JPH0424771B2 - - Google Patents
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- JPH0424771B2 JPH0424771B2 JP57107543A JP10754382A JPH0424771B2 JP H0424771 B2 JPH0424771 B2 JP H0424771B2 JP 57107543 A JP57107543 A JP 57107543A JP 10754382 A JP10754382 A JP 10754382A JP H0424771 B2 JPH0424771 B2 JP H0424771B2
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
本発明は反射層と吸収層との組合せとからなる
新規な光学的情報記録媒体に関する。 従来、光学的情報記録媒体としては、Te、Bi
などの低融点金属単層、ブロンズ光沢をもつ色素
単層および銀鏡と色素とを積層したものを記録層
として用いるものが知られている。しかしなが
ら、Te、Biなどのみによる記録層は低融点とは
いえ記録に必要なエネルキーがやや大きい。ま
た、ブロンズ光沢をもつ色素を用いた記録媒体は
その色素の吸収波長付近の光にしか感度を示さな
いため、半導体レーザーを使用する場合には感度
がやや低い欠点がある。さらに銀鏡と色素を積層
したタイプは必要な記録エネルギーはTe、Bi程
度である。 本発明は上記問題に鑑みてなされたものであつ
て、低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色素を
反射層として用い、これに特定な光吸収層を積層
させることにより記録感度特に半導体レーザーに
おける記録感度を向上させることに成功し本発明
の完成に至つた。 本発明の目的は光反射層と光吸収層との組み合
わせにより、従来の光吸収層のみの記録媒体に比
べ記録閾値を低下させることである。また、本発
明の別の目的は反射層に低融点金属またはブロン
ズ光沢をもつ色素を使用することにより、さらに
高い記録感度を得ることである。 本発明によれば、基板上に反射層および吸収層
を任意の順序で積層してなる光学的情報記録媒体
において、前記反射層が低融点金属またはブロン
ズ光沢をもつ色素からなりそして前記吸収層が下
記一般式（）で示されるアントラキノン系化合
物または下記一般式（）で示されるインダンス
レン系化合物からなることを特徴とする、光学的
情報記録媒体が提供される。 （式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ水素、
アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アイノ
基、シアノ基およびハロゲンを表わし、Ｙは水素
およびスルホネート基を表わし、Ar1は水素、フ
エニル基、ナフチル基およびそれらのスルホン化
物および塩を表わし、そして前記フエニル基はア
ルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルカ
ルボニル基、メチルチオ基、ハロゲンおよびフエ
ニルカルボニル基によつて置換されていてもよく
そしてAr2は水素、フエニル基、 およびそれらのスルホン化物および塩を表わし
そして前記フエニル基はアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキルカルボニル基、フエニル
カルボニル基およびハロゲンによつて置換されて
いてもよい） （式中、X1、X2、X3およびX4は上記と同じ意味
を有し、X5は水素−NH−Ar1および−Ｓ−Arを
表わし、Ｚは水素、−NH−Ar1および−Ｓ−Ar1
を表わしそしてAr1は上記と同じ意味を有する）。
本発明の光学的情報記録媒体は基本的には基板、
反射層および吸収層から構成されるものである
が、目的に応じて保護層、下引き層などの他の層
を設けることもできる。 本発明に用いられる低融点金属としては、Bi、
Te、Se、Sn、Ge、In、As、Pb、Znなどの比較
的低融点を示す金属あるいはそれらの合金をあげ
ることができる。前記金属またはそれらの合金は
例えば蒸着法やスパツタ法によつて基板上に10〜
1000nｍの厚さで適用することができる。また、
ブロンズ光沢をもつ色素としては、シアニン系ま
たはメロシアニン系色素、トリフエニルメタン系
染料、キサンテン系染料、ナフトキノン系色素、
スクウオレニウム系色素、フタロシアニン系染
料、ペリレン顔料、およびジオキサジン化合物な
どを適宜選択使用できる。その例には、２−〔７
−（３−エチル−２−ベンゾチアゾリニリデン）−
１，３，５−ヘプタトリエニル〕−３−エチルベ
ンゾチアゾリウムクロリド、２，４−ビス−（２，
４，６−トリヒドロキシフエニル）−１，３−シ
クロブタジエネデイリウム−１，３−ジチオレー
ト、１，３−ビス−〔３−エチル−ベンズチアゾ
リニリイデン−(2)−メチル〕−フエナレニウムテ
トラフルオロボレート、Ｎ，N′−ジアニソール
置換ペリレン、C.I.ソルベントブルー、マゼンタ
ベース、鉛フタロシアニン、C.I.ダイレクトブル
ー108（C.I.51320）、６−アミノ−３−ヒドロキシ
−９−（２−カルボキシフエニル）−キサンチリウ
ムクロリド、C.I.ヴアツトブルー１（C.I.7300）お
よびメチレンブルーなどがある。本発明において
は上記色素を複数個組み合せることもできる。ま
た、本発明におけるブロンズ光沢をもつ色素は例
えば蒸着または溶剤塗布法により基板上に10〜
1000nｍの厚さで適用される。 本発明における吸収層として用いられる化合物
は前記の一般式（）および一般式（）で表わ
されるアントラキノン骨格またはインダンスレン
骨格上に種々の置換基を有するものである。 特に、一般式（）のようにインダンスレン骨
格をもつ化合物は極大吸収波長が800nｍ付近で
あるため、半導体レーザー用の材料としては最適
である。 上記一般式（）および（）で表わされるア
ントラキノン系化合物又はインダンスレン系化合
物の例を以下に示す。 １−アミノ−４−（４−スルホン酸フエニルア
ミノ）−６，７−ジニトロアントラキノンナトリ
ウム塩、１−アニリノ−２−スルホン酸ナトリウ
ム塩−４−（４−メチルフエニルアミノ）アント
ラキノン、８，17−ビス−（４−メトキシフエニ
ルアミノ）−インダンスレン、１，４−ビス（３
−スルホン酸ナトリウム−４−メトキシフエニル
アミノ）−６，７−ジシアノアントラキノン、１，
４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−クロ
