JPH04249409A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH04249409A JPH04249409A JP3015171A JP1517191A JPH04249409A JP H04249409 A JPH04249409 A JP H04249409A JP 3015171 A JP3015171 A JP 3015171A JP 1517191 A JP1517191 A JP 1517191A JP H04249409 A JPH04249409 A JP H04249409A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- controlled oscillator
- voltage controlled
- oscillation
- oscillator
- Prior art date
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コードレス電話等の移
動体通信機器に用いられる電圧制御発振器に関するもの
である。
動体通信機器に用いられる電圧制御発振器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、コードレス電話等の移動体通信機
器では小型，軽量化、および低消費電流化が要望されて
おり、機器の性能を左右する電圧制御発振器についても
、これらの要望は高まってきている。
器では小型，軽量化、および低消費電流化が要望されて
おり、機器の性能を左右する電圧制御発振器についても
、これらの要望は高まってきている。
【０００３】以下に従来の電圧制御発振器について図面
を用いて説明する。図２は従来の電圧制御発振器の具体
的な回路の一例を示す回路図であり、図２において、空
心コイルＬ１，コンデンサＣ５，Ｃ６，Ｃ７およびバリ
キャップダイオードＤ１で形成される共振回路を用いて
、トランジスタＱ１をコレクタ接地型でエミッタから出
力を取り出すコルピッツ型発振器として構成され、この
コルピッツ型発振器からの発振出力をトランジスタＱ２
を用いたエミッタ接地型バッファ増幅器を介して取出す
構成となっていた。
を用いて説明する。図２は従来の電圧制御発振器の具体
的な回路の一例を示す回路図であり、図２において、空
心コイルＬ１，コンデンサＣ５，Ｃ６，Ｃ７およびバリ
キャップダイオードＤ１で形成される共振回路を用いて
、トランジスタＱ１をコレクタ接地型でエミッタから出
力を取り出すコルピッツ型発振器として構成され、この
コルピッツ型発振器からの発振出力をトランジスタＱ２
を用いたエミッタ接地型バッファ増幅器を介して取出す
構成となっていた。
【０００４】なおＲ７〜Ｒ１２は抵抗、Ｃ１〜Ｃ１０は
コンデンサ、Ｌ１〜Ｌ３はインダクタンスである。また
６は電圧制御端子、７は電源端子、８は発振出力端子を
示すものである。
コンデンサ、Ｌ１〜Ｌ３はインダクタンスである。また
６は電圧制御端子、７は電源端子、８は発振出力端子を
示すものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例の構成では、発振部とバッファ増幅部の各々に電流が
流れているため、低消費電流化には限界があった。また
、小型，軽量化のためにＩＣ化しようとしても、ＩＣ化
の利点を十分に生かすことが困難であるなどの課題を有
していた。
例の構成では、発振部とバッファ増幅部の各々に電流が
流れているため、低消費電流化には限界があった。また
、小型，軽量化のためにＩＣ化しようとしても、ＩＣ化
の利点を十分に生かすことが困難であるなどの課題を有
していた。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、ＩＣ化を行い小型，低消費電流で高Ｃ／Ｎを有する電
圧制御発振器を提供することを目的とする。
、ＩＣ化を行い小型，低消費電流で高Ｃ／Ｎを有する電
圧制御発振器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の電圧制御発振器は、発振用の第１トランジス
タのコレクタとバッファ増幅器用の第２トランジスタの
エミッタを接続して高周波的に接地するカスケード型発
振器の上記第１トランジスタのベース端子にバイアス温
度補償回路を接続する構成としたものである。
に本発明の電圧制御発振器は、発振用の第１トランジス
タのコレクタとバッファ増幅器用の第２トランジスタの
エミッタを接続して高周波的に接地するカスケード型発
振器の上記第１トランジスタのベース端子にバイアス温
度補償回路を接続する構成としたものである。
【０００８】
【作用】この構成によって、発振用第１トランジスタと
、バッファ増幅器用第２トランジスタに流れる電流経路
が同一となり低電流化が図れると共に、第１トランジス
タのベースバイアスにバイアス温度補償をすることで、
ＩＣ化に適した電圧制御発振器を構成することができる
。
、バッファ増幅器用第２トランジスタに流れる電流経路
が同一となり低電流化が図れると共に、第１トランジス
タのベースバイアスにバイアス温度補償をすることで、
ＩＣ化に適した電圧制御発振器を構成することができる
。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明によりＩＣ化された電
圧制御発振器の具体的な回路の一例を示す回路図である
