JPH0424874B2 - - Google Patents
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- JPH0424874B2 JPH0424874B2 JP57008453A JP845382A JPH0424874B2 JP H0424874 B2 JPH0424874 B2 JP H0424874B2 JP 57008453 A JP57008453 A JP 57008453A JP 845382 A JP845382 A JP 845382A JP H0424874 B2 JPH0424874 B2 JP H0424874B2
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- charge transfer
- channel
- vertical shift
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた固体撮像装置に
関するものである。
関するものである。
固体撮像装置は、小型軽量、低消費電力、高信
頼性を特徴とし、しかも撮像管におけるような焼
き付けの心配もないため、近年、多方面にわたつ
て研究開発がなされている。
頼性を特徴とし、しかも撮像管におけるような焼
き付けの心配もないため、近年、多方面にわたつ
て研究開発がなされている。
第１図は上述した電荷転送撮像装置のうち、イ
ンターライン転送方式と呼ばれるものの概略図で
あり、複数列の電荷転送装置から成る垂直シフト
レジスタ群１０と、各垂直シフトレジスタの片側
に隣接して配置された光電変換素子群１１と、各
垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合した水
平シフトレジスタ１２の一端に設けられた電荷検
出部１３から構成されている。
ンターライン転送方式と呼ばれるものの概略図で
あり、複数列の電荷転送装置から成る垂直シフト
レジスタ群１０と、各垂直シフトレジスタの片側
に隣接して配置された光電変換素子群１１と、各
垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合した水
平シフトレジスタ１２の一端に設けられた電荷検
出部１３から構成されている。
第２図は第１図に示す電荷転送撮像装置のうち
垂直シフトレジスタ群１０と水平シフトレジスタ
１２との結合領域１４の拡大図であり、垂直シフ
トレジスタ１０のチヤネル領域２０は垂直電荷転
送電極２１，２２と、垂直シフトレジスタ１０か
ら水平シフトレジスタ１２への信号電荷の転送を
制御する垂直トランスフアゲート電極２３で被わ
れている。また水平シフトレジスタ１２のチヤネ
ル領域２４は水平電荷転送電極２５，２６，２
７，２８，２９で被われている。さらに同図にお
いてチヤネル領域２０の末端の領域３０を水平電
荷転送電極２７の一部で被うことにより、垂直シ
フトレジスタ１０と水平シフトレジスタ１２が電
気的に結合されている。
垂直シフトレジスタ群１０と水平シフトレジスタ
１２との結合領域１４の拡大図であり、垂直シフ
トレジスタ１０のチヤネル領域２０は垂直電荷転
送電極２１，２２と、垂直シフトレジスタ１０か
ら水平シフトレジスタ１２への信号電荷の転送を
制御する垂直トランスフアゲート電極２３で被わ
れている。また水平シフトレジスタ１２のチヤネ
ル領域２４は水平電荷転送電極２５，２６，２
７，２８，２９で被われている。さらに同図にお
いてチヤネル領域２０の末端の領域３０を水平電
荷転送電極２７の一部で被うことにより、垂直シ
フトレジスタ１０と水平シフトレジスタ１２が電
気的に結合されている。
第３図は第２図に示す結合領域−′線上の
断面を模式的に示したものである。半導体基板３
２の主面には絶縁層３２を介して上述した垂直電
荷転送電極２１，２２、垂直トランスフアゲート
電極２３、水平電荷転送電極２７が形成されてい
る。また上記の各電極下には、例えば基板半導体
とは反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層３３が
形成され、またチヤネル領域の外側には例えば埋
込みチヤネル層３３の不純物と反対の導電型不純
物をドーピングしたチヤネルストツプ領域３４が
形成されている。また半導体の主面は例えば金属
