JPH04245661A - マルチチャンバプロセス装置 - Google Patents
マルチチャンバプロセス装置Info
- Publication number
- JPH04245661A JPH04245661A JP1065291A JP1065291A JPH04245661A JP H04245661 A JPH04245661 A JP H04245661A JP 1065291 A JP1065291 A JP 1065291A JP 1065291 A JP1065291 A JP 1065291A JP H04245661 A JPH04245661 A JP H04245661A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- transfer
- wafer transfer
- transfer chamber
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
で用いられるマルチチャンバプロセス装置に関する。
で用いられるマルチチャンバプロセス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣパターンの微細化に伴い、プ
ロセスの高精度化，複雑化，ウエハの大口径化など多様
性が求められている。このような背景において、複合プ
ロセスの増加や、枚葉式化に伴うスループットの向上の
関点からマルチチャンバプロセス装置が注目を集めてい
る。
ロセスの高精度化，複雑化，ウエハの大口径化など多様
性が求められている。このような背景において、複合プ
ロセスの増加や、枚葉式化に伴うスループットの向上の
関点からマルチチャンバプロセス装置が注目を集めてい
る。
【０００３】従来、この種のマルチチャンバプロセス装
置としては、図４に示すように、ウエハ搬送用チャンバ
（トランスファーチャンバ）１と、ウエハ搬送用チャン
バ１に夫々ゲートバルブ２を介して接続された複数のプ
ロセスチャンバ３〜３と、ウエハ搬送用チャンバ１にゲ
ートバルブ４，４を介して接続されたウエハロード室５
，５とから大略構成されたものが知られている。
置としては、図４に示すように、ウエハ搬送用チャンバ
（トランスファーチャンバ）１と、ウエハ搬送用チャン
バ１に夫々ゲートバルブ２を介して接続された複数のプ
ロセスチャンバ３〜３と、ウエハ搬送用チャンバ１にゲ
ートバルブ４，４を介して接続されたウエハロード室５
，５とから大略構成されたものが知られている。
【０００４】なお、上記ウエハ搬送用チャンバ１には、
ウエハロード室５との中継位置にロードロック室（予備
排気室）６が画成されており、ウエハ搬送用チャンバ１
のプロセスチャンバ３側と、ロードロック室６には、夫
々ウエハ搬送アーム７，８が備えられている。これらウ
エハ搬送アーム７，８は、クランク機構等により伸縮自
在であり、且つ回転自在に制御され得るようになってい
る。搬送アーム７は、処理目的に応じた各プロセスチャ
ンバ３へウエハａを搬入，搬出し、ウエハ搬送アーム８
はウエハａをウエハロード室５のウエハカセット９に出
し入れを行なうと共に、ウエハ搬送アーム７へのウエハ
ａの授受を行なうようになっている。
ウエハロード室５との中継位置にロードロック室（予備
排気室）６が画成されており、ウエハ搬送用チャンバ１
のプロセスチャンバ３側と、ロードロック室６には、夫
々ウエハ搬送アーム７，８が備えられている。これらウ
エハ搬送アーム７，８は、クランク機構等により伸縮自
在であり、且つ回転自在に制御され得るようになってい
る。搬送アーム７は、処理目的に応じた各プロセスチャ
ンバ３へウエハａを搬入，搬出し、ウエハ搬送アーム８
はウエハａをウエハロード室５のウエハカセット９に出
し入れを行なうと共に、ウエハ搬送アーム７へのウエハ
ａの授受を行なうようになっている。
【０００５】なお、他の従来技術としては、「１９９０
年月刊ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ増刊号」
第２８４頁〜第２９７頁に記載の装置、及び特開昭６１
−５５９２６号公報記載の装置等が知られている。
年月刊ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ増刊号」
第２８４頁〜第２９７頁に記載の装置、及び特開昭６１
−５５９２６号公報記載の装置等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなマルチチャンバプロセス装置を用いた半導体装置の
製造プロセスにおいては、スパッタ，ＣＶＤ，ドライエ
ッチング等のように各種のガスを用いるプロセスチャン
バが複合して構成されているため、ウエハ搬送用チャン
バ内の搬送手段であるウエハ搬送アームのウエハ支持面
