JPS58224448A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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- JPS58224448A JPS58224448A JP57107543A JP10754382A JPS58224448A JP S58224448 A JPS58224448 A JP S58224448A JP 57107543 A JP57107543 A JP 57107543A JP 10754382 A JP10754382 A JP 10754382A JP S58224448 A JPS58224448 A JP S58224448A
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- JP
- Japan
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- indanthrene
- bis
- recording medium
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射層と吸収層との組合せとからなる新規な光
学的情報記録媒体に関する。
学的情報記録媒体に関する。
従来、光学的情報記録媒体としては、Ｔｏ、Ｂｉなどの
低融点全域単層、ブロンズ光沢をもつ色素単層および銀
鏡と色素とを積層したものを記録ｊ＠とじて用いるもの
が知らｔている。しかしながら、Ｔｅ％Ｂ１などのみに
よる記録層は低融点とはいえ記録に必要なエネルギーが
やや大きい。
低融点全域単層、ブロンズ光沢をもつ色素単層および銀
鏡と色素とを積層したものを記録ｊ＠とじて用いるもの
が知らｔている。しかしながら、Ｔｅ％Ｂ１などのみに
よる記録層は低融点とはいえ記録に必要なエネルギーが
やや大きい。
また、ブロンズ光沢金もつ色素を用いた記録媒体はその
色素の吸収波長付近の光にしか感度を示さないため、半
導体レーザーを使用する場合には感度がやや低い欠点が
ある。さらに銀鏡と色素を積層したタイプは必要な記録
エネルギーはＴｏ、Ｂｌ程度である。
色素の吸収波長付近の光にしか感度を示さないため、半
導体レーザーを使用する場合には感度がやや低い欠点が
ある。さらに銀鏡と色素を積層したタイプは必要な記録
エネルギーはＴｏ、Ｂｌ程度である。
本発明は上記問題に鑑みてなさ扛たものであって、低融
点金属またはブロンズ光沢をもつ色素を反射層として用
い、こｎに光吸収層全積層させることにより記録感度特
に半導体レーザーにおける記録感度を向上させることに
成功し本発明の完成に至った。
点金属またはブロンズ光沢をもつ色素を反射層として用
い、こｎに光吸収層全積層させることにより記録感度特
に半導体レーザーにおける記録感度を向上させることに
成功し本発明の完成に至った。
本発明の目的は光反射層と光吸収層との組み合わせＫよ
り、従来の光吸収層のみの記録媒体に比べ記録閾値を低
下させることである。また、本発明の別の目的は反射層
に低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色素全使用する
ことによ）、さらに高い記録感度を得ることである。
り、従来の光吸収層のみの記録媒体に比べ記録閾値を低
下させることである。また、本発明の別の目的は反射層
に低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色素全使用する
ことによ）、さらに高い記録感度を得ることである。
本発明の光学的情報記録媒体は、基板上に反射層および
吸収層を任意の順序で積層してなるものであって、前記
反射層が低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色素から
なしそして前記吸収層がアントラキノン構造またはイン
ダンスレン構造を有する化合物あるいは核化合物と他の
成分との組合せからなることを特徴とするものである。
吸収層を任意の順序で積層してなるものであって、前記
反射層が低融点金属またはブロンズ光沢をもつ色素から
なしそして前記吸収層がアントラキノン構造またはイン
ダンスレン構造を有する化合物あるいは核化合物と他の
成分との組合せからなることを特徴とするものである。
本発明の光学的情報記録媒体は基本的には基板、反射層
および吸収層から構成さ扛るものであるが、目的に応じ
て保護層、下引き層などの他の層會設けることもできる
。
および吸収層から構成さ扛るものであるが、目的に応じ
て保護層、下引き層などの他の層會設けることもできる
。
本発明に用いら扛る低融点金属としては、Ｂｉ、Ｔｏ
、Ｂｅ 、Ｓｎ 、Ｇθ％工ｎ ％ Ａｓ ％ Ｐｂ
％ Ｚｎなどの比較的低融点を示す金属あるいは十ｎら
の合金をあげることかできる。前記金属またはそｆらの
合金は例えば蒸着法やスパッタ法によって基板上に１０
〜１１０００ｎの厚さで適用することができる。
、Ｂｅ 、Ｓｎ 、Ｇθ％工ｎ ％ Ａｓ ％ Ｐｂ
％ Ｚｎなどの比較的低融点を示す金属あるいは十ｎら
の合金をあげることかできる。前記金属またはそｆらの
合金は例えば蒸着法やスパッタ法によって基板上に１０
〜１１０００ｎの厚さで適用することができる。
また、ブロンズ光沢をもつ色素としては、シアニン系マ
タはメロシアニン系色素、ｉＪフェニルメタン系染料、
キサンチン系染料、ナフトキノン系色素、スクウオレニ
ウム系色素、フタロシアニン系染料、ペリレン顔料、お
よびジオキサジン化合物などを適宜適訳使用できる。そ
の例には、２−（７−（３−エチル−２−ペンゾテγゾ
リニリテン）−ｉ、ｓ、ｓ−ヘブタトリエニル〕−３−