層３５で光遮蔽されている。同図において領域３
６は垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタを
電気的に結合している第２図の領域３０を示しま
た領域３７は水平シフトレジスタのチヤネル領域
を示している。
断面を模式的に示したものである。半導体基板３
２の主面には絶縁層３２を介して上述した垂直電
荷転送電極２１，２２、垂直トランスフアゲート
電極２３、水平電荷転送電極２７が形成されてい
る。また上記の各電極下には、例えば基板半導体
とは反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層３３が
形成され、またチヤネル領域の外側には例えば埋
込みチヤネル層３３の不純物と反対の導電型不純
物をドーピングしたチヤネルストツプ領域３４が
形成されている。また半導体の主面は例えば金属
層３５で光遮蔽されている。同図において領域３
６は垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタを
電気的に結合している第２図の領域３０を示しま
た領域３７は水平シフトレジスタのチヤネル領域
を示している。
かかる構造の電荷転送撮像装置の動作は、第１
図において光電変換素子群１１に入射量に応じて
蓄積された信号電荷が映像信号のフレーム周期、
あるいはフイールド周期ごとに対応する垂直シフ
トレジスタ群１０へ読み出されたのち、映像信号
の水平走査周期（1H）ごとに前記垂直シフトレ
ジスタ群１０内を並列に下方向に順次転送され
る。垂直シフトレジスタ群１０の末端まで転送さ
れた信号電荷は、垂直トランスフアゲート電極２
３がオン状態となる水平走査周期（1H）ごとに
水平シフトレジスタ１２へ並列に注入される。水
平シフトレジスタ１２へ送られた信号電荷は、次
の周期で垂直シフトレジスタ群１０から信号電荷
が転送されてくる間に、水平方向に順次転送さ
れ、電荷検出部１３から映像信号として外部へ取
り出される。
図において光電変換素子群１１に入射量に応じて
蓄積された信号電荷が映像信号のフレーム周期、
あるいはフイールド周期ごとに対応する垂直シフ
トレジスタ群１０へ読み出されたのち、映像信号
の水平走査周期（1H）ごとに前記垂直シフトレ
ジスタ群１０内を並列に下方向に順次転送され
る。垂直シフトレジスタ群１０の末端まで転送さ
れた信号電荷は、垂直トランスフアゲート電極２
３がオン状態となる水平走査周期（1H）ごとに
水平シフトレジスタ１２へ並列に注入される。水
平シフトレジスタ１２へ送られた信号電荷は、次
の周期で垂直シフトレジスタ群１０から信号電荷
が転送されてくる間に、水平方向に順次転送さ
れ、電荷検出部１３から映像信号として外部へ取
り出される。
この様な従来の電荷転送撮像装置では、高輝度
被写体を撮像した場合などに、映像が横方向に流
れたり、あるいは映像の前の横線状の偽信号が現
われたりする、撮像動作上好ましくない現象が見
受けられた。この現像は前記電荷転送撮像装置を
単板カラーカメラに応用した場合など、色ずれ、
あるいは色のシエーデイングの原因ともなつてい
た。
被写体を撮像した場合などに、映像が横方向に流
れたり、あるいは映像の前の横線状の偽信号が現
われたりする、撮像動作上好ましくない現象が見
受けられた。この現像は前記電荷転送撮像装置を
単板カラーカメラに応用した場合など、色ずれ、
あるいは色のシエーデイングの原因ともなつてい
た。
前記現像は第２図あるいは第３図に示す垂直シ
フトレジスタと水平シフトレジスタの結合領域の
構造に起因するものである。第４図ａ，ｂ，ｃは
前記現像を説明するために第３図に示す結合領域
の断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第４図ａ，ｂは垂直電荷転送電極２
１，２２と水平電荷転送電極２７がオン状態で、
垂直トランスフアゲート電極２３がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第４図ｃは水平電荷転
送電極２７だけが前記状態からオフ状態に変換し
た時点の電位分布を示している。また第５図はチ
ヤネル領域の幅とこの領域でのチヤネル電位の関
係を示す図である。以後、第２図、第３図、第４
図及び第５図を用いて前記現象を説明する。
フトレジスタと水平シフトレジスタの結合領域の