。なお、図１において、前記図２と同じ作用の部品は同
一符号を付与して説明する。また、図中点線内はＩＣ化
を行った部分を示すものである。
しながら説明する。図１は本発明によりＩＣ化された電
圧制御発振器の具体的な回路の一例を示す回路図である
。なお、図１において、前記図２と同じ作用の部品は同
一符号を付与して説明する。また、図中点線内はＩＣ化
を行った部分を示すものである。
【００１０】図１において発振用トランジスタＱ１のコ
レクタとバッファ増幅器用トランジスタＱ２のエミッタ
を接続して、接地用コンデンサＣ２，Ｃ２ａ（Ｃ２ａは
ＩＣ化のための容量を示す）を接続することにより、発
振器はコレクタ接地型となり、バッファ増幅器はエミッ
タ接地型となる。
レクタとバッファ増幅器用トランジスタＱ２のエミッタ
を接続して、接地用コンデンサＣ２，Ｃ２ａ（Ｃ２ａは
ＩＣ化のための容量を示す）を接続することにより、発
振器はコレクタ接地型となり、バッファ増幅器はエミッ
タ接地型となる。
【００１１】発振部については、トランジスタＱ１のコ
レクタ端子３とエミッタ端子４の間に帰還容量Ｃ３、エ
ミッタ端子４とベース端子５の間に帰還容量Ｃ４を接続
すると共に、ベース端子５に、空心コイルＬ１，コンデ
ンサＣ５〜Ｃ７およびバリキャップダイオードＤ１等で
形成される共振回路を接続し発振出力をトランジスタＱ
１のエミッタから取出し、ＩＣ化容量Ｃ１を介してトラ
ンジスタＱ２のベースに入力される。
レクタ端子３とエミッタ端子４の間に帰還容量Ｃ３、エ
ミッタ端子４とベース端子５の間に帰還容量Ｃ４を接続
すると共に、ベース端子５に、空心コイルＬ１，コンデ
ンサＣ５〜Ｃ７およびバリキャップダイオードＤ１等で
形成される共振回路を接続し発振出力をトランジスタＱ
１のエミッタから取出し、ＩＣ化容量Ｃ１を介してトラ
ンジスタＱ２のベースに入力される。
【００１２】バッファ増幅器についてはトランジスタＱ
２のコレクタ端子２と電源端子１の間にコイルＬ３とコ
ンデンサＣ８で形成される出力同調回路が接続され、結
合容量Ｃ９を介して、出力端子８より出力される。バイ
アス供給については、ＩＣ化定電圧回路（バンドギャッ
プ回路）９の出力端子９ａの基準電圧から、トランジス
タＱ３，Ｑ４および抵抗Ｒ４〜Ｒ６で形成されるバイア
ス温度補償回路を介してトランジスタＱ１のベースバイ
アスを供給している。トランジスタＱ２のベースバイア
スは抵抗ブリーダ形式で供給している。
２のコレクタ端子２と電源端子１の間にコイルＬ３とコ
ンデンサＣ８で形成される出力同調回路が接続され、結
合容量Ｃ９を介して、出力端子８より出力される。バイ
アス供給については、ＩＣ化定電圧回路（バンドギャッ
プ回路）９の出力端子９ａの基準電圧から、トランジス
タＱ３，Ｑ４および抵抗Ｒ４〜Ｒ６で形成されるバイア
ス温度補償回路を介してトランジスタＱ１のベースバイ
アスを供給している。トランジスタＱ２のベースバイア
スは抵抗ブリーダ形式で供給している。
【００１３】以上のようにＩＣ化して構成された電圧制
御発振器では、発振用トランジスタＱ１とバッファ増幅
器用トランジスタＱ２に流れる電流が同一経路になるた
め、従来例に比べて半分の消費電流となる。またＩＣ化
を図ったバイアス温度補償回路でバイアス供給すること
により、トランジスタＱ１，Ｑ２に流れる電流を一定に
することができ、発振出力レベルが安定化される。
御発振器では、発振用トランジスタＱ１とバッファ増幅
器用トランジスタＱ２に流れる電流が同一経路になるた
め、従来例に比べて半分の消費電流となる。またＩＣ化
を図ったバイアス温度補償回路でバイアス供給すること
により、トランジスタＱ１，Ｑ２に流れる電流を一定に
することができ、発振出力レベルが安定化される。
【００１４】また、このように構成されたカスケード型
発振器では、トランジスタＱ１のコレクタ接地点に雑音
がのりやすく、Ｃ／Ｎ劣化が問題となる場合があるが、
本実施例ではトランジスタＱ１，Ｑ２等で増幅される雑
音のうち、同相成分の雑音がトランジスタＱ１のコレク
タにのることを防ぐため、トランジスタＱ１およびＱ２
の各々のベースは別バイアス供給とし、抵抗ブリーダ形
式として解消している。
発振器では、トランジスタＱ１のコレクタ接地点に雑音
がのりやすく、Ｃ／Ｎ劣化が問題となる場合があるが、
本実施例ではトランジスタＱ１，Ｑ２等で増幅される雑
音のうち、同相成分の雑音がトランジスタＱ１のコレク
タにのることを防ぐため、トランジスタＱ１およびＱ２
の各々のベースは別バイアス供給とし、抵抗ブリーダ形
式として解消している。
【００１５】なお、本実施例で３００ＭＨｚ帯電圧制御
発振器として、３Ｖ，４ｍＡで、発振出力−３ｄＢｍ，
Ｃ／Ｎ７５ｄＢ／８ＫＨｚ：離調周波数１２．５ＫＨｚ
等の性能を得ることができた。
発振器として、３Ｖ，４ｍＡで、発振出力−３ｄＢｍ，
Ｃ／Ｎ７５ｄＢ／８ＫＨｚ：離調周波数１２．５ＫＨｚ
等の性能を得ることができた。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明による電圧制御発振
器は、発振用トランジスタのコレクタとバッファ増幅器
用トランジスタのエミッタを接続して高周波的に接地す
るカスケード型発振器の、発振用トランジスタのベース
端子に温度補償バイアスを供給することにより、低電流
化され、電源変動および温度変動による発振出力の安定
化が可能となり、高Ｃ／ＮでＩＣ化に適した電圧制御発
振器を実現することができ工業的価値の大なるものであ
る。