エチルベンゾチアゾリウムクロリド、２．４−ビス−（
２，４，６−）リヒドロキシフエニ／Ｉ／ ） −１１
３−シクロブタジエネデイリウム−１，３−ジチオレー
ト、１．３−ビス−〔６−ニテルーベンズチアゾリニリ
イデンー（２１−メチル〕−フエナレニウムテトラフル
オロボレート、Ｎ、Ｎ’−ジアニソール置換ペリレン、
０．工、ツルばントプルー、マゼンタベース、鉛フタロ
シアニン％０．工。
タはメロシアニン系色素、ｉＪフェニルメタン系染料、
キサンチン系染料、ナフトキノン系色素、スクウオレニ
ウム系色素、フタロシアニン系染料、ペリレン顔料、お
よびジオキサジン化合物などを適宜適訳使用できる。そ
の例には、２−（７−（３−エチル−２−ペンゾテγゾ
リニリテン）−ｉ、ｓ、ｓ−ヘブタトリエニル〕−３−
エチルベンゾチアゾリウムクロリド、２．４−ビス−（
２，４，６−）リヒドロキシフエニ／Ｉ／ ） −１１
３−シクロブタジエネデイリウム−１，３−ジチオレー
ト、１．３−ビス−〔６−ニテルーベンズチアゾリニリ
イデンー（２１−メチル〕−フエナレニウムテトラフル
オロボレート、Ｎ、Ｎ’−ジアニソール置換ペリレン、
０．工、ツルばントプルー、マゼンタベース、鉛フタロ
シアニン％０．工。
ダイレクトブルー１０８ （０，工、５１３２０）、６
−アばノー３−ヒドロキシ−９−（２−カルボキシフェ
ニル）−キサンチリウムクロリド、０．工。
−アばノー３−ヒドロキシ−９−（２−カルボキシフェ
ニル）−キサンチリウムクロリド、０．工。
ヴアットブル−１（ｏ、１．７３００ ）およびメチレ
ンブルーなどがある。本発明においては上記色素を複数
個組み合せることもできる。ま几、本発明におけるブロ
ンズ光沢をもつ色素は例えば蒸着または溶剤塗布法によ
シ基板上に１０〜１１０００ｎの厚さで適用さｎる。
ンブルーなどがある。本発明においては上記色素を複数
個組み合せることもできる。ま几、本発明におけるブロ
ンズ光沢をもつ色素は例えば蒸着または溶剤塗布法によ
シ基板上に１０〜１１０００ｎの厚さで適用さｎる。
本発明における吸収層として用いら扛る化合物は下記の
構造式ｑ〕および叩で表わさ扛るアントラキノン骨格ま
たはインダンスレン骨格上に穐々の置換基を有するもの
である。
構造式ｑ〕および叩で表わさ扛るアントラキノン骨格ま
たはインダンスレン骨格上に穐々の置換基を有するもの
である。
（ａｌ 構造代印
５−
（式中、１１ 、 Ｘ２ 、Ｘ３およびＸ４ｎそ扛′ぞ
ｔ水素、アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミ
ン基、シアノ基および〕・ロゲンを表わし、Ｙは水素お
よびスルホネート基を表わし、Ａｒ１は水素、フェニル
基、ナフチル基および七扛うのスルホン化物および塩を
表わしそして前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ
基、アミン基、アルキルカルボニル基、メチルチオ基、
ノ蔦ロゲンおよびフェニルカルボニル基によって置換さ
扛ていてもよくそしてＡｒ２は水素、フェニル基、−〇
− およびそｔらのスルホン化物および塩ｋｆｉわしソ１．
テ前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基−アばノ
基、アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基およ
びハロゲンによって置換さｆていてもよい）。
ｔ水素、アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミ
ン基、シアノ基および〕・ロゲンを表わし、Ｙは水素お
よびスルホネート基を表わし、Ａｒ１は水素、フェニル
基、ナフチル基および七扛うのスルホン化物および塩を
表わしそして前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ
基、アミン基、アルキルカルボニル基、メチルチオ基、
ノ蔦ロゲンおよびフェニルカルボニル基によって置換さ
扛ていてもよくそしてＡｒ２は水素、フェニル基、−〇
− およびそｔらのスルホン化物および塩ｋｆｉわしソ１．
テ前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基−アばノ
基、アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基およ
びハロゲンによって置換さｆていてもよい）。
（ｂｌ 構造式ｌ〕
（式中、ｘｌ 、ｘ２、Ｘ３およびｘ４は上記と同じ意
味を有し、Ｘ５は水素−ＮＨ−Ａｒ１および−８−Ａｒ
’ｉｉ表わし、２は水素、−ＮＨ−Ａｒ１および−８−
Ａｒ１’ｉ表わしセしてＡｒ１は上記と同じ意味を有す
る）０特に、構造式ｌのようにインダンスレン骨格をも
つ化合物は極大吸収波長が８００ｎｍ付近であるため、
半導体レーザー用の材料としては最適である。
味を有し、Ｘ５は水素−ＮＨ−Ａｒ１および−８−Ａｒ
’ｉｉ表わし、２は水素、−ＮＨ−Ａｒ１および−８−
Ａｒ１’ｉ表わしセしてＡｒ１は上記と同じ意味を有す
る）０特に、構造式ｌのようにインダンスレン骨格をも
つ化合物は極大吸収波長が８００ｎｍ付近であるため、
半導体レーザー用の材料としては最適である。
上記構造式（１）および印で表ゎさ扛るアントラキノン
銹導体の例を以下に示す。
銹導体の例を以下に示す。
１−アばノー４−（４−スルホン酸フェニルアミノ）
−６，７−シニトロアントラキノンナトリウム塩、１−
アニリノ−２−スルホン酸ナトＩＪ ラム塩−４−（４
−メチルフェニルアゼノ）アントラキノン、 ８．１
７−ビス−（４−メトキシフェニルア１））−（ンダン
スレン％ ｉ、４−ビス（６−スルホン酸ナトリウム