構造に起因するものである。第４図ａ，ｂ，ｃは
前記現像を説明するために第３図に示す結合領域
の断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第４図ａ，ｂは垂直電荷転送電極２
１，２２と水平電荷転送電極２７がオン状態で、
垂直トランスフアゲート電極２３がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第４図ｃは水平電荷転
送電極２７だけが前記状態からオフ状態に変換し
た時点の電位分布を示している。また第５図はチ
ヤネル領域の幅とこの領域でのチヤネル電位の関
係を示す図である。以後、第２図、第３図、第４
図及び第５図を用いて前記現象を説明する。
まず第４図ａにおいて第３図に示す領域３６の
チヤネル電位Vが領域３７のチヤネル電位Hに
比べて小さいのは、第２図に示す領域３０のチヤ
ネル幅WVが水平シフトレジスタのチヤネル領域
２４の幅WHに比べて小さいためである。すなわ
ち第５図においてチヤネル幅WHを有する領域の
チヤネル電位はHであるが、チヤネル幅WVを有
する領域のチヤネル電位Vは狭チヤネル効果に
より上記チヤネル電位Hもりも小さくなる。こ
のため第４図ａにおいて水平シフトレジスタのチ
ヤネル領域３７を上記２つのチヤネル電位差H
−Vよりも小さなレベルの信号電荷が転送され
る場合には、信号電荷は領域３６に入いり込ま
ず、効率の良い転送が行なわれる。ところが同図
ｂに示すような信号電荷のレベルが上記電位差
H−Vを越える程大きくなると、上記信号電荷
の一部は領域３６へ入いり込み、水平シフトレジ
スタの転送効率を著しく劣化させる。これが前述
した高輝度被写体撮像時の映像の横方向への流れ
の原因となつていた。さらに同図ｃに示すように
水平電荷転送電極２７がオフ状態となると、領域
３６へ入いり込んだ信号電荷の一部は垂直トラン
スフアゲート２３下のバリア４０を乗り越えて垂
直電荷転送電極２２下のウエル４１へ注入され
る。ウエル４１へ注入された為の信号電荷は垂直
トランスフアゲート電極２３がオン状態となるタ
イミングで再び水平シフトレジスタへ注入され、
あたかも真の信号電荷であるように振る舞う。こ
れが前述した高輝度被写体撮像時の横線上の偽信
号の発生原因となつていた。
チヤネル電位Vが領域３７のチヤネル電位Hに
比べて小さいのは、第２図に示す領域３０のチヤ
ネル幅WVが水平シフトレジスタのチヤネル領域
２４の幅WHに比べて小さいためである。すなわ
ち第５図においてチヤネル幅WHを有する領域の
チヤネル電位はHであるが、チヤネル幅WVを有
する領域のチヤネル電位Vは狭チヤネル効果に
より上記チヤネル電位Hもりも小さくなる。こ
のため第４図ａにおいて水平シフトレジスタのチ
ヤネル領域３７を上記２つのチヤネル電位差H
−Vよりも小さなレベルの信号電荷が転送され
る場合には、信号電荷は領域３６に入いり込ま
ず、効率の良い転送が行なわれる。ところが同図
ｂに示すような信号電荷のレベルが上記電位差
H−Vを越える程大きくなると、上記信号電荷
の一部は領域３６へ入いり込み、水平シフトレジ
スタの転送効率を著しく劣化させる。これが前述
した高輝度被写体撮像時の映像の横方向への流れ
の原因となつていた。さらに同図ｃに示すように
水平電荷転送電極２７がオフ状態となると、領域
３６へ入いり込んだ信号電荷の一部は垂直トラン
スフアゲート２３下のバリア４０を乗り越えて垂
直電荷転送電極２２下のウエル４１へ注入され
る。ウエル４１へ注入された為の信号電荷は垂直
トランスフアゲート電極２３がオン状態となるタ
イミングで再び水平シフトレジスタへ注入され、
あたかも真の信号電荷であるように振る舞う。こ
れが前述した高輝度被写体撮像時の横線上の偽信
号の発生原因となつていた。
本発明の目的は上記の欠点を無くした高品質な
電荷転送撮像装置を提供することにある。
電荷転送撮像装置を提供することにある。
本発明によれば、第１の導電型からなる半導体
基板上に形成され、同一電荷転送電極群で駆動で
き、且つお互いに電気的に分離された複数列の電
荷転送装置から成る垂直シフトレジスタ群と、該
各垂直シフトレジスタ間にチヤネルストツプ手段
によつてお互いに電気的に分離され電荷の蓄積が
可能な光電変換部と、垂直シフトレジスタと光電
変換部との間の信号電荷を制御するトランスフア
ゲート電極と、垂直シフトレジスタの一端に電気