ロフエニルアミノ）−５，８−ジクロロアントラ
キノン、１−（２−メチルフエニルアミノ）−２−
スルホン酸ナトリウム−４−（４−アミノフエニ
ルアミノ）−６，７−ジニトロアントラキノン、
１，４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−
アニリノ−１−アントラキノリルアミノ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４−（４−スルホン酸ナトリ
ウム−フエニルアミノ）−１−アントラキノリル
アミノ）ベンゼン、１，４−ビスアニリノアント
ラキノン、１，４−ビス（４−メチルフエニルア
ミノ）アントラキノン、１，４−ビス（４−メト
キシフエニルアミノ）アントラキノン、１，４−
ビス（４−アミノフエニルアミノ）アントラキノ
ン、１，４−ビス（４−ベンゾイルフエニルアミ
ノ）アントラキノン、１，４−ビス（４−クロロ
フエニルアミノ）アントラキノン、１，４−ビス
（４−アセチルフエニルアミノ）アントラキノン、
１，４−ビス（ナフチルアミノ）アントラキノ
ン、１，４−ビス（４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）アントラキノン、１，４−ビス
（３−スルホン酸ナトリウム−４−メチルフエニ
ルアミノ）アントラキノン、１，４−ビス（３−
スルホン酸−４−メトキシフエニルアミノ）アン
トラキノン、１，４−ビスアニリノ−６，７−ジ
ニトロアントラキノン、１−アニリノ−４−（４
−メチルフエニルアミノ）−６，７−ジニトロア
ントラキノン、１，４−ビス（４−スルホン酸ナ
トリウムフエニルアミノ）−６，７−ジシアノア
ントラキノン、１−アニリノ−４−（４−ニトロ
フエニルアミノ）アントラキノン、１−（４−メ
トキシフエニルアミノ）−４−（４−ニトロフエニ
ルアミノ）アントラキノン、テレフタルアミド、
Ｎ，N′−ビス−｛２−ブロモ−４−（２−メチル
チオアニリノ）−１−アントラキノリル｝、１−
（４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）−４
−（４−メチル−３−スルホン酸ナトリウムフエ
ニルアミノ）−５，８−シアノアントラキノン、
１，４−ビス（４−メチルフエニルアミノ）−６，
７−ジクロロアントラキノン、１，４−ビス（４
−エトキシフエニルアミノ）−６，７−ジニトロ
アントラキノン、８，17−ビス（４−メチルフエ
ニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス（４
−クロロフエニルアミノ）インダンスレン、２，
３，11，12−テトラニトロ−８，17−ビスアニリ
ノインダンスレン、６，15−ビス（２−メチルチ
オフエニルアミノ）インダンスレン、６，15−ビ
ス−（３，５−ジメトキシフエニルアミノ）イン
ダンスレン、８，17−ビス（アニリノ）インダン
スレン、８，17−ビス（４−スルホン酸ナトリウ
ムフエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビ
スフエニルチオインダンスレン、８，17−ビス
（２−メトキシフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（３−メトキシフエニルアミノ）イ
ンダンスレン、８，17−ビス（２−メチルフエニ
ルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス（３−
メチルフエニルアミノ）インダンスレン、８，17
−ビス（２−クロロフエニルアミノ）インダンス
レン、８，17−ビス（３−クロロフエニルアミ
ノ）インダンスレン、８，17−ビス（２−メチル
チオフエニルアミノ）インダンスレン、８，17−
ビス（３−メチルチオフエニルアミノ）インダン
スレン、８，17−ビス（４−メチルチオフエニル
アミノ）インダンスレン、８，17−ビス（４−フ
エニルチオフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（２，５−ジメトキシフエニルアミ
ノ）インダンスレン、８，17−ビス（４−メチル
−２−クロロフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（２，４，６−トリメチルフエニル
アミノ）インダンスレン、８，17−ビス（１−ナ
フチルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（２−ナフチルアミノ）インダンスレン、８，17
−ビス（２−メトキシフエニルチオ）インダンス
レン、８，17−ビス（４−フエニルフエニルアミ
ノ）インダンスレン、８，17−ビス（２−メトキ
シ−４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）
インダンスレン、８，17−ビス（３−メトキシ−
４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）イン
ダンスレン、８，17−ビス（４−メトキシ−２−
スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）インダン
スレン、８，17−ビス（２−メチル−スルホン酸
ナトリウムフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（３−メチル−４−スルホン酸ナト
リウムフエニルアミノ）インダンスレン、８，17
−ビス（４−メチル−２−スルホン酸ナトリウム
フエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（２−メチルチオ−４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（３−メチルチオ−４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（４−メチルチオ−２−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
〔４−（４−スルホン酸ナトリウムフエニウチオ）
フエニルアミノ〕インダンスレン、８，17−ビス
（２，５−ジメトキシ−４−スルホン酸ナトリウ
ムフエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビ
ス〔１−（４−スルホン酸ナトリウムナフチル）
アミノ〕インダンスレン、８，17−ビス〔２−
（４−スルホン酸ナトリウムナフチル）アミノ〕
インダンスレン、８，17−ビス（４−ヒドロキシ
フエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（３−ヒドロキシフエニルアミノ）インダンスレ
ン、８，17−ビス（２−ヒドロキシフエニルアミ
ノ）インダンスレン、６，15−ビス（２−クロロ
フエニルアミノ）インダンスレン、６，15−ビス
（３−クロロフエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（４−クロロフエニルアミノ）イン
ダンスレン、６，15−ビス（２−メチルフエニル
アミノ）インダンスレン、６，15−ビス（３−メ
チルフエニルアミノ）インダンスレン、６，15−
ビス（４−メチルフエニルアミノ）インダンスレ
ン、６，15−ビス（４−クロロ−２−メチルフエ
ニルアミノ）インダンスレン、６，15−ビス〔３
−（メチルチオ）フエニルアミノ〕インダンスレ
ン、６，15−ビス〔２−（メチルチオ）フエニル
アミノ〕インダンスレン、６，15−ビス（２−メ
トキシフエニルアミノ）インダンスレン、６，15
−ビス（３−メトキシフエニルアミノ）インダン
スレン、６，15−ビス（４−メトキシフエニルア
ミノ）インダンスレン、６，15−ビス（４−エト
キシフエニルアミノ）インダンスレン、６，15−
ビス（１−ナフチルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（２−ナフチルアミノ）インダンス
レン、６，15−ビス〔４−（フエニルチオ）フエ
ニルアミノ〕インダンスレン、６，15−ビス（２
−クロロ−４−スルホン酸ナトリウムフエニルア
ミノ）インダンスレン、６，15−ビス（３−クロ
ロ−４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）
インダンスレン、６，15−ビス（４−クロロ−２
−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）インダ
ンスレン、６，15−ビス（２−メチル−４−スル
ホン酸ナトリウム−フエニルアミノ）インダンス
レン、６，15−ビス（３−メチル−４−スルホン
酸ナトリウム−フエニルアミノ）インダンスレ
ン、６，15−ビス（４−メチル−３−スルホン酸
ナトリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（２−メトキシ−４−スルホン酸ナ
トリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（３−メトキシ−４−スルホン酸ナ
トリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（４−メトキシ−２−スルホン酸ナ
トリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（４−アミノフエニルチオ）インダ
ンスレン、６，15−ビス（４−メチルフエニルチ
オ）インダンスレン、６，15−ビス（４−スルホ
ン酸ナトリウム−フエニルチオ）インダンスレ
ン。 本発明における吸収層は上述した一般式（）
又は（）で示されるアントラキノン構造または
インダンスレン構造を有する化合物単独またはそ
れらと他の成分（他の色素を含めて）との組合せ
によつて構成される。吸収層は、上記化合物を溶
媒に溶解させ塗布する方式や、蒸着する方式、樹
脂溶液と混合して塗布する方式、他の色素との共
蒸着方式、他の色素との混合溶液を塗布する方
式、他の色素とともに樹脂溶液に溶解させて塗布
する方式などによつて形成される。その際、樹脂
としては、PVA、PVA、ポリビニルブチラー
ル、ポリカーボネートなど既知のものが用いら
れ、樹脂に対する上記化合物の量は重量比で0.01
以上あることが望ましい。また、他の色素として
は別の種類のアントラキノン誘導体でもよいし、
トリアリールメタン系色素、アゾ染料など半導体
レーザーの波長域以外に吸収をもつものを用いた
ほうが、半導体レーザーだけでなくHe−Neレー
ザーなどでも記録ができる媒体が得られるので好
適である。吸収層の厚さは0.01〜1μｍ好ましくは
0.05〜0.5μｍの範囲である。 次に、図面を参照して本発明の光学的情報記録
媒体の構成例を以下に示す。 第１図は本発明の記録媒体の基本構成を示す概
念図であつて、基板１上に反射層２を設け、さら
にその上に吸収層３を設けたものである。基板と
しては、ガラスおよびプラスチツク例えばアクリ
ル、ポリカーボネートなど透明なものが用いられ
る。また、下引き層４や、保護層５の両方もしく
はそのいずれかを設けても何らさしつかえはな
い。第２図にはその両方を設けた例を示した。情
報の記録は、基板を通して行なわれる。 また、第３図に示したような構成も可能であ
り、基板１上に吸収層３を設けさらにその上に反
射層２を設けたものである。この場合、基板とし
ては、ガラスおよびプラスチツク例えばアクリ
ル、ポリカーボネートなどのほかに、鉄、アルミ
ニウムなどの金属も使用できる。また、下引き層
４や保護層５を両方とももしくはそのいずれかを
設けても何らさしつかえない。第４図にはその両
方を設けた例を示した。情報の記録は、反射層の
側から行なわれる。反射層が基板側にある場合
は、第５図に示したように２枚を背中合わせとし
たような構成も可能である。 情報の記録はレーザーなどの高エネルギービー
ムのスポツトを反射層の側から照射することによ
りなされ、吸収された熱により記録層に穴があき
記録がなされる。もちろん、吸収層の側からの記
録も可能である。また、情報の読出しは低出力レ
ーザービームを照射し、反射光量の変化により検
出することができる。 以下に実施例によつて本発明をさらに詳しく説
明するがこれに限定するものではない。 実施例 １ アクリル板に、Teを厚さ100nｍに蒸着して反
射層を得た。さらに、この上に８，17−ビス（４
−フエニルフエニルアミノ）インダンスレンを厚
さ150nｍに蒸着し光吸収層とした。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率はそれぞれ43％および２％で
あつた。 この記録媒体に、照射面エネルギー３ｍＷおよ
びビーム径1.6μｍの半導体レーザー光を照射して
1MHzの信号を記録した。 ピツトあたりの記録閾値は0.6nJ／ピツトであ
りそしてピツト径は1.3μｍであつた。 実施例 ２ ガラス板に、ポリビニルブチラールを1.5μｍの
厚さに塗布して下引き層とした。この基板に、
SeおよびSnを２：１の割合になるように共蒸着
して厚さ100nｍの反射層を得た。さらに、この
上に、 ポリビニルアルコール 0.5ｇ 水 10ｇ ８，17−ビス（２−メトキシ−４−スルホン酸フ
エニルアミノ）インダンスレン 0.3ｇ の組成よりなる溶液を回転塗布して光吸収層を得
