JPH04249336A - 半導体装置の故障解析装置 - Google Patents
半導体装置の故障解析装置Info
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- JPH04249336A JPH04249336A JP3014069A JP1406991A JPH04249336A JP H04249336 A JPH04249336 A JP H04249336A JP 3014069 A JP3014069 A JP 3014069A JP 1406991 A JP1406991 A JP 1406991A JP H04249336 A JPH04249336 A JP H04249336A
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- Japan
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- semiconductor device
- power supply
- laser
- external
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- Pending
Links
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- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims description 11
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の故障解析装
置に関し、特に漏れ電流により発熱を生じる破壊箇所を
有する半導体装置の故障解析装置に関する。
置に関し、特に漏れ電流により発熱を生じる破壊箇所を
有する半導体装置の故障解析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の故障解析装置は図２
（ａ）に示すように、光源１１と、その光を偏光する偏
光子１２と、反射光を偏光する検光子１３と、表面に液
晶１４が塗布された被試験半導体装置である試料に直流
電圧を印加するための外部電源９とを有している。
（ａ）に示すように、光源１１と、その光を偏光する偏
光子１２と、反射光を偏光する検光子１３と、表面に液
晶１４が塗布された被試験半導体装置である試料に直流
電圧を印加するための外部電源９とを有している。
【０００３】次にこの装置を用いた従来の解析方法につ
いて説明する。まず試料８と表面上に液晶１４を塗布す
る。液晶１４は遷移温度を越えると光学的性質が異方性
から等方性に変化するものを使用する。外部の直流電源
９により試料８に直流電圧印加すると破壊箇所７を流れ
る直流漏れ電流ｉｌによりそこに局所的な発熱が生じ、
試料８面上の液晶の光学的性質を異方性から等方性に変
化させる。偏光子１２は入射光５を一定方向の平面波と
し、検光子１３は反射光６の内の偏光子１２の偏光角か
ら９０度ずれた光以外はしゃ断する働きがある。したが
って、破壊箇所の局所的な発熱により等方性となった液
晶表面の反射光は検光子１３によりしゃ断されるが発熱
のない周囲箇所の反射光６は検光子１３によりしゃ断さ
れない。以上のようにして破壊箇所７が光学的に検出さ
れる。
いて説明する。まず試料８と表面上に液晶１４を塗布す
る。液晶１４は遷移温度を越えると光学的性質が異方性
から等方性に変化するものを使用する。外部の直流電源
９により試料８に直流電圧印加すると破壊箇所７を流れ
る直流漏れ電流ｉｌによりそこに局所的な発熱が生じ、
試料８面上の液晶の光学的性質を異方性から等方性に変
化させる。偏光子１２は入射光５を一定方向の平面波と
し、検光子１３は反射光６の内の偏光子１２の偏光角か
ら９０度ずれた光以外はしゃ断する働きがある。したが
って、破壊箇所の局所的な発熱により等方性となった液
晶表面の反射光は検光子１３によりしゃ断されるが発熱
のない周囲箇所の反射光６は検光子１３によりしゃ断さ
れない。以上のようにして破壊箇所７が光学的に検出さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の解析装置では、図２（ｂ）に示す様に破壊箇所におけ
る局所的な発熱が液晶表面上に伝搬するまで拡がり微少
破壊箇所を検出することは困難であった。
の解析装置では、図２（ｂ）に示す様に破壊箇所におけ
る局所的な発熱が液晶表面上に伝搬するまで拡がり微少
破壊箇所を検出することは困難であった。
【０００５】本発明の目的は微少破壊箇所の検出できる
半導体装置の故障解析装置を提供することにある。
半導体装置の故障解析装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の故
障解析装置は、光源としてレーザと、該レーザを被試験
半導体装置の表面上に走査させるための走査ミラーと、
前記被試験半導体装置からの反射光を検出する光検出器
と、該検出器の出力する検出信号を映像信号に変換する
信号変換部と、前記被試験半導体装置に直流電圧を印加
する外部直流電源とを含んで構成されている。
障解析装置は、光源としてレーザと、該レーザを被試験
半導体装置の表面上に走査させるための走査ミラーと、
前記被試験半導体装置からの反射光を検出する光検出器
と、該検出器の出力する検出信号を映像信号に変換する
信号変換部と、前記被試験半導体装置に直流電圧を印加
する外部直流電源とを含んで構成されている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例のブロック図
及び部分拡大模式図である。半導体装置の故障解析装置
は、光源としてＨｅＮｅレーザ１と、被試験半導体装置
８の表面上に入射光５を走査させるための走査ミラー２
と、被試験半導体装置８からの反射光６を検出する光検
出器３と、検出器３の出力する検出信号ＳＬを映像信号
１０に変換する信号変換部４と、半導体装置８に直流電
圧を印加する外部直流電源９とを有している。
。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例のブロック図
及び部分拡大模式図である。半導体装置の故障解析装置
は、光源としてＨｅＮｅレーザ１と、被試験半導体装置
８の表面上に入射光５を走査させるための走査ミラー２
と、被試験半導体装置８からの反射光６を検出する光検
出器３と、検出器３の出力する検出信号ＳＬを映像信号
１０に変換する信号変換部４と、半導体装置８に直流電
圧を印加する外部直流電源９とを有している。
【０００８】次に動作を説明する。外部直流電源９によ
り半導体装置８に直流電圧を印加すると、破壊箇所７に
おいて局所的な発熱が生じる。この局所的な発熱箇所に
おいては周囲に比べて表面温度が高いので転調光学反射
率が変化する。Ｈｅ−Ｎｅレーザ１の光を走査ミラー２
を用いて半導体装置８の全面上を走査させ、反射光６を
光検出器３により検出する。検出された光は信号変換部
４により映像信号に変換される。
り半導体装置８に直流電圧を印加すると、破壊箇所７に
おいて局所的な発熱が生じる。この局所的な発熱箇所に
おいては周囲に比べて表面温度が高いので転調光学反射
率が変化する。Ｈｅ−Ｎｅレーザ１の光を走査ミラー２
を用いて半導体装置８の全面上を走査させ、反射光６を
光検出器３により検出する。検出された光は信号変換部
４により映像信号に変換される。
【０００９】一般に表面温度Ｔと転調光学反射率ΔＲ／
Ｒとの間にはＲは試料本来の光学反射率，Ｔ０ は周囲
温度，δＲ／δＴは光学反射の温度係数とすると、〔δ
Ｒ／Ｒ〕＝（１／Ｒ）（δＲ／δＴ）（Ｔ−Ｔ０ ）の
関係が成り立つ。したがって図１（ｂ）に示す様に、局
所的な微少発熱箇所においては転調光学反射率が変化す
るが周囲の発熱しない箇所は反射率が変化しないので、
微少破壊箇所を検出できる。
Ｒとの間にはＲは試料本来の光学反射率，Ｔ０ は周囲
温度，δＲ／δＴは光学反射の温度係数とすると、〔δ
Ｒ／Ｒ〕＝（１／Ｒ）（δＲ／δＴ）（Ｔ−Ｔ０ ）の
関係が成り立つ。したがって図１（ｂ）に示す様に、局
所的な微少発熱箇所においては転調光学反射率が変化す
るが周囲の発熱しない箇所は反射率が変化しないので、
微少破壊箇所を検出できる。
【００１０】この解析装置においては、試料面上に液晶
を塗布することなしに直接発熱箇所を検出するため、熱
の拡がりが少なく微少箇所の検出が可能である。
を塗布することなしに直接発熱箇所を検出するため、熱
の拡がりが少なく微少箇所の検出が可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、漏れ電流
により発熱を生じる被試験半導体装置の破壊箇所を解析
するために、Ｈｅ−Ｎｅレーザを試料表面上に走査させ
その反射光を測定することにより、微少破壊箇所を検出
できるという効果を有する。
により発熱を生じる被試験半導体装置の破壊箇所を解析
するために、Ｈｅ−Ｎｅレーザを試料表面上に走査させ
その反射光を測定することにより、微少破壊箇所を検出
できるという効果を有する。
【図１】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
ブロック図および被試験半導体装置の部分拡大断面模式
図である。
ブロック図および被試験半導体装置の部分拡大断面模式
図である。
【図２】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の半導体装置の
故障解析装置の一例のブロック図および部分拡大断面模
式図である。
故障解析装置の一例のブロック図および部分拡大断面模
式図である。
１ Ｈｅ −Ｎｅ レーザ
２ 走査ミラー
３ 光検出器
４ 信号変換部
５ 入射光
６ 反射光
７ 破壊箇所
８ 試料
９ 外部直流電源
１０ 映像信号
１１ 光源
１２ 偏光子
１３ 検光子
１４ 液晶
Claims (1)
- 【請求項１】 光源としてレーザと、該レーザを被試
験半導体装置の表面上に走査させるための走査ミラーと
、前記被試験半導体装置からの反射光を検出する光検出
器と、該検出器の出力する検出信号を映像信号に変換す
る信号変換部と、前記被試験半導体装置に直流電圧を印
加する外部直流電源とを含むことを特徴とする半導体装
置の故障解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014069A JPH04249336A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 半導体装置の故障解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3014069A JPH04249336A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 半導体装置の故障解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249336A true JPH04249336A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=11850816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014069A Pending JPH04249336A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | 半導体装置の故障解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04249336A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016056110A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 解析装置及び解析方法 |
| WO2016056109A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 解析装置及び解析方法 |
-
1991
- 1991-02-05 JP JP3014069A patent/JPH04249336A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016056110A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 解析装置及び解析方法 |
| WO2016056109A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 解析装置及び解析方法 |
| JPWO2016056110A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2017-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 解析装置及び解析方法 |
| JPWO2016056109A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2017-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 解析装置及び解析方法 |
| US10330615B2 (en) | 2014-10-09 | 2019-06-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Analysis system and analysis method |
| US10365324B2 (en) | 2014-10-09 | 2019-07-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Analysis system and analysis method |
| US10591427B2 (en) | 2014-10-09 | 2020-03-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Analysis system and analysis method |
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