的に結合した水平シフトレジスタと、垂直シフト
レジスタ群の末端のチヤネル領域を水平シフトレ
ジスタの水平電荷転送電極の一部で被うことによ
り設けられた前記垂直シフトレジスタ群と前記水
平シフトレジスタとの結合部と、水平シフトレジ
スタの一端に信号電荷を検出する装置が設けられ
てなり、かつ前記水平電極下のチヤネル電位と前
記結合部のチヤネル電位の差が電荷転送固体撮像
装置の最大信号レベルに比べて大きくなるよう
に、前記水平シフトレジスタが前記垂直シフトレ
ジスタ及び前記結合部より高濃度の第２の導電型
からなる埋込みチヤネルで構成されていることを
特徴とする電荷転送撮像装置が得られる。
基板上に形成され、同一電荷転送電極群で駆動で
き、且つお互いに電気的に分離された複数列の電
荷転送装置から成る垂直シフトレジスタ群と、該
各垂直シフトレジスタ間にチヤネルストツプ手段
によつてお互いに電気的に分離され電荷の蓄積が
可能な光電変換部と、垂直シフトレジスタと光電
変換部との間の信号電荷を制御するトランスフア
ゲート電極と、垂直シフトレジスタの一端に電気
的に結合した水平シフトレジスタと、垂直シフト
レジスタ群の末端のチヤネル領域を水平シフトレ
ジスタの水平電荷転送電極の一部で被うことによ
り設けられた前記垂直シフトレジスタ群と前記水
平シフトレジスタとの結合部と、水平シフトレジ
スタの一端に信号電荷を検出する装置が設けられ
てなり、かつ前記水平電極下のチヤネル電位と前
記結合部のチヤネル電位の差が電荷転送固体撮像
装置の最大信号レベルに比べて大きくなるよう
に、前記水平シフトレジスタが前記垂直シフトレ
ジスタ及び前記結合部より高濃度の第２の導電型
からなる埋込みチヤネルで構成されていることを
特徴とする電荷転送撮像装置が得られる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明
する。
する。
本発明の基本構成は、従来例の第１図とほぼ同
一である。第６図ａは本発明による電荷転送撮像
装置のうち第１図の−′線上の断面を模式的
に示したもので、従来例の第３図に対応して半導
体基板３１の主面には絶縁層３２を介して上述し
た垂直電荷転送電極２１，２２、垂直トランスフ
アゲート電極２３，水平電荷転送電極２７が形成
されている。また上記の垂直電荷転送電極、垂直
トランスフアゲート電極、水平電荷転送電極の領
域６０の電極の直下には、例えば基板半導体とは
反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層６２が形成
され、水平電荷転送電極の領域６１の電極直下に
埋込みチヤネル層６２より高濃度の基板半導体と
は反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層６３が形
成されている。また半導体の主面には例えば金属
層３５で光遮蔽されている。同図において領域６
０は垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタを
電気的に結合している領域であり、また領域６１
は水平シフトレジスタのチヤネル領域を示してい
る。
一である。第６図ａは本発明による電荷転送撮像
装置のうち第１図の−′線上の断面を模式的
に示したもので、従来例の第３図に対応して半導
体基板３１の主面には絶縁層３２を介して上述し
た垂直電荷転送電極２１，２２、垂直トランスフ
アゲート電極２３，水平電荷転送電極２７が形成
されている。また上記の垂直電荷転送電極、垂直
トランスフアゲート電極、水平電荷転送電極の領
域６０の電極の直下には、例えば基板半導体とは
反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層６２が形成
され、水平電荷転送電極の領域６１の電極直下に
埋込みチヤネル層６２より高濃度の基板半導体と
は反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層６３が形
成されている。また半導体の主面には例えば金属
層３５で光遮蔽されている。同図において領域６
０は垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタを
電気的に結合している領域であり、また領域６１
は水平シフトレジスタのチヤネル領域を示してい
る。