た。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率はそれぞれ37％および１％で
あつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値0.7nJ／ピツトで直径
1.4μｍのピツトが形成された。 実施例 ３ アクリル板に、厚さ70nｍのAs10Se30Te60蒸着
膜を設け、反射層とした。さらに、この上に １，４−ビス−（４−メトキシフエニルアミノ）−
６，７−ジシアノアントラキノン １ｇ ジクロルエタン 10ｇ の組成よりなる溶液を回転塗布して光吸収層を得
た。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率は、それぞれ33％および12％
であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値1.2nJ／ピツトで直径
1.2μｍのピツトが形成された。 実施例 ４ 厚さ1.5mmのポリサルホン樹脂板に、 ２−〔７−（３−エチル−２−ベンゾチアゾリニリ
デン）−１，３，５−ヘプタトリエニル〕−３−エ
チルベンゾチアゾリウムクロリド ２ｇ ジクロルエタン 10ｇ の組成よりなる溶液を回転塗布してブロンズ色素
による反射層を得た。さらに、この上に８，17−
ビスアニリノインダンスレンを70nｍの厚さに蒸
着して、光吸収層を得た。 このようにして得られた記録媒体の反射率およ
び透過率は、27％および13％であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値0.7nJ／ピツトで直径
1.2μｍのピツトが形成された。 実施例 ５ ポリビニルアルコールを1.5μｍの厚さに塗布し
たアクリル板に、２，４−ビス−（２，４，６−
トリヒドロキシフエニル）−１，３−シクロブタ
ジエネデイリウム−１，３−ジオレートを50nｍ
の厚さに蒸着して反射層を得た。さらに、この上
に８，17−ビス（４−クロロフエニルアミノ）イ
ンダンスレンを100nｍの厚さに蒸着して光吸収
層を得た。 このようにして得られた記録媒体の反射率およ
び透過率はそれぞれ31％および６％であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ記録閾値0.7nJ／ピツトで直径1.3μ
ｍのピツトが形成された。 実施例 ６〜14 アクリル基板に、下表に示した材料を用いて反
射層および光吸収層を形成して記録媒体を得た。 これらを実施例１と同様に情報を記録したとこ
ろ、表に示した記録閾値を得た。
新規な光学的情報記録媒体に関する。 従来、光学的情報記録媒体としては、Te、Bi
などの低融点金属単層、ブロンズ光沢をもつ色素
単層および銀鏡と色素とを積層したものを記録層
として用いるものが知られている。しかしなが
ら、Te、Biなどのみによる記録層は低融点とは
いえ記録に必要なエネルキーがやや大きい。ま
た、ブロンズ光沢をもつ色素を用いた記録媒体は
その色素の吸収波長付近の光にしか感度を示さな
いため、半導体レーザーを使用する場合には感度
がやや低い欠点がある。さらに銀鏡と色素を積層
したタイプは必要な記録エネルギーはTe、Bi程
度である。 本発明は上記問題に鑑みてなされたものであつ
て、低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色素を
反射層として用い、これに特定な光吸収層を積層
させることにより記録感度特に半導体レーザーに
おける記録感度を向上させることに成功し本発明
の完成に至つた。 本発明の目的は光反射層と光吸収層との組み合
わせにより、従来の光吸収層のみの記録媒体に比
べ記録閾値を低下させることである。また、本発
明の別の目的は反射層に低融点金属またはブロン
ズ光沢をもつ色素を使用することにより、さらに
高い記録感度を得ることである。 本発明によれば、基板上に反射層および吸収層
を任意の順序で積層してなる光学的情報記録媒体
において、前記反射層が低融点金属またはブロン
ズ光沢をもつ色素からなりそして前記吸収層が下
記一般式（）で示されるアントラキノン系化合
物または下記一般式（）で示されるインダンス
レン系化合物からなることを特徴とする、光学的
情報記録媒体が提供される。 （式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ水素、
アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アイノ
基、シアノ基およびハロゲンを表わし、Ｙは水素
およびスルホネート基を表わし、Ar1は水素、フ
エニル基、ナフチル基およびそれらのスルホン化
物および塩を表わし、そして前記フエニル基はア
ルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルカ
ルボニル基、メチルチオ基、ハロゲンおよびフエ
ニルカルボニル基によつて置換されていてもよく
そしてAr2は水素、フエニル基、 およびそれらのスルホン化物および塩を表わし
そして前記フエニル基はアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基、アルキルカルボニル基、フエニル
カルボニル基およびハロゲンによつて置換されて
いてもよい） （式中、X1、X2、X3およびX4は上記と同じ意味
を有し、X5は水素−NH−Ar1および−Ｓ−Arを
表わし、Ｚは水素、−NH−Ar1および−Ｓ−Ar1
を表わしそしてAr1は上記と同じ意味を有する）。
本発明の光学的情報記録媒体は基本的には基板、
反射層および吸収層から構成されるものである
が、目的に応じて保護層、下引き層などの他の層
を設けることもできる。 本発明に用いられる低融点金属としては、Bi、
Te、Se、Sn、Ge、In、As、Pb、Znなどの比較
的低融点を示す金属あるいはそれらの合金をあげ
ることができる。前記金属またはそれらの合金は
例えば蒸着法やスパツタ法によつて基板上に10〜
1000nｍの厚さで適用することができる。また、
ブロンズ光沢をもつ色素としては、シアニン系ま
たはメロシアニン系色素、トリフエニルメタン系
染料、キサンテン系染料、ナフトキノン系色素、
スクウオレニウム系色素、フタロシアニン系染
料、ペリレン顔料、およびジオキサジン化合物な
どを適宜選択使用できる。その例には、２−〔７
−（３−エチル−２−ベンゾチアゾリニリデン）−
１，３，５−ヘプタトリエニル〕−３−エチルベ
ンゾチアゾリウムクロリド、２，４−ビス−（２，
４，６−トリヒドロキシフエニル）−１，３−シ
クロブタジエネデイリウム−１，３−ジチオレー
ト、１，３−ビス−〔３−エチル−ベンズチアゾ
リニリイデン−(2)−メチル〕−フエナレニウムテ
トラフルオロボレート、Ｎ，N′−ジアニソール
置換ペリレン、C.I.ソルベントブルー、マゼンタ
ベース、鉛フタロシアニン、C.I.ダイレクトブル
ー108（C.I.51320）、６−アミノ−３−ヒドロキシ
−９−（２−カルボキシフエニル）−キサンチリウ
ムクロリド、C.I.ヴアツトブルー１（C.I.7300）お
よびメチレンブルーなどがある。本発明において
は上記色素を複数個組み合せることもできる。ま
た、本発明におけるブロンズ光沢をもつ色素は例
えば蒸着または溶剤塗布法により基板上に10〜
1000nｍの厚さで適用される。 本発明における吸収層として用いられる化合物
は前記の一般式（）および一般式（）で表わ
されるアントラキノン骨格またはインダンスレン
骨格上に種々の置換基を有するものである。 特に、一般式（）のようにインダンスレン骨
格をもつ化合物は極大吸収波長が800nｍ付近で
あるため、半導体レーザー用の材料としては最適
である。 上記一般式（）および（）で表わされるア
ントラキノン系化合物又はインダンスレン系化合
物の例を以下に示す。 １−アミノ−４−（４−スルホン酸フエニルア
ミノ）−６，７−ジニトロアントラキノンナトリ
ウム塩、１−アニリノ−２−スルホン酸ナトリウ
ム塩−４−（４−メチルフエニルアミノ）アント
ラキノン、８，17−ビス−（４−メトキシフエニ
ルアミノ）−インダンスレン、１，４−ビス（３
−スルホン酸ナトリウム−４−メトキシフエニル
アミノ）−６，７−ジシアノアントラキノン、１，
４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−クロ
ロフエニルアミノ）−５，８−ジクロロアントラ
キノン、１−（２−メチルフエニルアミノ）−２−
スルホン酸ナトリウム−４−（４−アミノフエニ
ルアミノ）−６，７−ジニトロアントラキノン、
１，４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−
アニリノ−１−アントラキノリルアミノ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４−（４−スルホン酸ナトリ
ウム−フエニルアミノ）−１−アントラキノリル
アミノ）ベンゼン、１，４−ビスアニリノアント
ラキノン、１，４−ビス（４−メチルフエニルア
ミノ）アントラキノン、１，４−ビス（４−メト
キシフエニルアミノ）アントラキノン、１，４−
ビス（４−アミノフエニルアミノ）アントラキノ
ン、１，４−ビス（４−ベンゾイルフエニルアミ
ノ）アントラキノン、１，４−ビス（４−クロロ
フエニルアミノ）アントラキノン、１，４−ビス
（４−アセチルフエニルアミノ）アントラキノン、
１，４−ビス（ナフチルアミノ）アントラキノ
ン、１，４−ビス（４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）アントラキノン、１，４−ビス
（３−スルホン酸ナトリウム−４−メチルフエニ
ルアミノ）アントラキノン、１，４−ビス（３−
スルホン酸−４−メトキシフエニルアミノ）アン
トラキノン、１，４−ビスアニリノ−６，７−ジ
ニトロアントラキノン、１−アニリノ−４−（４
−メチルフエニルアミノ）−６，７−ジニトロア
ントラキノン、１，４−ビス（４−スルホン酸ナ
トリウムフエニルアミノ）−６，７−ジシアノア
ントラキノン、１−アニリノ−４−（４−ニトロ
フエニルアミノ）アントラキノン、１−（４−メ
トキシフエニルアミノ）−４−（４−ニトロフエニ
ルアミノ）アントラキノン、テレフタルアミド、
Ｎ，N′−ビス−｛２−ブロモ−４−（２−メチル
チオアニリノ）−１−アントラキノリル｝、１−
（４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）−４
−（４−メチル−３−スルホン酸ナトリウムフエ
ニルアミノ）−５，８−シアノアントラキノン、
１，４−ビス（４−メチルフエニルアミノ）−６，
７−ジクロロアントラキノン、１，４−ビス（４
−エトキシフエニルアミノ）−６，７−ジニトロ
アントラキノン、８，17−ビス（４−メチルフエ
ニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス（４
−クロロフエニルアミノ）インダンスレン、２，
３，11，12−テトラニトロ−８，17−ビスアニリ
ノインダンスレン、６，15−ビス（２−メチルチ
オフエニルアミノ）インダンスレン、６，15−ビ
ス−（３，５−ジメトキシフエニルアミノ）イン
ダンスレン、８，17−ビス（アニリノ）インダン
スレン、８，17−ビス（４−スルホン酸ナトリウ
ムフエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビ
スフエニルチオインダンスレン、８，17−ビス
（２−メトキシフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（３−メトキシフエニルアミノ）イ
ンダンスレン、８，17−ビス（２−メチルフエニ
ルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス（３−
メチルフエニルアミノ）インダンスレン、８，17
−ビス（２−クロロフエニルアミノ）インダンス
レン、８，17−ビス（３−クロロフエニルアミ
ノ）インダンスレン、８，17−ビス（２−メチル
チオフエニルアミノ）インダンスレン、８，17−
ビス（３−メチルチオフエニルアミノ）インダン
スレン、８，17−ビス（４−メチルチオフエニル
アミノ）インダンスレン、８，17−ビス（４−フ
エニルチオフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（２，５−ジメトキシフエニルアミ
ノ）インダンスレン、８，17−ビス（４−メチル
−２−クロロフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（２，４，６−トリメチルフエニル
アミノ）インダンスレン、８，17−ビス（１−ナ
フチルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（２−ナフチルアミノ）インダンスレン、８，17
−ビス（２−メトキシフエニルチオ）インダンス
レン、８，17−ビス（４−フエニルフエニルアミ
ノ）インダンスレン、８，17−ビス（２−メトキ
シ−４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）
インダンスレン、８，17−ビス（３−メトキシ−
４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）イン
ダンスレン、８，17−ビス（４−メトキシ−２−
スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）インダン
スレン、８，17−ビス（２−メチル−スルホン酸
ナトリウムフエニルアミノ）インダンスレン、
８，17−ビス（３−メチル−４−スルホン酸ナト
リウムフエニルアミノ）インダンスレン、８，17
−ビス（４−メチル−２−スルホン酸ナトリウム
フエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（２−メチルチオ−４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（３−メチルチオ−４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（４−メチルチオ−２−スルホン酸ナトリウムフ
エニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
〔４−（４−スルホン酸ナトリウムフエニウチオ）
フエニルアミノ〕インダンスレン、８，17−ビス
（２，５−ジメトキシ−４−スルホン酸ナトリウ
ムフエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビ
ス〔１−（４−スルホン酸ナトリウムナフチル）
アミノ〕インダンスレン、８，17−ビス〔２−
（４−スルホン酸ナトリウムナフチル）アミノ〕
インダンスレン、８，17−ビス（４−ヒドロキシ
フエニルアミノ）インダンスレン、８，17−ビス
（３−ヒドロキシフエニルアミノ）インダンスレ
ン、８，17−ビス（２−ヒドロキシフエニルアミ
ノ）インダンスレン、６，15−ビス（２−クロロ
フエニルアミノ）インダンスレン、６，15−ビス
（３−クロロフエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（４−クロロフエニルアミノ）イン
ダンスレン、６，15−ビス（２−メチルフエニル
アミノ）インダンスレン、６，15−ビス（３−メ
チルフエニルアミノ）インダンスレン、６，15−
ビス（４−メチルフエニルアミノ）インダンスレ
ン、６，15−ビス（４−クロロ−２−メチルフエ
ニルアミノ）インダンスレン、６，15−ビス〔３
−（メチルチオ）フエニルアミノ〕インダンスレ
ン、６，15−ビス〔２−（メチルチオ）フエニル
アミノ〕インダンスレン、６，15−ビス（２−メ
トキシフエニルアミノ）インダンスレン、６，15
−ビス（３−メトキシフエニルアミノ）インダン
スレン、６，15−ビス（４−メトキシフエニルア
ミノ）インダンスレン、６，15−ビス（４−エト
キシフエニルアミノ）インダンスレン、６，15−
ビス（１−ナフチルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（２−ナフチルアミノ）インダンス
レン、６，15−ビス〔４−（フエニルチオ）フエ
ニルアミノ〕インダンスレン、６，15−ビス（２
−クロロ−４−スルホン酸ナトリウムフエニルア
ミノ）インダンスレン、６，15−ビス（３−クロ
ロ−４−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）
インダンスレン、６，15−ビス（４−クロロ−２
−スルホン酸ナトリウムフエニルアミノ）インダ
ンスレン、６，15−ビス（２−メチル−４−スル
ホン酸ナトリウム−フエニルアミノ）インダンス
レン、６，15−ビス（３−メチル−４−スルホン
酸ナトリウム−フエニルアミノ）インダンスレ
ン、６，15−ビス（４−メチル−３−スルホン酸
ナトリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（２−メトキシ−４−スルホン酸ナ
トリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（３−メトキシ−４−スルホン酸ナ
トリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（４−メトキシ−２−スルホン酸ナ
トリウム−フエニルアミノ）インダンスレン、
６，15−ビス（４−アミノフエニルチオ）インダ
ンスレン、６，15−ビス（４−メチルフエニルチ
オ）インダンスレン、６，15−ビス（４−スルホ
ン酸ナトリウム−フエニルチオ）インダンスレ
ン。 本発明における吸収層は上述した一般式（）
又は（）で示されるアントラキノン構造または
インダンスレン構造を有する化合物単独またはそ
れらと他の成分（他の色素を含めて）との組合せ
によつて構成される。吸収層は、上記化合物を溶
媒に溶解させ塗布する方式や、蒸着する方式、樹
脂溶液と混合して塗布する方式、他の色素との共
蒸着方式、他の色素との混合溶液を塗布する方
式、他の色素とともに樹脂溶液に溶解させて塗布
する方式などによつて形成される。その際、樹脂
としては、PVA、PVA、ポリビニルブチラー
ル、ポリカーボネートなど既知のものが用いら
れ、樹脂に対する上記化合物の量は重量比で0.01
以上あることが望ましい。また、他の色素として
は別の種類のアントラキノン誘導体でもよいし、
トリアリールメタン系色素、アゾ染料など半導体
レーザーの波長域以外に吸収をもつものを用いた
ほうが、半導体レーザーだけでなくHe−Neレー
ザーなどでも記録ができる媒体が得られるので好
適である。吸収層の厚さは0.01〜1μｍ好ましくは
0.05〜0.5μｍの範囲である。 次に、図面を参照して本発明の光学的情報記録
媒体の構成例を以下に示す。 第１図は本発明の記録媒体の基本構成を示す概
念図であつて、基板１上に反射層２を設け、さら
にその上に吸収層３を設けたものである。基板と
しては、ガラスおよびプラスチツク例えばアクリ
ル、ポリカーボネートなど透明なものが用いられ
る。また、下引き層４や、保護層５の両方もしく
はそのいずれかを設けても何らさしつかえはな
い。第２図にはその両方を設けた例を示した。情
報の記録は、基板を通して行なわれる。 また、第３図に示したような構成も可能であ
り、基板１上に吸収層３を設けさらにその上に反
射層２を設けたものである。この場合、基板とし
ては、ガラスおよびプラスチツク例えばアクリ
ル、ポリカーボネートなどのほかに、鉄、アルミ
ニウムなどの金属も使用できる。また、下引き層
４や保護層５を両方とももしくはそのいずれかを
設けても何らさしつかえない。第４図にはその両
方を設けた例を示した。情報の記録は、反射層の
側から行なわれる。反射層が基板側にある場合
は、第５図に示したように２枚を背中合わせとし
たような構成も可能である。 情報の記録はレーザーなどの高エネルギービー
ムのスポツトを反射層の側から照射することによ
りなされ、吸収された熱により記録層に穴があき
記録がなされる。もちろん、吸収層の側からの記
録も可能である。また、情報の読出しは低出力レ
ーザービームを照射し、反射光量の変化により検
出することができる。 以下に実施例によつて本発明をさらに詳しく説
明するがこれに限定するものではない。 実施例 １ アクリル板に、Teを厚さ100nｍに蒸着して反
射層を得た。さらに、この上に８，17−ビス（４
−フエニルフエニルアミノ）インダンスレンを厚
さ150nｍに蒸着し光吸収層とした。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率はそれぞれ43％および２％で
あつた。 この記録媒体に、照射面エネルギー３ｍＷおよ
びビーム径1.6μｍの半導体レーザー光を照射して
1MHzの信号を記録した。 ピツトあたりの記録閾値は0.6nJ／ピツトであ
りそしてピツト径は1.3μｍであつた。 実施例 ２ ガラス板に、ポリビニルブチラールを1.5μｍの
厚さに塗布して下引き層とした。この基板に、
SeおよびSnを２：１の割合になるように共蒸着
して厚さ100nｍの反射層を得た。さらに、この
上に、 ポリビニルアルコール 0.5ｇ 水 10ｇ ８，17−ビス（２−メトキシ−４−スルホン酸フ
エニルアミノ）インダンスレン 0.3ｇ の組成よりなる溶液を回転塗布して光吸収層を得
た。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率はそれぞれ37％および１％で
あつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値0.7nJ／ピツトで直径
1.4μｍのピツトが形成された。 実施例 ３ アクリル板に、厚さ70nｍのAs10Se30Te60蒸着
膜を設け、反射層とした。さらに、この上に １，４−ビス−（４−メトキシフエニルアミノ）−
６，７−ジシアノアントラキノン １ｇ ジクロルエタン 10ｇ の組成よりなる溶液を回転塗布して光吸収層を得
た。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率は、それぞれ33％および12％
であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値1.2nJ／ピツトで直径
1.2μｍのピツトが形成された。 実施例 ４ 厚さ1.5mmのポリサルホン樹脂板に、 ２−〔７−（３−エチル−２−ベンゾチアゾリニリ
デン）−１，３，５−ヘプタトリエニル〕−３−エ
チルベンゾチアゾリウムクロリド ２ｇ ジクロルエタン 10ｇ の組成よりなる溶液を回転塗布してブロンズ色素
による反射層を得た。さらに、この上に８，17−
ビスアニリノインダンスレンを70nｍの厚さに蒸
着して、光吸収層を得た。 このようにして得られた記録媒体の反射率およ
び透過率は、27％および13％であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値0.7nJ／ピツトで直径
1.2μｍのピツトが形成された。 実施例 ５ ポリビニルアルコールを1.5μｍの厚さに塗布し
たアクリル板に、２，４−ビス−（２，４，６−
トリヒドロキシフエニル）−１，３−シクロブタ
ジエネデイリウム−１，３−ジオレートを50nｍ
の厚さに蒸着して反射層を得た。さらに、この上
に８，17−ビス（４−クロロフエニルアミノ）イ
ンダンスレンを100nｍの厚さに蒸着して光吸収
層を得た。 このようにして得られた記録媒体の反射率およ
び透過率はそれぞれ31％および６％であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ記録閾値0.7nJ／ピツトで直径1.3μ
ｍのピツトが形成された。 実施例 ６〜14 アクリル基板に、下表に示した材料を用いて反
射層および光吸収層を形成して記録媒体を得た。 これらを実施例１と同様に情報を記録したとこ
ろ、表に示した記録閾値を得た。
【表】
実施例 15
表面硬化したアクリル板に８，17−ビス（４−
フエニルアミノ）インダンスレンを厚さ100nｍ
に蒸着し光吸収層を得た。さらに、この上にBi
を厚さ50nｍに蒸着して光反射層とした。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率はそれぞれ38％および３％で
あつた。 この記録媒体に、実施例１と同様にして信号を
記録したところ記録閾値0.4nJ／ピツトで直径
1.4μｍのピツトが形成された。 実施例 16 ガラス基板に、光重合性のメタクリル酸メチル
モノマーを塗布し紫外線照射によつて硬化させ下
引き層を得た。 この基板に、６，15−ビス（４−アミノフエニ
ルチオ）インダンスレンを厚さ100nｍに蒸着し
て光吸収層を得た。さらに、この上にTeを厚さ
50nｍに蒸着して光反射層とした。 このようにして得られた記録媒体の800nｍに
おける反射率および透過率は、それぞれ42％およ
び４％であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値0.4nJ／ピツトで直径
1.4μｍのピツトが形成された。 実施例 17 実施例16で得られた記録媒体上に、SiOを厚さ
500nｍに蒸着して保護層とした。 実施例１と同様にして信号を記録したところ、
記録閾値0.7nJ／ピツトで直径1.2μｍのピツトが
形成された。 本発明で使用するその他の低融点金属またはブ
ロンズ光沢をもつ色素あるいはアントラキノン誘
導体について、上記実施例に記載した方法と同様
にして光記録用媒体を作成し情報を記録したとこ
ろ同様の特性が得られた。 上述のようにして構成された本発明の光記録用
媒体は半導体レーザーの波長域に吸収を有し、安
定性が高くしかも長期間の情報保存にすぐれた効
果を奏するものである。
フエニルアミノ）インダンスレンを厚さ100nｍ
に蒸着し光吸収層を得た。さらに、この上にBi
を厚さ50nｍに蒸着して光反射層とした。 こうして得られた記録媒体の800nｍにおける
反射率および透過率はそれぞれ38％および３％で
あつた。 この記録媒体に、実施例１と同様にして信号を
記録したところ記録閾値0.4nJ／ピツトで直径
1.4μｍのピツトが形成された。 実施例 16 ガラス基板に、光重合性のメタクリル酸メチル
モノマーを塗布し紫外線照射によつて硬化させ下
引き層を得た。 この基板に、６，15−ビス（４−アミノフエニ
ルチオ）インダンスレンを厚さ100nｍに蒸着し
て光吸収層を得た。さらに、この上にTeを厚さ
50nｍに蒸着して光反射層とした。 このようにして得られた記録媒体の800nｍに
おける反射率および透過率は、それぞれ42％およ
び４％であつた。 この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記
録したところ、記録閾値0.4nJ／ピツトで直径
1.4μｍのピツトが形成された。 実施例 17 実施例16で得られた記録媒体上に、SiOを厚さ
500nｍに蒸着して保護層とした。 実施例１と同様にして信号を記録したところ、
記録閾値0.7nJ／ピツトで直径1.2μｍのピツトが
形成された。 本発明で使用するその他の低融点金属またはブ
ロンズ光沢をもつ色素あるいはアントラキノン誘
導体について、上記実施例に記載した方法と同様
にして光記録用媒体を作成し情報を記録したとこ
ろ同様の特性が得られた。 上述のようにして構成された本発明の光記録用
媒体は半導体レーザーの波長域に吸収を有し、安
定性が高くしかも長期間の情報保存にすぐれた効
果を奏するものである。
第１図ないし第５図は本発明の光学的情報記録
媒体の構成を示す概念図である。 １……基板、２……反射層、３……吸収層、４
……下引き層、５……保護層、６……スペーサ
ー。
媒体の構成を示す概念図である。 １……基板、２……反射層、３……吸収層、４
……下引き層、５……保護層、６……スペーサ
ー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に反射層および吸収層を任意の順序で
積層してなる光学的情報記録媒体において、前記
反射層が低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色
素からなりそして前記吸収層が下記一般式（）
で示されるアントラキノン系化合物または下記一
般式（）で示されるインダンスレン系化合物か
らなることを特徴とする、光学的情報記録媒体。 （式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ水素、
アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ
基、シアノ基およびハロゲンを表わし、Ｙは水素
およびスルホネート基を表わし、Ar1は水素、フ
エニル基、ナフチル基およびそれらのスルホン化
物および塩を表わし、そして前記フエニル基はア
ルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルカ
ルボニル基、メチルチオ基、ハロゲンおよびフエ
ニルカルボニル基によつて置換されていてもよく
そしてAr2は水素、フエニル基、 およびそれらのスルホン化物および塩を表わ
し、そして前記フエニル基はアルキル基、アルコ
キシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、フエ
ニルカルボニル基およびハロゲンによつて置換さ
れていてもよい） （式中、X1、X2、X3およびX4は上記と同じ意味
を有し、X5は水素−NH−Ar1および−Ｓ−Arを
表わし、Ｚは水素、−NH−Ar1および−Ｓ−Ar1
を表わし、そしてAr1は上記と同じ意味を有す
る）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107543A JPS58224448A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107543A JPS58224448A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224448A JPS58224448A (ja) | 1983-12-26 |
| JPH0424771B2 true JPH0424771B2 (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=14461848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107543A Granted JPS58224448A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224448A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908294A (en) * | 1986-02-13 | 1990-03-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| EP0575816B1 (en) | 1992-06-12 | 1999-09-22 | Mitsui Chemicals, Inc. | Light-absorbing compound and optical recording medium containing same |
| TW454009B (en) | 1994-12-27 | 2001-09-11 | Mitsui Chemicals Inc | Near infrared light-absorbing dye of phthalocyanine compounds and optical recording media comprising them |
| US6248816B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-06-19 | Eastman Chemical Company | Thermoplastic polymer composition containing dye compositions |
| US6733950B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-05-11 | General Electric Company | Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760545A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Fujitsu Ltd | Optical recording medium |
-
1982
- 1982-06-24 JP JP57107543A patent/JPS58224448A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58224448A (ja) | 1983-12-26 |
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