が各種のプロセスチャンバ中のウエハと接触することに
よりクロスコンタミネーションの中継点となる相互汚染
が生じる問題点があった。
うなマルチチャンバプロセス装置を用いた半導体装置の
製造プロセスにおいては、スパッタ，ＣＶＤ，ドライエ
ッチング等のように各種のガスを用いるプロセスチャン
バが複合して構成されているため、ウエハ搬送用チャン
バ内の搬送手段であるウエハ搬送アームのウエハ支持面
が各種のプロセスチャンバ中のウエハと接触することに
よりクロスコンタミネーションの中継点となる相互汚染
が生じる問題点があった。
【０００７】本発明は、このような従来の問題点に着目
して創案されたものであって、プロセス間のクロスコン
タミネーションを防止できるマルチチャンバプロセス装
置を得んとするものである。
して創案されたものであって、プロセス間のクロスコン
タミネーションを防止できるマルチチャンバプロセス装
置を得んとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、ウエ
ハを枚葉処理するプロセスチャンバを、搬送用チャンバ
に複数、夫々ゲートバルブを介して並列に接続すると共
に、搬送用チャンバと各プロセスチャンバとの間でウエ
ハを前記ゲートバルブを介して搬入，搬出する搬送手段
を備えてなるマルチチャンバプロセス装置において、前
記搬送手段に、プロセス毎に異なるウエハ支持部を選択
可能に設けたことを、その解決手段としている。
ハを枚葉処理するプロセスチャンバを、搬送用チャンバ
に複数、夫々ゲートバルブを介して並列に接続すると共
に、搬送用チャンバと各プロセスチャンバとの間でウエ
ハを前記ゲートバルブを介して搬入，搬出する搬送手段
を備えてなるマルチチャンバプロセス装置において、前
記搬送手段に、プロセス毎に異なるウエハ支持部を選択
可能に設けたことを、その解決手段としている。
【０００９】
【作用】搬送手段は、プロセス毎に異なるウエハ支持部
を有するため、例えばスパッタ処理を行なうチャンバに
関するウエハの搬送時は特定のウエハ支持部を選択し、
他の処理例えばＣＶＤ処理を行なうチャンバに関するウ
エハの搬送時は他のウエハ支持部を選択することが可能
となる。
を有するため、例えばスパッタ処理を行なうチャンバに
関するウエハの搬送時は特定のウエハ支持部を選択し、
他の処理例えばＣＶＤ処理を行なうチャンバに関するウ
エハの搬送時は他のウエハ支持部を選択することが可能
となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明に係るマルチチャンバプロセス
装置の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
装置の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
【００１１】本実施例は、図３に示すような構成となっ
ている。同図中１０はマルチチャンバプロセス装置であ
って、この装置１０は、ウエハロード室１１と、ウエハ
ロード室１１にゲートバルブ１２を介して接続された第
１ウエハ搬送用チャンバ１３と、この第１ウエハ搬送用
チャンバ１３両脇にゲートバルブ１４，１５を夫々介し
て接続されたプロセスチャンバ１６，１７と、第１ウエ
ハ搬送用チャンバ１３にゲートバルブ１８を介して接続
された第２ウエハ搬送用チャンバ１９と、このウエハ搬
送用チャンバ１９に夫々ゲートバルブ２０，２１，２２
を介して接続されたプロセスチャンバ２３，２４，２５
とから大略構成されている。
ている。同図中１０はマルチチャンバプロセス装置であ
って、この装置１０は、ウエハロード室１１と、ウエハ
ロード室１１にゲートバルブ１２を介して接続された第
１ウエハ搬送用チャンバ１３と、この第１ウエハ搬送用
チャンバ１３両脇にゲートバルブ１４，１５を夫々介し
て接続されたプロセスチャンバ１６，１７と、第１ウエ
ハ搬送用チャンバ１３にゲートバルブ１８を介して接続
された第２ウエハ搬送用チャンバ１９と、このウエハ搬
送用チャンバ１９に夫々ゲートバルブ２０，２１，２２
を介して接続されたプロセスチャンバ２３，２４，２５
とから大略構成されている。
【００１２】上記ウエハロード室１１は、予備排気機能
を有しており、複数のウエハａが収納されたウエハカセ
ット２６が配置されている。第１及び第２ウエハ搬送用
チャンバ２３，２９には、夫々搬送手段としてのウエハ
搬送アーム２７，２８が備えられ、これらウエハ搬送ア
ーム２７，２８により、ウエハａを各プロセスチャンバ
に搬送し得るようになっている。
を有しており、複数のウエハａが収納されたウエハカセ
ット２６が配置されている。第１及び第２ウエハ搬送用
チャンバ２３，２９には、夫々搬送手段としてのウエハ
搬送アーム２７，２８が備えられ、これらウエハ搬送ア
ーム２７，２８により、ウエハａを各プロセスチャンバ