かかる構造の電荷転送装置の動作は、第１図、
第２図及び第３図の従来例とほぼ同様なため、こ
こでは第６図ｂを用いて水平シフトレジスタでの
電荷転送の模様だけを説明する。すなわち第６図
ｂは第６図ａに示す断面図の各電極直下の電位分
布を模式的に示したもので、垂直電荷転送電極２
１，２２と水平電荷転送電極がオン状態で垂直ト
ランスフアゲート電極２３がオフ状態となる時点
での電位分布を示している。
第２図及び第３図の従来例とほぼ同様なため、こ
こでは第６図ｂを用いて水平シフトレジスタでの
電荷転送の模様だけを説明する。すなわち第６図
ｂは第６図ａに示す断面図の各電極直下の電位分
布を模式的に示したもので、垂直電荷転送電極２
１，２２と水平電荷転送電極がオン状態で垂直ト
ランスフアゲート電極２３がオフ状態となる時点
での電位分布を示している。
本発明の特徴は第６図ｂに示す領域６１のチヤ
ネル電位Hを領域６０のチヤネル電位Vに比べ
て十分高くしている点である。これは同一電荷転
送電極直下の第２の導電型の領域６０と第２導電
型の濃度の高い方の領域６１とにあるプラス方向
の電圧を印加した場合、第２の導電型の濃度の高
い方の領域６１のチヤネル電位Hは第２の導電
型の濃度の低い領域６０のチヤネル電位V′より
高くなる。そこで第６図ｂにおいて領域６０と領
域６１のチヤネル電位差H−V′が本発明による
電荷転送撮像装置の最大信号レベルに比べて十分
大きくなるように上記領域６１の第２導電型のド
ーピング量を選べば、水平シフトレジスタでの電
荷転送はチヤネル領域６１のみで行なわれ、信号
電荷の一部が領域６０へ入り込むこともなくな
る。従つて本発明による電荷転送撮像装置では水
平シフトレジスタでの電荷転送が効率良く行なわ
れ、従来例であつた高輝度被写体撮像時の映像の
横方向への流れは完全になくなる。また信号電荷
の一部が垂直トランスフアゲート電極２３下のバ
リア７１を乗り越えて垂直電荷転送電極２２下の
ウエル７２に注入されることもないので、従来例
にあつた高輝度被写体撮像時の横線状の偽信号の
発生も完全に防止できる。
ネル電位Hを領域６０のチヤネル電位Vに比べ
て十分高くしている点である。これは同一電荷転
送電極直下の第２の導電型の領域６０と第２導電
型の濃度の高い方の領域６１とにあるプラス方向
の電圧を印加した場合、第２の導電型の濃度の高
い方の領域６１のチヤネル電位Hは第２の導電
型の濃度の低い領域６０のチヤネル電位V′より
高くなる。そこで第６図ｂにおいて領域６０と領
域６１のチヤネル電位差H−V′が本発明による
電荷転送撮像装置の最大信号レベルに比べて十分
大きくなるように上記領域６１の第２導電型のド
ーピング量を選べば、水平シフトレジスタでの電
荷転送はチヤネル領域６１のみで行なわれ、信号
電荷の一部が領域６０へ入り込むこともなくな
る。従つて本発明による電荷転送撮像装置では水
平シフトレジスタでの電荷転送が効率良く行なわ
れ、従来例であつた高輝度被写体撮像時の映像の
横方向への流れは完全になくなる。また信号電荷
の一部が垂直トランスフアゲート電極２３下のバ
リア７１を乗り越えて垂直電荷転送電極２２下の
ウエル７２に注入されることもないので、従来例
にあつた高輝度被写体撮像時の横線状の偽信号の
発生も完全に防止できる。
以上のように本発明によれば偽信号が発生しな
い高品質な電荷転送撮像装置が実現できる。
い高品質な電荷転送撮像装置が実現できる。
なお、ここでは本発明をインターライン転送方
式の電荷転送撮像装置を使つて説明したが、フレ
ーム転送方式のものでも同様に実現できる。
式の電荷転送撮像装置を使つて説明したが、フレ
ーム転送方式のものでも同様に実現できる。
第１図はインターライン転送方式の撮像装置の
概略図、第２図は第１図における垂直シフトレジ
スタと水平シフトレジスタの結合領域の拡大図で
従来例を示している。第３図は第２図の−′
線上の断面図、第４図ａ，ｂ，ｃは第３図におけ
る電位分布模式図、第５図はチヤネル電位のチヤ
ネル幅依存性を示す図、第６図ａは本発明による
構造の断面図、第６図ｂは第６図ａにおける電位
分布模式図である。 図において、１０……垂直シフトレジスタ群、
１１……光電変換素子群、１２……水平シフトレ
ジスタ、１３……電荷検出部、１４……垂直シフ
トレジスタと水平シフトレジスタの結合領域、２
０……垂直シフトレジスタのチヤネル領域、２
１，２２……垂直電荷転送電極、２３……垂直ト
