使用する場合、これが
好ましい方法であるが、強制層テープを未焼成誘電体テ
ープの露出した表面に積層させ、誘電体テープと強制層
の間に緊密な接触と密接な一致が得られるようにする。 誘電体テープ、硬質基体及び強制層テープは一度に同時
積層させるか又は逐次積層させることができる。逐次積
層の場合誘電体テープ層を最初に硬質基体に積層させ、
次いで強制層テープをあらかじめ積層させた硬質基体／
誘電体テープ積層体に積層させる。同時積層の場合、硬
質基体、誘電体テープ及び強制層テープを一工程で積層
させる。強制層をペースト又は噴霧形体で適用する場合
、誘電体テープと硬質基体を最初に積層させ、次いで強
制層材料を適当な形体で適用する。他の積み重ねと積層
方法も可能であり、当該技術分野で明白なことである。
【００６５】積層後、全硬質基体、誘電体テープパッケ
ージ及び強制層をこの方法に合う一工程で焼成する。バ
イア充填はこの方法の結果ではない。
【００６６】逐次焼成するパッケージの場合、硬質基体
、誘電体テープ及び強制層複合体を組み立て、そして上
述のように焼成するが、しかしながら追加の誘電体テー
プの層を既に焼成済みのパッケージに付加し積層させる
こともできる。この場合あらかじめ焼成した硬質基体／
誘電体テープパッケージが硬質基体として働き、その上
に誘電体テープと強制層材料が適用され、追加の誘電体
テープの層が作られる。
【００６７】熱伝導性硬質基体と高力硬質基体はハイブ
リッド適用用として極めて魅力的である。高出力ＩＣチ
ップ適用のための魅力的な配置は誘電体テープのキャビ
ティー（ｃａｖｉｔｙ）を置き、本発明に適合する硬質
ＡｌＮ基体上にキャビティー配置を同時焼成し、次いで
一体化させた回路チップを直接ＡｌＮ上でキャビティー
中にはめ込むことである。次いで気密性を得るため蓋を
キャビティーに取り付ける。硬質ＡｌＮ基体は機械的支
持を与え、パッケージから熱を除く働きをする。誘電体
材料のキャビティー又は壁を作ってその中にチップをは
め込む思想はそれがパッケージ集積化の水準を増すこと
から魅力的である。
【００６８】硬質基体上で誘電体テープの層を同時焼成
する能力は硬質基体、誘電体テープ、及び強制層材料の
熱膨張不適合により制限される。積層された複合体の材
料の間の熱膨張不適合が大きいと材料間の界面における
欠陥が加熱の間に起こり、それがしわ形成につながるこ
とがある。又、ハイブリッド適用のためには本方法にお
いて硬質基体の少なくとも片側が平面であり、テープ層
が平面に付着できることが必要である。
【００６９】本発明の３つの態様を図１〜３に示す。こ
れらの態様は本発明の集成体を例示するものであって限
定するものではない。
【００７０】図１は可撓性強制層をセラミックテープ部
品の両側に付着させた本発明の方法の構成部品の配置の
略図である。
【００７１】未焼成セラミックテープ部品５の両側（金
属化されているかされていない）を可撓性強制層３と３
ａで積層させて強制層を部品の表面に密接に一致させる
。このように積層させたセラミック部品を炉ベルト１の
上に集成体を置くことにより慣用的な炉で焼成すること
ができる。
【００７２】図２は可撓性強制層をセラミックテープ部
分の片側にのみ付着させた本発明の方法の構成部品の配
置の略図である。
【００７３】予備焼成済みセラミック基体７（金属化し
てあるかしていないかの）と未焼成セラミックテープ部
分（金属化してあるかしていない）５とが整列され同時
積層されている。可撓性強制層３を別にセラミックテー
プ部分５の露出した表面に積層させるか、又はすべての
３つの構成部品すなわち強制層３、テープ部分５及び予
備焼成した基体７を同時積層させることができる。次い
で集成体を炉ベルト１の上に置くことにより慣用的な炉
で焼成する。
【００７４】図３は多重（ｎ個）セラミック部品（金属
化してあるかしていないかの）をｎ＋１個の強制層と交
互にしてモノリスを形成させた本発明の種々な構成部品
の配置の略図である。この図でｎは３である。しかしｎ
は任意の正の整数であることができる。
【００７５】未焼成セラミックテープ部品（金属化して
あるかしていないかの）５ａ、５ｂ及び５ｃは可撓性強
制層３ａ、３ｂ、３ｃ及び３ｄと交互に整列されている
。全集成体は同時積層させるか、副集成部品（ｓｕｂａ
ｓｓｅｍｂｌｉｅｓ）を積層させて全集成体を形成させ
ることができる。例えばセラミックテープ部品５ａと強
制層３ａを積層させることができる。次いで強制層３ｂ
と集成体の他の層を順々に副集成部品に積層させること
ができる。 もしくは副集成部品例えばセラミックテープ部品５ａ及
び強制層３ａと３ｂを整列させ積層させることができる
。第二の副集成部品例えばセラミックテープ部品５ｂと
５ｃ及び強制層３ｃと３ｄを整列させ積層させることが
できる。次に第一の副集成部品と第二の副集成部品を整
列させ積層させることができる。積層後、モノリスを炉
ベルト１の上に置くことにより集成体又はモノリスを慣
用的炉の中で焼成する。
【００７６】
【実施例】実施例１〜９ 次の一組の実験は本発明の方法が焼成の間半径方向収縮
（すなわちＸ−Ｙ収縮）をなくし、そしてきつい寸法許
容度を持つ多層パッケージを作る手段を提供することを
示すために行った。この実施例はこの方法により作られ
る正確な線寸法制御を示す。研究の中で測定した試料は
Ｄｕ　Ｐｏｎｔ　Ｇｒｅｅｎ　ＴａｐｅＴＭ（誘電率〜
６）から調製した。焼成の間の線寸法変化の測定に使用
した方法も概説する。
【００７７】試料は標準の多層Ｄｕ　Ｐｏｎｔ　Ｇｒｅ
ｅｎ　ＴａｐｅＴＭ処理法により調製したが、この方法
はセラミックテープのブランク層の切断及び低い温度（
例えば７０℃）と圧力（例えば３０００ｐｓｉ）で層を
積層させてモノリス未焼成多層体の作成を含む。ある場
合、下に示すように金属導体ペーストを積層前テープ層
の上にスクリーン印刷した。ある場合には、強制テープ
の層を積層前多層堆積の上部と底部に付加した。他の場
合、誘電体層を強制層なしに最初に積層させた。これら
の場合、強制層を単純に積層済み誘電体層の上部と底部
に付加し、そして全堆積を追加の時間積層させて強制層
を接着させた。
【００７８】表１の実施例１〜５の２″×２″試料を８
枚の３″×３″平面ブランクから調製した。金属化を示
していない試料については、８層の内２層又は６層のい
ずれかにＤｕ　Ｐｏｎｔ　６１４２　Ａｇ導体金属化を
用いてクロスハッチ試験パターンをスクリーン印刷した
。試験パターンは高密度導体パターンを複製してデザイ
ンした。実施例５においては金属を各印刷済み層の表面
の半分のみに適用した。厚さ３ミルの強制テープの４層
を各堆積の上部と底部に、全部で合計１６層のテープを
付加した。全１６層を一緒に３０００ｐｓｉと７０℃で
１０分間積層させた。次いで試料を２″×２″の大きさ
に切断した。未焼成の強制層テープ／回路部品を平滑、
無気孔のアルミナセッター上に置き、２７５℃で１時間
バーンアウト（ｂｕｒｎ　ｏｕｔ）させた。それらをセ
ッターから除かないで部品をベルト炉を通過させ、８５
０℃で焼結した。冷却後強制層をダスチングにより除い
た。
【００７９】図１の実施例６〜９の５″×５″試料を８
枚の５″×５″平面誘電体ブランクから作った。実施例
６と７において、強制テープの３層を積層前堆積の上部
と底部の両方に付加した。次いで１４層のテープを表示
の圧力で７０℃で１０分間積層させた。実施例８と９に
ついては、８層の誘電体層のみをそれぞれ３０００ｐｓ
ｉ及び１０００ｐｓｉで７０℃で５分間積層させた。次
いで３層の強制テープを各々の上部と底部の両方に付加
し、そして二回目に１４層のテープ部品を７０℃、３０
００ｐｓｉで更に積層させた。
【００８０】多層パッケージに要求される許容度と調和
する焼成の間の線寸法を正確に測定するため、写真平板
法を使用してブランク誘電体テープ層の表面に１ミルの
線と交わる２５〜２８Ａｕの比較的高分解のパターンを
単純なマトリックス状に置いた。このように印を付けた
誘電体層が各試験部品の上部誘電体層になった。交差の
マトリックスを焼成の前後に自動移動顕微鏡で調査した
。マトリックス内の個々の交差の位置をコンピューター
メモリー中にディジタル化し記録した。コンピューター
を使用して精密Ｘ−Ｙ表を駆動させてマトリックスの像
を作り、試料表面上のすべてにおける個々の交差の間の
直線距離を＋／−０．２ミルの精度で測定した。表１に
示す９つの試料配置の各々につき、全部で３００〜３７
８の直線距離変化を測定した。
【００８１】表１は平均直線寸法変化△ｌ／ｌ０を示し
、ここで△ｌは焼成の結果としての２つの選択したクロ
スハッチの間の直線距離の変化であり、ｌ０はそれらの
間の最初の直線距離である。「交替させた」は試料の中
の個々のテープ層の方向付けを表す。ドクターブレード
流延の間に粒子は機械の流延方向に自身整列する傾向が
あり、この整列は焼成の間に収縮に影響することが示さ
れている。従って流延効果を最小にするため個々のテー
プ層の流延方向を交替させることがしばしば望ましい。
【００８２】
【表１】
【００８３】これらの部品で測定された僅かな寸法変化
は大部分材料の熱膨張効果と強制層コンパクション効果
によるものであり、焼成に帰せられるのではない。この
結果はいくつかの試料形状につき焼成の間の収縮が事実
上なくなり、線寸法を従来到達し得なかった正確さの程
度まで制御できることを示している。この結果は試料幾
何学と金属化密度が収縮の性質に影響しないことを示し
ている。比較として通常の自由焼成（強制しない）した
多層のＤｕ　Ｐｏｎｔ　Ｇｒｅｅｎ　ＴａｐｅＴＭ部品
は０．１２の（△ｌ／ｌ０）と＋０．００２の標準偏差
を示し、ここでは収縮が部品幾何学と導電性金属密度に
より高度に影響される。 この方法は処理の間上述のようなきつい寸法許容度を示
すから、寸法制限はこの方法で多層部品を作る場合重要
な問題ではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】焼成前の本発明の種々な構成部品の配置の略図
。
【図２】焼成前の本発明の種々な構成部品の配置を示す
略図。
【図３】焼成前の本発明の種々な構成部品の配置を示す
略図。
【図４】強制層にしわができていないセラミック／強制
層界面の離層の略図。
【図５】強制層にしわができたセラミック／強制層界面
の離層の略図。
【図６】無機バインダー浸透のバインダー粘度及び湿潤
角との相関グラフ。
【符号の説明】
１　　炉ベルト ３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ　　可撓性強制層５、５ａ
、５ｂ、５ｃ　　未焼成セラミックテープ部品７　　予
備焼成済みセラミック基体

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ａ）　　揮発性固体ポリマーバインダ
    ー中に分散させたセラミック固体と焼結性無機バインダ
    ーとの微粉砕粒子の混合物からなる未焼成セラミック体
    を準備し、 ｂ）　　未焼成セラミック体の表面に可撓性強制層を、
    前記強制層を未焼成セラミック体に密接に一致させるよ
    うに適用し、ここで前記強制層は揮発性ポリマーバイン
    ダー中に分散させた非金属無機固体の微粉砕粒子からな
    り、セラミック体の焼結性無機バインダーの強制層への
    浸透は５０μｍ以下であり、 ｃ）　　ポリマーバインダーをセラミック体と強制層の
    両方から揮発させ、強制層中で相互連結された多孔性を
    形成させ、そして無機バインダーをセラミック体中で焼
    結するに十分な温度と時間で集成体を焼成し、ｄ）　　
    焼成済み集成体を冷却し、そしてｅ）　　多孔質強制層
    を焼結済みセラミック体から除く逐次的工程からなるセ
    ラミック体の焼成の間Ｘ−Ｙ収縮を減少させる方法。
  2. 【請求項２】　　無機バインダーが非晶質結晶性ガラス
    である請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】　　無機バインダーが非晶質ガラスである
    請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】　　強制層の非金属固体上の無機バインダ
    ーの接触角が６０度以上である請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】　　焼結性無機バインダーの粘度が少なく
    とも１×１０５ポアズである請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】　　焼成済み強制層の相互連結された孔の
    容積が焼成済み強制層の全容積の少なくとも１０％であ
    る請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】　　強制層中の非金属無機固体の焼結温度
    がセラミック体中の無機バインダーの焼結温度より少な
    くとも５０℃高い請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】　　セラミック体中の無機バインダーの焼
    結温度が６００〜９００℃である請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】　　強制層中の非金属無機固体がセラミッ
    ク固体である請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】　　強制層中のセラミック固体がムライ
    ト、石英、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｎＯ２、ＭｇＯ、
    ＺｒＯ２、ＢＮ及びそれらの混合物から選ばれる請求項
    ９記載の方法。
  11. 【請求項１１】　　セラミック体と強制層の両方の中の
    セラミック固体が同じ材料である請求項９記載の方法。
  12. 【請求項１２】　　強制層を未焼成セラミック体に積層
    させる請求項１記載の方法。
  13. 【請求項１３】　　セラミック体が未焼成セラミックテ
    ープの１つ又はそれより多い層からなる請求項１２記載
    の方法。
  14. 【請求項１４】　　未焼成セラミックテープ中のセラミ
    ック固体がＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２並びにそれらの混合物
    及び前駆物質から選ばれる請求項１３記載の方法。
  15. 【請求項１５】　　未焼成セラミックテープのセラミッ
    ク固体と無機バインダーの含有量が未焼成セラミックテ
    ープの３０〜７０容量％を構成し、そして強制層の非金
    属無機固体含有量が焼成済み強制層の１０〜９０容量％
    を構成する請求項１３記載の方法。
  16. 【請求項１６】　　未焼成セラミックテープと強制層の
    中の固体の平均粒子サイズが１〜２０ミクロンであり、
    そのような粒子の３０容量％以下は１ミクロン以下の粒
    子サイズを持つ請求項１３記載の方法。
  17. 【請求項１７】　　未焼成セラミックテープを焼成前に
    予備焼成済み平面セラミック基体に積層させる請求項１
    ３記載の方法。
  18. 【請求項１８】　　未焼成セラミックテープを平面セラ
    ミック基体の両側に積層させる請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】　　基体の少なくとも１つの表面が導電
    性パターンを含む請求項１７又は１８のいずれか一項記
    載の方法。
  20. 【請求項２０】　　予備焼成済み平面セラミック基体が
    Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ及びＳｉからなる群より選ばれる材
    料からなる請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】　　厚膜導電性パターンを焼成済みテー
    プに強制層を除いた後適用し、そしてパターンを焼成し
    てそこから有機媒質を揮発させ、その中の導電性固体を
    焼結する請求項１３記載の方法。
  22. 【請求項２２】　　パターン中の導電性材料が貴金属又
    はその混合物又は合金である請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】　　貴金属が金、銀、パラジウム又はそ
    れらの合金である請求項２２記載の方法。
  24. 【請求項２４】　　パターン中の導電性材料が銅又はそ
    の前駆物質である請求項２１記載の方法。
  25. 【請求項２５】　　未焼成セラミックテープの少なくと
    も１つの層はその上に厚膜の電気的機能性ペーストの未
    焼成パターンが印刷されてあり、そして集成体を同時焼
    成する請求項１３記載の方法。
  26. 【請求項２６】　　厚膜の電気的機能性ペーストが導電
    体である請求項２５記載の方法。
  27. 【請求項２７】　　厚膜の電気的機能性ペーストが抵抗
    器である請求項２５記載の方法。
  28. 【請求項２８】　　ａ）　　ｎ＋１個の可撓性強制層を
    交互にするｎ個の未焼成セラミック体からなるモノリス
    を準備し、ここでｎは正の整数であり、各未焼成セラミ
    ック体は揮発性固体ポリマーバインダー中に分散させた
    セラミック固体と焼結性無機バインダーとの微粉砕粒子
    の混合物からなる１つ又は複数のセラミックテープの層
    からなり、各強制層は揮発性ポリマーバインダー中に分
    散させた非金属無機固体の微粉砕粒子からなり、そして
    各強制層は各々の隣接するセラミック体の表面に密接に
    一致させてあり、しかしながらセラミック体の焼結性無
    機バインダーの強制層への浸透は５０μｍ以下であるも
    のとし、 ｂ）　　ポリマーバインダーをセラミック体（１つ又は
    複数）と強制層から揮発させ、強制層中で相互連結され
    た多孔性を形成させ、そしてセラミック体（１つ又は複
    数）中で無機バインダーを焼結するに十分な温度と時間
    でモノリスを焼成し、 ｃ）　　焼成済みモノリスを冷却し、そしてｄ）　　多
    孔質強制層を焼結済みセラミック体（１つ又は複数）の
    表面から除く逐次的工程からなるセラミック体の焼成の
    間Ｘ−Ｙ収縮を減少させる方法。
  29. 【請求項２９】　　揮発性固体ポリマーバインダー中に
    分散させたセラミック固体と焼結性無機バインダーとの
    微粉砕粒子の混合物からなる複合未焼成セラミック体で
    あって、前記複合未焼成セラミック体の表面には揮発性
    ポリマーバインダー中に分散させた非金属無機固体の微
    粉砕粒子からなる可撓性強制層を付着させ、そして密接
    に一致させてあり、セラミック体の焼結性無機バインダ
    ーの強制層への浸透は５０μｍ以下である複合未焼成セ
    ラミック体。
  30. 【請求項３０】　　ａ）　　未焼成セラミック体の少な
    くとも１つの表面に強制層を、前記強制層をセラミック
    体の表面（１つ又は複数）に密接に一致させるように適
    用し、ここで未焼成セラミック体は揮発性有機溶剤に溶
    解させた固体ポリマーバインダーからなる揮発性固体ポ
    リマーバインダー中に分散させた非金属無機固体の微粉
    砕粒子からなり、強制層は揮発性ポリマーバインダー中
    に分散させた非金属無機固体の微粉砕粒子からなり、そ
    してセラミック体の焼結性無機バインダーの強制層への
    浸透は５０μｍ以下であるものとし、そしてｂ）　　有
    機溶剤を蒸発により除く逐次工程からなる請求項２９記
    載の複合未焼成セラミック体の製造方法。
  31. 【請求項３１】　　強制層をセラミック体の表面（１つ
    又は複数）に積層させる請求項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】　　その少なくとも１つの表面上に厚膜
    の電気的機能性ペーストの未焼成パターンが印刷されて
    いる請求項２９記載の複合未焼成セラミック体。
  33. 【請求項３３】　　厚膜パターンがセラミック体の強制
    層の側（１つ又は複数）に印刷されている請求項３２記
    載の複合未焼成セラミック体。
  34. 【請求項３４】　　厚膜パターンが導電性である請求項
    ３３記載の複合未焼成セラミック体。
  35. 【請求項３５】　　厚膜パターンが抵抗器である請求項
    ３３記載の複合未焼成セラミック体。
  36. 【請求項３６】　　その上に印刷された抵抗器と導電体
    パターンの両方を持つ請求項３２又は３３のいずれか一
    項記載の複合未焼成セラミック体。
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CA (1) CA2052210A1 (ja)
DE (1) DE69106830T2 (ja)
MY (1) MY107198A (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5370759A (en) * 1992-05-20 1994-12-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing multilayered ceramic substrate
US6395118B1 (en) 1999-06-16 2002-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing ceramic substrate and non-fired ceramic substrate
JP2002198647A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp 低温焼成セラミック配線基板の製造方法
JP2003026472A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品および積層セラミック電子部品製造用の生の複合積層体
JP2003258424A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc セラミック多層基板の製造方法
JP2004099387A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 無収縮セラミック多層基板の製造方法
US6797093B2 (en) 2001-06-05 2004-09-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glass ceramic multilayer substrate manufacturing method and glass ceramic multilayer substrate product
US6811635B2 (en) 2000-09-07 2004-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing the same, and electronic device
US6815046B2 (en) 1999-03-03 2004-11-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing ceramic multilayer substrate
US6896953B2 (en) 2002-11-11 2005-05-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and process of producing the same
JP2005203810A (ja) * 2005-03-25 2005-07-28 Murata Mfg Co Ltd セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置
US6942833B2 (en) 2002-02-26 2005-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic multilayer substrate manufacturing method and unfired composite multilayer body
JP2005347674A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Hitachi Metals Ltd 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板
US7105070B2 (en) 2003-09-09 2006-09-12 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate
US7148136B2 (en) 2002-10-10 2006-12-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing ceramic multi-layer substrate
JP2007048844A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法およびセラミック電子部品
WO2008020534A1 (en) 2006-08-18 2008-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Process for production of formed ceramic bodies
US7618843B2 (en) 2001-11-22 2009-11-17 Murata Manufacturing Co., Ltd Method of fabricating multilayer ceramic substrate
US7687137B2 (en) 2005-02-28 2010-03-30 Kyocera Corporation Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor
US7781066B2 (en) 2005-07-01 2010-08-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for producing same, and composite green sheet for forming multilayer ceramic substrate
WO2011108227A1 (ja) 2010-03-01 2011-09-09 パナソニック株式会社 発光素子用基板及びその製造方法ならびに発光装置
JP2012044133A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 熱電モジュール及びその製造方法
US8372227B2 (en) 2009-04-21 2013-02-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multilayer ceramic substrate
WO2013121787A1 (ja) 2012-02-15 2013-08-22 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5254191A (en) * 1990-10-04 1993-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies
EP0535711A3 (en) * 1991-10-04 1993-12-01 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method for producing multilayered ceramic substrate
US5470412A (en) * 1992-07-30 1995-11-28 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Process for producing a circuit substrate
US5456778A (en) * 1992-08-21 1995-10-10 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Method of fabricating ceramic circuit substrate
JP3003413B2 (ja) * 1992-09-21 2000-01-31 松下電器産業株式会社 多層セラミック基板の製造方法
US5798469A (en) * 1992-12-29 1998-08-25 International Business Machines Corporation Non-sintering controlled pattern formation
US5662755A (en) * 1993-10-15 1997-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making multi-layered ceramic substrates
DE69515584T2 (de) * 1994-09-27 2000-09-07 Kabushiki Kaisha Nippon Shokubai, Osaka Keramische Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben
US6001761A (en) * 1994-09-27 1999-12-14 Nippon Shokubai Co., Ltd. Ceramics sheet and production method for same
JP3570447B2 (ja) * 1994-12-21 2004-09-29 セイコーエプソン株式会社 積層型インクジェット式記録ヘッド、及びその製造方法、及び記録装置
US5655209A (en) * 1995-03-28 1997-08-05 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrates having internal capacitor, and process for producing same
WO1996039298A1 (en) * 1995-06-06 1996-12-12 Sarnoff Corporation Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a support
US6709749B1 (en) 1995-06-06 2004-03-23 Lamina Ceramics, Inc. Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a substrate
US5708570A (en) * 1995-10-11 1998-01-13 Hughes Aircraft Company Shrinkage-matched circuit package utilizing low temperature co-fired ceramic structures
US5759669A (en) * 1995-12-22 1998-06-02 International Business Machines Corporation Apparatus and method for screening green sheet with via hole using porous backing material
US6042667A (en) * 1996-03-13 2000-03-28 Sumotomo Metal Electronics Devices, Inc. Method of fabricating ceramic multilayer substrate
JP3780386B2 (ja) * 1996-03-28 2006-05-31 株式会社村田製作所 セラミック回路基板及びその製造方法
US5676788A (en) * 1996-06-21 1997-10-14 International Business Machines Corporation Method for forming cavity structures using thermally decomposable surface layer
US5785800A (en) * 1996-06-21 1998-07-28 International Business Machines Corporation Apparatus for forming cavity structures using thermally decomposable surface layer
US5800761A (en) * 1996-10-08 1998-09-01 International Business Machines Corporation Method of making an interface layer for stacked lamination sizing and sintering
US5874162A (en) * 1996-10-10 1999-02-23 International Business Machines Corporation Weighted sintering process and conformable load tile
US5858145A (en) * 1996-10-15 1999-01-12 Sarnoff Corporation Method to control cavity dimensions of fired multilayer circuit boards on a support
US5948193A (en) * 1997-06-30 1999-09-07 International Business Machines Corporation Process for fabricating a multilayer ceramic substrate from thin greensheet
JPH11116279A (ja) * 1997-10-14 1999-04-27 Mitsuboshi Belting Ltd ガラス着色剤組成物
US6016005A (en) * 1998-02-09 2000-01-18 Cellarosi; Mario J. Multilayer, high density micro circuit module and method of manufacturing same
JP3601671B2 (ja) * 1998-04-28 2004-12-15 株式会社村田製作所 複合積層体の製造方法
US6228196B1 (en) * 1998-06-05 2001-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing a multi-layer ceramic substrate
US6258191B1 (en) 1998-09-16 2001-07-10 International Business Machines Corporation Method and materials for increasing the strength of crystalline ceramic
US6572830B1 (en) 1998-10-09 2003-06-03 Motorola, Inc. Integrated multilayered microfludic devices and methods for making the same
US6592696B1 (en) 1998-10-09 2003-07-15 Motorola, Inc. Method for fabricating a multilayered structure and the structures formed by the method
US6245171B1 (en) 1998-11-23 2001-06-12 International Business Machines Corporation Multi-thickness, multi-layer green sheet lamination and method thereof
US6447712B1 (en) * 1998-12-28 2002-09-10 University Of Washington Method for sintering ceramic tapes
US7216348B1 (en) 1999-01-05 2007-05-08 Net2Phone, Inc. Method and apparatus for dynamically balancing call flow workloads in a telecommunications system
JP3771099B2 (ja) * 1999-01-27 2006-04-26 松下電器産業株式会社 グリーンシート及びその製造方法、多層配線基板の製造方法、両面配線基板の製造方法