に搬送し得るようになっている。
【００１３】本実施例において、第１ウエハ搬送用チャ
ンバ２３に接続されているプロセスチャンバ１６，１７
は、例えばエッチング用チャンバ，ＣＶＤ用チャンバが
適用され、第２ウエハ搬送用チャンバ１９に接続されて
いるプロセスチャンバ２３，２４，２５としてはＰＶＤ
用チャンバが適用される。なお、これらプロセスチャン
バ内の設定圧力に従い、第１ウエハ搬送用チャンバ２３
内の真空度は第２ウエハ搬送用チャンバ２９に比べて低
く設定されている。
ンバ２３に接続されているプロセスチャンバ１６，１７
は、例えばエッチング用チャンバ，ＣＶＤ用チャンバが
適用され、第２ウエハ搬送用チャンバ１９に接続されて
いるプロセスチャンバ２３，２４，２５としてはＰＶＤ
用チャンバが適用される。なお、これらプロセスチャン
バ内の設定圧力に従い、第１ウエハ搬送用チャンバ２３
内の真空度は第２ウエハ搬送用チャンバ２９に比べて低
く設定されている。
【００１４】そして、第１ウエハ搬送用チャンバ１３と
第２ウエハ搬送用チャンバ１９内には、ウエハを各チャ
ンバに搬送する手段としてのウエハ搬送アーム２７，２
８が配設されている。このウエハ搬送アーム２７は、図
１に示すように、アーム部２７ａとアーム部２７ａの先
端に一体に設けられたリング部２７ｂとから成っている
。リング部２７ｂは、内径がウエハａより稍々長く、内
側周面に沿って支持片収納凹溝２９が周回するように条
設されている。この支持片収納凹溝２９内には、周方向
に沿って等間隔にウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ
を夫々３枚ずつ全部で９枚を枢設している。なお、これ
らウエハ支持片の配置は、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ａ
，３０Ａがリング部２７ｂの中心から１２０°ずつずれ
た位置をなすように設定され、ウエハ支持片３０Ｂ，３
０Ｃにおいても同様に夫々が１２０°ずつずれた位置に
枢支されている。各ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０
Ｃの枢軸３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、各ウエハ支持片３
０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃの一端部寄りの位置下面に垂直を
なして支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃに一体に形成され
ている。そして、枢軸３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、リン
グ部２７ｂの支持片収納凹溝２９の下側壁を貫通して、
図示しない回転駆動系に接続されている。この回転駆動
系からの回転力の伝達により、枢軸３０ａ，３０ｂ，３
０ｃが回転し、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃが
支持片収納凹溝２９により出没し得るようになっている
。特に、枢軸３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、夫々が選択的
に駆動されるようになっていても、夫々３点支持にてウ
エハａを載置し得るようになっている。
第２ウエハ搬送用チャンバ１９内には、ウエハを各チャ
ンバに搬送する手段としてのウエハ搬送アーム２７，２
８が配設されている。このウエハ搬送アーム２７は、図
１に示すように、アーム部２７ａとアーム部２７ａの先
端に一体に設けられたリング部２７ｂとから成っている
。リング部２７ｂは、内径がウエハａより稍々長く、内
側周面に沿って支持片収納凹溝２９が周回するように条
設されている。この支持片収納凹溝２９内には、周方向
に沿って等間隔にウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ
を夫々３枚ずつ全部で９枚を枢設している。なお、これ
らウエハ支持片の配置は、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ａ
，３０Ａがリング部２７ｂの中心から１２０°ずつずれ
た位置をなすように設定され、ウエハ支持片３０Ｂ，３
０Ｃにおいても同様に夫々が１２０°ずつずれた位置に
枢支されている。各ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０
Ｃの枢軸３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、各ウエハ支持片３
