JPH11288988A - アライメント高速処理機構 - Google Patents

アライメント高速処理機構

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JPH11288988A
JPH11288988A JP10108579A JP10857998A JPH11288988A JP H11288988 A JPH11288988 A JP H11288988A JP 10108579 A JP10108579 A JP 10108579A JP 10857998 A JP10857998 A JP 10857998A JP H11288988 A JPH11288988 A JP H11288988A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のアライメント処理の場合には、例えば
先の半導体ウエハのアライメント処理の終了を待って次
の半導体ウエハをキャリア室からアライメント機構まで
搬送する場合には、次の半導体ウエハをキャリア室から
アライメント機構までの時間がアライメント機構の遊び
時間になり、それだけスループットが低下する。 【解決手段】 本発明のアライメント高速処理機構１０
は、半導体ウエハＷを搬送する搬送機構１１と、この搬
送機構１１を介して搬送された半導体ウエハＷを所定の
向きにアライメントするアライメント機構１２とを備
え、搬送機構１１からアライメント機構１２へ半導体ウ
エハＷの引き渡しを中継するバッファ機構１３を設けた
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体の処理に
先立ってその向きを一定の方向に揃えるアライメント高
速処理機構に関し、更に詳しくは半導体製造装置に好適
に用いられるアライメント高速処理機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程では被処理体例えば半導
体ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式処理装置が広く用い
られている。このような枚葉式処理装置として例えばマ
ルチチャンバー処理装置がある。マルチチャンバー処理
装置は、例えば、キャリアを収納するキャリア室と、こ
のキャリア室内のキャリアから半導体ウエハを一枚ずつ
取り出してアライメントを行うアライメント室と、この
アライメント室とロードロック室を介して連結された搬
送室と、この搬送室の周囲に連結された複数の処理室と
を備え、複数の処理室で所定の成膜処理やエッチング処
理を連続的に行うようにしてある。また、マルチチャン
バー処理装置の中には所定の真空度に達した減圧下で半
導体ウエハの搬送、アライメント及び処理を一貫して行
う装置もある。
【０００３】アライメント処理に関して説明すると、ア
ライメント室では例えば大気圧下で搬送機構を介してキ
ャリア室内のキャリアから半導体ウエハを一枚ずつ取り
出し、アライメント機構まで半導体ウエハを搬送する。
アライメント機構では例えば光学センサ等の検出器を介
してオリエンテーションフラット（オリフラ）を検出し
て半導体ウエハのアライメントを行いその向きを所定の
向きに合わせた後、搬送機構を介してアライメント機構
からロードロック室内へ半導体ウエハを搬送する。その
後、減圧下で搬送室内の搬送機構を介してロードロック
室内から半導体ウエハを所定の処理室内へ搬送し、ここ
で所定の処理を行う。処理済みの半導体ウエハは搬送
室、ロードロック室及びアライメント室を経由して処理
済みの半導体ウエハを収納するキャリア内へ収納され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般にはア
ライメント処理が半導体ウエハの一連の処理の律速条件
になる場合（アライメント処理が半導体ウエハの処理時
間より長い場合）と律速条件にならない場合とがある。
いずれの場合であってもアライメント処理での待ち時間
（遊び時間）を短くすることがスループット向上の重要
なポイントになる。しかしながら、例えば上述したよう
に先の半導体ウエハのアライメント処理の終了を待って
次の半導体ウエハをキャリア室からアライメント機構ま
で搬送する場合には、次の半導体ウエハをキャリア室か
らアライメント機構までの時間がアライメント機構の遊
び時間になり、それだけスループットが低下するという
課題があった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、アライメント機構の利用効率を高めてアラ
イメント処理の高速化を達成し、もってスループットを
高めることができるアライメント高速処理機構を提供す
ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のアライメント高速処理機構は、被処理体を搬送する搬
送機構と、この搬送機構を介して搬送された上記被処理
体を所定の向きにアライメント機構するアライメント機
構とを備えたアライメント処理機構において、上記搬送
機構から上記アライメント機構へ上記被処理体の引き渡
しを中継するバッファ機構を設けたことを特徴とするも
のである。
【０００７】また、本発明の請求項２に記載のアライメ
ント高速処理機構は、被処理体を搬送する第１搬送機構
と、第１搬送機構を介して搬送された上記被処理体を所
定の向きにアライメントするアライメント機構と、この
アライメント機構によるアライメント後の被処理体を受
け取って搬送する第２搬送機構とを備えたアライメント
処理機構において、上記第１搬送機構から上記アライメ
ント機構へ上記被処理体の引き渡しを中継するバッファ
機構を設けたことを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項３に記載のアライメ
ント高速処理機構は、請求項１または請求項２に記載の
発明において、上記バッファ機構として少なくとも２本
の保持ピンを上記アライメント機構の周囲に配設したこ
とを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項４に記載のアライメ
ント高速処理機構は、請求項３に記載の発明において、
上記保持ピンを昇降、回転可能にしたことを特徴とする
ものである。
【００１０】また、本発明の請求項５に記載のアライメ
ント高速処理機構は、請求項３または請求項４に記載の
発明において、上記保持ピンの上端に上記被処理体を裏
面から支持する支持部材を設けたことを特徴とするもの
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のアライメン
ト高速処理機構１０は、例えば図１、図２に示すよう
に、半導体ウエハＷを搬送する搬送機構１１と、この搬
送機構１１を介して搬送された半導体ウエハＷをオリフ
ラを基準に所定の向きにアライメントするアライメント
機構１２とを備えている。
【００１２】上記搬送機構１１は、図２に示すように、
半導体ウエハＷを保持し、水平面内で屈伸する多関節型
アーム１１Ａと、この多関節型アーム１１Ａをθ方向に
正逆回転させると共にＺ方向に昇降させる駆動機構１１
Ｂとを備え、駆動機構１１Ｂを介して多関節型アーム１
１Ａを半導体ウエハＷの受け渡し高さに合わせ、キャリ
ア内から一枚ずつ半導体ウエハＷを取り出しアライメン
ト機構１２まで搬送し、また、アライメント後の半導体
ウエハＷを所定の場所まで搬送するようにしてある。搬
送機構１１は、所定の真空下で作動する場合には多関節
型アーム１１Ａが半導体ウエハＷを静電チャック等の吸
着手段で保持し、あるいは半導体ウエハを載置したまま
の状態で作動し、大気圧下で作動する場合には多関節型
アーム１１Ａが半導体ウエハＷを真空吸着し、あるいは
半導体ウエハを載置したままの状態で作動するようにし
てある。
【００１３】また、上記アライメント機構１２は、半導
体ウエハＷを載置する載置台１２Ａと、この載置台１２
Ａをθ方向で正逆回転させると共にＺ方向で昇降させる
駆動機構１２Ｂと、この駆動機構１２Ｂが正逆回転する
間に半導体ウエハＷのオリフラを検出し所定の向きで駆
動機構１２Ｂを止める光学センサ等の検出器（図示せ
ず）とを備え、載置台１２Ａを正逆回転する間に検出器
でオリフラを検出して半導体ウエハＷを所定の向きに位
置合わせするようにしてある。アライメント機構１２
は、所定の真空下で作動する場合には載置台１２Ａ上で
半導体ウエハＷを静電チャック等の吸着手段で保持し、
あるいは半導体ウエハを載置したままの状態で作動し、
大気圧下で作動する場合には載置台１２Ａで半導体ウエ
ハＷを真空吸着し、あるいは半導体ウエハを載置したま
まの状態で作動するようにしてある。尚、図２におい
て、１４は搬送機構１１及びアライメント機構１２は配
設された床面である。
【００１４】更に、本実施形態のアライメント高速処理
機構１０は、図１、図２に示すように、半導体ウエハＷ
を一時的に保持するバッファ機構１３を備え、搬送機構
１１からアライメント機構１２へ半導体ウエハＷを引き
渡す際に半導体ウエハＷの引き渡しを中継するようにし
てある。このバッファ機構１３は、アライメント機構１
２の載置台１２Ａの周囲に周方向等間隔に立設され且つ
半導体ウエハＷを裏面から支持する３本の保持ピン１３
Ａと、これらの保持ピン１３Ａを下端で連結して一体化
するリング状の連結部材１３Ｂと、この連結部材１３Ｂ
に連結された昇降機構（例えば、エアシリンダ）１３Ｃ
とを備えている。そして、３本の保持ピン１３Ａで保持
された半導体ウエハＷの中心はアライメント機構１２の
載置台１２Ａの軸芯の延長線上に位置している。従っ
て、３本の保持ピン１３Ａが後述のように下降し、載置
台１２Ａ上に半導体ウエハＷを引き渡すと、半導体ウエ
ハＷの中心が載置台１２Ａの中心に位置するようになっ
ている。
【００１５】上記エアシリンダ１３Ｃは、床面１４の下
方に固定され、半導体ウエハＷを受け渡す上下の各位置
の間で各保時ピン１３Ａを一体的に昇降させるようにし
てある。そして、これらの保持ピン１３Ａはいずれも連
結部材１３Ｂに対して正逆回転可能に立設されている。
また、各保持ピン１３Ａにはそれぞれプーリ１３Ｄが取
り付けられ、また連結部材１３Ｃには正逆回転可能なモ
ータ１３Ｅが取り付けられている。更に、各プーリ１３
Ｄとモータ１３Ｅのプーリ間には無端状ベルト１３Ｆが
掛け回され、図２の矢印で示すようにモータ１３Ｅの正
逆回転により各保持ピン１３Ａが無端状ベルト１３Ｆを
介して正逆回転するようにしてある。
【００１６】また、上記保持ピン１３Ａの上端には半導
体ウエハＷを保持する矩形状の支持部材１３Ｇが保持ピ
ン１３Ａと一体的に形成されている。支持部材１３Ｇの
上面には半導体ウエハＷを支持する支持面１３Ｈ及びこ
の支持面１３Ｈからピン側へ上昇するテーパ面１３Ｉが
連続して形成されている。しかも、テーパ面１３Ｉは半
導体ウエハＷの外周に即した円弧状に形成され、テーパ
面１３Ｉが半導体ウエハを支持面１３Ｈへ案内するガイ
ド面となっている。尚、支持部材１３Ｇは保持ピン１３
Ａとは別部材により形成されたものであっても良い。
【００１７】次に、上記アライメント高速処理機構１０
を適用したマルチチャンバー処理装置（以下、単に「処
理装置」と称す。）について図３を参照しながら説明す
る。この処理装置２０は、同図に示すように、半導体ウ
エハＷをキャリア単位で収納する左右のキャリア室２１
と、これらの間に介在するアライメント室２２と、キャ
リア室２１及びアライメント室２２がそれぞれ連結され
た搬送室２３と、この搬送室２３の周囲の残余の側面に
連結された４室の処理室２４とを備え、半導体ウエハＷ
の搬送、アライメントをも所定の減圧下で行うようにし
てある。
【００１８】そして、上記アライメント室２２内にアラ
イメント高速処理機構１０のアライメント機構１２及び
バッファ機構１３がそれぞれが配設され、搬送室２３内
にはアライメント高速処理機構１０の搬送機構１１が配
設され、処理室１４内での半導体ウエハＷの処理に先立
って半導体ウエハＷのアライメント処理を高速で行うよ
うにしてある。また、各処理室２６は例えばプラズマ処
理室として構成され、各処理室２６内で半導体ウエハＷ
の表面に所定の配線膜や絶縁膜等を成膜したり、成膜の
不要部分を除去したりするようにしてある。
【００１９】次に、処理装置２０の動作について説明す
る。まず、キャリア室２１、アライメント室２２、搬送
室２３及び処理室２４を所定の真空度まで真空引きし、
それぞれの室を所定の減圧状態にする。その後、減圧下
で半導体ウエハＷを搬送し、アライメントする。それに
は、まずアライメント高速処理機構１０の搬送機構１１
が駆動し、駆動機構１１Ｂを介して多関節型アーム１１
Ａが屈伸してキャリア室２１のキャリアＣ内から搬送室
２３内へ半導体ウエハＷを一枚ずつ搬出した後、多関節
型アーム１１Ａを回転させて図１の実線で示すようにバ
ッファ機構１３に向ける。この時、多関節型アーム１１
Ａと各保持ピン１３Ａが相対的にＺ方向に昇降し、多関
節型アーム１１Ａと保持ピン１３Ａは半導体ウエハＷを
受け渡す高さになっている。
【００２０】この状態で多関節型アーム１１Ａが伸び、
３本の保持ピン１３Ａの支持部材１３Ｇの真上に位置し
た後、駆動機構１２Ｂを介して多関節型アーム１１Ａが
若干下降し半導体ウエハＷを図２の一点鎖線で示すよう
にバッファ機構１３へ引き渡す。引き続き多関節型アー
ム１１Ａがバッファ機構１３から後退する。半導体ウエ
ハＷをバッファ機構１３へ引き渡す際に、半導体ウエハ
Ｗと保持ピン１３Ａの位置が若干ずれていても、半導体
ウエハＷは各支持部材１３Ｇのテーパ面１３Ｉを介して
それぞれの支持面１３Ｈへ案内され、３本の保持ピン１
３Ａで半導体ウエハＷを確実に保持する。
【００２１】バッファ機構１３で半導体ウエハＷを受け
取ると、エアシリンダ１３Ｃが駆動して各保持ピン１３
Ａがアライメント機構１２へ半導体ウエハＷを引き渡す
位置まで下降し、載置台１２Ａ上へ半導体ウエハＷを載
置すると、載置台１２Ａが半導体ウエハＷを保持した状
態で若干上昇し、回転する。載置台１２Ａが回転する間
に検出器を介して半導体ウエハＷのオリフラを検出し、
半導体ウエハＷをアライメントする。
【００２２】一方、アライメントを行っている間にバッ
ファ機構１３及び搬送機構１１が駆動する。即ち、バッ
ファ機構１３のモータ１３Ｅが駆動し、無端状ベルト１
３Ｆを介して３本の保持ピン１３Ａを例えば１８０°回
転させて支持部材１３Ｇの支持面１３Ｈを半導体ウエハ
Ｗの外側に向け、支持部材１３Ｇが半導体ウエハＷから
退避した後、エアシリンダ１３Ｃを介して各保持ピン１
３Ａが搬送機構１１との半導体ウエハＷの受け渡し位置
まで上昇する。引き続き搬送機構１１によってキャリア
室２１から搬送してきた半導体ウエハＷを上述した場合
と同様に多関節型アーム１１Ａからバッファ機構１３へ
引き渡し、バッファ機構１３において半導体ウエハＷを
一時的に保持する。
【００２３】アライメント室２２内における半導体ウエ
ハＷのアライメント処理が上述のようにして終了する
と、搬送機構１１の多関節型アーム１１Ａが駆動機構１
１Ｂを介して載置台１２Ａ上の半導体ウエハＷの受け渡
し高さまで下降し、図２の実線で示すように載置台１２
Ａまで伸ばし、アライメント後の半導体ウエハＷを受け
取りアライメント室２２から後退する。その後、多関節
型アーム１１Ａを介して半導体ウエハＷを所定の処理室
２４内へ搬送し、多関節型アーム１１Ａが処理室２４か
ら後退した後、処理室２４内で半導体ウエハＷの処理を
開始する。
【００２４】多関節型アーム１１Ａで載置台１２Ａ上の
半導体ウエハＷを引き取った直後に、バッファ機構１３
が駆動し、一時的に保持していた半導体ウエハＷを上述
したように載置台１２Ａ上へ引き渡し、アライメント機
構１２によるアライメントを行う。また、この間に搬送
機構１１は半導体ウエハＷをキャリア室２１からバッフ
ァ機構１３まで搬送したり、処理済みの半導体ウエハＷ
を処理室２４から処理済みの半導体ウエハＷを収納する
他方のキャリア室２１内に収納されたキャリアＣ内まで
搬送し、アライメント処理が終了すれば、上述のように
その直後にバッファ機構１３からアライメント機構１２
への半導体ウエハＷの引き渡しを行う。
【００２５】以上説明したように本実施形態によれば、
アライメント処理直前の半導体ウエハＷを一時的に保持
するバッファ機構１３を設けたため、アライメント機構
１２において半導体ウエハＷのアライメント処理を行っ
ている間にバッファ機構１３と搬送機構１１との間で半
導体ウエハＷの受け渡しを行うことができ、しかも先の
半導体ウエハＷのアライメント処理終了直後に次の半導
体ウエハＷのアライメント処理を行うことができ、アラ
イメント機構１２の遊び時間をなくしてアライメント機
構１２を間断なく効率的に使用し、アライメント機構１
２による半導体ウエハＷの保持時間をアライメント所要
時間だけにすることができ、半導体ウエハＷのアライメ
ント処理を高速化することができ、ひいてはウエハ処理
のスループットを高めることができる。
【００２６】また、図４は本発明の他の実施形態のアラ
イメント高速処理機構１０を適用した処理装置３０を示
す平面図である。この処理装置３０は、同図に示すよう
に、半導体ウエハＷをキャリア単位で収納する左右のキ
ャリア室３１と、これらの間に介在するアライメント室
３２と、このアライメント室３２と左右のロードロック
室３３、３４を介して連結された搬送室３５と、この搬
送室３５の周囲の残余の側面に連結された処理室３６と
を備え、半導体ウエハＷのアライメント処理を大気圧下
で行うようにしてある。
【００２７】そして、本実施形態のアライメント高速処
理機構１０Ａは、搬送機構１１、アライメント機構１
２、バッファ機構１３の他に、搬送室３５内に配設され
た第２搬送機構３５Ａを備え、搬送機構１１を介してバ
ッファ機構１３までアライメント前の半導体ウエハＷを
搬送する点は上記実施形態と同様であるが、アライメン
ト後の半導体ウエハＷを第２搬送機構３５Ａを介して搬
送する点で上記実施形態のものとは異なっている。つま
り、上記実施形態の搬送機構１１は多関節型アーム１１
ＡをＺ方向で昇降させる昇降機構を具備しているが、本
実施形態の各搬送機構１１、３５Ａは多関節型アームを
Ｚ方向で昇降する昇降機構を具備せず、それぞれの多関
節型アームが常に一定の高さで半導体ウエハＷを受け渡
すようにしてある。また、本実施形態のアライメント高
速処理機構１０Ａは、上述したように大気圧下で半導体
ウエハＷをアライメント処理し、アライメント後の半導
体ウエハＷを所定の真空下で搬送するようにしてある。
従って、本実施形態においても上記アライメント高速処
理機構１０と同様の作用効果を期することができる。
【００２８】尚、上記各実施形態では、バッファ機構１
３からアライメント機構１２へ半導体ウエハＷを引き渡
す際に、バッファ機構１３の各保持ピン１３Ａが回転
し、支持部材１３Ｇが半導体ウエハＷから退避するもの
について説明したが、各保持ピン１３Ａが半導体ウエハ
Ｗの径方向で進退動する構造のものであっても良く、ま
た、各保持ピンの上端が外側へ傾斜して支持部材を半導
体ウエハから退避させる構造のものであっても良い。ま
た、アライメント機構１２とバッファ機構１３は相対的
に昇降するようにしてあれば良く、アライメント機構１
２が昇降機構を具備していなくても良い。また、保持ピ
ン１３Ａが半導体ウエハＷを吸着できるタイプのもので
あれば、保持ピンは回転しない構造にすることもでき
る。
【００２９】上記各実施形態では半導体ウエハの処理装
置を例に挙げて説明したが、本発明は、液晶表示体用基
板の処理装置についても適用することができ、また、処
理装置以外のアライメント処理が必要な半導体製造装置
に対して広く適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項５に記載の発
明によれば、アライメント機構の利用効率を高めてアラ
イメント処理の高速化を達成し、もってスループットを
高めることができるアライメント高速処理機構を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアライメント高速処理機構の一実施形
態の要部を示す斜視図である。
【図２】図１に示すアライメント高速処理機構の全体の
構造を示す断面図である。
【図３】図１に示すアライメント高速処理機構を適用し
た処理装置の一例を示す平面図である。
【図４】本発明の他の実施形態のアライメント高速処理
機構を適用した処理装置の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１０、１０Ａ アライメント高速処理機構 １１ 搬送機構 １２ アライメント機構 １３ バッファ機構 １３Ａ 保持ピン １３Ｇ 支持部材 １３Ｈ 支持面 １３Ｉ テーパ面

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を搬送する搬送機構と、この搬
    送機構を介して搬送された上記被処理体を所定の向きに
    アライメント機構するアライメント機構とを備えたアラ
    イメント処理機構において、上記搬送機構から上記アラ
    イメント機構へ上記被処理体の引き渡しを中継するバッ
    ファ機構を設けたことを特徴とするアライメント高速処
    理機構。
  2. 【請求項２】 被処理体を搬送する第１搬送機構と、第
    １搬送機構を介して搬送された上記被処理体を所定の向
    きにアライメントするアライメント機構と、このアライ
    メント機構によるアライメント後の被処理体を受け取っ
    て搬送する第２搬送機構とを備えたアライメント処理機
    構において、上記第１搬送機構から上記アライメント機
    構へ上記被処理体の引き渡しを中継するバッファ機構を
    設けたことを特徴とするアライメント高速処理機構。
  3. 【請求項３】 上記バッファ機構として少なくとも２本
    の保持ピンを上記アライメント機構の周囲に配設したこ
    とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアライ
    メント高速処理機構。
  4. 【請求項４】 上記保持ピンを昇降、回転可能にしたこ
    とを特徴とする請求項３に記載のアライメント高速処理
    機構。
  5. 【請求項５】 上記保持ピンの上端に上記被処理体を裏
    面から支持する支持部材を設けたことを特徴とする請求
    項３または請求項４に記載のアライメント高速処理機
    構。
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DE69934978T DE69934978T8 (de) 1998-04-04 1999-04-02 Ausrichtungsvorrichtung und benutzung dieser vorrichtung in einem halbleiterherstellungsapparat
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217262A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送方法
JP2002217263A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送システム及び被処理体の搬送方法
JP2002217261A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送システム及び被処理体の搬送方法
JP2004508700A (ja) * 2000-09-01 2004-03-18 アシスト　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 緩衝機能を備えたエッジグリップアライナ
US6860711B2 (en) * 2001-07-24 2005-03-01 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers
WO2005059615A1 (ja) * 2003-12-17 2005-06-30 Nokia Corporation 自動焦点調節装置
WO2010046975A1 (ja) * 2008-10-22 2010-04-29 川崎重工業株式会社 プリアライナー装置
JPWO2011148629A1 (ja) * 2010-05-27 2013-07-25 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
WO2024158081A1 (ko) * 2023-01-25 2024-08-02 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 로드락 챔버에서의 기판 검사 방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6778258B2 (en) * 2001-10-19 2004-08-17 Asml Holding N.V. Wafer handling system for use in lithography patterning
JP4121413B2 (ja) * 2003-03-31 2008-07-23 株式会社神戸製鋼所 板状被処理品の高圧処理装置
DE10348821B3 (de) * 2003-10-13 2004-12-16 HAP Handhabungs-, Automatisierungs- und Präzisionstechnik GmbH Vorrichtung zum Transportieren und Ausrichten von scheibenförmigen Elementen
JP4523513B2 (ja) * 2005-08-05 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置、基板受け渡し方法及び記憶媒体
US7828504B2 (en) * 2006-05-12 2010-11-09 Axcellis Technologies, Inc. Combination load lock for handling workpieces
JP5902085B2 (ja) 2009-08-07 2016-04-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 処理チャンバ内で基板を位置決めするための装置及び処理チャンバ内で基板をセンタリングするための方法
KR101534647B1 (ko) * 2013-12-13 2015-07-09 주식회사 에스에프에이 기판 이송 장치
CN104409406B (zh) * 2014-12-05 2018-02-06 无锡先导智能装备股份有限公司 一种焊带搬运装置
KR102330017B1 (ko) * 2015-04-14 2021-11-24 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102193865B1 (ko) * 2018-08-13 2020-12-22 세메스 주식회사 기판처리장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5110249A (en) * 1986-10-23 1992-05-05 Innotec Group, Inc. Transport system for inline vacuum processing
US5202716A (en) * 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
JP2628335B2 (ja) * 1988-03-31 1997-07-09 テル・バリアン株式会社 マルチチャンバ型ｃｖｄ装置
JP2931820B2 (ja) * 1991-11-05 1999-08-09 東京エレクトロン株式会社 板状体の処理装置及び搬送装置
JPH05166917A (ja) 1991-12-18 1993-07-02 Kawasaki Steel Corp バッファ・カセット
JP3130630B2 (ja) * 1992-02-13 2001-01-31 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH06105744B2 (ja) * 1993-01-20 1994-12-21 東京エレクトロン株式会社 ウエハ移載装置及びプローブ装置
KR100261532B1 (ko) * 1993-03-14 2000-07-15 야마시타 히데나리 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JP3350234B2 (ja) * 1994-06-06 2002-11-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体のバッファ装置、これを用いた処理装置及びその搬送方法
JPH08306767A (ja) 1995-05-09 1996-11-22 Nikon Corp 基板の位置決め装置
JPH0940112A (ja) 1995-07-26 1997-02-10 Metsukusu:Kk 薄型基板搬送装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012147024A (ja) * 2000-09-01 2012-08-02 Crossing Automation Inc 緩衝機能を備えたエッジグリップアライナ
JP2004508700A (ja) * 2000-09-01 2004-03-18 アシスト　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 緩衝機能を備えたエッジグリップアライナ
JP2002217263A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送システム及び被処理体の搬送方法
JP2002217261A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送システム及び被処理体の搬送方法
JP2002217262A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送方法
US6860711B2 (en) * 2001-07-24 2005-03-01 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing device having buffer mechanism and method for buffering semiconductor wafers
WO2005059615A1 (ja) * 2003-12-17 2005-06-30 Nokia Corporation 自動焦点調節装置
WO2010046975A1 (ja) * 2008-10-22 2010-04-29 川崎重工業株式会社 プリアライナー装置
KR101285988B1 (ko) * 2008-10-22 2013-07-23 가와사키 쥬코교 가부시키가이샤 프리얼라이너 장치
JP5295259B2 (ja) * 2008-10-22 2013-09-18 川崎重工業株式会社 プリアライナー装置
US9620401B2 (en) 2008-10-22 2017-04-11 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Pre-aligner apparatus
JPWO2011148629A1 (ja) * 2010-05-27 2013-07-25 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
WO2024158081A1 (ko) * 2023-01-25 2024-08-02 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 로드락 챔버에서의 기판 검사 방법

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