−４−メトキシフェニルアば〕） −６，７−ジシアツ
アントラキノン、１．４−ビス（５−スルホン酸ナトリ
ウム−４−クロロフェニルア１））−ｓ、ａ−ジクロロ
アントラキノン、１−（２−メチルフェニルアず））−
２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−アずノフェニル
アミノ） −６，７−シニトロアントラキノン、１．４
−ヒス（６−スルホン酸ナトリウム−４−７ニリノー１
−アントラキノリルアぐ））ベンゼン、１．４−ビス（
４−（４−スルホン酸ナトリウムーフエニルア（／）−
１−アントラキノリルγンノ）ベンゼン、１＃４−ビス
アニリノアントラキノン、１．４−ビス（４−メチルフ
ェニルアイノ）アントラキノン、１．４−ビス（４−メ
トキシフェニルア〈））アントラキノン、１．４−ビス
（４−アンノフェニルアば））アントラキノン、１．４
−ビス（４−ペンゾイルフェニルアゼノ）アントラキノ
ンｔ１．４−ヒス（４−りｐロフェニルアｉ））アント
ラキノン、１．４−ビス（４−アセテルフェニルアミノ
）アントラキノン、１．４−ビス（ナフチルアイノ）ア
ントラキノン、１．４−ビス（４−スルホン酸ナトリウ
ムフェニルアゼノ）アントラキノン、１．４−ビス（６
−スルホン酸ナトリウム−４−メチルフェニルアイノ）
アントラキノ ９− ン、１．４−ビス（３−スルホン酸−４−メトキシフェ
ニルアゼノ）アントラキノン、１，４−ビスアニリノ−
６，７−シニトロアントラキノン、１−７＝１．！ノー
４−（４−メチルフェニルアば）） −６，７−シニト
ロアントラキノン、１．４−ビス（４−スルホン酸ナト
リウムフェニルアイノ）−６，７−ジシアツアントラキ
ノン、１−ア二ＩＪ ／ −４−（４−ニトロフェニル
アミノ）アントラキノン、１−（４−メトキシフェニル
γｔ／）−４−（４−ニトロフェニルア＜））−アント
ラキノン、テレフタルアゼド、Ｎ、Ｎ’−ビス−１２−
１’ロモー４−（２−メチルチオアニリノ）−１−アン
トラキノリル）、１−（４−スルホン酸ナトリウムフェ
ニル了ゼノ） −４−（４−メチル−３−スルホン酸ナ
トリウムフェニルアゼノ） −５，８−シアノアントラ
キノン、１．４−ビス（４−メチルフェニルγｉ ／
） −６，７−１０− ジクロロアントラキノン、１．４−ビス（４−エトキシ
フェニルアξ）） −６，７−シニトロアントラキノン
％ ８．ｉ７−ヒス（４−メチルフェニルアず））イ
ンダンスレン、 ８．１７−ビス（４−クロｐフェニル
アぐ））インダンスレン、 ２，３．１１．１２−チト
ラニトロ−８，１７−ビスアニリノインダンスレンｓ
６，１５−ヒス（２−メチルチオフェニルアミノ）イン
ダンスレン、６．１５−ビス−（６，５−ジメトキシフ
ェニルアミノ）インダンスレン、８．１７−ヒス（アニ
リノ）インダンスレン、８．１７−ビス（４−スルホン
酸ナトリウムフェニルアミノ）インダンスレｙ、８．１
７−ビスフェニルチオインダンスレン％ ａ、Ｒ＝ヒス
（２−メトキシフェニルアξ））インダンスレン％ ８
，１７−ヒス（５−メトキシフェニルチオノ）インダン
スレン、８．１７−ヒス（２−メチルフェニルアミノ）
インダンスレン％ ８．ｉ７−ヒス（３−メチルフェ
ニルアば））インダンスレン％ ８．１７−ヒス（２−
クロロフェニルアミノ）インダンスレン、８．１７−ビ
ス（３−クロロフェニルアミノ）インダンスレンｓ ８
．ｉ７−ヒス（２−メチルチオフェニルアミノ）インダ
ンスレン、８．１７−ビス（６−メチルチオフェニルア
ミノ）インダンスレン、 ８．１７−ビス（４−メチル
チオフェニルアミノ）インダンスレン、８．１７−ヒス
（４−フェニルチオフェニルアミン）インダンスレン、
８．ｉ７−ヒス（２，５−ジメトキシフェニルアミノ
）インダンスレン、８，１７−ビス（４−メチル−２−
クロロフェニルアミノ）インダンスレン、Ｂ、１７−ヒ
ス（２，４，６−）リメチルフェニルアミノ）インダン
スレン、 ８．１７−ビス（１−ナフチルアミノ）イ
ンダンスレン、 ８．１７−ビス（２−ナフチルアミノ
）インダンスレン、 ８．１７−ビス（２−メトキシフ
ェニルチオ）インダンスレン、 ８．１７−ビス（４−
フェニルフェニル７！、／）インダンスレン、８．１７
−ビス（２−メトキシ−４−スルホン酸ナトリウムフェ
ニルアミノ）インダンスレン、 ８．１７−ビス（３−
メトキシ−４−スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）
インダンスレン、８．１７−ビス（４−メトキシ−２−
スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）インダンスレン
、 ８．１７−ビス（２−メチル−４−スルホン酸ナト
リウムフェニルアミノ）インダンスレン％ ８，１７−
ヒス（６−メチル−４−スルホン酸ナトリウムフェニル
アミノ）インダンスレン、８．１７−ヒス（４−メチル
−２−スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）インダン
スレン、８．１７−ビヌ（２−メチルチオ−４−スルホ
ン酸ナトリウムフェニルアば））インダンスレンｓ ８
＋１７−ヒス（３−メチルチオ−４−スルホン酸ナトリ
ウムフェニルアく））インダンスレン、 ８．１７−ビ
ス（４−メチ１３− ルナオー２−スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）イ
ンダンスレン、８，１７−ビス（４−（４−スルホン酸
ナトリウムフェニルチオ）フェニルアゼノコインダンス
レンｓ Ｂ、１ｙ−ヒス（２，５−ジメトキシ−４−ス
ルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）インダンスレンｓ
Ｂ、’＋７−ヒス〔１−（４−スルホン酸ナトリウム
ナフチル）アゼノコインダンスレン、８，１７−ビス（
２−（４−スルホン酸ナトリウムナフチル）アイノコイ
ンダンスレン、８．１７−ヒス（４−ヒドロキシフエ
゛ニルアミノ）インダンスレン、８，１７−ヒス（３−
ヒドロキシフエニルアゼノ）インダンスレン、８．１７
−ヒス（２−ヒドロキシフェニルアｉ））インダンスレ
ン、６＋１５−ヒス（２−１０ロフエニルアミノ）イン
ダンスレン％ ６１１５−ビス（６−クロロフエニルア
ば））インダンスレン、 ６．１５−ビス（４＝クロロ
フエニルアｔ））インダン１４− スレン、６．１５−ヒス（２−メチルフェニルチオノ）
インダンスレン、 ６．１５−ビス（６−メチルフェ
ニルチオノ）インダンスレン、６．１５−ビス（４−メ
テルフェニルアｉ））インダンスレン、６．１５−ビス
（４−りクロロ２−メチルフェニルアば））インダンス
レン、６．１５−ビス（３＝（メチルチオ）フェニルア
ゼノコインダンスレン、６．１５−ビス（２−（メチル
チオ）フェニルアばノコインダンスレンｓ ６，１５−
ビス（２−メトキシフェニルアミノ）インダンスレン％
６．ｉ５−ヒス（３−メトキシフェニルアず））イン
ダンスレン、６．１５−ヒス（４−メトキシフェニルア
ば））インダンスレン％ ６．１５−ヒス（４−工）＝
？シフェニルアばノ）インダンスレン％ ６．１５−ビ
ス（１−ナフチルアば））インダンスレン％６．１５−
ビス（２−ナフチルアゼノ）インダンスレン、６．１ｓ
−ヒス（４−（フェニルチオ）フェニルアミノコインダ
ンスレン、６．１５−ビス（２−クロロ−４−スルホン
酸ナトリウムフェニルアば））インダンスレン％ ６．
ｉ５−ヒス（３−クロロ−４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルＴε））インダンスレン、６，１５−ビス（４−
クロロ−２−スルホン酸ナトリウムフェニルアぐ））イ
ンダンスレン、６．１５−ビス（２−メチル−４−スル
ホン酸ナトリウム−フェニルアミン）インダンスレン％
６．１５−ビス（３−メチル−４−スルホン酸ナトリ
ウムーフェニルアば））インダンスレン、６．１５−ビ
ス（４−メチル−５−スルホ／酸ナトリウム−フェニル
アミン）インダンスレン、６．１５−ビス（２−メトキ
シ−４−スルホン酸ナトリウムーフエニルアξ））イン
ダンスレン、６．１５−ビス（３−メトキシ−４−スル
ホン酸ナトリウムーフェニルアば））インダンスレン、
６．１５−ビス（４−メトキシ−２−スルホン酸ナトリ
ウムーフェニルアば））インダンスレン、６．１５−ビ
ス（４−アミノフェニルチオ）インダンスレン、６．１
５−ヒス（４−メチルフェニルチオ）インダンスレン、
６．１５−ビス（４−スルホン酸ナトリウム−フェニ
ルチオ）インダンスレンＯ 本発明における吸収層は上述したようにアントラキノン
構造″１．ｆＣ，はインダンスレ／構造を有する化合物
単独またはそれらと他の成分（他の色素を含めて）との
組合せによって構成さ【る。
−６，７−シニトロアントラキノンナトリウム塩、１−
アニリノ−２−スルホン酸ナトＩＪ ラム塩−４−（４
−メチルフェニルアゼノ）アントラキノン、 ８．１
７−ビス−（４−メトキシフェニルア１））−（ンダン
スレン％ ｉ、４−ビス（６−スルホン酸ナトリウム
−４−メトキシフェニルアば〕） −６，７−ジシアツ
アントラキノン、１．４−ビス（５−スルホン酸ナトリ
ウム−４−クロロフェニルア１））−ｓ、ａ−ジクロロ
アントラキノン、１−（２−メチルフェニルアず））−
２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−アずノフェニル
アミノ） −６，７−シニトロアントラキノン、１．４
−ヒス（６−スルホン酸ナトリウム−４−７ニリノー１
−アントラキノリルアぐ））ベンゼン、１．４−ビス（
４−（４−スルホン酸ナトリウムーフエニルア（／）−
１−アントラキノリルγンノ）ベンゼン、１＃４−ビス
アニリノアントラキノン、１．４−ビス（４−メチルフ
ェニルアイノ）アントラキノン、１．４−ビス（４−メ
トキシフェニルア〈））アントラキノン、１．４−ビス
（４−アンノフェニルアば））アントラキノン、１．４
−ビス（４−ペンゾイルフェニルアゼノ）アントラキノ
ンｔ１．４−ヒス（４−りｐロフェニルアｉ））アント
ラキノン、１．４−ビス（４−アセテルフェニルアミノ
）アントラキノン、１．４−ビス（ナフチルアイノ）ア
ントラキノン、１．４−ビス（４−スルホン酸ナトリウ
ムフェニルアゼノ）アントラキノン、１．４−ビス（６
−スルホン酸ナトリウム−４−メチルフェニルアイノ）
アントラキノ ９− ン、１．４−ビス（３−スルホン酸−４−メトキシフェ
ニルアゼノ）アントラキノン、１，４−ビスアニリノ−
６，７−シニトロアントラキノン、１−７＝１．！ノー
４−（４−メチルフェニルアば）） −６，７−シニト
ロアントラキノン、１．４−ビス（４−スルホン酸ナト
リウムフェニルアイノ）−６，７−ジシアツアントラキ
ノン、１−ア二ＩＪ ／ −４−（４−ニトロフェニル
アミノ）アントラキノン、１−（４−メトキシフェニル
γｔ／）−４−（４−ニトロフェニルア＜））−アント
ラキノン、テレフタルアゼド、Ｎ、Ｎ’−ビス−１２−
１’ロモー４−（２−メチルチオアニリノ）−１−アン
トラキノリル）、１−（４−スルホン酸ナトリウムフェ
ニル了ゼノ） −４−（４−メチル−３−スルホン酸ナ
トリウムフェニルアゼノ） −５，８−シアノアントラ
キノン、１．４−ビス（４−メチルフェニルγｉ ／
） −６，７−１０− ジクロロアントラキノン、１．４−ビス（４−エトキシ
フェニルアξ）） −６，７−シニトロアントラキノン
％ ８．ｉ７−ヒス（４−メチルフェニルアず））イ
ンダンスレン、 ８．１７−ビス（４−クロｐフェニル
アぐ））インダンスレン、 ２，３．１１．１２−チト
ラニトロ−８，１７−ビスアニリノインダンスレンｓ
６，１５−ヒス（２−メチルチオフェニルアミノ）イン
ダンスレン、６．１５−ビス−（６，５−ジメトキシフ
ェニルアミノ）インダンスレン、８．１７−ヒス（アニ
リノ）インダンスレン、８．１７−ビス（４−スルホン
酸ナトリウムフェニルアミノ）インダンスレｙ、８．１
７−ビスフェニルチオインダンスレン％ ａ、Ｒ＝ヒス
（２−メトキシフェニルアξ））インダンスレン％ ８
，１７−ヒス（５−メトキシフェニルチオノ）インダン
スレン、８．１７−ヒス（２−メチルフェニルアミノ）
インダンスレン％ ８．ｉ７−ヒス（３−メチルフェ
ニルアば））インダンスレン％ ８．１７−ヒス（２−
クロロフェニルアミノ）インダンスレン、８．１７−ビ
ス（３−クロロフェニルアミノ）インダンスレンｓ ８
．ｉ７−ヒス（２−メチルチオフェニルアミノ）インダ
ンスレン、８．１７−ビス（６−メチルチオフェニルア
ミノ）インダンスレン、 ８．１７−ビス（４−メチル
チオフェニルアミノ）インダンスレン、８．１７−ヒス
（４−フェニルチオフェニルアミン）インダンスレン、
８．ｉ７−ヒス（２，５−ジメトキシフェニルアミノ
）インダンスレン、８，１７−ビス（４−メチル−２−
クロロフェニルアミノ）インダンスレン、Ｂ、１７−ヒ
ス（２，４，６−）リメチルフェニルアミノ）インダン
スレン、 ８．１７−ビス（１−ナフチルアミノ）イ
ンダンスレン、 ８．１７−ビス（２−ナフチルアミノ
）インダンスレン、 ８．１７−ビス（２−メトキシフ
ェニルチオ）インダンスレン、 ８．１７−ビス（４−
フェニルフェニル７！、／）インダンスレン、８．１７
−ビス（２−メトキシ−４−スルホン酸ナトリウムフェ
ニルアミノ）インダンスレン、 ８．１７−ビス（３−
メトキシ−４−スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）
インダンスレン、８．１７−ビス（４−メトキシ−２−
スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）インダンスレン
、 ８．１７−ビス（２−メチル−４−スルホン酸ナト
リウムフェニルアミノ）インダンスレン％ ８，１７−
ヒス（６−メチル−４−スルホン酸ナトリウムフェニル
アミノ）インダンスレン、８．１７−ヒス（４−メチル
−２−スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）インダン
スレン、８．１７−ビヌ（２−メチルチオ−４−スルホ
ン酸ナトリウムフェニルアば））インダンスレンｓ ８
＋１７−ヒス（３−メチルチオ−４−スルホン酸ナトリ
ウムフェニルアく））インダンスレン、 ８．１７−ビ
ス（４−メチ１３− ルナオー２−スルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）イ
ンダンスレン、８，１７−ビス（４−（４−スルホン酸
ナトリウムフェニルチオ）フェニルアゼノコインダンス
レンｓ Ｂ、１ｙ−ヒス（２，５−ジメトキシ−４−ス
ルホン酸ナトリウムフェニルアミノ）インダンスレンｓ
Ｂ、’＋７−ヒス〔１−（４−スルホン酸ナトリウム
ナフチル）アゼノコインダンスレン、８，１７−ビス（
２−（４−スルホン酸ナトリウムナフチル）アイノコイ
ンダンスレン、８．１７−ヒス（４−ヒドロキシフエ
゛ニルアミノ）インダンスレン、８，１７−ヒス（３−
ヒドロキシフエニルアゼノ）インダンスレン、８．１７
−ヒス（２−ヒドロキシフェニルアｉ））インダンスレ
ン、６＋１５−ヒス（２−１０ロフエニルアミノ）イン
ダンスレン％ ６１１５−ビス（６−クロロフエニルア
ば））インダンスレン、 ６．１５−ビス（４＝クロロ
フエニルアｔ））インダン１４− スレン、６．１５−ヒス（２−メチルフェニルチオノ）
インダンスレン、 ６．１５−ビス（６−メチルフェ
ニルチオノ）インダンスレン、６．１５−ビス（４−メ
テルフェニルアｉ））インダンスレン、６．１５−ビス
（４−りクロロ２−メチルフェニルアば））インダンス
レン、６．１５−ビス（３＝（メチルチオ）フェニルア
ゼノコインダンスレン、６．１５−ビス（２−（メチル
チオ）フェニルアばノコインダンスレンｓ ６，１５−
ビス（２−メトキシフェニルアミノ）インダンスレン％
６．ｉ５−ヒス（３−メトキシフェニルアず））イン
ダンスレン、６．１５−ヒス（４−メトキシフェニルア
ば））インダンスレン％ ６．１５−ヒス（４−工）＝
？シフェニルアばノ）インダンスレン％ ６．１５−ビ
ス（１−ナフチルアば））インダンスレン％６．１５−
ビス（２−ナフチルアゼノ）インダンスレン、６．１ｓ
−ヒス（４−（フェニルチオ）フェニルアミノコインダ
ンスレン、６．１５−ビス（２−クロロ−４−スルホン
酸ナトリウムフェニルアば））インダンスレン％ ６．
ｉ５−ヒス（３−クロロ−４−スルホン酸ナトリウムフ
エニルＴε））インダンスレン、６，１５−ビス（４−
クロロ−２−スルホン酸ナトリウムフェニルアぐ））イ
ンダンスレン、６．１５−ビス（２−メチル−４−スル
ホン酸ナトリウム−フェニルアミン）インダンスレン％
６．１５−ビス（３−メチル−４−スルホン酸ナトリ
ウムーフェニルアば））インダンスレン、６．１５−ビ
ス（４−メチル−５−スルホ／酸ナトリウム−フェニル
アミン）インダンスレン、６．１５−ビス（２−メトキ
シ−４−スルホン酸ナトリウムーフエニルアξ））イン
ダンスレン、６．１５−ビス（３−メトキシ−４−スル
ホン酸ナトリウムーフェニルアば））インダンスレン、
６．１５−ビス（４−メトキシ−２−スルホン酸ナトリ
ウムーフェニルアば））インダンスレン、６．１５−ビ
ス（４−アミノフェニルチオ）インダンスレン、６．１
５−ヒス（４−メチルフェニルチオ）インダンスレン、
６．１５−ビス（４−スルホン酸ナトリウム−フェニ
ルチオ）インダンスレンＯ 本発明における吸収層は上述したようにアントラキノン
構造″１．ｆＣ，はインダンスレ／構造を有する化合物
単独またはそれらと他の成分（他の色素を含めて）との
組合せによって構成さ【る。
吸収層は、上記化合物を溶媒に溶解させ塗布する方式や
、蒸着する方式、樹脂溶液と混合して塗布する方式、他
の色素との共蒸着方式、他の色素との混合浴液を塗布す
る方式、他の色素とともに樹脂溶液に溶解させて塗布す
る方式などによって形成される。その際、樹脂としては
、ＰＶＡ％ＰＶＰ 、ポリビニルブチラール、ポリカー
ボ１７− ネートなど既知のものが用いら扛、樹脂に対する上記化
合物の量は重量比で０．０１以上ノあることが望ましい
。また、他の色素としては別の種類のアントラキノン誘
導体でもよいし、トリア糸色素メタン系色累、アゾ染料
など半導体レーザーの波長域以外に吸収をもつもの全開
いたほうが、半導体レーザーだけでなくＨθ−Ｎθレー
ザーなどでも記録ができる媒体が得ら扛るので好適であ
る。吸収層の厚さは０．０１〜１μｍ好ましくは０．０
５〜０，５μｍの範囲である。
、蒸着する方式、樹脂溶液と混合して塗布する方式、他
の色素との共蒸着方式、他の色素との混合浴液を塗布す
る方式、他の色素とともに樹脂溶液に溶解させて塗布す
る方式などによって形成される。その際、樹脂としては
、ＰＶＡ％ＰＶＰ 、ポリビニルブチラール、ポリカー
ボ１７− ネートなど既知のものが用いら扛、樹脂に対する上記化
合物の量は重量比で０．０１以上ノあることが望ましい
。また、他の色素としては別の種類のアントラキノン誘
導体でもよいし、トリア糸色素メタン系色累、アゾ染料
など半導体レーザーの波長域以外に吸収をもつもの全開
いたほうが、半導体レーザーだけでなくＨθ−Ｎθレー
ザーなどでも記録ができる媒体が得ら扛るので好適であ
る。吸収層の厚さは０．０１〜１μｍ好ましくは０．０
５〜０，５μｍの範囲である。
次に、図面を参照して本発明の光学的情報配録媒体の構
成側全以下に示す。
成側全以下に示す。
第１図は本発明の記録媒体の基本構成を示す概念図であ
って、基板１上に反射層２を設け、さらにその上に吸収
１＠３ヲ設けたものである。
って、基板１上に反射層２を設け、さらにその上に吸収
１＠３ヲ設けたものである。
基板としては、ガラスおよびプラスチック例えばアクリ
ル、ポリカーボネートなど透明なもの１８− が用いらｎる。また、下引き層４や、保護層５の両方も
しくはそのいずｎかを設けても何らさしつかえはない。
ル、ポリカーボネートなど透明なもの１８− が用いらｎる。また、下引き層４や、保護層５の両方も
しくはそのいずｎかを設けても何らさしつかえはない。
第２図にはその両方を設けた例を示した。情報の記録は
、基板を通して行なわｎる。
、基板を通して行なわｎる。
また、第３図に示したような構成も可能であｐ、基板１
上に吸収層６を設けさらにその上に反射層２を設けたも
のである。この場合、基板としては、ガラスおよびプラ
スチック例えばアクリル、ポリカーボネートなどのほか
に、鉄、アルずニウムなどの金属も使用できる。また、
下引き層４や保一層５を両方とももしくはそのいず牡か
を設けても何らさしつかえない。第４図にはその両方を
設けた例を示した。情報の記録は、反射層の側から行な
わ扛る。反射層が基板側におる場合は、第５図に示した
ように２枚を背中合わせとしたような構成も可能である
。
上に吸収層６を設けさらにその上に反射層２を設けたも
のである。この場合、基板としては、ガラスおよびプラ
スチック例えばアクリル、ポリカーボネートなどのほか
に、鉄、アルずニウムなどの金属も使用できる。また、
下引き層４や保一層５を両方とももしくはそのいず牡か
を設けても何らさしつかえない。第４図にはその両方を
設けた例を示した。情報の記録は、反射層の側から行な
わ扛る。反射層が基板側におる場合は、第５図に示した
ように２枚を背中合わせとしたような構成も可能である
。
情報の記録はレーザーなどの高エネルギービームのスポ
ラトラ反射層の側から照射することによシなさｎ、吸収
さ′ｎた熱により記録鳩に穴があき記録がなさｔ１５る
。もちろん、吸収層の側からの記録も可能である。また
、情報の読出しは低出力レーザービームを照射し、ル射
光量の変化により検出することができる。
ラトラ反射層の側から照射することによシなさｎ、吸収
さ′ｎた熱により記録鳩に穴があき記録がなさｔ１５る
。もちろん、吸収層の側からの記録も可能である。また
、情報の読出しは低出力レーザービームを照射し、ル射
光量の変化により検出することができる。
以下に実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが
こｎＫ限定するものではない。
こｎＫ限定するものではない。
実施例 １
アクリル板に、Ｔθ全全厚１’００ｎｍに蒸着して反射
層を得た。さらに、この上に８．１７−ビス（４−フェ
ニルフェニルアξ））インダンスレンを厚さ１５０ｎｍ
に蒸着し光吸収層とした。
層を得た。さらに、この上に８．１７−ビス（４−フェ
ニルフェニルアξ））インダンスレンを厚さ１５０ｎｍ
に蒸着し光吸収層とした。
こうして得らｎ５記録媒体の８００ｎｍにおける反射率
および透過率はそ扛ぞｎ４５％および２％であった。
および透過率はそ扛ぞｎ４５％および２％であった。
この記録媒体に、照射面エネルギー３ｍＷおよびビーム
径１．６μｍの半導体レーザー光を照射してＩ ＭＨ２
の信号を記録した。
径１．６μｍの半導体レーザー光を照射してＩ ＭＨ２
の信号を記録した。
ピットあたりの記録閾値はａ６ｎ、Ｔ／ピットでありそ
してピット径は１．６μｍであつ７ｔ。
してピット径は１．６μｍであつ７ｔ。
実施例 ２
ガラス板に、ポリビニルプチラールヲ１．５μｍの厚さ
に塗布して下引き層とし友。この基板に、８ｅおよび日
ｎｆｆ１２：１の割合になるように共蒸着して厚さ１１
００ｎの反射層を得た。さらに、この上に、 ポリビニルアルロール ０，５ｖ水
１（１８，１７ゼ
ス（２−メトキシ−４−スルホン酸 ０，３ｖフ
エニルアゼノ）インダンスレン の組成よｐなる溶液を回転塗布して光吸収層を得’Ｉｃ
ｅ ２１− こうして得らｎＪ’ｃ記録媒体の８００ｎｍにおける反
射率および透過率はそｎぞ３３７％および１％であった
。
に塗布して下引き層とし友。この基板に、８ｅおよび日
ｎｆｆ１２：１の割合になるように共蒸着して厚さ１１
００ｎの反射層を得た。さらに、この上に、 ポリビニルアルロール ０，５ｖ水
１（１８，１７ゼ
ス（２−メトキシ−４−スルホン酸 ０，３ｖフ
エニルアゼノ）インダンスレン の組成よｐなる溶液を回転塗布して光吸収層を得’Ｉｃ
ｅ ２１− こうして得らｎＪ’ｃ記録媒体の８００ｎｍにおける反
射率および透過率はそｎぞ３３７％および１％であった
。
この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記録したと
ころ、記録閾値０．７ｎＪ／ピツトで直径１．４μｍの
ピットが形成さｎた。
ころ、記録閾値０．７ｎＪ／ピツトで直径１．４μｍの
ピットが形成さｎた。
実施例 ３
アクリル板に、厚さ７ＱｎｍのＡｓ１０Ｓｅ３ｏＴｅ６
ｏ蒸着膜を設け、反射層とした。さらに、この上にノン ジクロルエタン １０Ｆの組
成よりなる浴液全回転塗布して光吸収層を得た◎ こうして得らｎｆＣ記録媒体の８００ｎｍにおける反射
率および透過率は、そｎぞｎ３３％および１２％であっ
た。
ｏ蒸着膜を設け、反射層とした。さらに、この上にノン ジクロルエタン １０Ｆの組
成よりなる浴液全回転塗布して光吸収層を得た◎ こうして得らｎｆＣ記録媒体の８００ｎｍにおける反射
率および透過率は、そｎぞｎ３３％および１２％であっ
た。
２２−
この記録媒体に実施例１と同様に［７て情報を記録した
ところ、記録閾値１．２ ｎＪ／ピットで直径１．２μ
ｍのピットが形成さｎた。
ところ、記録閾値１．２ ｎＪ／ピットで直径１．２μ
ｍのピットが形成さｎた。
実施例 ４
厚さ１．５關のポリサルホン樹脂板に、ゾリウムクロリ
ド ジクロルエタン １０ｖの組成よりな
る溶液全回転塗布してブロンズ色素による反射層を得た
。さらに、この上に８．１７−ビスアニリノインダンス
レ／’ｆｒ７０ｎｍの厚さに蒸着して、光吸収層を得た
＠ このようにして得らｎた記録媒体の反射率および透過率
は、２７％および１６％であった。
ド ジクロルエタン １０ｖの組成よりな
る溶液全回転塗布してブロンズ色素による反射層を得た
。さらに、この上に８．１７−ビスアニリノインダンス
レ／’ｆｒ７０ｎｍの厚さに蒸着して、光吸収層を得た
＠ このようにして得らｎた記録媒体の反射率および透過率
は、２７％および１６％であった。
この記録媒体に実施例１と同様にして情報を記録したと
ころ、記録閾値α７ｎ：ｒ／ビットで直径１．２μｍの
ピットが形成さｌｒした。
ころ、記録閾値α７ｎ：ｒ／ビットで直径１．２μｍの
ピットが形成さｌｒした。
実施例 ５
ポリビニルアルコール全１．５μｍの厚さに塗布したア
クリル板Ｋｓ ２，４−ビス−（２，４，６−）リヒ
ドロキシフェニル） −１，３−シクロブタジエネデイ
リウム−１，３−ジオレートｋ ５０ ｎｍの厚さに蒸
着して反射層を得た。さらに、この上Ｋ ８，１７−ビ
ス（４−クロロフェニルアミノ）インダンスレンｆｆｉ
１００ｎｍの厚さに蒸着して光吸収層を得た。
クリル板Ｋｓ ２，４−ビス−（２，４，６−）リヒ
ドロキシフェニル） −１，３−シクロブタジエネデイ
リウム−１，３−ジオレートｋ ５０ ｎｍの厚さに蒸
着して反射層を得た。さらに、この上Ｋ ８，１７−ビ
ス（４−クロロフェニルアミノ）インダンスレンｆｆｉ
１００ｎｍの厚さに蒸着して光吸収層を得た。
このようにして得ら扛た記録媒体の反射率および透過率
はそｎぞ３３１％および６％であったＯ この記録媒体に実施例１と同様にして情＠全記録したと
ころ記録閾値０．７ｎＪ／ピツトで直径 １．３
μｍのピットが形成さ扛た。
はそｎぞ３３１％および６％であったＯ この記録媒体に実施例１と同様にして情＠全記録したと
ころ記録閾値０．７ｎＪ／ピツトで直径 １．３
μｍのピットが形成さ扛た。
実施例 ６〜１４
アクリル基板に、下表に示した材料を用いて反射層およ
び光吸収層を形成して記録媒体を得几口 こｎらを実施例１と同様に情報全記録し九ところ、表に
示し友記録閾値を得た。
び光吸収層を形成して記録媒体を得几口 こｎらを実施例１と同様に情報全記録し九ところ、表に
示し友記録閾値を得た。
−２５＝
実施例 １５
表面硬化したアクリル板に８．１７−ビス（４−フェニ
ルアミノ）インダンスレンｋＪｌす１００ｎｍに蒸着し
光吸収層ヲ得り。さらに、この上にＢ１を厚さ５０ｎｍ
に蒸着１−て光反射層とした。
ルアミノ）インダンスレンｋＪｌす１００ｎｍに蒸着し
光吸収層ヲ得り。さらに、この上にＢ１を厚さ５０ｎｍ
に蒸着１−て光反射層とした。
こうして得ら扛た記録媒体の８００ｎｍにおける反射率
および透過率はそ扛ぞｎ、６８％および６％であった。
および透過率はそ扛ぞｎ、６８％および６％であった。
この記録媒体に、実施例１と同様にして信号全記録した
ところ記録閾値０．４ｎＪ／ビツトで直径１．４μｍの
ピットが形成さｎ−ｆｃ。
ところ記録閾値０．４ｎＪ／ビツトで直径１．４μｍの
ピットが形成さｎ−ｆｃ。
、実施例 １６
ガラス基板に、光重合性のメタクリル酸メチルモノマー
を塗布し紫外線照射によって硬化させ下引き層を得た。
を塗布し紫外線照射によって硬化させ下引き層を得た。
この基板に、６．１５−ビス（４−アミノフェニルチオ
）インダンスレンを厚さ１１００ｎに蒸着２７− ２６− して光吸収層を得た。さらに、この上に’ｒｅを厚さ５
０ｎｍに蒸着して光反射ｊ＠とじた。
）インダンスレンを厚さ１１００ｎに蒸着２７− ２６− して光吸収層を得た。さらに、この上に’ｒｅを厚さ５
０ｎｍに蒸着して光反射ｊ＠とじた。
このようにして得ら′ｎた記録媒体の８００ｎｍにおけ
る反射率および透過率は、そ・扛ぞｔ′Ｌ、４２％およ
び４％であった〇 この記録媒体に実施例１と同様にして情＠全記録したと
ころ、記録閾値０．４ｎＪ／ビツトで直径１．４μｍの
ピットが形成さ扛た。
る反射率および透過率は、そ・扛ぞｔ′Ｌ、４２％およ
び４％であった〇 この記録媒体に実施例１と同様にして情＠全記録したと
ころ、記録閾値０．４ｎＪ／ビツトで直径１．４μｍの
ピットが形成さ扛た。
実施例 １７
実施例１６で得らｎた記録媒体上に、Ｓ１０を厚さ５０
０ｎｍに蒸着して保麟ｔＷとした。
０ｎｍに蒸着して保麟ｔＷとした。
実施例１と同様にして信号を記録したところ、記録閾値
α７ｎＪ／ピツトで直径１．２μｍのピットが形成さｒ
した。
α７ｎＪ／ピツトで直径１．２μｍのピットが形成さｒ
した。
本発明で使用するその他の低融点金属またはブロンズ光
沢をもつ色素あるいはγ／トラキノン誘導体について、
上記実施例に記載した方法２８− と同様にして光記録用媒体全作成し情報を記録したとこ
ろ同様の特性が得らｔ′した。
沢をもつ色素あるいはγ／トラキノン誘導体について、
上記実施例に記載した方法２８− と同様にして光記録用媒体全作成し情報を記録したとこ
ろ同様の特性が得らｔ′した。
上述のようにして構成さｎ、７ｔ、本発明の光記録用媒
体は半導体レーザーの波長域に吸収を有し、安定性が高
くしかも長期間の情報保存にすぐｎた効果を奏するもの
である。
体は半導体レーザーの波長域に吸収を有し、安定性が高
くしかも長期間の情報保存にすぐｎた効果を奏するもの
である。
第１図ないし第５図は本発明の光学的情報記録媒体の構
成を示す概念図である。 １・・・基板、２・・・尺躬層、６・・・吸収層、４・
・・下引き層、５・・・保＃’ｊ１ＭＡ、６・・・スペ
ーサー。 特許出願人 株式会社 リ コ 一２９− ２９５
成を示す概念図である。 １・・・基板、２・・・尺躬層、６・・・吸収層、４・
・・下引き層、５・・・保＃’ｊ１ＭＡ、６・・・スペ
ーサー。 特許出願人 株式会社 リ コ 一２９− ２９５
Claims (1)
- 基板上に反射層および吸収層を任意の順序で積層してな
る光学的情報記録媒体において、前記反射層が低融点金
属ま７ｔはブロンズ光沢をもつ色素からなりそして前記
吸収層がアントラキノン構造ま友はイ２ダンス（レン構
造を有する化合物あるいは該化合物と他の成分との組合
せからなることを特徴とする、光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107543A JPS58224448A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107543A JPS58224448A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224448A true JPS58224448A (ja) | 1983-12-26 |
| JPH0424771B2 JPH0424771B2 (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=14461848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107543A Granted JPS58224448A (ja) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224448A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908294A (en) * | 1986-02-13 | 1990-03-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| EP0575816A1 (en) | 1992-06-12 | 1993-12-29 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Light-absorbing compound and optical recording medium containing same |
| EP0719839A2 (en) | 1994-12-27 | 1996-07-03 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Phthalocyanine compounds and optical recording media comprising them |
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Also Published As
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| JPH0424771B2 (ja) | 1992-04-28 |
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