ランスフアゲート電極、２４……水平シフトレジ
スタのチヤネル領域、２５〜２９……水平電荷転
送電極、３０，３６，６０……水平電荷転送電極
の一部で被われた垂直シフトレジスタの末端領
域、３１……基板半導体、３２……絶縁層、３３
……埋込みチヤネル層、３４……チヤネルストツ
プ領域、３５……金属層、３７，６１……水平シ
フトレジスタのチヤネル領域、６２，６３……埋
込みチヤネル層、である。
概略図、第２図は第１図における垂直シフトレジ
スタと水平シフトレジスタの結合領域の拡大図で
従来例を示している。第３図は第２図の−′
線上の断面図、第４図ａ，ｂ，ｃは第３図におけ
る電位分布模式図、第５図はチヤネル電位のチヤ
ネル幅依存性を示す図、第６図ａは本発明による
構造の断面図、第６図ｂは第６図ａにおける電位
分布模式図である。 図において、１０……垂直シフトレジスタ群、
１１……光電変換素子群、１２……水平シフトレ
ジスタ、１３……電荷検出部、１４……垂直シフ
トレジスタと水平シフトレジスタの結合領域、２
０……垂直シフトレジスタのチヤネル領域、２
１，２２……垂直電荷転送電極、２３……垂直ト
ランスフアゲート電極、２４……水平シフトレジ
スタのチヤネル領域、２５〜２９……水平電荷転
送電極、３０，３６，６０……水平電荷転送電極
の一部で被われた垂直シフトレジスタの末端領
域、３１……基板半導体、３２……絶縁層、３３
……埋込みチヤネル層、３４……チヤネルストツ
プ領域、３５……金属層、３７，６１……水平シ
フトレジスタのチヤネル領域、６２，６３……埋
込みチヤネル層、である。
Claims (1)
- １ 第１の導電型からなる半導体基板上に形成さ
れ同一電荷転送電極群で駆動でき、且つお互いに
電気的に分離された複数列の電荷転送装置から成
る垂直シフトレジスタ群と、該各垂直シフトレジ
スタ間にチヤネルストツプ手段によつてお互いに
電気的に分離され電荷の蓄積が可能な光電変換部
と垂直シフトレジスタと光電変換部との間の信号
電荷を制御するトランスフアゲート電極と、垂直
シフトレジスタの一端に電気的に結合した水平シ
フトレジスタと、垂直シフトレジスタ群の末端の
チヤネル領域を水平シフトレジスタの水平電荷転
送電極の一部で被うことにより設けられた前記垂
直シフトレジスタ群と前記水平シフトレジスタと
の結合部と、水平シフトレジスタの一端に信号電
荷を検出する装置が設けられてなり、かつ前記水
平電極下のチヤネル電位と前記結合部のチヤネル
電位の差が電荷転送固体撮像装置の最大信号レベ
ルに比べて大きくなるように、前記水平シフトレ
ジスタが前記垂直シフトレジスタ及び前記結合部
より高濃度の第２の導電型からなる埋込みチヤネ
ルで構成されていることを特徴とする電荷転送撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008453A JPS58125980A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008453A JPS58125980A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125980A JPS58125980A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0424874B2 true JPH0424874B2 (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=11693541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008453A Granted JPS58125980A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125980A (ja) |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008453A patent/JPS58125980A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58125980A (ja) | 1983-07-27 |
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