JPH04247644A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04247644A JPH04247644A JP3013190A JP1319091A JPH04247644A JP H04247644 A JPH04247644 A JP H04247644A JP 3013190 A JP3013190 A JP 3013190A JP 1319091 A JP1319091 A JP 1319091A JP H04247644 A JPH04247644 A JP H04247644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- silane coupling
- lead frame
- sealing
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気機器、電子機器、通
信機器、計算機器等に用いられる半導体装置に関するも
のである。
信機器、計算機器等に用いられる半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気、電子機器の高性能化、高信
頼性、生産性向上のため、プラスチックによる封止が行
われているが、得られた半導体装置は実装工程の際、２
６０℃にもなる溶融半田浴に浸漬される。この為、熱ス
トレスで封止樹脂と、デバイス等のリードフレーム界面
に剥離が発生し、耐湿性が大幅に低下するという問題が
あった。
頼性、生産性向上のため、プラスチックによる封止が行
われているが、得られた半導体装置は実装工程の際、２
６０℃にもなる溶融半田浴に浸漬される。この為、熱ス
トレスで封止樹脂と、デバイス等のリードフレーム界面
に剥離が発生し、耐湿性が大幅に低下するという問題が
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べたよ
うに、従来の半導体装置は半田処理後耐湿性が低くなる
欠点がある。本発明は従来の技術における上述の問題点
に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半
田処理後耐湿性に優れた半導体装置を提供することにあ
る。
うに、従来の半導体装置は半田処理後耐湿性が低くなる
欠点がある。本発明は従来の技術における上述の問題点
に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半
田処理後耐湿性に優れた半導体装置を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、シランカップ
リング剤処理したリードフレームを用い、封止用成形材
料で素子を、封止成形したことを特徴とする半導体装置
のため上記目的を達成することが出来たもので、以下本
発明を詳細に説明する。
リング剤処理したリードフレームを用い、封止用成形材
料で素子を、封止成形したことを特徴とする半導体装置
のため上記目的を達成することが出来たもので、以下本
発明を詳細に説明する。
【０００５】本発明に用いるシランカップリング剤とし
ては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリスベータメ
トキシエトキシシラン、ガンマアミノプロピルトリエト
キシシラン等のようにシランカップリング剤全般を用い
ることができるが、好ましくはアミノ基、メルカプト基
を含有するものを用いることがより密着性が向上するた
め望ましいことである。リードフレームとしては特に限
定しなく、リードフレーム全般を用いることが出来る。 封止用成形材料としては、エポキシ樹脂系、フェノール
樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、シリコン樹脂系、
ポリフェニレンサルファイド樹脂系、ポリエチレンテレ
フタレート樹脂系、ポリブチレンテレフタレート樹脂系
、ポリイミド樹脂系等のように樹脂全般を用いることが
できるが、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いることが
、より接着性が向上し好ましいことである。。封止用成
形材料には、必要に応じてタルク、クレー、シリカ、炭
酸カルシュウム、水酸化アルミニゥム等の無機質粉末充
填剤や、ガラス繊維、アスベスト繊維、パルプ繊維、合
成繊維、セラミック繊維等の繊維質充填剤を単独又は併
用することができる。リードフレームに対するシランカ
ップリング剤の処理は塗布乾燥、塗布焼付等で処理する
ことができ、とくに限定するものではない。成形につい
ては、圧縮成形、トランスフアー成形、射出成形等で封
止成形するものである。
ては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリスベータメ
トキシエトキシシラン、ガンマアミノプロピルトリエト
キシシラン等のようにシランカップリング剤全般を用い
ることができるが、好ましくはアミノ基、メルカプト基
を含有するものを用いることがより密着性が向上するた
め望ましいことである。リードフレームとしては特に限
定しなく、リードフレーム全般を用いることが出来る。 封止用成形材料としては、エポキシ樹脂系、フェノール
樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、シリコン樹脂系、
ポリフェニレンサルファイド樹脂系、ポリエチレンテレ
フタレート樹脂系、ポリブチレンテレフタレート樹脂系
、ポリイミド樹脂系等のように樹脂全般を用いることが
できるが、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いることが
、より接着性が向上し好ましいことである。。封止用成
形材料には、必要に応じてタルク、クレー、シリカ、炭
酸カルシュウム、水酸化アルミニゥム等の無機質粉末充
填剤や、ガラス繊維、アスベスト繊維、パルプ繊維、合
成繊維、セラミック繊維等の繊維質充填剤を単独又は併
用することができる。リードフレームに対するシランカ
ップリング剤の処理は塗布乾燥、塗布焼付等で処理する
ことができ、とくに限定するものではない。成形につい
ては、圧縮成形、トランスフアー成形、射出成形等で封
止成形するものである。
【０００６】以下本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００７】
【実施例１】封止用エポキシ樹脂成形材料を用い、アミ
ノ基含有シランカップリング剤でリードフレームを処理
して、素子をトランスファー成形機を用いて金型温度１
７５℃、成形圧力５０Ｋｇ／ｃｍ２ 、硬化時間３分間
で素子を封止成形して半導体装置を得た。
ノ基含有シランカップリング剤でリードフレームを処理
して、素子をトランスファー成形機を用いて金型温度１
７５℃、成形圧力５０Ｋｇ／ｃｍ２ 、硬化時間３分間
で素子を封止成形して半導体装置を得た。
【０００８】
【実施例２】メルカプト基含有シランカップリング剤を
用いた以外は実施例１と同様に処理して半導体装置を得
た。
用いた以外は実施例１と同様に処理して半導体装置を得
た。
【０００９】
【比較例】シランカップリング剤で処理しないリードフ
レームを用いた以外は実施例１と同様に処理して半導体
装置を得た。
レームを用いた以外は実施例１と同様に処理して半導体
装置を得た。
【００１０】実施例１及び２と比較例の性能は、第１表
のようである。密着性は８５℃、８５％ＲＨで１２時間
吸湿処理後、２６０℃の溶融半田で１０秒間処理後、超
音波探傷装置で観察し、密着強度はリード引抜き強度、
耐湿性１８Ｐ、ＳＯＰ、銅フレーム、ペレットＴＥＧで
、超音波測定によるものである。なお粘度は１５０℃で
のものである。
のようである。密着性は８５℃、８５％ＲＨで１２時間
吸湿処理後、２６０℃の溶融半田で１０秒間処理後、超
音波探傷装置で観察し、密着強度はリード引抜き強度、
耐湿性１８Ｐ、ＳＯＰ、銅フレーム、ペレットＴＥＧで
、超音波測定によるものである。なお粘度は１５０℃で
のものである。
【００１１】
【発明の効果】本発明は上述した如く構成されている。
特許請求の範囲に記載した構成を有する半導体装置にお
いては、半田処理後耐湿性が向上する効果を有している
。
いては、半田処理後耐湿性が向上する効果を有している
。
Claims (1)
- 【請求項１】 シランカップリング剤処理したリード
フレームを用い、封止用成形材料で素子を、封止成形し
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013190A JPH04247644A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013190A JPH04247644A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247644A true JPH04247644A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11826250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3013190A Pending JPH04247644A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831985A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3013190A patent/JPH04247644A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831985A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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