器は、発振用トランジスタのコレクタとバッファ増幅器
用トランジスタのエミッタを接続して高周波的に接地す
るカスケード型発振器の、発振用トランジスタのベース
端子に温度補償バイアスを供給することにより、低電流
化され、電源変動および温度変動による発振出力の安定
化が可能となり、高Ｃ／ＮでＩＣ化に適した電圧制御発
振器を実現することができ工業的価値の大なるものであ
る。
【図１】本発明の一実施例における電圧制御発振器の構
成を示す回路図
成を示す回路図
【図２】従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図
Ｑ１ 発振用トランジスタ
Ｑ２ バッファ増幅器用トランジスタＱ３，Ｑ４
温度補償回路用トランジスタＤ１ バリキャップダイ
オード Ｒ１〜Ｒ１２ 抵抗 Ｃ１〜Ｃ１０ コンデンサ Ｌ１〜Ｌ３ インダクタンス １ 電源端子 ２，３ コレクタ端子 ４ エミッタ端子 ５ ベース端子 ６ 電圧制御端子 ７ 電源端子 ８ 発振出力端子 ９ 定電圧回路 １０ ＩＣ化される部分
温度補償回路用トランジスタＤ１ バリキャップダイ
オード Ｒ１〜Ｒ１２ 抵抗 Ｃ１〜Ｃ１０ コンデンサ Ｌ１〜Ｌ３ インダクタンス １ 電源端子 ２，３ コレクタ端子 ４ エミッタ端子 ５ ベース端子 ６ 電圧制御端子 ７ 電源端子 ８ 発振出力端子 ９ 定電圧回路 １０ ＩＣ化される部分
Claims (1)
- 【請求項１】発振用の第１トランジスタのコレクタとバ
ッファ増幅器用の第２トランジスタのエミッタを接続し
て高周波的に接地するカスケード型発振器の前記第１ト
ランジスタのベース端子にバイアス温度補償回路を接続
してなる電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03015171A JP3136618B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03015171A JP3136618B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249409A true JPH04249409A (ja) | 1992-09-04 |
| JP3136618B2 JP3136618B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=11881365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03015171A Expired - Fee Related JP3136618B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3136618B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539020U (ja) * | 1991-10-15 | 1993-05-25 | アルプス電気株式会社 | 高周波発振回路 |
| WO2001052402A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Voltage-controlled oscillator for producing multiple frequency bands |
| CN110417352A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-05 | 厦门英诺迅科技有限公司 | 一种稳定恒流偏置cascode mmic vco |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP03015171A patent/JP3136618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539020U (ja) * | 1991-10-15 | 1993-05-25 | アルプス電気株式会社 | 高周波発振回路 |
| WO2001052402A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Voltage-controlled oscillator for producing multiple frequency bands |
| US6759915B2 (en) | 2000-01-12 | 2004-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-band, voltage-controlled oscillator |
| CN110417352A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-05 | 厦门英诺迅科技有限公司 | 一种稳定恒流偏置cascode mmic vco |
| CN110417352B (zh) * | 2019-08-26 | 2024-04-30 | 厦门英诺迅科技有限公司 | 一种稳定恒流偏置cascode mmic vco |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3136618B2 (ja) | 2001-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |