JPH04245010A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04245010A JPH04245010A JP1047291A JP1047291A JPH04245010A JP H04245010 A JPH04245010 A JP H04245010A JP 1047291 A JP1047291 A JP 1047291A JP 1047291 A JP1047291 A JP 1047291A JP H04245010 A JPH04245010 A JP H04245010A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等磁気
記録装置に用いる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特
に薄膜形成される磁極と導体コイルの絶縁部を形成する
技術に関する。
記録装置に用いる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特
に薄膜形成される磁極と導体コイルの絶縁部を形成する
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に薄膜磁気ヘッドの斜視断面図を示
す。薄膜磁気ヘッドは下部磁極１の上にスパイラル状パ
ターンを形成するコイル３と、それと鎖交するように配
置された上部磁極２とからなる。
す。薄膜磁気ヘッドは下部磁極１の上にスパイラル状パ
ターンを形成するコイル３と、それと鎖交するように配
置された上部磁極２とからなる。
【０００３】コイルパターン間，コイル３と下及び上部
磁極１，２間は、絶縁材４で充填され、コイル３および
それらと鎖交する磁極１，２を電気的に絶縁しかつ、機
械的に支持している。このような薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、図３のごとく基板Ｓに下部磁極１を形成した後
［図３（ａ）］、例えばＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３ 等の絶
縁材４で下部磁極１を埋め込みその上にスパイラル状の
コイル３を形成する。［図３（ｂ）］次にコイル３を同
様な材質の絶縁材４で埋め込み、２層目のコイル３を形
成する。このようにして素子パターンＰを順次形成し、
絶縁材４で埋め込むことを繰り返した後［図３（ｃ）］
、上部磁極２を形成し［図３（ｄ）］、図２のような薄
膜磁気ヘッドが形成される。ここで、下部磁極１を埋め
込む絶縁材４は、従来フォトレジスト等の有機系絶縁材
をスピンコート法等で塗布し、その後、熱処理を施し、
固形化し形成していた。また、無機系の絶縁材をスパッ
タリング装置を使用して、成膜し形成する場合は、図４
のように、下部磁極１のパターンのテーパー角θを、絶
縁材の上のコイルが断線しないように、十分小さくして
、その上に絶縁材４を形成していた。
磁極１，２間は、絶縁材４で充填され、コイル３および
それらと鎖交する磁極１，２を電気的に絶縁しかつ、機
械的に支持している。このような薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、図３のごとく基板Ｓに下部磁極１を形成した後
［図３（ａ）］、例えばＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３ 等の絶
縁材４で下部磁極１を埋め込みその上にスパイラル状の
コイル３を形成する。［図３（ｂ）］次にコイル３を同
様な材質の絶縁材４で埋め込み、２層目のコイル３を形
成する。このようにして素子パターンＰを順次形成し、
絶縁材４で埋め込むことを繰り返した後［図３（ｃ）］
、上部磁極２を形成し［図３（ｄ）］、図２のような薄
膜磁気ヘッドが形成される。ここで、下部磁極１を埋め
込む絶縁材４は、従来フォトレジスト等の有機系絶縁材
をスピンコート法等で塗布し、その後、熱処理を施し、
固形化し形成していた。また、無機系の絶縁材をスパッ
タリング装置を使用して、成膜し形成する場合は、図４
のように、下部磁極１のパターンのテーパー角θを、絶
縁材の上のコイルが断線しないように、十分小さくして
、その上に絶縁材４を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近、磁気
記録媒体の高記録密度化のために、高抵磁力をもった磁
気記録媒体が使用されるようになり、これに対応して、
磁気ヘッドにおいても、高飽和磁束密度を持ち、良好な
軟磁性をもつコア材料が必要となっている。ここで、高
い飽和磁束密度と軟磁性を併せて持つ材料にはたとえば
Ｆｅ，Ｓｉ，Ａｌ系合金であるセンダストがあり、これ
は、熱処理５００℃〜７００℃を加えることで良好な磁
気特性が得られることは知られている。またこれらの材
料は、スパッタリング装置などで成膜され成膜中に高温
となる。
記録媒体の高記録密度化のために、高抵磁力をもった磁
気記録媒体が使用されるようになり、これに対応して、
磁気ヘッドにおいても、高飽和磁束密度を持ち、良好な
軟磁性をもつコア材料が必要となっている。ここで、高
い飽和磁束密度と軟磁性を併せて持つ材料にはたとえば
Ｆｅ，Ｓｉ，Ａｌ系合金であるセンダストがあり、これ
は、熱処理５００℃〜７００℃を加えることで良好な磁
気特性が得られることは知られている。またこれらの材
料は、スパッタリング装置などで成膜され成膜中に高温
となる。
【０００５】ところで、従来の薄膜磁気ヘッドに使用さ
れていた絶縁材のフォトレジスト等の有機材料は２００
℃〜３００℃が耐熱温度の限界であり、高飽和磁束密度
を持つ材料の熱処理温度に対して、低く、高飽和磁束密
度の材料の使用は不可能である。
れていた絶縁材のフォトレジスト等の有機材料は２００
℃〜３００℃が耐熱温度の限界であり、高飽和磁束密度
を持つ材料の熱処理温度に対して、低く、高飽和磁束密
度の材料の使用は不可能である。
【０００６】また、下部磁極のパターンのテーパー角θ
を十分に小さくすることは、下部磁極の変形つまり不適
切な素地の磁区構造を強いることとなり、初期の設計と
はほど遠いヘッドが製作されるおそれがある。
を十分に小さくすることは、下部磁極の変形つまり不適
切な素地の磁区構造を強いることとなり、初期の設計と
はほど遠いヘッドが製作されるおそれがある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の諸問題を
解消するために下部磁極パターンを形成後、スパッタリ
ングにより、融点５００℃〜７００℃の低融点ガラス等
を下部磁極を覆うように成膜し、融点以上の温度で熱処
理することで絶縁層を形成することを特徴としている。
解消するために下部磁極パターンを形成後、スパッタリ
ングにより、融点５００℃〜７００℃の低融点ガラス等
を下部磁極を覆うように成膜し、融点以上の温度で熱処
理することで絶縁層を形成することを特徴としている。
【０００８】
【作用】上記の結果、本発明によれば、下部磁極のパタ
ーンの段差が熱処理をうけた低融点ガラスの溶融により
平坦化される。また、高飽和磁束密度と軟磁性持つ材料
の熱処理や成膜による熱に対しても十分な耐久性が得ら
れる絶縁層が形成できる。
ーンの段差が熱処理をうけた低融点ガラスの溶融により
平坦化される。また、高飽和磁束密度と軟磁性持つ材料
の熱処理や成膜による熱に対しても十分な耐久性が得ら
れる絶縁層が形成できる。
【０００９】
【実施例】以下この発明を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施例を示す製造中の薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【００１０】まず、基板Ｓにスパッタリングにより、高
飽和磁束密度をもちかつ良好な軟磁性が得られるセンダ
スト等の磁性体を成膜する。その後、所望の形状にイオ
ンミリング装置などを使用し下部磁極１にパターンニン
グする。＜図１（ａ）＞次に６００℃程度の温度の融点
を持つ低融点ガラス２をスパッタリングによりセンダス
トの下部磁極１上に成膜する。このときの成膜膜厚は、
センダストの下部磁極パターン１１ により段差２１
が生じているためガラス２上部にスパイラルコイルを形
成することは困難である。［図１（ｂ）］よって、次に
下部磁極１，ガラス２が成膜された基板Ｓを７００℃程
度の温度の不活性ガス例えば、Ａｒ中で熱処理を行う。 その結果、基板Ｓ上のガラス４は下部磁極１をおおい、
パターンによる段差２１ が無くなる。［図１（ｃ）］
また、このようにして熱処理を施すことで下部磁極１の
磁区構造改善すなわち、磁気特性も同時に得ることが出
来る。その後、コイル，絶縁層を形成する。このとき、
コイルを埋め込む絶縁層は、融点が７００℃以上のでき
れば８００℃程度の低融点ガラスをスパッタリングで形
成し、その上に下部磁極と同様な上部磁極を形成する。
飽和磁束密度をもちかつ良好な軟磁性が得られるセンダ
スト等の磁性体を成膜する。その後、所望の形状にイオ
ンミリング装置などを使用し下部磁極１にパターンニン
グする。＜図１（ａ）＞次に６００℃程度の温度の融点
を持つ低融点ガラス２をスパッタリングによりセンダス
トの下部磁極１上に成膜する。このときの成膜膜厚は、
センダストの下部磁極パターン１１ により段差２１
が生じているためガラス２上部にスパイラルコイルを形
成することは困難である。［図１（ｂ）］よって、次に
下部磁極１，ガラス２が成膜された基板Ｓを７００℃程
度の温度の不活性ガス例えば、Ａｒ中で熱処理を行う。 その結果、基板Ｓ上のガラス４は下部磁極１をおおい、
パターンによる段差２１ が無くなる。［図１（ｃ）］
また、このようにして熱処理を施すことで下部磁極１の
磁区構造改善すなわち、磁気特性も同時に得ることが出
来る。その後、コイル，絶縁層を形成する。このとき、
コイルを埋め込む絶縁層は、融点が７００℃以上のでき
れば８００℃程度の低融点ガラスをスパッタリングで形
成し、その上に下部磁極と同様な上部磁極を形成する。
【００１１】次に上部磁極の磁気特性を得るために５５
０℃で熱処理を行う。ここでコイルを埋め込む絶縁装は
、低融点ガラス以外の無機系絶縁材でもかまわす、耐熱
温度が５５０℃以上あれば良い。特にアルミナ等の無機
材料をスパッタリングで形成すると問題なく磁気ヘッド
の製作ができる。なお、この場合の無機系絶縁材は、熱
処理温度が６００℃よりも低いと、下部磁極の結晶構造
に悪影響を及ぼし、７５０℃よりも高いと、下部磁極と
比べて熱膨張係数の差が大きくなり、熱処理による歪み
が生じて、磁区構造が不適切となる虞れがある。
０℃で熱処理を行う。ここでコイルを埋め込む絶縁装は
、低融点ガラス以外の無機系絶縁材でもかまわす、耐熱
温度が５５０℃以上あれば良い。特にアルミナ等の無機
材料をスパッタリングで形成すると問題なく磁気ヘッド
の製作ができる。なお、この場合の無機系絶縁材は、熱
処理温度が６００℃よりも低いと、下部磁極の結晶構造
に悪影響を及ぼし、７５０℃よりも高いと、下部磁極と
比べて熱膨張係数の差が大きくなり、熱処理による歪み
が生じて、磁区構造が不適切となる虞れがある。
【００１２】
【発明の効果】本発明により、下部磁極のパターン段差
がない熱的に安定な絶縁層が得られ、絶縁層上のコイル
の断線が防げる。また高飽和磁束密度をもつ軟磁性のあ
る磁性体をコア材とする磁気特性良好な薄膜磁気ヘッド
に利用できる。
がない熱的に安定な絶縁層が得られ、絶縁層上のコイル
の断線が防げる。また高飽和磁束密度をもつ軟磁性のあ
る磁性体をコア材とする磁気特性良好な薄膜磁気ヘッド
に利用できる。
【図１】（ａ），（ｂ），（ｃ） この発明の実施例
の断面図
の断面図
【図２】 薄膜磁気ヘッドの斜視断面図
【図３】（ａ
），（ｂ），（ｃ），（ｄ） 薄膜磁気ヘッドの製造
工程の断面図
），（ｂ），（ｃ），（ｄ） 薄膜磁気ヘッドの製造
工程の断面図
【図４】（ａ），（ｂ） 従来の方法での下部磁極に
絶縁層を形成した場合の断面図
絶縁層を形成した場合の断面図
Ｓ 基板
１ 下部磁極
２ 上部磁極
３ コイル
４ 絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に下部磁極，絶縁層，コイル，絶縁
層上部磁極を形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、予
め下部磁極上の絶縁層を融点が５００℃〜７００℃であ
る低融点ガラスをスパッタリングすることで形成し、そ
の後、下部磁極，絶縁層が形成された基板を、該低融点
ガラスの融点よりも１００℃〜３００℃高い温度で熱処
理することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】基板上に下部磁極，絶縁層，コイル，絶縁
層，上部磁極を形成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
予め下部磁極上の絶縁層を少なくとも耐熱温度が５５０
℃よりも高いガラスを除く無機系絶縁材をスパッタリン
グすることで形成し、その後下部磁極，絶縁層が形成さ
れた基板を、該ガラスを除く無機系絶縁材を６００℃〜
７５０℃の温度で熱処理することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047291A JPH04245010A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047291A JPH04245010A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245010A true JPH04245010A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=11751087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1047291A Pending JPH04245010A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057751A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 헤드 폴의 결정 균일화 방법 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP1047291A patent/JPH04245010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990057751A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | 윤종용 | 헤드 폴의 결정 균일화 방법 |
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