０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃの一端部寄りの位置下面に垂直を
なして支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃに一体に形成され
ている。そして、枢軸３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、リン
グ部２７ｂの支持片収納凹溝２９の下側壁を貫通して、
図示しない回転駆動系に接続されている。この回転駆動
系からの回転力の伝達により、枢軸３０ａ，３０ｂ，３
０ｃが回転し、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃが
支持片収納凹溝２９により出没し得るようになっている
。特に、枢軸３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、夫々が選択的
に駆動されるようになっていても、夫々３点支持にてウ
エハａを載置し得るようになっている。
【００１５】なお、図１及び図２は、ウエハ搬送アーム
２７について示したが、ウエハ搬送アーム２８も同様の
構成である。
２７について示したが、ウエハ搬送アーム２８も同様の
構成である。
【００１６】斯る構成としたことにより、本実施例にお
いては、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃの３種類
の支持片を選択的に出没させることが可能となり、例え
ば、ＣＶＤ処理を行なうプロセスチャンバ１６からウエ
ハａを搬出するときは、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，
３０Ｃを用い、ドライエッチングを行なうプロセスチャ
ンバ１７からウエハａを搬出するときはウエハ支持片３
０Ｂ，３０Ｂ，３０Ｂを用い、ウエハロード室１１から
ウエハａを搬出するときはウエハ支持片３０Ｃ，３０Ｃ
，３０Ｃを用いることにより、各チャンバで使われるウ
エハ支持片を使い分けることができる。このため、各チ
ャンバ間のクロスコンタミネーションを有効に防止する
ことができる。なお、第２ウエハ搬送用チャンバ１９内
のウエハ搬送アーム２８においても同様である。
いては、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃの３種類
の支持片を選択的に出没させることが可能となり、例え
ば、ＣＶＤ処理を行なうプロセスチャンバ１６からウエ
ハａを搬出するときは、ウエハ支持片３０Ａ，３０Ｂ，
３０Ｃを用い、ドライエッチングを行なうプロセスチャ
ンバ１７からウエハａを搬出するときはウエハ支持片３
０Ｂ，３０Ｂ，３０Ｂを用い、ウエハロード室１１から
ウエハａを搬出するときはウエハ支持片３０Ｃ，３０Ｃ
，３０Ｃを用いることにより、各チャンバで使われるウ
エハ支持片を使い分けることができる。このため、各チ
ャンバ間のクロスコンタミネーションを有効に防止する
ことができる。なお、第２ウエハ搬送用チャンバ１９内
のウエハ搬送アーム２８においても同様である。
【００１７】以上、本発明を、２つのウエハ搬送用チャ
ンバを有する装置に適用した実施例について説明したが
、単一のウエハ搬送用チャンバを有する装置や多数のウ
エハに搬送用チャンバを有する装置にも適用できること
はいうまでもない。
ンバを有する装置に適用した実施例について説明したが
、単一のウエハ搬送用チャンバを有する装置や多数のウ
エハに搬送用チャンバを有する装置にも適用できること
はいうまでもない。
【００１８】また、上記実施例においては、ウエハ支持
片を３点支持とすると共に、３種類のウエハ支持片を選
択的に出没し得るようにしたが、これに限定されるもの
ではない。上記実施例においては、搬送手段のウエハ支
持部である。ウエハ支持片を回動により出没させるよう
にしたが、例えば、ソレノイドを用いて電磁的に出没さ
せる構成としてもよい。要は、搬送手段及びそのウエハ
支持部の構成においてウエハ支持部がプロセス毎に選択
可能であれば、各種の設計変更が可能である。
片を３点支持とすると共に、３種類のウエハ支持片を選
択的に出没し得るようにしたが、これに限定されるもの
ではない。上記実施例においては、搬送手段のウエハ支
持部である。ウエハ支持片を回動により出没させるよう
にしたが、例えば、ソレノイドを用いて電磁的に出没さ
せる構成としてもよい。要は、搬送手段及びそのウエハ
支持部の構成においてウエハ支持部がプロセス毎に選択
可能であれば、各種の設計変更が可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、プロセス間のクロスコンタミネーションを回
避することができ、製造される半導体装置の信頼性を高
める効果がある。
によれば、プロセス間のクロスコンタミネーションを回