US6258192B1 (en) 1999-02-10 2001-07-10 International Business Machines Corporation Multi-thickness, multi-layer green sheet processing
US6139666A (en) * 1999-05-26 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method for producing ceramic surfaces with easily removable contact sheets
JP3601679B2 (ja) * 1999-07-27 2004-12-15 株式会社村田製作所 複合積層体の製造方法
DE19935677B4 (de) * 1999-07-29 2005-07-07 Robert Bosch Gmbh Paste für den Siebdruck von elektrischen Strukturen auf Trägersubstraten
US6395337B1 (en) * 1999-07-30 2002-05-28 International Business Machines Corporation Substrate with ceramic coating for camber modification and method for making
JP3554962B2 (ja) * 1999-10-28 2004-08-18 株式会社村田製作所 複合積層体およびその製造方法
DE10063265A1 (de) * 1999-12-20 2001-07-05 Murata Manufacturing Co Äußeres Überzugsubstrat für ein elektronisches Bauteil und ein piezoelektrisches Resonanzbauteil
TW507484B (en) * 2000-03-15 2002-10-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method of manufacturing multi-layer ceramic circuit board and conductive paste used for the same
JP3633435B2 (ja) * 2000-04-10 2005-03-30 株式会社村田製作所 多層セラミック基板、その製造方法および設計方法、ならびに電子装置
JP4576670B2 (ja) * 2000-06-07 2010-11-10 パナソニック株式会社 セラミック基板の製造方法
JP3511982B2 (ja) * 2000-06-14 2004-03-29 株式会社村田製作所 多層配線基板の製造方法
JP3528045B2 (ja) * 2000-07-31 2004-05-17 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造装置
JP3396465B2 (ja) * 2000-08-25 2003-04-14 三井金属鉱業株式会社 銅張積層板
JP3591437B2 (ja) * 2000-09-07 2004-11-17 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子装置
JP3593964B2 (ja) * 2000-09-07 2004-11-24 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
TW562737B (en) * 2000-11-27 2003-11-21 Murata Manufacturing Co Method of manufacturing ceramic multi-layer substrate, and unbaked composite laminated body
JP2002368422A (ja) * 2001-04-04 2002-12-20 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板及びその製造方法
JP3807257B2 (ja) * 2001-06-25 2006-08-09 松下電器産業株式会社 セラミック部品の製造方法
DE10145362C2 (de) * 2001-09-14 2003-10-16 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats
JP2003110238A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Murata Mfg Co Ltd ガラスセラミック多層基板の製造方法
US6743534B2 (en) 2001-10-01 2004-06-01 Heraeus Incorporated Self-constrained low temperature glass-ceramic unfired tape for microelectronics and methods for making and using the same
US6615931B2 (en) * 2002-01-07 2003-09-09 Boart Longyear Co. Continuous feed drilling system
TW587067B (en) * 2002-03-07 2004-05-11 Yageo Corp Method for reducing shrinkage during sintering low-temperature ceramic and constrain layer
US7381283B2 (en) * 2002-03-07 2008-06-03 Yageo Corporation Method for reducing shrinkage during sintering low-temperature-cofired ceramics
DE10221483C1 (de) * 2002-05-15 2003-12-04 Saint Gobain Winter Diamantwer Verfahren zur Herstellung frei gesinterter ringförmiger Schleifbeläge für Schleifscheiben
US6827800B2 (en) * 2003-01-30 2004-12-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymmetrically configured dielectric layers
US6960741B2 (en) * 2002-08-26 2005-11-01 Lexmark International, Inc. Large area alumina ceramic heater
TW540285B (en) * 2002-09-11 2003-07-01 Universal Scient Ind Co Ltd Parallel stack process of multi-layer circuit board
US6835260B2 (en) * 2002-10-04 2004-12-28 International Business Machines Corporation Method to produce pedestal features in constrained sintered substrates
EP1435651B1 (en) * 2003-01-02 2012-11-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of asymetrically configured dielectric layers
DE10309689B4 (de) * 2003-02-27 2005-04-07 Bundesanstalt für Materialforschung und -Prüfung (BAM) Keramische Platte mit monolithischem Schichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung
JPWO2005039263A1 (ja) 2003-10-17 2007-02-15 日立金属株式会社 多層セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた電子機器
US7261841B2 (en) * 2003-11-19 2007-08-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor case compositions for LTCC tape
US7130522B2 (en) 2004-01-13 2006-10-31 International Business Machines Corporation Method and structure for two-dimensional optical fiber ferrule
US20050194085A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing ceramic multilayer substrate
JP2005268692A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp 多層基板の製造方法
KR100670595B1 (ko) * 2004-03-24 2007-01-17 삼성광주전자 주식회사 업라이트 청소기
JP2008501612A (ja) * 2004-06-08 2008-01-24 トライアンフ，オペレーティング アズ ア ジョイント ヴェンチャー バイ ザ ガバナーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ アルバータ，ザ ユニバーシティ オブ ブリティッシュ コロンビア，カールトン 複合セラミック対象物の形成方法
US20060009036A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Bacher Rudolph J High thermal cycle conductor system
US7731812B2 (en) * 2004-10-19 2010-06-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor case compositions for LTCC tape
US7068492B2 (en) * 2004-11-22 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
US7067026B2 (en) * 2004-11-22 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
US7175724B2 (en) 2004-11-22 2007-02-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure
US20060163768A1 (en) 2005-01-26 2006-07-27 Needes Christopher R Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof
US20060162844A1 (en) 2005-01-26 2006-07-27 Needes Christopher R Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof
KR100703406B1 (ko) * 2005-02-04 2007-04-03 삼성전자주식회사 Ｄｍａ 제어 장치 및 방법
US7611645B2 (en) * 2005-04-25 2009-11-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor compositions and the use thereof in LTCC circuits and devices
US7326367B2 (en) * 2005-04-25 2008-02-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor paste compositions for LTCC tape in microwave applications
JP4557002B2 (ja) * 2005-07-01 2010-10-06 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに多層セラミック基板作製用複合グリーンシート
US20070023388A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Nair Kumaran M Conductor composition for use in LTCC photosensitive tape on substrate applications
DE102005037456B4 (de) * 2005-08-01 2007-10-25 Technische Universität Ilmenau Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Keramikverbundes
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
KR100890231B1 (ko) * 2005-11-25 2009-03-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 다층 세라믹 기판의 제조 방법
TW200733143A (en) 2006-01-23 2007-09-01 Hitachi Metals Ltd Conductor paste, multilayer ceramic substrate and fabrication method of multilayer ceramic substrate
US7740725B2 (en) * 2006-04-05 2010-06-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor paste composition for LTCC tape in microwave applications
CN101480115A (zh) * 2006-06-16 2009-07-08 E.I.内穆尔杜邦公司 对低温共焙烧的具有表面电路图案的陶瓷进行无压强制烧结的改进工艺
US20080018995A1 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 Baun Kenneth W User-directed automated telescope alignment
JP5051131B2 (ja) * 2006-10-24 2012-10-17 株式会社村田製作所 セラミックグリーンシート用スラリー組成物の製造方法、セラミックグリーンシートの製造方法、および積層型セラミック電子部品の製造方法
EP2186584B1 (en) * 2007-09-06 2020-08-05 JTEKT Corporation Cutting tool and method of manufacturing cutting tool
KR100930165B1 (ko) * 2007-11-29 2009-12-07 삼성전기주식회사 구속용 그린시트 및 이를 이용한 다층 세라믹 기판의 제조방법
US20090162674A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Brett Allen Boutwell Tapes comprising barrier coating compositions and components comprising the same
KR101175412B1 (ko) 2008-02-19 2012-08-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층형 세라믹 전자부품의 제조방법
JP5229316B2 (ja) * 2008-03-25 2013-07-03 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法
CN101683011B (zh) * 2008-03-28 2013-01-09 株式会社村田制作所 多层陶瓷基板的制造方法及复合片材
KR100973059B1 (ko) * 2008-05-28 2010-07-29 한국세라믹기술원 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
DE112009001448T5 (de) 2008-06-13 2011-06-16 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo-shi Verfahren zum Herstellen eines Keramikformkörpers
US20090311124A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Baker Hughes Incorporated Methods for sintering bodies of earth-boring tools and structures formed during the same
KR101079381B1 (ko) * 2009-09-11 2011-11-02 삼성전기주식회사 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 세라믹 기판
CN102960076A (zh) 2009-12-31 2013-03-06 E·I·内穆尔杜邦公司 用于低温共烧陶瓷电路和装置的混合金属体系导体
US8552311B2 (en) 2010-07-15 2013-10-08 Advanced Bionics Electrical feedthrough assembly
US8386047B2 (en) 2010-07-15 2013-02-26 Advanced Bionics Implantable hermetic feedthrough
KR101179330B1 (ko) 2010-07-30 2012-09-03 삼성전기주식회사 저온 동시 소성 세라믹 조성물, 이를 포함하는 저온 동시 소성 세라믹 기판 및 이의 제조방법
CN102219480A (zh) * 2011-04-22 2011-10-19 辽宁中大超导材料有限公司 一种利用温度梯度控制氧化镁烧结体靶材物理尺寸的方法
US20130052433A1 (en) 2011-08-29 2013-02-28 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions for low k, low temperature co-fired composite (ltcc) tapes and low shrinkage, multi-layer ltcc structures formed therefrom
US20140015405A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Elementech International Co., Ltd. Light emitting diode module
CN105451950B (zh) 2013-08-15 2019-03-12 哈利伯顿能源服务公司 支撑剂的加成制造
CN105522137B (zh) 2014-10-24 2018-09-11 比亚迪股份有限公司 一种金属陶瓷复合体及其制备方法
US12521935B2 (en) 2016-12-02 2026-01-13 Markforged, Inc Method for minimizing stress-related deformations in 3D printed and sintered parts
US10800108B2 (en) 2016-12-02 2020-10-13 Markforged, Inc. Sinterable separation material in additive manufacturing
US10000011B1 (en) 2016-12-02 2018-06-19 Markforged, Inc. Supports for sintering additively manufactured parts
CA3040921C (en) 2016-12-06 2024-02-20 Markforged, Inc. Additive manufacturing with heat-flexed material feeding
CN115181502B (zh) 2016-12-21 2023-09-22 康宁股份有限公司 烧结系统和烧结制品
CN106851871A (zh) * 2017-01-13 2017-06-13 杭州格拉思康科技有限公司 层状陶瓷电热元件
CN107759226A (zh) * 2017-10-29 2018-03-06 贵州喜文化艺术有限责任公司 一种陶瓷粉体制备方法
KR102072287B1 (ko) * 2018-02-21 2020-01-31 한국산업기술대학교산학협력단 Ltcc(저온 동시 소성 세라믹)를 이용한 유해가스 감지센서의 제조방법
KR102013896B1 (ko) * 2018-03-29 2019-08-23 조인셋 주식회사 세퍼레이터 및 이를 적용한 다수의 그린시트 유닛의 소성방법
CN108652088A (zh) * 2018-08-06 2018-10-16 云南中烟工业有限责任公司 一种新型卷烟加热元件及其制备方法
CN113382975B (zh) 2018-11-30 2023-05-02 康宁股份有限公司 蜂窝体制造方法
CN109678530B (zh) * 2019-01-24 2021-07-23 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种隔离粉及其制作方法
CN112225458B (zh) * 2020-08-13 2022-09-23 航天特种材料及工艺技术研究所 一种陶瓷基复合材料用耐高温低膨胀系数粘接浆料及其制备方法
CN116653321A (zh) * 2023-07-18 2023-08-29 山东道普安制动材料有限公司 一种c/c刹车盘cvi增密用垫环工装及其制备方法
CN117229071A (zh) * 2023-09-15 2023-12-15 四川六方钰成电子科技有限公司 一种实现陶瓷基板多层叠烧的方法
CN117303880B (zh) * 2023-09-27 2025-09-09 中国国检测试控股集团股份有限公司 适用于多种建筑陶瓷的预应力增强用涂层浆料及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0243858A2 (en) * 1986-05-02 1987-11-04 International Business Machines Corporation Method and means for co-sintering ceramic/metal MLC substrates
JPH01262696A (ja) * 1988-03-11 1989-10-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 絶縁性基板を製造する方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3655496A (en) * 1969-09-25 1972-04-11 Vitta Corp Tape transfer of sinterable conductive, semiconductive or insulating patterns to electronic component substrates
US3879509A (en) * 1971-09-07 1975-04-22 Gilbert James Elderbaum Method of producing thin ceramic sheets with minimal distortion
US4259061A (en) * 1979-12-07 1981-03-31 International Business Machines Corporation Method of achieving uniform sintering shrinkage in a laminated planar green ceramic substrate and apparatus therefor
JPS57181356A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Hitachi Ltd Sintered aluminum nitride body with high heat conductivity
US4521449A (en) * 1984-05-21 1985-06-04 International Business Machines Corporation Process for forming a high density metallurgy system on a substrate and structure thereof
US4654095A (en) * 1985-03-25 1987-03-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition
JPS62128973A (ja) * 1985-11-25 1987-06-11 松下電工株式会社 セラミツクス基板の焼成法
US5102749A (en) * 1988-01-27 1992-04-07 W. R. Grace & Co.-Conn. Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite
US4806188A (en) * 1988-03-04 1989-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for fabricating multilayer circuits
US5035961A (en) * 1989-07-05 1991-07-30 Combustion Engineering, Inc. Internal cross-anchoring and reinforcing of multi-layer conductive oxides
US5102720A (en) * 1989-09-22 1992-04-07 Cornell Research Foundation, Inc. Co-fired multilayer ceramic tapes that exhibit constrained sintering
US5006182A (en) * 1989-11-17 1991-04-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for fabricating multilayer circuits
US5085720A (en) * 1990-01-18 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of green ceramic bodies
US5254191A (en) * 1990-10-04 1993-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for reducing shrinkage during firing of ceramic bodies

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0243858A2 (en) * 1986-05-02 1987-11-04 International Business Machines Corporation Method and means for co-sintering ceramic/metal MLC substrates
JPS62260777A (ja) * 1986-05-02 1987-11-13 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 焼結セラミツク構造体の製造方法
JPH01262696A (ja) * 1988-03-11 1989-10-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 絶縁性基板を製造する方法

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0570855A3 (en) * 1992-05-20 1995-11-08 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method for producing multilayered ceramic substrate
US5370759A (en) * 1992-05-20 1994-12-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing multilayered ceramic substrate
US6815046B2 (en) 1999-03-03 2004-11-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing ceramic multilayer substrate
US6395118B1 (en) 1999-06-16 2002-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing ceramic substrate and non-fired ceramic substrate
US6551427B2 (en) 1999-06-16 2003-04-22 Murata Manufacturing Co. Ltd. Method for manufacturing ceramic substrate and non-fired ceramic substrate
US6811635B2 (en) 2000-09-07 2004-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing the same, and electronic device
JP2002198647A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Kyocera Corp 低温焼成セラミック配線基板の製造方法
US6797093B2 (en) 2001-06-05 2004-09-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glass ceramic multilayer substrate manufacturing method and glass ceramic multilayer substrate product
JP2003026472A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品および積層セラミック電子部品製造用の生の複合積層体
US7618843B2 (en) 2001-11-22 2009-11-17 Murata Manufacturing Co., Ltd Method of fabricating multilayer ceramic substrate
US6942833B2 (en) 2002-02-26 2005-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic multilayer substrate manufacturing method and unfired composite multilayer body
JP2003258424A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc セラミック多層基板の製造方法
JP2004099387A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 無収縮セラミック多層基板の製造方法
US7148136B2 (en) 2002-10-10 2006-12-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing ceramic multi-layer substrate
US6896953B2 (en) 2002-11-11 2005-05-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and process of producing the same
US7105070B2 (en) 2003-09-09 2006-09-12 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate
JP2005347674A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Hitachi Metals Ltd 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板
US7687137B2 (en) 2005-02-28 2010-03-30 Kyocera Corporation Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor
JP2005203810A (ja) * 2005-03-25 2005-07-28 Murata Mfg Co Ltd セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置
US7781066B2 (en) 2005-07-01 2010-08-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for producing same, and composite green sheet for forming multilayer ceramic substrate
JP2007048844A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法およびセラミック電子部品
WO2008020534A1 (en) 2006-08-18 2008-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Process for production of formed ceramic bodies
EP2053030A4 (en) * 2006-08-18 2010-05-12 Murata Manufacturing Co METHOD FOR MANUFACTURING MOLDED CERAMIC BODIES
US7879169B2 (en) 2006-08-18 2011-02-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing ceramic compact
US8372227B2 (en) 2009-04-21 2013-02-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multilayer ceramic substrate
WO2011108227A1 (ja) 2010-03-01 2011-09-09 パナソニック株式会社 発光素子用基板及びその製造方法ならびに発光装置
JP2012044133A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 熱電モジュール及びその製造方法
WO2013121787A1 (ja) 2012-02-15 2013-08-22 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法

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