避することができ、製造される半導体装置の信頼性を高
める効果がある。
【図１】 本発明の実施例の搬送手段を示す平面図。
【図２】 図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】 本発明の実施例の平面図。
【図４】 従来装置の説明図。
１０…マルチチャンバプロセス装置、１３…第１ウエハ
搬送用チャンバ、１６，１７…プロセスチャンバ、１９
…第２ウエハ搬送用チャンバ、２３，２４，２５…プロ
セスチャンバ、２７，２８…ウエハ搬送アーム、３０Ａ
，３０Ｂ，３０Ｃ…ウエハ支持片。
搬送用チャンバ、１６，１７…プロセスチャンバ、１９
…第２ウエハ搬送用チャンバ、２３，２４，２５…プロ
セスチャンバ、２７，２８…ウエハ搬送アーム、３０Ａ
，３０Ｂ，３０Ｃ…ウエハ支持片。
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハを枚葉処理するプロセスチャン
バを、搬送用チャンバに複数、夫々ゲートバルブを介し
て並列に接続すると共に、搬送用チャンバと各プロセス
チャンバとの間でウエハを前記ゲートバルブを介して搬
入，搬出する搬送手段を備えてなるマルチチャンバプロ
セス装置において、前記搬送手段に、プロセス毎に異な
るウエハ支持部を選択可能に設けたことを特徴とするマ
ルチチャンバプロセス装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065291A JP2976532B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | マルチチャンバプロセス装置 |
| US07/818,535 US5286296A (en) | 1991-01-10 | 1992-01-09 | Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means |
| KR1019920000256A KR920015476A (ko) | 1991-01-10 | 1992-01-10 | 멀티 챔버처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065291A JP2976532B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | マルチチャンバプロセス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245661A true JPH04245661A (ja) | 1992-09-02 |
| JP2976532B2 JP2976532B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=11756156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1065291A Expired - Fee Related JP2976532B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-31 | マルチチャンバプロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976532B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199008A (ja) * | 2001-05-21 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び移載装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101141927B1 (ko) | 2009-12-28 | 2012-05-11 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 금속 유기물 화학기상 증착장치 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP1065291A patent/JP2976532B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199008A (ja) * | 2001-05-21 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び移載装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2976532B2 (ja) | 1999-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |